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UNIVERSIDAD MICHOACANA DE SAN NICOLAS DE HIDALGO INSTITUTO DE INVESTIGACIONES METALÚRGICAS NOTAS DE M M

UNIVERSIDAD MICHOACANA DE SAN NICOLAS DE HIDALGO

UNIVERSIDAD MICHOACANA DE SAN NICOLAS DE HIDALGO INSTITUTO DE INVESTIGACIONES METALÚRGICAS NOTAS DE M M E

INSTITUTO DE INVESTIGACIONES METALÚRGICAS

NOTAS DE

MMEETTAALLUURRGGIIAA FFÍÍSSIICCAA

POR

JORGE ALEJANDRO VERDUZCO MARTÍNEZ (Ph. D.)

NOTAS DE METALURGIA FÍSICA

ÍNDICE

I.- Estructuras cristalinas

1

1.1.- Definición

1

1.2.- Enlace químico

1

1.2.1.- Enlace iónico

1

1.2.2.- Enlace de Vander Waals

3

1.2.3.- Enlace covalente

4

1.2.4.- Enlace metálico

5

1.3.- Energía interna de un metal

6

1.3.1.- Energía interna de un cristal

7

1.3.1.1.- Energía reticular de un cristal iónico

7

1.4.- Estructura cristalina

12

1.4.1.- Sin orden

12

1.4.2.- Orden de corto alcance

12

1.4.3.- Orden de largo alcance

12

1.4.4.- Red cristalina

12

1.4.5.- Celda unitaria 1.4.6.- Parámetro de red, factor de empaquetamiento y número de

13

coordinación

14

1.5.- Tipo fundamentales de redes

16

1.5.1.- Redes de Bravais

16

1.5.2.- Red bidimensional

16

1.5.3.- Red tridimensional

17

1.5.4.- Direcciones y planos cristalinos

18

1.5.5.- Planos

20

1.6.- La estructura de los metales

23

1.6.1.- Microestructura

23

1.6.2.- Macroestructura

23

1.6.3.- Estructura cristalina

23

1.6.4.- Vecinos más cercanos en las estructuras cristalinas de los metales

24

comunes 1.6.5.- Ángulos entre planos en el sistema cúbico 1.7.- Métodos para determinar la estructura 1.7.1.- La ley de Bragg 1.7.2.- Espacio interplanar para planos cúbicos 1.7.3.- El difractómetro de rayos-x 1.7.4.- Determinación de estructuras simples usando difracción de rayos-

24

x

1.7.5.- Espacios interplanares en cristales hexagonales 1.7.6.- Fluorescencia de rayos-x 1.7.7.- Metalografía, técnicas, selección, montaje, desbastado, pulido y

ataque

1.7.8.- Microscopía electrónica

II.- Defectos cristalinos

27

2.1.- Tipos de defectos cristalinos

27

2.2.- Clasificación de los defectos cristalinos

27

2.2.1.- Defectos térmicos

28

2.2.2.- Defectos electrónicos

30

2.2.3.- Defectos atómicos puntuales

30

2.3.- Entalpías de formación y de migración

32

2.4.- Concentración de vacancias e intersticiales en el equilibrio

35

2.5.- Dislocaciones y concepto de dislocación

37

2.6.- Propiedades fundamentales de las dislocaciones

39

2.6.1.- Definición general

39

2.6.2.- Dislocaciones rectilíneas

40

2.7.- Circuito de Burgers

41

2.8.- Energía de las dislocaciones

42

2.9.- Fuerza que actúa sobre una dislocación

44

2.10.- Movimiento de las dislocaciones

48

III.- Soluciones Sólidas

51

3.1.- Solubilidad sólida

51

3.2.- Tipos de soluciones sólidas

52

3.2.1.- Soluciones sólidas intersticiales

52

3.2.2.- Soluciones sólidas sustitucionales

53

3.2.3.- Concentración electrónica

54

3.3.- Factores que gobiernan la solubilidad

55

3.3.1.- Teorías electrónicas de la solubilidad sólida primaria en los metales nobles

55

3.3.2.- Solubilidad sólida primaria en aleaciones de metales de transición

58

3.3.3.- Conceptos de la teoría electrónica de aleaciones

59

3.4.- Reglas de la solubilidad de Hume Rothery

60

3.5.- Fases intermedias

61

3.6.- Fases de Laves

62

3.7.- Espaciado de red en las soluciones sólidas

63

3.8.- Concepto de orden en las soluciones sólidas

63

3.9.- Tipos de súper redes

64

IV.- Solidificación

66

4.1.- Generalidades

66

4.2.- Equilibrio entre sólido y líquido

67

4.3.- Equilibrio de aleaciones

68

4.4.- Regla de las fases

70

4.5.- Diagramas de equilibrio

70

4.6.- Fusión congruente

72

4.6.1.- Eutéctico

73

4.6.2.- Peritéctico

74

4.7.- Concepto de coeficiente de distribución

75

4.8.- Concepto termodinámico para el equilibrio

76

V.- El proceso de solidificación 5.1.- Nucleación 5.1.1.- Nucleación homogénea 5.1.2.- Nucleación heterogénea 5.1.3.- Velocidad de nuecleación 5.2.- Interfase sólido-líquido 5.3.- El equilibrio entre sólido-líquido en un metal puro 5.3.1.- Condiciones para que ocurra el proceso de solidificación o fusión 5.3.1.1.- De energía 5.3.1.2.- De velocidad 5.3.1.3.- De geometría 5.4.- Crecimiento 5.4.1.- Crecimiento normal 5.4.2.- Crecimiento de dos dimensiones 5.4.3.- Crecimiento en imperfecciones 5.5.- Distribución de soluto en el frente de la interfase 5.5.1.- Repulsión de soluto en la interfase 5.5.2.- Análisis matemático del proceso de solidificación 5.5.3.- Condiciones de estado estacionario 5.5.4.- Estado transitorio inicial 5.5.5.- Estado transitorio final 5.6.- Sobreenfriamiento constitucional 5.7.- Formas de la interfase 5.7.1.- Formulación general de difusión de crecimiento controlado 5.7.2.- Redistribución de soluto durante una solidificación dimensional 5.7.3.- Estabilidad morfológica de una interfase planar 5.7.4.- Solidificación dendrítica y celular 5.7.5.- Espacios dendríticos y celulares 5.7.6.- Espaciamiento de los brazos dendríticos secndarios 5.7.7.- Transición celular a dendrítica 5.8.- Solidificación de lingotes 5.9.- Solidificación eutéctica 5.9.1.- Microestructura de los eutécticos 5.9.2.- Forma de la interfase 5.9.3.- Estructuras eutécticas distorsionadas 5.9.4.- Modificación de eutécticos 5.10.- Solidificación peritéctica

VI.- Diagramas de equilibrio 6.1.- Construcción de los diagramas de equilibrio partiendo de los principios de energía libre 6.2.- Curvas de enfriamiento y determinación de diagramas de fase 6.2.1.- Dos metales completamente solubles en los estados sólido y líquido 6.2.2.- Dos metales completamente solubles en el estado líquido y completamente insolubles en el estado sólido 6.2.3.- Dos metales completamente solubles en el estado líquido, pero

77

77

77

78

81

83

84

84

84

85

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88

88

89

89

90

91

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95

96

96

97

97

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98

101

103

104

106

106

107

109

109

113

115

115

120

120

122

sólo parcialmente solubles en el estado sólido

124

6.3.- Uso de los diagramas de equilibrio en metalografía

125

6.4.- Transformación eutectoide

126

6.5.- Transformación peritectoide

128

6.6.- Transformaciones en el estado sólido

131

Metalurgia Física

1

I. ESTRUCTURAS CRISTALINAS

1.1 Definición:

Un cristal es una formación ordenada de átomos en el espacio. De las muchas estructuras cristalinas, algunas son bastante complicadas. La mayor parte de los metales cristalizan en una de tres estructuras relativamente sencillas: cúbica centrada en las caras (fcc), cúbica centrada en el cuerpo (bcc) y hexagonal compacta (hcp). También existen los sistemas cristalinos: monoclínico, triclínico, romboedral, ortorrómbico y tetragonal.

