Electronica de Potencia

Autor: Peppe Pardini, Alexis Augusto. Tcnico Universitario en electrnica.
UTN-FRBA

Aproximaciones matemticas
de los circuitos de Electrnica de Potencia

En la conexin:

L
s L
di
V i R L E
dt
+ +
de solucin general:
0 1
R
t
L
L
i k e k

+
las condiciones de contorno son:
'

Aplicando la condicin B) en 0 t
+
:
L
s
di
V L
dt

0 1
0
R
t
L
R
t
L
s
d k e k
R
V L E L k e E
dt L

_
+

_ ,
+ +

,

en t=0:
0
0 0 0
R
L
s
R R
V E L k e L k R k
L L

_

,
?
0
s
V E
k
R

Remplazando en la ecuacin diferencial:
1
R
t
S L
L
V E
i e k
R

+
A) en 0 t
+
:
0 L
i I
B) en 0 t
+
:
L
s
di
V L E
dt
+

Autor: Peppe Pardini, Alexis Augusto. Tcnico Universitario en electrnica. UTN-FRBA

aplicando la condicin de contorno A) en 0 t
+
:
0 L
i I
0
1 0
R
S L
L
V E
i e k I
R

+ ?
1 0
S
V E
k I
R
+ ?
1 0
S
V E
k I
R
+

y remplazando en la ecuacin diferencial
0
R
t
S S L
L
V E V E
i e I
R R

+ +

El resultado de la ecuacin diferencial para el transitorio de conexin es:

0
1
R
t
S
L
L
V E
i e I
R
_
+

,
, para 0
on
t t ,
on
t D T
, D: Ciclo de Actividad
,T: Periodo

Durante la desconexin:

L
L
di
i R L E
dt
+
de solucin:

2 3
R
t
L
L
i k e k

+
las condiciones de contorno son:
'

Aplicando la condicin de contorno B) en t +: 0
L
i para
2 3
R
t
L
L
i k e k

+ :
2 3
0
R
L
k e k

+ ?
3
0 k

Remplazando en la solucin de la Ecuacin diferencial:
2
R
t
L
L
i k e

A) en 0 t

:
L Mx
i I
B) en t +: 0
L
i


Aplicando la condicin de contorno A) en 0 t :
L Mx
i I para
2
R
t
L
L
i k e

0
2
R
L
Mx
i k e

?
2 Mx
k i

El resultado de la ecuacin diferencial para el transitorio de desconexin es:

R
t
L
L Mx
i i e

, para
on
t t T ,
on
t D T

El resultado de la para la conexin y desconexin es:

( )
0
1 , 0
,
R
t
S L
L
R
t D T
L
Mx
V E
e I t D T
R
i
i e D T t T

_
+

'

Ahora que hemos hallado la respuesta de ste circuito de potencia, lanzaremos la siguiente hiptesis:
HIPOTESIS:) El perodo de conmutacin del circuito es mucho mayor que su constante de tiempo R/L, es
decir:
T <<
,con
L
R

Con esta hiptesis la formas de onda se vern as:
D T

Como vemos las exponenciales se aproximan a rectas, es decir, que con esta hiptesis de T <<
podemos hacer una aproximacin lineal.
Por ejemplo :

0
1
R
t
S
L
L
V E
i e I
R
_
+

,
?
0
1
R
t
S
L
L
V E
I i I e
R
_

,

Si queremos la variacin mxima, en t=DT:

1
R
D T
S
L
V E
I e
R
_

,

usando la siguiente aproximacin lineal por Taylor: 1
kx
e k x
,kx? 0

1 1
S S
V E V E R
I D T D T
R L L

_
+

,

S
V E
I D T
L

Como una es una aproximacin lineal tiene asociado un error, que por ser T << es despreciable.
D T ( ) 1 D T

Ahora veremos como el uso de esta aproximacin lineal desde el inicio del anlisis simplifica muchsimo
los clculos.
Empecemos nuestro anlisis nuevamente desde el principio. Despreciando la resistencia:

En la conexin:

L L L
s
di i i
V E L L L
dt t D T

( )
L s
D T
i V E
L

Entonces la variacin de corriente mxima es:

S
V E
I D T
L

que es la misma expresin que hallamos con el mtodo anterior de resolver la ecuacin diferencial, y
luego hacer una aproximacin lineal.
Como vemos este mtodo es mucho ms sencillo y se utilizar ampliamente en la resolucin de los
circuitos de potencia.

