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Electrnica Industrial

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Resistencias
La funcin de las resistencias es oponerse al paso de la comente elctrica. Su magnitud se mide en ohmios ( ) y pueden ser variables o fijas. El valor de las resistencias variables puede ajustarse dentro de unos mrgenes y se utilizan para regular el valor hmico de un componente (fig. 3). Las resistencias fijas se suelen utilizar para distribuir la tensin del circuito (fig. 4) y para limitar la circulacin de la comente (fig. 5).

3v
Fig. 3. Resistencia.

Al variar la resistencia entre O y 300 , la lmpara reduce su intensidad.


Fig. 4. Montaje de una resistencia en serie. Fig. 5. Montaje de una resistencia en paralelo.

Cdigo de colores
Al observar una resistencia comercial, en la mayora de los casos podemos ver que tanto la resistencia como la tolerancia estn indicadas mediante un cdigo de colores, que se lee de izquierda a derecha. Determinacin del valor de una resistencia Para determinar el valor de una resistencia que est marcada con el cdigo de colores, debemos seguir estos pasos: Leemos la franja de la tolerancia, que est representada por el color situado ms a la derecha. Despus leemos el valor nominal de la resistencia: El color de la primera franja de la izquierda indica la primera cifra significativa. La segunda franja de color, la segunda cifra significativa. La tercera franja de color, el nmero de ceros que van detrs de las cifras anteriores.

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Condensadores
El condensador est formado por dos placas metlicas denominadas armaduras, separadas por un material aislante o dielctrico. Tiene como funcin almacenar cargas elctricas para cederlas en el momento deseado. El valor de su capacidad se mide en faradios (F). Al aplicar una tensin a las armaduras, la corriente entre ellas no se establece, ya que lo impide el dielctrico, pero s se produce un efecto de acumulacin de carga elctrica en ellas. Cuando las armaduras se ponen en contacto mediante un circuito externo, se produce una descarga a travs de l (fig. 6). El condensador adquiere carga instantneamente al conectarlo a una pila de 9V. La lmpara luce un breve instante mientras el condensador se descarga.

Tipos de condensadores
Al igual que las resistencias, los condensadores pueden ser variables o fijos.

Fig. 6. Circuito elemental de carga y descarga de un condensador.

En el circuito de la figura 7 se ha sustituido la resistencia R por otras dos, montadas de forma diferente.

Fig. 7. La resolucin de circuitos con resistencias se basa en la ley de Ohm.

Identifica el tipo de montaje realizado en cada caso. Calcula el valor de las resistencias R2 y R4 para que la intensidad de corriente I tenga el mismo valor en los tres circuitos. Los condensadores cermicos y los de polister pueden utilizarse en circuitos de corriente continua o alterna. En cambio, los electrolticos slo pueden utilizarse con corriente continua. Averigua la razn de este diferente comportamiento.

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SEMICONDUCTORES.Los semiconductores presentan enlace covalente. La ausencia de un electrn en un enlace se representa por un hueco y aunque no sea exactamente cierto, por contraposicin con aqul, le asignaremos carga positiva de igual magnitud que la del electrn. Los semiconductores ms importantes utilizados en dispositivos electrnicos son el silicio y el germanio, y ltimamente se tiende a usar el arseniuro de galio. Veamos a continuacin la estructura cristalina del germanio, utilizando una representacin superficial simplificada en la que cuatro de las cargas del ncleo y de las capas interiores de la corteza se equilibran con los electrones de la ltima capa o de valencia. Su estudio se hace extensivo a la teora de semiconductores. El cristal de germanio se presenta en forma de tetraedro con un tomo en cada vrtice. Los electrones de valencia estn fuertemente ligados al ncleo y el cristal presenta baja conductividad, comportndose como un aislante a bajas temperaturas. A temperatura ambiente y debido a la energa trmica suministrada, se rompen algunos enlaces, por lo que es posible establecer la conduccin ya que los electrones libres son capaces de moverse por el interior del cristal, si se le aplica un campo elctrico. La ausencia del electrn en el enlace se representa por un hueco susceptible de ser ocupado o llenado por otro electrn, contribuyendo as a la conductividad o movilidad entre ellos. Implcitamente hemos aceptado que el silicio o el germanio se encuentran en estado puro

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recibiendo entonces la denominacin de semiconductores intrnsecos (poseen un tomo de impureza por cada 1011 tomos de semiconductor, ya que es prcticamente imposible purificarlos al 100 por 100). En una clasificacin de semiconductores existen tambin los llamados semiconductores extrnsecos: 1.- Aadiendo al Ge puro sustancias que poseen cinco electrones de valencia como Sb, P o As. 2.- Aadiendo al Ge sustancias que tengan tres electrones de valencia, tales como B, Ga o In. En el primer caso, a las impurezas se las llama donadoras o tipo N, por donar electrones libres, que sern portadores disponibles de corriente capaces de vagar por el cristal, dando origen a los semiconductores tipo N. En el segundo caso, las impurezas reciben la denominacin de aceptadoras o tipo P, por dar lugar a la aparicin de huecos disponibles que aceptan electrones, dando origen a los semiconductores tipo P. En ambos tipos de cristales hablamos de electrones y huecos, debido a que por generacin trmica