Existe un número de reglas que se basan en dos factores que gobiernan una estructura cristalina: enlace químico que toma en cuenta la direccionalidad de dicho enlace químico, y factor geométrico el cual considera un llenado óptimo de espacio, simetría y conectividad. En el caso típico de elementos metálicos, estos principios estructurales |trabajan muy bien prediciendo estructuras.

1.2 Enlace químico

El concepto de enlace químico se desarrolló originalmente para entender la formación de moléculas. En un cristal, una interacción colectiva de todos los átomos siempre existe el cual puede ser considerado aproximadamente como la suma de interacciones entre los vecinos más próximos. Una simplificación de esto es de que en realidad solamente los electrones de las últimas capas contribuyen al enlace químico Existen cuatro tipos de enlaces, los cuales se describirán a continuación.

1.2.1 Enlace iónico

Cuando en un material se encuentra presente más de un tipo de átomo, uno de ellos

puede donar sus electrones de valencia a un átomo diferente, ocupando el nivel energético externo del segundo átomo. Ambos tienen ahora su nivel energético externo lleno (o vacío)

y han adquirido carga eléctrica, comportándose como iones. El átomo que aporta los

electrones queda con carga neta positiva y es un catión, mientras que el átomo que acepta

los electrones adquiere carga neta negativa y es un anión. Los iones cargados opuestamente

se

atraen entre sí produciendo la unión iónica. Uno de los ejemplo más reportados, es el de

la

atracción entre los iones de sodio y de cloro (figura I.1) que produce cloruro de sodio,

NaCl, o sal común.

Metalurgia Física

2

Átomo de Na Átomo de Cl
Átomo de Na
Átomo de Cl

Ion Na +

Ion Cl - Cl -- Na +
Ion Cl -
Cl --
Na +

Figura I.1.- La unión iónica se establece entre dos átomos distintos con diferentes electronegatividades. Cuando el sodio dona o cede su electrón de valencia al cloro, cada uno se convierte en un ion, ocurre la atracción en un ion, y se forma así el enlace iónico.

Cuando se aplica una fuerza a un cristal de cloruro de sodio, se rompe el equilibrio eléctrico entre los iones. En parte por esta causa los materiales unidos iónicamente se comportan como frágiles. Su conductividad eléctrica es baja ya que la carga eléctrica puede ser transferida por el movimiento de iones enteros, los que no se desplazan tan fácilmente como los electrones.

Muchos materiales cerámicos y minerales están, al menos en parte, unidos iónicamente. De cualquier modo, se debe observar que muchos materiales, incluso los metales, se unen mediante una combinación de los tres mecanismos primarios de enlace químico. Aunque el hierro está principalmente unido por enlaces metálicos, también interviene la unión covalente entre sus átomos. El silicio, unido principalmente por enlaces covalentes, tiene también algunas características de los enlaces metálicos.

Metalurgia Física

3

1.2.2 Enlace de Van der Waals

Las uniones o enlaces de Van der Waals ligan moléculas o grupos de átomos mediante atracciones electrostáticas débiles. Muchos plásticos, cerámicas, el agua y otras moléculas están permanentemente o instantáneamente polarizadas; esto es, algunas porciones de la molécula tienden a estar con carga positiva, mientras otras porciones están cargadas negativamente. La atracción electrostática entre las regiones positivas de una molécula y las regiones negativas de una segunda molécula unen débilmente a las dos (figura I.2).

+ H Oxígeno H
+
H
Oxígeno
H

+

-

débilmente a las dos (figura I.2). + H Oxígeno H + - + - H Oxígeno

+

- H Oxígeno H
-
H Oxígeno
H

+

Figura I.2.- El enlace de Van der Waals se forma debido a la polarización de moléculas o grupos de átomos. En el agua, los electrones del oxígeno tienden a concentrarse lejos del hidrógeno. La diferencia de carga resultante permite a la molécula estar débilmente unida a otras moléculas de agua.

El enlace de Van der Waals es un enlace débil entre átomos o moléculas polarizadas instantáneamente. Es una unión secundaria, pero los átomos dentro de la molécula, o grupo de átomos, están unidos por fuertes enlaces covalentes o iónicos. Los cristales formados por gases nobles, tienen enlaces de Van der Waals. Calentar agua al punto de ebullición rompe los enlaces citados y convierte el agua en vapor, pero se requieren temperaturas mucho más elevadas para romper las uniones covalentes que ligan los átomos de oxígeno e hidrógeno.

Las uniones de Van der Waals modifican radicalmente las propiedades de los materiales. Puesto que por lo común los polímeros tienen uniones covalentes, se podría esperar que el cloruro de polivinilo (PVC) fuera muy frágil. Sin embargo, el PVC contiene muchas y largas moléculas encadenadas. Dentro de cada cadena la unión es covalente, pero las cadenas individuales se unen por enlaces de Van der Waals. El PVC puede ser deformado de manera significativa rompiendo solamente las uniones de Van der Waals y haciendo deslizar las cadenas una sobre otra.

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4

1.2.3 Enlace covalente

Los materiales ligados en esta forma comparten electrones entre dos o más de sus átomos. Por ejemplo, un átomo de silicio, que tiene valencia 4, acepta 8 electrones en su capa externa cuando comparte sus electrones con otros 4 átomos vecinos (figura I.3). Cada punto de unión que se comparte representa un enlace covalente, de modo que cada átomo de silicio está unido a cuatro átomos vecinos por medio de cuatro enlaces covalentes.

Para poder formar las uniones covalentes los átomos de silicio deben acomodarse de manera que los enlaces tengan una relación direcional fija entre ellos. En el caso del silicio, lo anterior produce un tetraedro, con ángulos de apriximadamente 109° entre los enlaces covalentes (figura I.4). Hay una probabilidad muy alta de que los electrones queden colocados más cerca de estos enlaces covalentes que en otro lugar alrededor del nódulo o cuerpo central del átomo.

Como las uniones covalentes son muy fuertes, los materiales unidos de este modo tienen poca ductilidad y escasa conductividad eléctrica. Cuando se dobla una barra de silicio, los enlaces deben romperse porque los átomos de ese elemento van a cambiar permanentemente la relación entre ellos. Igualmente, para que un electrón se mueva y forme una corriente eléctrica, el enlace covalente debe romperse para liberar al electrón, necesitándose altas temperaturas o voltajes muy altos.

necesitándose altas temperaturas o voltajes muy altos. Átomo de silicio Uniones covalentes Figura I.3.- El enlace

Átomo de silicio

Uniones covalentes
Uniones
covalentes

Figura I.3.- El enlace covalente requiere que los electrones sean compartidos entre los átomos, de manera que cada uno tenga completo su orbital externo sp. En el silicio, con valencia 4, se deben formar cuatro uniones o enlaces covalentes.

Metalurgia Física

5

109°
109°

Figura I.4.- Las uniones covalentes son direccionales. En el caso del silicio se forma una estructura tetraédrica con ángulos de aproximadamente 109° entre cada enlace covalente.