Si continuamos con el anlisis:


En la desconexin:

( ) 1
L L L
di i i
E L L L
dt t D T

( ) 1
L
D T
i E
L

Al igualar la variacin mxima de corriente durante la conexin y desconexin, ya que en rgimen
permanente el convertidor debe permanecer con una tensin media fija:
L L
cerrado abierto
i i
( )
( ) 1
s
D T D T
V E E
L L

E
D
Vs

Y vemos que es un convertidor reductor, con la forma de onda siguiente:

Aunque aqu lo que se quiso demostrar es que efectuando una aproximacin lineal desde el inicio
del anlisis se simplifica notablemente el tratamiento matemtico. Adems. se desarrollo por lo
menos una vez la resolucin detallada de la ecuacin diferencial.

DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Mapa de potencia, frecuencias de los dispositivos de potencia
Electrodomsticos
Ordenadores
Aparatos digitales
Fuentes
Conmutadas

Tiristores
o SCR (Rectificador controlado de silicio):

Los tiristores son dispositivos semiconductores de cuatro capas que se utilizan como interruptores
en circuitos de potencia.

Tiristor Transistor
Menores perdidas por
conduccin
Menores perdidas de
conmutacin
Mayor potencia Mayor Velocidad

Poseen 3 terminales ( nodo, ctodo y compuerta) y tres junturas pn (J1,J2 y J3). El corte
transversal es el siguiente:

Funcionamiento:
Cuando se le aplica una tensin positiva al nodo con respecto al ctodo ( ) 0
AK
V > el tiristor
permanece en bloque directo. Las junturas J1 y J3 estn polarizadas en directa y la J2 en inversa,
por lo tanto no conduce, salvo por una pequea corriente directa de fuga
D
I .
Si se aumenta la tensin (
AK BO
V V > : tensin de ruptura por avalancha) lo suficiente para llega a la
zona de Ruptura directa por avalancha, se produce un disparo anormal que tiende a proteger la
juntura J2, ya que la tensin
AK
V disminuye normalmente a 1V debido a la resistencia interna de las
tres junturas polarizadas en directa. La corriente es limitada por el circuito externo.


La forma normal de disparar un tiristor es aplicando una tensin posit iva a la compuerta, de forma
que produzca una corriente entrante por la misma. Adems, para que el dispositivo se mantenga en
el estado conduccin directa inmediatamente despus de retirar la corriente de compuerta, debe
haber una corriente andica mayor a la corriente de retencin( )
L
I . La juntura de transicin J2
desaparase debido a los portadores libres en conduccin, por lo tanto la compuerta pierde todo tipo
de utilidad.
Una vez en conduccin, la corriente andica debe ser mayor a la corriente de mantenimiento ( )
h
I ,
de lo contrario se bloqueara. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de retencin
( )
h L
I I < .
Cuando el tiristor se aplica una tensin en sentido inversa ( ) 0
AK
V < la juntura J2 se polariza en
directa, pero J1 y J3 en inversa. El dispositivo pasa a un estado de bloque en sentido inverso y la
corriente se anula, salvo por una pequea corriente de fuga inversa ( )
R
I .
Si se aumenta la tensin inversa ms all de la Tensin de ruptura, la corriente aumenta
rpidamente y se daan las junturas J1 y J3 de forma permanente.

Modelo del Tiristor

La accin regenerativa o de retencin debida a una realimentacin positiva se puede simular con un
modelo hecho con dos transistores.

Con una corriente de compuerta pequea el tiristor se activa y retiene grandes valores de corriente
andica. Al ingresar una corriente de compuerta
2 G B
I I en el transistor Q2, produce una corriente
de colector que polariza la base de Q1 ( )
2 1 C B
I I . A su vez Q1 produce una corriente de colector
( )
1 C
I que aumenta la corriente de base de Q2. De esta forma se produce una accin regenerativa que
permite la conduccin de grandes valores de corriente andica ( )
A
I .
Adems, si en un tiristor aumenta rpidamente la tensin
AK
V se puede disparar por
v
dt
. Para
simular este efecto se puede agregar a nuestro modelo de dos transistores las capacidades entre
base-emisor y base-colector de cada transistor.