en todo cristal aparecen pares electrn-hueco. Dichos pares dan lugar a los llamados portadores minoritarios en los semiconductores dopados. Unin P-N Si en un nico material semiconductor, ya sea de germanio o de silicio, se introducen impurezas tipo P en un extremo e impurezas tipo N en el otro se obtiene una unin P-N. En la zona P existen iones negativos y huecos mientras que en la zona N hay iones positivos y electrones. Al realizarse la unin, se produce una difusin de electrones hacia la zona P y de huecos hacia la zona N para recombinarse entre ellos, hasta el momento en que en la zona P haya una concentracin de cargas negativas y en la zona N de cargas positivas, que interrumpe la difusin por establecerse un campo elctrico o barrera de potencial que impide el paso de cargas elctricas a no ser que se les comunique una energa suficiente. En la Figura se observa la nueva disposicin de la unin P-N
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POLARIZACIN DIRECTA E INVERSA Si aplicamos una d.d.p. en el sentido que se muestra en la Figura l.8a, conseguimos dar a los electrones la energa necesaria para superar la barrera de potencial y llegar a la zona P (imaginemos lo mismo para los huecos en su trayecto hacia la zona N). Por el circuito exterior fluye entonces una corriente relativamente grande, llamada corriente directa (IF), que estar formada por portadores mayoritarios (huecos en la regin P y electrones en la regin N).

Si se invierte la polaridad de la pila, Figura 1 .8b, obligamos a los electrones de la regin N y a los huecos de la regin P a alejarse de la unin, impidiendo, por tanto, su posible recombinacin. La corriente que circula es prcticamente nula, pues es debida a los portadores minoritarios de las regiones (huecos de la regin N y electrones de la zona P) y se denomina corriente inversa (IR) que, cuando se hace constante e independiente de la tensin inversa aplicada, recibe el nombre de corriente inversa de saturacin.

Componentes semiconductores
Los componentes semiconductores de un circuito electrnico pueden desempear diferentes funciones segn su forma de montaje y su estructura interna. Los semiconductores son materiales que en condiciones normales no conducen la corriente elctrica, pero que se convierten en conductores al cambiar estas condiciones con la aplicacin de una fuente de energa elctrica, trmica o luminosa, o mediante su dopado (unin de estos materiales con otros, como el arsnico, el antimonio, etc.). Los materiales semiconductores ms utilizados son el selenio, el germanio y, sobre todo, el silicio. Segn el tipo de materiales que se utilice en el dopado, podemos obtener dos tipos de cristales semiconductores: los electropositivos, llamados de tipo P, y los electronegativos o de tipo N (fig. 8). Los efectos producidos por estos materiales y la unin de dos o ms cristales del tipo P y N han generado la aparicin de un gran nmero de componentes semiconductores, como el diodo, el transistor y las resistencias sensibles a la luz, la temperatura y la tensin.

Fig. 9. Comportamiento de un diodo segn la forma de polarizacin.

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La polarizacin directa se produce cuando el polo positivo de la pila se une al nodo y el negativo al ctodo. En este caso el diodo se comporta como un conductor y deja pasar la corriente elctrica.

La polarizacin inversa se consigue conectando el polo negativo de la pila al nodo y el positivo al ctodo. En este caso el diodo se comporta como un aislante y no permite el paso de la corriente.

El diodo Es uno de los componentes ms empleados en los circuitos electrnicos. Est formado por la unin de dos cristales semiconductores: uno de tipo N, llamado ctodo, y otro de tipo P, denominado nodo. Cuando se conecta una fuente de tensin entre los dos terminales, el diodo se polariza. La polarizacin puede ser directa o inversa (fig. 9).

Entre la variedad de diodos que se fabrican, podemos destacar por su gran utilizacin los diodos rectificadores (fig. 10) y los diodos LED (fig. 11).

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Caractersticas: Permite la rectificacin de la corriente alterna, transformndola en continua. Polarizado directamente, conduce a partir de una tensin entre 0,2 y 0,8 V. Su encapsulado puede ser de plstico, de metal o cermico dependiendo de su potencia. El ctodo siempre va marcado de forma que permite su reconocimiento. Se identifican mediante un cdigo alfanumrco. Existen tablas de equivalencia que indican el tipo de diodo ms adecuado a cada circuito y funcin.

Caractersticas: Emite luz al ser polarizado directamente. Se emplea para sealizacin luminosa. Se fabrican en varios colores: rojos, verdes, amarillos, azules, y tambin de infrarrojos. Precisa de una tensin mnima para emitir luz (de 1,5 a 2 voltios). Para conseguirla, puede intercalarse una resistencia en serie. El ctodo se identifica fcilmente observando el interior de la cpsula (lado plano) o la longitud de los terminales (terminal corto).

Fig. 10. Fig. 11.

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