Por lo dicho anteriormente, los materiales formados por enlaces covalentes son frágiles en vez de dúctiles, y se comportan como aislantes eléctricos y no como conductores. Muchos materiales cerámicos y polímeros están completa o parcialmente unidos por enlaces covalentes, lo que explica por qué el vidrio se rompe cuando es golpeado, y por qué los ladrillos son buenos aislantes del calor y la electricidad.

1.2.4 Enlace metálico

Lo elementos metálicos que tienen valencia baja, ceden sus electrones para formar un “mar” de electrones que rodea a los átomos (figura I.5). El aluminio, por ejemplo, libera sus tres electrones de valencia, dejando un cuerpo central o nódulo que consiste en el núcleo y los electrones internos. Puesto que faltan tres electrones negativos a dicha parte, ésta se convierte en un ion con carga positiva igual a 3. Los electrones de valencia, que ya no están asociados a ningún átomo en particular, se mueven libremente en el mar de electrones y se ligan a diversos nódulos de átomos. Tales partes centrales cargadas positivamente, se mantienen unidas entre sí por atracción mutua hacia el electrón, produciendo de esta manera la fuerte unión metálica.

Los enlaces metálicos son no direccionales; los electrones que mantienen ligados a los átomos no están fijos en una posición. Cuando se dobla un metal y los átomos intentan cambiar su relación entre ellos, la dirección del enlace simplemente se desliza en lugar de romperse, Esto permite que los metales sean conformados en configuraciones útiles.

La unión metálica permite que los metales sean buenos conductores eléctricos. Con un voltaje aplicado a los extremos de un alambre metálico, los electrones de valencia se mueven y constituyen una corriente que fluye si el circuito no está interrumpido. El comportamiento metálico se encuentra mayormente en los elementos de transición de los grupos I y II, y los elementos pesados de los grupos IIIB, IVB y VB.

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6

Centro Centro + +
Centro
Centro
+
+

Figura I.5.- La unión metálica se constituye cuando los átomos ceden sus electrones de valencia, los cuales forman un mar de electrones. Las partes centrales atómicas, cargadas positivamente, se unen mediante atracción mutua con los electrones, cargados negativamente.

1.3 Energía interna de un metal

La energía interna de un material o sistema, es la energía cinética y potencial total de todos sus átomos. En el caso de cristales, una gran parte de esta energía está asociada con la vibración de los átomos en la red.

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1.3.1 Energía interna de un cristal

La energía interna de un cristal está compuesta de dos partes, la energía reticular U y la energía térmica del cristal. La primera se define como la energía potencial debida a las atracciones y repulsiones que ejercen los átomos unos con otros; mientras que la térmica está asociada con las vibraciones de los átomos sobre sus posiciones reticulares de equilibrio. Esta consiste de la suma de todas las energías vibratorias (cinética y potencial) de los átomos. Será conveniente eliminar tanto como sea posible, consideraciones complicadas de la energía térmica, con la finalidad de estudiar en forma más conveniente la naturaleza de las fuerzas de enlace que mantienen unidos los cristales (la energía reticular U). Esto se puede lograr suponiendo que todos los cálculos de cohesión se refieren a cero grados absolutos. De acuerdo a la teoría cuántica, a esta temperatura los átomos están en sus estado de energía vibratoria más baja y que la energía de punto cero asociada con estos estados es pequeña. La energía de punto cero se menospreciará y todos los cálculos se referirán a 0 °K.

1.3.1.1 Energía reticular de un cristal iónico

La figura I.6 muestra la estructura reticular de esta sal que es cúbica simple con posiciones reticulares alternadas ocupadas por iones positivos y negativos. Esta retícula puede describirse también como dos estructuras cúbicas centradas en las caras, interpenetrantes, formadas de iones positivos y negativos, respectivamente.

Na + Cl -
Na +
Cl -

Figura I.6.- Retícula del cloruro de sodio.

La figura I.7 muestra otro ejemplo de una forma de retícula iónica, en este caso, el cloruro de cesio. Aquí cada ion de un signo dado está rodeado por 8 vecinos de signo opuesto. En la retícula del cloruro de sodio, el número de coordinación correspondiente es el 6. Por otro lado, en la figura I.8 se muestra otro ejemplo en el cual este número es 4.

Metalurgia Física

8

Cl -
Cl -

Figura I.7.- Retícula del cloruro de cesio.

8 Cl - Figura I.7.- Retícula del cloruro de cesio. Cs + S Zn Figura I.8.-

Cs +

S Zn
S
Zn

Figura I.8.- Retícula de la esfalerita, ZnS.

Generalmente, las tres estructuras anteriores son características de los cristales iónicos de dos átomos en los cuales ambos iones, positivo y negativo llevan cargas del mismo tamaño. Esto es equivalente a decir que los átomos que forman los cristales tienen la misma valencia. Los cristales iónicos se pueden formar también de átomos con valencia diferentes, por ejemplo, CaF 2 y TiO 2 .

Metalurgia Física

9

Para explicar la energía reticular de un cristal iónico, consideremos un par de iones de carga opuesta (por ejemplo, un par iónico Cl - Na + ) aproximándose desde una distancia

de separación a. A medida que los iones se van acercando serán atraídos por fuerzas de Coulumb. De forma que, el núcleo de un ion atraerá la carga de la nube electrónica del otro

y viceversa. Cuando los iones se aproximen aún más, eventualmente sus dos nubes

electrónicas interaccionarán y aparecerán fuerzas repulsivas. Cuando las fuerzas atractivas igualen a las repulsivas, no habrá fuerza neta entre los iones y éstos permanecerán a una distancia de equilibrio, la distancia interiónica a. La figura I.9 muestra esquemáticamente

para un par iónico las curvas fuerza/distancia interiónica.

r Atracción Fuerza neta + 0 Distancia - interatómica a Repulsión R r = catión

r

Atracción Fuerza neta + 0 Distancia - interatómica a Repulsión R r = catión R
Atracción
Fuerza neta
+
0
Distancia
-
interatómica a
Repulsión
R
r = catión
R = anión
a 0 = r + R
a 0

Fuerza

Figura I.9.- Fuerza/distancia de separación, para un par de iones de carga opuesta. La distancia interiónica de equilibrio es a 0 .

La fuerza neta entre un par de iones con carga opuesta es igual a la suma de fuerzas atractivas y fuerzas repulsivas. Así:

F

neta

= F

atractiva

+ F

repulsiva

(3)

Las fuerzas de atracción entre el par iónico son fuerzas de Coulumb (al considerar

a los iones como cargas puntuales). Usando la ley coulombiana con unidades del sistema SI

se puede escribir la siguiente ecuación:

F atractiva

(

Z e

1

)(

Z

2

e

)

= = −

4

πε

0

a

2

Z Z

1

2

e

2

4

πε

0

a

2

(4)

Metalurgia Física

10

donde Z 1 y Z 2 son el número de electrones cedidos o aceptados por los átomos durante la formación de los correspondientes iones; e es la carga del electrón; a es la distancia interiónica y ε 0 es la permitividad en el vacío = 8.85 x 10 -12 C 2 /(Nm 2 ), C = carga eléctrica – Coulumb-.

La fuerza repulsiva entre un par iónico ha resultado ser experimentalmente proporcional a la distancia de separación interiónica a y puede ser descrita por la ecuación:

F

repulsiva

= −

nb

a

n

+1

(5)

donde a es la distancia de separación interiónica y b y n son constantes; n varía generalmente de 7 a 9, siendo 9 para el NaCl.