Activacin del Tiristor:
El tiristor puede pasar al estado de conduccin directa por los siguientes efectos:

1) Corriente de compuerta: Un tiristor polarizado en directa, al que se le ingresa una corriente por
la compuerta pasa al estado de conduccin. Lo cul produce baja la tensin entre anodo y ctodo
como se ve a continuacin:

Adems la corriente de nodo hasta un lmite dado por el circuito externo, de la siguiente forma:

Se tarda un tiempo de disparo ( )
on
t entre la aplicacin de la seal de compuerta y la conduccin
del tiristor.
on
t esta conformado por el tiempo de retardo a la excitacin ( )
d
t y el tiempo de
crecimiento ( )
r
t .
Hay que tener en cuenta que es conveniente retirar la corriente de compuerta una vez que halla
encendido el tiristor, ya que de lo contrario aumentaran las perdidas. En general, se hace el tiempo
de ancho de pulso de compuerta ( )
G
t mayor que el tiempo de activacin del transistor ( )
on
t .

Corriente de nodo

Corriente de Compuerta

2) Alta tensin: Si se aplica una tensin en directa mayor que la tensin de ruptura ( )
AK BO
V V >
circula una corriente de fuga lo suficientemente importante para permitir la regeneracin y activar,
de esta forma, al tiristor.

3) dv dt . Si la velocidad de variacin de tensin es grande, las capacidades residuales pueden
permitir la regeneracin de corriente en sentido directo. Esto puede daar al tiristor por lo que se
suelen utilizar circuitos de proteccin.

4) Luz. Si incide luz sobre las junturas, la generacin extra de pares electrn- hueco puede activar el
tiristor.

5) Trmica. El aumento de temperatura produce un aumento de la cantidad de pares electrn-Hueco
que aumenta la corriente de fuga, y puede permitir la activacin.

Apagado del Tiristor:
Para bloquear un tiristor hay que mantener durante un tiempo de apagado
( )
q
t una corriente inferior
a la corriente de mantenimiento ( )
h
I . Este tiempo de apagado consta de un tiempo de recuperacin
inversa ( )
rr
t y un tiempo de recombinacin ( )
rc
t . Durante la recuperacin circula una corriente de
recuperacin inversa ( )
rr
I , que puede ser mayor que la corriente de bloqueo ( )
R
I , y tiene por
objeto recuperar la carga ( )
RR
Q . Durante el tiempo
rc
t se recombina el exceso de portadoras,
pudiendo reducirse al aplicarle una tensin inversa.


Otros Tiristores:
1) El BCT. Se integran dos medios tiristores en antiparalelo en una pastilla de manera que no se
interfieran entres si.

2) ASCR o RCT. Rectificador controlado de silicio asincrnico. Posee un diodo en antiparalelo lo
que lo adecua a muchos circuitos de potencia, adems el diodo evita la saturacin completa lo que
lo adecua para altas frecuencias. Posee bajas perdidas de conduccin.


3)LASCR. Similar al anterior. Este dispositivo enciende por irradiacin directa con luz, y ofrece
aislamiento elctrico completo. Se utilizan para alta tens in y gran intensidad.

4) TRIAC. Tiristor bidireccional. Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo cuyas
compuertas estn unidas. Una corriente de compuerta positiva lo enciende en un sentido, y negativa
en el contrario.

5) GTO Tiristor de Apagado por compuerta. Se enciende aplicando un pulso positivo corto en su
compuerta y se apaga con un pulso negativo corto y de baste intensidad. Este pulso de apagado
implica extraccin de los portadores de carga de la compuerta. Permite altas frecuencias de
conmutacin con mejor eficiencia que los SCR.
Tiene mayor tensin de bloqueo, gran relacin de corriente y tensin pico a media, alta ganancia de
encendido y un pulso de corta duracin para el encendido que un transistor.

Una relacin
G
di dt grande del pulso de activacin en la compuerta disminuye las prdidas en la
conmutacin.
Para el apagado, teniendo en cuenta que el circuito de apagado 2 tiene una constante de tiempo
mayor:

6) FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor. Con una tensin de
alrededor de 3V se genera internamente la corriente para habilitar
por compuerta al tiristor. Posee una alta velocidad de crecimiento de
corriente.


7) MTO. Es un Mosfet y Gto. Supera las caractersticas de apagado del GTO. Posee un terminal
adicional denominado compuerta de apagado, que permite desconectar al dispositivo con tensin.
Esto produce un pulso elevado de corriente negativa que disminuye las perdidas asociadas al
tiempo de almacenamiento.

8) SITH Tiristor de induccin esttica. Puede desactivarse aplicadnos una tensin negativa a la
compuerta. Es un dispositivo de portadores minoritarios, lo que le confiere una baja resistencia en
estado de conduccin as como una baja cada de potencial. Posee altos rango de tensin y corriente.
Tiene alta velocidad de conmutacin y grandes capacidades dv/dt y di/dt. Es extremadamente
sensible al proceso de fabricacin.

9) MCT Tiristor controlado por MOS. Se puede operar como dispositivo controlado por
compuerta, si su corriente es menor que la corriente de control pico. Si se intenta desactivar el MCT
a corrientes mayores se puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de
corriente debe ser conmutado como un SCR estndar.

Compuerta
de encendido

Proteccin contra dv dt :
Si la velocidad de variacin de tensin es grande, las capacidades residuales pueden permitir la
regeneracin de corriente en sentido directo y disparar al dispositivo. Por ej al siguiente circuito se
le aplica un escaln de tensin:

Este escaln tiene una alta tasa de dv dt lo que puede disparar al SCR. Para evitarlo se agrega una
resistencia en serie con el capacitor que cambia la cte de tiempo y evita el disparo epurio:

Un circuito que tiene distintas constantes de tiempo para la activacin y desactivacin es el
siguiente:

Por lo general se utiliza una constante de amortiguamiento entre 0.5 y 1.

Proteccin contra di dt :

Un tiristor necesita un tiempo para repartir por igual la conduccin de la corriente en las junturas. Si
la corriente de nodo aumenta muy rpidamente se producen puntos calientes que pueden daar
al dispositivito. Para evitarlo se utilizan circuitos de proteccin como el siguiente:

donde el inductor en serie
s
L disminuye la tasa de aumento de la corriente en
S
di Vs
dt L
.

Las Vlvulas de vaco rectificadoras por vapor de mercurio:
La conduccin la soporta el vapor de mercurio y para iniciarla debe introducirse al principio una
punta metlica (ignitor) a tensin apropiada dentro del mercurio. Luego, al alcanzar la temperatura
adecuada, el ignitor se hace innecesario. El ctodo comn, por donde fluye la corriente rectificada,
es la cubeta con el charco de mercurio. No posee control, por lo que el funcionamiento, es del tipo
diodo rectificador.

Vlvula de Gas Controladas:

Dado que la cada de tensin durante la conduccin en las vlvulas de vaci es elevada, se
desarrollaron vlvulas para uso especial en potencia, con ciertos gases o vapores, que sacrifican
linealidad para favorecer la conduccin. Las ms importantes son:

1) El tiratrn.
Se llenan de Nen, xenn, vapor de mercurio o hidrgeno para favorecer la conduccin. Pude
poseer una, dos tres rejillas y estn preparadas para controlar modular el paso de grandes
impulsos de energa. En la actualidad fue sustituido por el ignitrn dado que tiene menor cada de
tensin durante la conduccin.
Para pasar del estado de bloqueo al de conduccin se necesitan cuatro fases: 1) impulso de tensin
positiva en rejilla y ctodo. 2) formacin de plasma en las cercanas del ctodo. Este atraviesa la
rejilla e invade la regin rejilla-nodo. 3) el plasma vuelve hacia el ctodo por la rejilla. 4) la
conexin de plasmas andicos y catdicos completan el proceso.
Para pasar al estado de bloqueo se debe anular la corriente nodo-Ctodo. Tras la anulacin de la
corriente, el plasma se recombina y pasa al estado de bloqueo.
Para pasar del estado de bloqueo al de conduccin hacen falta algunos microsegundos, y para pasar
de la conduccin al bloqueo se necesitan entre 30 y 150 s.