Sustituyendo las ecuaciones 4 y 5 en la 3 se obtiene la fuerza neta entre el par

iónico:

F

neta

= −

Z Z

1

2

e

2

nb

4

πε

0

a

2

a

n

+

1

(6)

Ahora bien, la energía potencial total E entre un par de iones de carga opuesta, por ejemplo Na + Cl - , a los que se les aproxima hasta estar muy juntos es igual a la suma de las energías asociadas con la atracción y repulsión entre los iones, lo que puede escribirse conforme a la siguiente ecuación:

E neta

= +

Z Z

1

2

e

2

b

+

4πε

0

a

a

n

(7)

El primer término del lado derecho de la ecuación 7 es la energía de atracción, mientras que el otro es la energía de repulsión. El primero representa la energía liberada cuando los iones se acercan y es negativa porque el producto de (+Z 1 )(-Z 2 ) es negativo. El término de energía repulsiva representa la energía absorbida cuando los iones se aproximan y es positiva. La suma de las energías asociadas con la atracción y repulsión de los iones es igual a la energía total, que es mínima cuando la distancia de separación entre los iones es la distancia de equilibrio a 0 . La figura I.10 muestra la relación entre estas tres energías e indica la energía mínima E min . En el mínimo de energía la fuerza entre los iones es cero.

Las energías reticulares y los puntos de fusión de sólidos con enlaces iónicos son relativamente altas, como lo muestran algunos ejemplos de la tabla I.1, mostrando las energías reticulares y los puntos de fusión de una selección de sólidos iónicos. Así como el tamaño del ión se incrementa conforme se avanza en un grupo en la tabla periódica, la energía disminuye. Un ejemplo se muestra con la energía reticular del LiCl (829 kJmol -1 ),

Metalurgia Física

11

mientras que la del CsCl es sólo 649 kJmol -1 . La razón para esta disminución de la energía reticular es que los electrones de enlace en los iones más grandes se encuentran más lejos de la influencia atractiva de los núcleos positivos. Asimismo, la presencia de electrones de enlace múltiple en un sólido iónico aumenta la energía reticular, como por ejemplo el MgO que tiene una energía reticular de 3,932 kJmol -1 (940 kcalmol -1 ).

r

Repulsión + 0 Distancia - Fuerza neta Atracción E min r = catión R R
Repulsión
+
0
Distancia
-
Fuerza neta
Atracción
E min
r = catión
R R = anión
a 0 = r + R

interiónica a

Energía

+ 0 Distancia - Fuerza neta Atracción E min r = catión R R = anión

a 0

Figura I.10.- Energía/distancia de separación, para un par de iones de carga opuesta. En la distancia interiónica de equilibrio, a 0 , la energía potencial neta es mínima.

Tabla I.1. Energías reticulares y puntos de fusión de algunos sólidos iónicos

Sólidos

 

Iónicos

Energías de enlace*

 

kJmol -1

kcalmol -1

 

Punto de

fusión, °C

LiCl

829

198

613

NaCl

766

183

801

KCl

686

164

776

RbCl

670

160

715

CsCl

649

155

646

MgO

3932

940

2800

CaO

3583

846

2580

SrO

3311

791

2430

BaO

3127

747

1923

* Todos los valores son negativos para la formación de enlace (se libera energía)

Metalurgia Física

12

1.4 Estructura Cristalina

Existen tres niveles de arreglo atómico.

1.4.1 Sin orden

En gases como el argón, los átomos no tienen orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el cual está almacenado el gas.

1.4.2 Orden de corto alcance

Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo especial de los átomos se extiende sólo a los vecinos más cercanos de dicho átomo. Cada molécula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los átomos de hidrógeno y oxígeno; esto es, cada átomo de oxígeno está unido a dos átomos de hidrógeno, formando un ángulo de 104.5° entre los enlaces. Sin embargo las moléculas de agua no tienen una organización especial entre sí.

Las cerámicas y los polímeros que tienen sólo este orden de corto alcance son materiales amorfos. Los vidrios, que se forman en sistemas tanto cerámicos como polímeros, son materiales amorfos y a menudo tienen propiedades físicas únicas. Unos cuantos materiales y semiconductores especialmente preparados también poseen sólo orden de corto alcance.

1.4.3 Orden de largo alcance

Los metales, semiconductores, muchos materiales cerámicos e incluso algunos polímeros tienen una estructura cristalina en la cual los átomos muestran tanto un orden de corto alcance como un orden de largo alcance; el arreglo atómico especial se extiende por todo el material.

1.4.4 Red cristalina

Los átomos forman un patrón repetitivo, regular, en forma de rejilla o de red. La red es un conjunto de puntos, conocidos como puntos de red, que están organizados siguiendo un patrón periódico de forma que el entorno de cada punto en la red es idéntico. Uno o más átomos quedan asociados a cada punto de la red.

La red difiere de un material a otro tanto en tamaño como en forma, dependiendo del tamaño de los átomos y del tipo de enlace entre ellos.

La estructura cristalina de un material se refiere al tamaño, la forma y la organización atómica dentro de la red.

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1.4.5 Celda unitaria

La celda unitaria es la unidad más pequeña que tiene la simetría total de un cristal, que cuando se repite en todas las direcciones formará la red cristalina. La figura I.11.a muestra la celda unitaria de la red cúbica centrada en el cuerpo. En la figura I.11.b se muestra la combinación de ocho celdas unitarias para indicar la forma en que la celda unitaria ajusta en la red completa.

El átomo a de la figura I.11.b no pertenece únicamente a una celda unitaria, sino que forma parte de las ocho celdas unitarias que lo rodean. En consecuencia, se puede decir que sólo un octavo de este átomo corresponde a cualquiera de las celdas unitarias.

Para calcular el número de átomos por celda unitaria en un cristal cúbico centrado en el cuerpo puede utilizarse este hecho. Aun un cristal pequeño contendrá miles de millares de celdas unitarias, y las celdas unitarias en el interior del cristal deben exceder con mucho el número de las que quedan en la superficie. Por tanto, en los cálculos se pueden menospreciar las celdas de la superficie. En el interior de un cristal, cada átomo situado en la esquina de una celda unitaria es equivalente al átomo a de la figura I.11.b y contribuye con un octavo de átomo a una celda unitaria. Además, cada celda posee un átomo situado en su centro que no es compartido con otras celdas unitarias. Así, la red cúbica centrada en el cuerpo tiene dos átomos por celda unitaria; uno formado por los átomos de las esquina, y uno situado en el centro de la celda.

de las esquina, y uno situa do en el centro de la celda. (a) Átomo a

(a)

las esquina, y uno situa do en el centro de la celda. (a) Átomo a (b)

Átomo a

(b)

Figura I.11.- (a) Celda unitaria cúbica centrada en el cuerpo. (b) Ocho celdas unitarias de la red cúbica centrada en el cuerpo.

En el caso de la celda unitaria de la red cúbica centrada en las caras, ésta tiene un átomo situado en el centro de cada cara. El número de átomos por celda unitaria de la red de este tipo se calcula de la misma forma que para la red cúbica centrada en el cuerpo. Los ocho átomos de las esquinas contribuyen a formar un átomo de la celda unitaria. Hay que considerar seis átomos centrados en las caras, formando parte cada uno de dos celdas unitarias. Estos contribuyen con seis mitades de átomo, o tres átomos por celda unitaria, o el doble que la red cúbica centrada en el cuerpo.