2) El Ignitrn:
Es una vlvula de ctodo fro de mercurio de gran potencia. Tiene tensin en conduccin ms baja
que el tiratrn. La conduccin se provoca aplicando impulsos de cientos de volts a (corriente de
unos 15A) al terminal de disparo (ignitor). El ctodo esta conectado elctricamente a la cubeta de
mercurio. El nodo debe estar previamente polarizado a tensin positiva respecto al ctodo. El
ignitor termina en una punta de material refractario como carburo de boro o grafito. Penetra
ligeramente en el mercurio y deforma la superficie produciendo, al ser aplicado el impulso de
disparo, una distribucin de potencial entre las puntas y el liquido que alcanza gradientes de
potencial del orden del milln de volts/cm. El mercurio prximo se ioniza inmediatamente y dispara
la vlvula en unos 10 s, siendo los electrones emitidos por el lquido los encargados de la
conduccin. Antes del disparo el mercurio no emite electrones y no hay conduccin posible.
Cuando la intensidad de nodo se hace muy pequea, la ionizacin no se puede mantener y el
ignitrn pasa al estado de bloqueo. No tiene buen rendimiento debido a la cada de tensin entre
nodo y ctodo en conduccin, por lo que el rendimiento no es bueno y el tamao de la vlvula es
grande por razones de disipacin.



Transistores de Potencia
Se utilizan como elementos de conmutacin por lo cual se los hace trabajar en la zona de corte y
saturacin. La velocidad de conmutacin del transistor moderno es mucho mayor que la de los
tiristores, aunque su capacidad de manejo de potencia es menor. Los transistores de potencia se
clasifican en bipolares (BJT), de efecto de campo de metal xido semiconductor (MOSFET), de
induccin esttica (SIT), de compuerta aislada (IGBT), y COOLMOS.

Transistores de Juntura Bipolar (BJT):
Es un dispositivo semiconductor de 3 capas. Puede ser NPN PNP. El emisor angosto y
fuertemente dopado, la base es angosta y el colector ancho.

Generalmente en potencia se usa al transistor en configuracin emisor comn:

Las caractersticas de entrada son:

El transistor en un circuito de potencia funciona como una llave, por lo que trabaja en la zona de
corte y saturacin. Sin embargo, durante la conmutacin, debe pasar por la zona activa que
determina las principales perdidas del transistor.

Las caractersticas de transferencia:

La corriente de colector en la saturacin esta determinada por el circuito externo:

( ) CESAT
CS
C
Vcc V
I
R

la corriente de base de saturacin ( )
BS
I se define como la mnima corriente de base que al
aumentar no produce un aumento de la corriente de colector. Generalmente los circuitos de potencia
se disean para una corriente de base ( )
B
I mayor que la de saturacin. Se define el factor de
sobresaturacin:

B
BS
I
ODF
I

y el
forzado
:
CS
f
B
I
I

La sobresaturacin no produce disminucin de la tensin
( ) CESAT
V , ni un aumento significativo de
BE
V , pero el aumento de la corriente de base genera mayor disipacin en la juntura base-emisor, lo
cual significa un peligro para el transistor. Si trabaja subsaturado puede pasar a la regin de trabajo
activa y aumentar la disipacin de potencia.

El transistor en la Conmutacin:
Cuado el transistor trabaja en rgimen permanente, es decir, permanece prendido o apagado las
prdidas son pequeas. Cuando esta en conduccin hay una pequea tensin de saturacin
( ) CESAT
V ,
y cuando esta bloqueado una pequea corriente de fuga que produce prdidas.
Sin embargo las mayores perdidas se dan durante la conmutacin, es decir cuando aparecen los
transitorios de encendido o apagado. En rgimen transitorio el transistor tiene el siguiente modelo
equivalente:


Las uniones pn tienen dos capacidades en paralelo, una debido a la regin de agotamiento y una
capacidad de difusin. Las capacidades
be
C y
cb
C representan ambos efectos para las junturas base-
emisor y base-colector respectivamente.
Estas capacidades determinan retardos durante la conexin y desconexin del transistor como
vemos a continuacin:

A) Transitorio de Conexin:
Como vemos, al aplicar una tensin positiva de base ( )
1 B
V V la corriente de base sube
inmediatamente ( )
1 B B
I I . Sin embargo la corriente de colector no cambia durante el tiempo de
retardo ( )
d
t debido a la carga del
be
C hasta la tensin directa
BE
V . Luego, el tiempo de
crecimiento ( )
r
t esta dado por la misma capacidad.
El tiempo de encendido es la suma de estos tiempos:
enc d r
t t t +
B) Transitorio de desconexin:
Al sobresatura al transistor se da lugar a un almacenamiento de carga por sobresaturacin
(proporcional a la corriente de base en el estado de conduccin). Al invertir la tensin de base

( )
2 B
V V para desconectar al transistor, la corriente de colector no cambia durante el tiempo de
almacenamiento ( )
S
t debido a la carga de saturacin almacenada en la base. La corriente negativa
de base ( )
2 B B
I I disminuye este tiempo ( )
S
t .
Una vez removida la carga, la capacidad
be
C se carga hasta
2
V y la corriente de base y de colector
caen a cero en el tiempo de decrecimiento
( )
f
t .
El tiempo de apagado es:
apag s f
t t t + .