Metalurgia Física

14

La configuración de los átomos que se emplea con más frecuencia para representar la red hexagonal compacta se muestra en figura I.12. Este grupo de átomos contienen más del número de átomos necesarios para formar un bloque de construcción elemental para la red; por lo tanto, no es una verdadera celda unitaria. Sin embargo, debido a que la disposición mostrada en la figura I.12 descubre características cristalográficas importantes, incluyendo la simetría séxtuple de la red, se utiliza comúnmente como la celda unitaria de la estructura hexagonal compacta. El plano basal de un metal hexagonal, en la misma forma que el plano octaédrico de un metal cúbico centrado en las caras, tiene tres direcciones compactas. Como cada átomo en la esquina de la celda unitaria lo comparten ocho celdas adjuntas y un átomo dentro de la celda no puede compartirse, esta celda unitaria contiene dos átomos. Magnesio, berilio, zinc, cadmio y hafnio son ejemplos de metales que se cristalizan con este tipo de estructura.

de metales que se cristalizan con este tipo de estructura. 120° Figura I.12.- Estructura c.p.h., que

120°

Figura I.12.- Estructura c.p.h., que muestra la celda unitaria con líneas gruesas.

1.4.6 Parámetro de red, factor de empaquetamiento y número de coordinación

La celda unitaria específica para cada metal está definida por sus parámetros, que son las orillas o bordes de la celda unitaria a, b, c y los ángulos α (entre b y c), β (entre a y c), y γ (entre a y b), -ver figura próxima -, las dimensiones y ángulos para las diferentes estructuras se verán en la sección 1.5.3. Una de las formas de demostrar la diferencia de empaquetamiento es mediante el cálculo de la fracción del volumen de una estructura f.c.c. que está ocupada por átomos y compararla con la de una celda b.c.c. Cómo hay cuatro átomos por celda unitaria y cada átomo es una esfera de radio R, se tiene:

Metalurgia Física

15

Metalurgia Física 1 5 Red espacial que muestra los parámetros reticulares V átomos = 4 (

Red espacial que muestra los parámetros reticulares

V

átomos

=

4

( 4 3
(
4
3

R

π

3

)

=

16

3

R

π

3

(8)

Ahora es necesario encontrar el volumen de la celda en términos de R.

encontrar el volumen de la celda en términos de R . a 2 = 4 R

a

encontrar el volumen de la celda en términos de R . a 2 = 4 R

2 = 4R

o

a = 2

de la celda en términos de R . a 2 = 4 R o a =

2R

Factor de empaquetamiento para la celda unitaria f.c.c. se calcula de la siguiente

forma:

16 3 π R π 3 V átomos = ) 3 3 2 = (
16
3
π R
π
3
V átomos
=
)
3
3
2
= ( 2
2 R
V celda

= 0.74

El factor de empaquetamiento para la celda unitaria cúbica centrada en el cuerpo

Metalurgia Física

16

El número de coordinación de una estructura cristalina es igual al número de vecinos más cercanos que posee un átomo en la red. De esta forma, la red cúbica centrada en el cuerpo tiene 8 vecinos que lo tocan. Así, cada átomo de esta estructura que no quede en la superficie exterior posee ocho vecinos más cercanos, y el número de coordinación de la red es 8. Para las redes cúbica centrada en las caras y hexagonal compacta, el número de coordinación es 12.

1.5 Tipos Fundamentales de redes

1.5.1 Redes de Bravais

Una red con la propiedad de que todos sus puntos tienen los mismos alrededores se llama red de Auguste Bravais,

1.5.2 Red bidimensional

En el plano existen 5 redes de Bravais.

PARALELOGRAMO ab, α90°

a α b
a
α
b

RECTANGULAR ab, α=90°

a

α
α

b

CUADRADA a=b, α=90° a α
CUADRADA a=b, α=90°
a
α

b

Metalurgia Física

17

DIAMANTE O RECTANGULAR CENTRADA a=b, α90°

a α b
a
α
b

HEXAGONAL O ROMBOEDRAL a=b, α=120°

a b α
a
b
α

1.5.3 Red tridimensional

En tres dimensiones se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en 7 sistemas cristalinos.

Celdas unitarias.

CÚBICA SIMPLE

CÚBICA CENTRADA EN LAS CARAS

CÚBICA CENTRADA EN EL CUERPO

TETRAGONAL SIMPLE

TETRAGONAL CENTRADA EN EL CUERPO

HEXAGONAL

ORTORROMBICA SIMPLE

ORTORROMBICA CENTRADA EN EL CUERPO

ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS BASES

ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS CARAS

SIMPLE ORTORROMBICA CENTRADA EN EL CUERPO ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS BASES ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS CARAS
SIMPLE ORTORROMBICA CENTRADA EN EL CUERPO ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS BASES ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS CARAS
SIMPLE ORTORROMBICA CENTRADA EN EL CUERPO ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS BASES ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS CARAS
SIMPLE ORTORROMBICA CENTRADA EN EL CUERPO ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS BASES ORTORROMBICA CENTRADA EN LAS CARAS

Metalurgia Física

18

ROMBOEDRICA

MONOCLINICA SIMPLE

Metalurgia Física 1 8 ROMBOEDRICA MONOCLINICA SIMPLE MONOCLINICA CENTRADA EN LAS BASES TRICLINICA Tabla I.2.

MONOCLINICA CENTRADA EN LAS BASES

TRICLINICA

SIMPLE MONOCLINICA CENTRADA EN LAS BASES TRICLINICA Tabla I.2. Características de los siete sistemas
SIMPLE MONOCLINICA CENTRADA EN LAS BASES TRICLINICA Tabla I.2. Características de los siete sistemas

Tabla I.2. Características de los siete sistemas cristalinos.

Estructura

Ejes

Ángulos entre ejes

Cúbica

a=b=c

Todos los ángulos de 90° Todos los ángulos de 90° Todos los ángulos de 90° Dos ángulos de 90°, un ángulo de 120° Todos los ángulos son iguales y ninguno es de

Tetragonal

a=bc

Ortorrómbica

abc

Hexagonal

a=bc

Romboédrica

a=b=c

90°

Monoclínica

abc

Dos ángulos de 90°, un ángulo (β) distinto a 90° Todos los ángulos son iguales y ninguno es de

Triclínica

abc

90°

1.5.4 Direcciones y planos cristalinos

Sistema cúbico

Direcciones

Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia. Los metales se deforman, en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en contacto más estrecho. Los índices de Miller para las direcciones son la notación abreviada de estas direcciones. El procedimiento que determina los índices de Miller para las direcciones es el siguiente.

1. Utilizando un sistema de coordenadas, determinar las coordenadas de dos puntos que estén en esa dirección.

Metalurgia Física

19

3. Reducir las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los mínimos enteros.

4. Encerrar los números en corchetes [ ]. Si se obtiene un signo negativo, represéntelo con una barra sobre el número.

Se deben observar varios puntos acerca del uso de los índices de Miller para las direcciones:

1. Dado que las direcciones son vectores, una dirección y su negativo no son

[100]. Representan la misma línea pero con

idénticas; [100] no es igual direcciones opuestas.

a

2. Una dirección y su múltiplo son idénticas; [100] es la misma dirección que

[200].

3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; sus índices particulares dependen de cómo se construyen los ejes de coordenadas. Es decir la dirección [100] es equivalente a la dirección [010] si se redefine el sistema de coordenadas. Es posible referirse a grupos de direcciones equivalentes como familias de direcciones. Se utilizan los paréntesis angulares < > para indicar este conjunto. Las familias de direcciones tienen las mismas propiedades en cada uno de sus direcciones.

Ejemplo. Determinar los índices de Miller de la dirección A de la figura I.13.

los índices de Miller de la dirección A de la figura I.13. Figura I.13. Dirección A

Figura I.13. Dirección A de una celda unitaria cúbica.

Metalurgia Física

20

Solución:

Los índices de Miller para la dirección A son.