Como vemos los picos de potencia instantnea se dan durante la conexin y desconexin.
Limites de Conmutacin:


1) Segunda Avalancha. Avalancha trmica localizada debido a la concentracin de corriente en la
base, lo que origina puntos calientes. Si la energa es suficiente puede daar al transistor. Depende
de la tensin, corriente, y frecuencia de la tensin colector emisor.

2) rea de Operacin segura. Durante la activacin y el estado de conduccin , la temperatura
media de las junturas y zona de avalancha secundaria limitan la capacidad de manejo de potencia.

3) rea de Operacin segura inversa. Durante la desconexin el transistor soporta gran tensin y
corriente en la juntura base-emisor polarizada en inversa. Los fabricantes suministran curvas IC-
VCE durante la desconexin con tensin inversa.

4) Disipacin de potencia. El fabricante especifica la potencia mxima de perdidas para una
temperatura de 25C. Para otra temperatura ambiente hay que realizar el siguiente clculo:

j amb
T
jc cs sa
T T
P
R R R
+ +

5) Tensin de ruptura. Una tensin de ruptura es la tensin mxima que soporta un dispositivo entre
dos terminales, cuando un tercero esta abierto, en corto, polarizado, o en inversa. Se debe tener en
cuenta que las cargas inductivas (tpica en circuitos de potencia) pueden generar sobretensiones
mayores a la de la fuente.

, :
jc
R Resistencia trmica juntura carcaza
, :
cs
R Resistencia trmica carcaza disipador
, :
sa
R Resistencia trmica disipador ambiente
, :
T
P Disipacin mxima de potencia a 25C


Transistores de efecto
de Campo de potencia
Los transistores de efecto de campo pueden ser de canal P o Canal N.
Hay otra forma de transistor de efecto de campo denominado transistor de efecto de campo de
compuerta aislada (IGFET) Mosfet( metal xido semiconductor). Los Mosfet pueden ser de
empobrecimiento o enriquecimiento. Adems los hay de canal P Canal N. Tienen mayor
impedancia de entrada ya que la compuerta esta aislada del canal por una capa de xido.
Todos los tipos de transistores de efecto de campo son idnticos desde el punto de vista de su
funcionamiento.

La velocidad de conmutacin es muy alta aunque trabajan a menor potencia que los BJT. No tienen
problema de segunda avalancha, aunque son susceptibles a descarga electrostticas y es
relativamente difcil protegerlos contra cortocircuito.


En los MOSFET de enriquecimiento no existe un canal, sino que se forma por la aplicacin de
tensin positiva (canal N) en la compuerta que atrae portadores mayoritarios. En los de
empobrecimiento, hay un canal previamente formado y se lo estrangula o se incrementa con la
aplicacin de tensin positiva negativa (canal N) en su compuerta.
En los MOSFET, por lo general, el substracto se conecta a la fuente. Los terminales de salida son
fuente (s), Compuerta (G) y drenaje (D).
En electrnica de potencia el transistor de efecto de campo ms utilizado es el MOSFET de
enriquecimiento de canal N, en configuracin fuente comn.
Los MOSFET tienen menor prdida que los BJT en la conmutacin, sin embargo tienen ms cada
de tensin en conduccin, lo que limita su uso en potencia debido a las grandes prdidas en estado
activo, Se han intentado soluciones como el MOSFET vertical (V) que mediante orientacin del
campo elctrico reduce la cada de tensin en la conduccin. Otra solucin son estructuras
SIPMOS que conectan varias clulas MOSFET en paralelo.

Caractersticas en estado permanente
Los MOSFET son dispositivos controlados por la tensin en la compuerta y tienen una impedancia
muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequea. Se distinguen tres regiones de
trabajo:


La zona de trabajo como amplificador es la zona de saturacin.
En potencia se trabaja en la conmutacin, por lo tanto pasa del estado de corte a la regin lineal. El
significado de la zona de saturacin es el opuesto a los BJT porque hace referencia a la saturacin
del canal. En esta zona lineal el MOSFET se comporta como una resistencia constante.