1. Los dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0

2. 1,0,0 - 0,0,0 = 1,0,0

3. No hay fracciones ni enteros a reducir.

4. [100]

1.5.5 Planos

Ciertos planos de átomos en un cristal también son significativos; por ejemplo los metales se deforman a lo largo de aquellos planos de átomos que están empaquetados más estrechamente. Los índices de Miller se utilizan como notación abreviada para identificar esto planos importantes, tal y como se describe en el siguiente procedimiento:

1. Identificar los puntos en los cuales el plano intercepta los ejes de coordenadas x, y y z en función del número de parámetros de red. Si el plano pasa a través del origen, el origen del sistema de coordenadas deberá moverse.

2. Tomar los recíprocos de estas intersecciones.

3. Eliminar las fracciones pero no reducir a los mínimos enteros.

4. Encerrar los números resultantes entre paréntesis ( ). Aquí también los números negativos se escribirán con una barra sobre los mismos.

Aspectos importantes en los índices de Miller para los planos:

1. Los planos y sus negativos son idénticos (esto no es cierto en el caso de

direcciones). Por tanto (020) =(020).

2. Los planos y sus múltiplos no son idénticos (opuesto al caso de direcciones). Es posible demostrar esto definiendo densidades planares y fracciones de empaquetamiento planar. La densidad planar es el número de átomos por unidad de superficie cuyo centro esta sobre el plano; la fracción de empaquetamiento es el área sobre dicho plano cubierta por dichos átomos.

Metalurgia Física

21

Ejemplo. Determinar los índices de Miller del plano A de la figura I.14:

los índices de M iller del plano A de la figura I.14: Figura I.14. Plano cristalográfico

Figura I.14. Plano cristalográfico de una celda unitaria cúbica.

Solución

x=1, y=1, z=1

1/x=1, 1/y=1, 1/z=1

No hay fracciones a simplificar.

(111)

Sistema hexagonal.

Direcciones y planos.

Un conjunto especial de índices de Miller-Bravais ha sido diseñado para las celdas unitarias hexagonales debido a la simetría del sistema. El sistema de coordenadas utiliza cuatro ejes en vez de tres, con el eje a3 redundante. El procedimiento para localizar los índices de los planos es exactamente igual al descrito anteriormente, pero se requiere de cuatro intersecciones, dando índices de la forma (hkil). En función de la redundancia del eje a3 y de la geometría especial del sistema, los primeros tres enteros de la designación, que corresponden a las intersecciones a1, a2 y a3, están relacionados por la ecuación h+k=-i.

Metalurgia Física

22

Ejemplo. Determinar los índices de Miller-Bravais para el plano A y la dirección B de la figura I.15.

ravais para el plano A y la dirección B de la figura I.15. Figura I.15. Celda

Figura I.15. Celda unitaria hexagonal compacta con plano A y dirección B.

Solución:

Los índices para el plano A son:

a1=1, a2=1, a3=-1/2, c=1

1/a1=1, 1/a2=1, 1/a3=-2, 1/c=1

No hay fracciones a simplificar

(1121)

Los índices para la dirección B son:

Dos puntos son 0,0,1 y 1,0,0

0,0,1 – 1,0,0 = -1,0,1

No hay fracciones que simplificar o enteros que reducir

[101] o [2113]

Metalurgia Física

23

1.6 La estructura de los metales

En estado sólido, los metales son cristalinos a excepción de las aleaciones metálicas amorfas. Aun cuando se pueden preparar cristales sencillos, muy grandes, los objetos metálicos normales constan de un conjunto de muchos cristales muy pequeños. Por consiguiente, los metales son policristalinos, con excepción de las aleaciones metálicas amorfas.

1.6.1 Microestructura

Los cristales de los metales cristalinos se conocen por lo general por sus granos. Debido a su tamaño tan pequeño, se requiere normalmente un microscopio óptico, operando a aumentos de entre 100 y 1,000 veces, para examinar las características estructurales asociadas con los granos en el metal. Las estructuras que requieren estos límites de amplificación para su examen caen en la clase conocida como microestructuras.

1.6.2 Macroestructura

En ocasiones, los objetos, los objetos metálicos, tales como las piezas fundidas, pueden tener cristales muy grandes que son perceptibles a simple vista o resolverse con facilidad bajo un microscopio de pequeña potencia. La estructura en esta categoría se denomina macroestructura.

Por otro lado, existe la estructura básica dentro de los granos mismos: esto es, la disposición atómica dentro de los cristales. Esta forma de estructura se denomina lógicamente estructura cristalina.

1.6.3 Estructura cristalina

Ya se definió el concepto de un cristal, el cual es la formación ordenada de átomos en el espacio. Ahora bien, algunos de los metales más importantes se clasifican de acuerdo con sus estructuras cristalinas, que como se ha dicho anteriormente, éstos cristalizan en una de las tres estructuras relativamente sencillas, las cuales se muestran en la tabla III.

Cierto número de metales son polimorfos, esto es, cristalizan en más de una estructura (ver tabla I.3). El más importante de éstos es el hierro, el cual cristaliza bien como cúbico centrado en el cuerpo o cúbico centrado en las caras, siendo cada estructura estable en zonas de temperatura separadas. Así, a todas las temperaturas por debajo de 910°C y sobre 1,400°C hasta el punto de fusión, la estructura cristalina preferente es la cúbica centrada en el cuerpo, mientras que entre 910°C y 1,410°C el metal es estable en la estructura cúbica centrada en las caras.

Metalurgia Física

24

Tabla

I.3

Estructura

cristalina

de

algunos

de

los

elementos

metálicos

más

 

importantes

Cúbica centrada en las caras

Hexagonal compacta

Cúbica centrada en el cuerpo

Hierro

Magnesio

Hierro < 910°C y entre 1,400°C y

1,539°C

Cobre

Zinc

Tungsteno

Plata

Titanio

Vanadio

Oro

Circonio

Molibdeno

Aluminio

Berilio

Cromo

Níquel

Cadmio

Metales alkalinos (Li, Na, K, Rb, Ca

Plomo

Platino

1.6.4 Vecinos más cercanos en las estructuras cristalinas de los metales

comunes

Ya se vio anteriormente la parte correspondiente al número de coordinación en una estructura cristalina, pues bien, a esto también se refiere el vecino más cercano en una estructura cristalina de los metales comunes.

1.6.5 Angulos entre planos en el sistema cúbico

En un sistema cúbico, los índices de Miller son proporcionales a los cosenos de la dirección. En la figura I.16, OP es la dirección [hkl], de tal forma que OA = ah, OB = ak, y OC = al, donde a es la longitud de la celda del cubo, esto es, el parámetro de red. Ya que cos α = OA/OP, etc, los cosenos de la dirección son:

cos α = mh,

cos β = mk

cos γ = ml

donde m = a/OP = constante. Se nota que

(9)

cos 2 α + cos 2 β + cos 2 γ = [(OA) 2 + (OB) 2 + (OC) 2 ] / (OP) 2

además

h 2 + k 2 + l 2 = (OP) 2 / a 2

Metalurgia Física

25

C

O

z P γ β B α A (a) x
z
P
γ
β
B
α
A
(a)
x

y

O

Q θ (b)
Q
θ
(b)

P

Figura I.16. Celda unitaria cúbica, (a) dirección OP, (b) segmentos OP y OQ.

En la anterior figura (b) P y Q tienen coordenadas ah, ak,

respectivamente. De las propiedades de los triángulos:

(PQ) 2 = (OP) 2 + (OQ) 2 – 2(OP)(OQ) cos θ

pero

(PQ) 2 = a 2 [(h-u) 2 + (k-v) 2 + (l-w) 2 ]

= a 2 (h 2 + k 2 + l 2 ) + a 2 (u 2 + v 2 + w 2 ) – 2a 2 (hu + kv + lw)

= (OP) 2 + (OQ) 2 - 2a 2 (hu + kv + lw)

y entonces

cos

θ =

 

hu

+

kv

+

lw

 

(

h

2

+

k

2

+

l

2

)

1 2
1
2

(

u

2

+

v

2

+

w

2

)

1 2
1
2

al,

y

au,

av, aw,

 

(10)

lo cual da el ángulo entre direcciones en términos de los índices de Miller. Por ejemplo, el ángulo entre [100] y [111] está dado por

cos θ = (1 + 0 + 0)/((1) ½ (3) ½ ,

Metalurgia Física

26

En la figura I.17 el plano A´B´C´ es (hkl). Entonces OA´ = a/h, etc. OP es la normal al plano y es perpendicular a OA´. En el triángulo OPA´ se tiene que cos α = OP/OA´ = OA/OP, de tal forma que OA = (OP) 2 /OA = nh, donde n = (OP) 2 /a. Las otras coordenadas de P son similarmente nk y nl. Así, hay un punto en OP que satisface las ecuaciones 9, esto es, la dirección OP es [hkl]. Así que, en los parámetros cúbicos, [hkl] es perpendicular a (hkl), la ecuación (10) es también aplicable para determinar el ángulo entre los planos (hkl) y (uvw).

z C P α B’ x O A A’
z
C
P
α
B’
x
O
A
A’

y

Figura I.17. Plano A´B´C´ de una celda unitaria cúbica

Si cos θ = 0 en la ecuación 10, entonces la dirección [uvw] cae en el plano (hkl)

cuando

hu + kv + lw = 0

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27

II. DEFECTOS CRISTALINOS

2.1 Tipos de defectos cristalinos

Muchas de las propiedades más importantes de los sólidos cristalinos –propiedades eléctricas, propiedades plásticas- vienen determinadas fundamentalmente por los defectos que presenta el cristal con relación a la estructura ideal o perfecta. Todos los materiales tienen irregularidades o defectos en el comportamiento del material. Controlando las irregularidades reticulares se hacen más resistentes los metales y sus aleaciones, se producen imanes más potentes, transistores y fotoceldas solares más eficientes, vidriería de vivos colores, y muchas otras características de los materiales de importancia práctica. Es importante considerar que las irregularidades sólo representan deficiencia de un arreglo perfecto y no denotan que el material en sí sea defectuoso. De hecho tales “defectos” son incorporados intencionalmente para producir propiedades mecánicas y físicas deseadas.

2.2 Clasificación de los defectos cristalinos

El cristal perfecto sólo existe en el cero absoluto, aunque esto no es totalmente exacto, ya que la triple periodicidad queda interrumpida por las superficies que limitan el cristal. Al elevarse la temperatura, los átomos o los iones efectúan movimientos de vibración alrededor de su posición media, dando lugar a otra clase de defecto. Esta agitación térmica puede ser explicada a base de unos defectos elementales que reciben el nombre de fonones. Ahora se considerará:

- los defectos electrónicos, encuadrándolos en el modelo de los electrones libres y, más explícitamente, en el modelo de las bandas.

- los defectos atómicos, encuadrándolos en el modelo de las esferas duras en primera aproximación. Estos defectos pueden ser muy complejos, pero pueden ser explicados a base de un pequeño número de defectos elementales. A partir de ellos, pueden irse construyendo defectos cada vez más complicados. La lista de los defectos elementales viene dada en la tabla II.1, donde se encuentran clasificados según su tipo: térmico, electrónico o atómico. Existen además, los defectos de volumen, que son vacíos microscópicos o poros e inclusiones de otra fase, constituyen este tipo de defecto y se producen por lo general durante el crecimiento de cristales, el moldeo o acciones sobre el cristal.

Metalurgia Física

28

Tabla II.1.- Defectos cristalinos elementales

Tipo de defecto

Nombre del defecto

Térmico

Fonón

Electrónico

Electrón

Agujero

Excitón

 

Puntual

Vacancia

Intersticial

Atómico

Sustitucional

Frenkel

Schottky

Lineal

Alabeo o tornillo Borde o arista

Dislocación

Plano o

Borde (límite) de grano Bordes de grano de ángulo pequeño Apilamiento Bordes de macla (gemelación)

de superficie

2.2.1 Defectos térmicos

Los átomos actúan, en primera aproximación, como pequeños osciladores armónicos cuya amplitud de vibración crece con la temperatura. Pero estas vibraciones no son cualesquiera, ya que los átomos no son independientes unos de otros: cualquier pequeño desplazamiento de un átomo se transmite a los átomos vecinos, de tal manera que las vibraciones se propagan como ondas (figura II.1), ya sea que se trate de vibraciones debidas a una acción mecánica, acústica o térmica. En el caso de la transmisión del calor, las ondas creadas por la agitación térmica tienen frecuencias más elevadas que las debidas a una acción mecánica o acústica. De todos modos, al igual que en el caso de las ondas sonoras, sus frecuencias no son cualesquiera: únicamente ciertas frecuencias están permitidas; cada una de estas formas de vibración recibe el nombre de fonón y está caracterizada por un energía propia hv, que es por tanto cuantificada, por su dirección de propagación y por su polarización (onda transversal o longitudinal). En principio, el espectro de los fonones puede ser calculado si se conocen las fuerzas de cohesión cristalina.

Sin embargo, los átomos no son osciladores armónicos perfectos, ya que la energía potencial de un átomo varía más rápidamente cuando los átomos se acercan unos a otros que cuando se separan, debido a las fuerzas de repulsión a corta distancia, que varían con gran rapidez. Esta armonía explica la dilatación térmica de los cristales. También explica el por qué no queda todo reducido a la simple propagación de ondas independientes en el cristal; en otras palabras los fonones no tienen un recorrido libre infinito, sino que son dispersados inelásticamente por otros fonones. Esto explica que el calor no se transmita instantáneamente a través de un cristal.

Metalurgia Física

29

Metalurgia Física 2 9 Figura II.1.- Agitación térmica. a) modelo de Einstein, b) modelo de Debye.

Figura II.1.- Agitación térmica. a) modelo de Einstein, b) modelo de Debye.

Esta agitación térmica implica variaciones locales de las propiedades o de la configuración del cristal, lo que tiene varias consecuencias:

- la dispersión de las ondas electrónicas: los electrones son constantemente dispersados por los fonones; por esta causa, su recorrido libre medio, que es muy elevado a baja temperatura, disminuye cuando la temperatura aumenta. En otras palabras, la resistividad eléctrica crece con la temperatura.

- dentro de pequeñas regiones, la densidad puede quedar modificada, una o varias partículas pueden ser desplazadas o su energía puede ser modificada; es decir, puede existir creación de defectos electrónicos o atómicos: electrones y agujeros en los semiconductores, vacancias o átomos intersticiales, e incluso gérmenes de cambio de fase por modificación local de la estructura reticular o por reunión de átomos forasteros.

En tales condiciones, para cada temperatura existe una concentración de defectos determinada por las leyes de la mecánica estadística:

Nα exp(− ΔH kT )

(46)

ΔH es la entalpía de formación de un defecto, k la constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta. La ecuación (46) define la concentración para el equilibrio térmico. Es decir, los defectos pueden provenir de una acción exterior (irradación, deformación en frío), pero en tal caso el cristal ya no está en equilibrio termodinámico. El cuadro 2 muestra valores de kT a diversas temperaturas. A una energía de 1 eV para una partícula, corresponden 23,053 calorías para un mol de estas partículas.