Caractersticas de conmutacin (estado transitorio)

Todo MOSFET posee un diodo parsito intrinsico en su estructura. Este diodo esta en antiparalelo.
Los circuitos electrnicos de potencia suelen utilizar este diodo como diodo de recuperacin, sin
embargo hay que tener en cuenta que en la mayora de los MOSFET antiguos el diodo es lento y es
necesario colocar otro diodo de mayor velocidad.

DS GS T
V V V
Regin de Corte

En el modelo de conmutacin se hacen evidentes las capacidades de compuerta-drenaje
gd
C ,
drenaje- fuente
ds
C , y compuerta-fuente
gs
C . Esta ltima es la ms importante y generalmente
enmascara al resto, ya que genera los principales retardos en la conmutacin.

Las formas de onda y los tiempos de conmutacin son los siguientes:

Activacin:
El tiempo de retardo de encendido
( )
( )
d enc
t es el necesario para cargar el capacitor de entrada hasta
la tensin de umbral
T
V .
El tiempo de crecimiento ( )
r
t es el tiempo de carga del capacitor de compuerta desde la tensin de
umbral hasta la tensin
( )
Gsp
V , es decir, hasta trabajar al transistor en la regin lineal ( Llave
cerrada).

Bloqueo:
El tiempo de retardo de apagado
( )
( )
d enc
t es el necesario para lleva al transistor desde la Regin
lineal hasta la parbola limite, es decir, hasta el comienzo de la zona de saturacin ( recordar que la
saturacin tiene el sentido opuesto al de los BJT).
El tiempo de decrecimiento
( )
f
t es el necesario para que el capacitor de entrada se descargue desde
la tensin de parbola limite hasta la tensin de umbral ( )
T
V .

Coolmos
Es una tecnologa MOSFET moderna para alta tensin. Mejora la resistencia en estado de
conduccin gracias a la compensacin de la regin de desplazamiento vertical.

Una tensin de ruptura alta esta asociada a una resistencia de conduccin alta, es decir, que para
mayor tensin de ruptura habr mayores prdidas por conduccin.
El COLMOS utiliza una capa epitexial gruesa y poco dopada para aumentar la tensin de ruptura
mediante el aumento de la profundidad, lo que mejora la resistencia en conduccin. En la siguiente
figura vemos la comparacin de la resistencia en conduccin de Coolmos y un MOSFET comn
en relacin a la tensin de ruptura:

Esto garantiza una reduccin sustancial de las perdidas por conduccin.

SIT Transistor de Induccin electroestatica
Es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. En esencia es una vlvula de vaco hecha en
estado slido. Es idntico a un JFET excepto por su construccin vertical con multicanales cortos.
Una barrera de potencial inducida electroestticamente controla la corriente en el dispositivo. Los
electrodos estn enterrados dentro de las capas epitaxiales.
Posee baja resistencia equivalente serie de compuerta, baja capacidad entre compuerta y fuente,
pequea resistencia trmica, bajo ruido, baja distorsin. Limita su uso la alta cada en estado de
conduccin.

IGBT Transistor bipolar de compuerta aislada.
Combina las ventajas de un BJT y un MOSFET. Tiene alta impedancia de entrada, como un
MOSFET, y pocas perdidas por conduccin en estado activo, como los BJT. No tiene problemas de
segunda avalancha, como los BJT. Tiene menores perdidas de conmutacin que un BJT y es ms
rpido. Adems tiene menores perdidas por conduccin que un MOSFET.


Cuando se aplica una tensin positiva a la compuerta, los portadores n son atrados al canal p
formando un canal en las inmediaciones de la compuerta. Esto produce la polarizacin directa de la
base del transistor npn interno, lo que lo activa.

Hay dos tipos de estructura: perforada y no perforada. En la estructura perforada para aumentar la
velocidad de conmutacin se utiliza una capa de acoplamiento n muy dopada. En la estructura no
perforada los portadores tienen una vida mayor que modula la regin de corrimiento y reduce la
cada de tensin en el estado de conduccin.


Por ser un dispositivo de cuatro capas su estructura interna esta preparada para evitar la retencin
natural de estos dispositivos.
Un IGBT es un dispositivo controlado por tensin.

Las caractersticas de salida y transferencia son:


Electronica de Potencia

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Electronica de Potencia

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Autor: Peppe Pardini, Alexis Augusto. Tcnico Universitario en electrnica.

Вам также может понравиться