Metalurgia Física

30

Cuadro 2. Valor de kT a diferentes temperaturas (en electro-voltios)

T °K

1

4

20

80

300

1000

kT (eV)

1/12000

1/3000

1/600

1/150

1/40

1/12

2.2.2 Defectos electrónicos

Muchas veces, en vez de considerar los electrones en los puestos ocupados de una banda, resulta más cómodo considerar los vacíos en los puestos desocupados de esta misma banda. Cuando un electrón pasa a un estado de energía más elevado, se crea simultáneamente un vacío. Este tipo de defecto es fundamental por lo que respecta a las propiedades de los semiconductores. Cuando el electrón y el correspondiente vacío quedan ligados a un sitio de la red, el defecto recibe el nombre de exhitón.

2.2.3 Defectos atómicos puntuales

Los defectos puntuales o de punto son discontinuidades de la red que involucran uno o varios átomos como se muestra en la figura II.2.

Se produce un hueco o vacante cuando se pierde un átomo en un nodo normal. Las vacantes o huecos se producen en la estructura cristalina durante la solidificación, a elevadas temperaturas, o como consecuencia de un daño por radiación. Normalmente, menos de un punto de la red por cada millón contiene un hueco a temperatura ambiente.

Un defecto intersticial se forma cuando se inserta un átomo adicional en la estructura de la red en un lugar que no es un nodo normal, o sea en el intersticio.

Un defecto sustitucional se introduce cuando un átomo de la red es reemplazado por un tipo diferente de átomo. El átomo sustitucional se aloja en el nodo normal original. Tanto el defecto intersticial como el sustitucional se presentan en los materiales como impurezas e inclusive pueden ser intencionalmente introducidos como elementos de aleación. El número de estos defectos es normalmente independiente de la temperatura.

Un defecto Frenkel es una pareja de vacante-intersticial formada cuando un ion salta de un vértice normal a un sitio intersticial, dejando detrás una vacante.

Metalurgia Física

31

Metalurgia Física 3 1 Figura II.2.- Defectos puntuales: (a) vacante, (b) átomo intersticial, (c) átomo sustitucional

Figura II.2.- Defectos puntuales: (a) vacante, (b) átomo intersticial, (c) átomo sustitucional pequeño (d) átomo sustitucional grande, (e) defecto de Frenkel, y (f) defecto de Schottky. Todos estos defectos alteran el ordenamiento de los átomos circundantes.

El defecto Schottky es un par de vacantes dentro de un material con enlace ionico. A fin de mantener una carga igual en el cristal, tanto el anión como el catión deben haber salido de la red.

Los defectos puntuales distorsionan el acomodamiento perfecto de los átomos circundantes. Cuando se tiene una vacante o un pequeño átomo sustitucional, los átomos circundantes se colapsan hacia el defecto puntual, estirando los enlaces entre los átomos cercanos y produciendo un campo de esfuerzos de tracción. Un átomo intersticial o susticional grande empuja los átomos circundantes, produciendo un campo de esfuerzo de compresión. En cualquier caso, el efecto se difunde.

Una dislocación que se mueve en la vecindad del defecto de punto como se indica en la figura II.3, encuentra una red en la que los átomos no se encuentran en sus posiciones de equilibrio. Este disturbio requiere de un esfuerzo mayor para forzar a la dislocación a pasar el defecto, incrementándose así la resistencia mecánica del metal.

La adición intencional de átomos intersticiales y sustitucionales en la estructura de un material es la base para el endurecimiento por solución sólida de los materiales.

Metalurgia Física

32

Metalurgia Física 3 2 Figura II.3.- Si la dislocación en el punto A se mueve hacia

Figura II.3.- Si la dislocación en el punto A se mueve hacia la izquierda, será obstruida por el defecto puntual.

2.3 Entalpías de formación y de migración

Cada vez que se produce un defecto, se aumenta la entalpía libre del cristal en una cantidad Δ G f. según la relación termodinámica.

Δ G = Δ H – T Δ S

(47)

Se puede definir una entalpía Δ H f y una entropía Δ S f de formación del defecto.

Veamos como puede calcularse la entalpía de formación. Empezando por considerar una vacante. Para crear una vacante es preciso llevar un átomo del cristal a la superficie, sin modificar la energía superficial.

Para simplificar tomemos una red cúbica simple, que puede ser contemplada como un amontonamiento de pequeños cubos; cada uno de estos cubos corresponde a un átomo y cada una de sus caras corresponde a un enlace con sus vecinos más cercanos, como se muestra en la figura II.4.

a un enlace con sus vecinos más cercanos, como se muestra en la figura II.4. Figura

Figura II.4.- Creación de una vacante.

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En este modelo el átomo se encuentra rodeado de seis vecinos; en el rompimiento de enlaces sólo se encuentra rodeado de tres vecinos; ha sido necesario romper tres enlaces de seis. La energía correspondiente equivale a la energía de sublimación (si en el cristal hay n átomos, habrá n ζ/2 enlaces, donde ζ es el número de vecinos, y la energía de sublimación es igual a la energía necesaria para romper estos enlaces, que son ζ/2 por átomo, o sea 3 en el caso descrito).

Este cálculo conduce a valores excesivamente altos de la entalpía de formación, ya que en el se desprecia la energía elástica obtenida por el relajamiento de los átomos alrededor de la vacante, como se muestra en la figura II.5.

alrededor de la vacante, como se muestra en la figura II.5. Figura II.5.- Relajamiento alrededor de

Figura II.5.- Relajamiento alrededor de una vacante.

La red no es totalmente rígida, resultando un volumen de la vacante inferior al volumen atómico, existe analogía con el efecto de tamaño producido por un átomo ajeno a la extructura en solución sólida.

Por cada vacante creada, el volumen del cristal se reduce en una cantidad ξV f llamado volumen de relajamiento.

De igual forma para crear un autointersticial se puede tomar un átomo de la superficie en un rompimiento y colocarlo en inserción en el interior del cristal. Se produce entonces una dilatación local de la red, a la cual corresponde una energía elástica muy elevada. Por esto la entalpía de formación de un intersticial es mucho más elevada que la de una vacante (por ejemplo, 4 eV y 1 eV respectivamente en el caso del cobre).

Para desplazar una vacante de un lugar a un lugar vecino, hay que obligar a que un átomo efectúe el salto inverso. El movimiento del mismo viene frenado por los átomos circundantes. En particular por aquellos que son a la vez vecinos del intersticio inicial y del final, como se indica en la figura II.6.

Para hacer pasar el átomo de 1 a 2 hay que efectuar un cierto trabajo contra la red, (en la figura II.6.a separar los átomos A y B), representado en la figura II.6.b.

El máximo que aparece en la figura II.6.b es llamado posición de paso, y se considera que el átomo o la vacante debe franquear una cierta barrera de potencial. La

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altura de la misma es la entalpía de migración de la vacante ΔH m. De igual forma definiremos la entalpía de migración de un intersticial.

definiremos la entalpía de migración de un intersticial. Figura II.6.- Migración de una vacante, salto atómico

Figura II.6.- Migración de una vacante, salto atómico de 1 a 2.

Las entalpías de formación y migración de las vacantes y de los autointersticiales han sido calculadas teóricamente, resultando tres modelos:

-Modelo del medio elástico continuo.

-Modelo de la teoría de las bandas: la introducción de un defecto puntual destruye localmente la periodicidad del potencial en el cual se mueven los electrones y crea un potencial perturbador local. De esta manera se deduce un orden de magnitud razonable para ΔH f en los metales de estructura compacta.

-Modelo atómico, en este modelo se considera al cristal o por lo menos a una parte de el, como una red atómica en la que se desarrollan fuerzas centrales entre los átomos. El cálculo de las energías del cristal se realiza mediante computadora, para diferentes configuraciones con defectos, lo que permite evaluar sus energías en valor relativo y determinar las más estables. Este modelo desprecia los efectos electrónicos y su aplicación resulta apropiada en el caso de loa autointersticiales y en los problemas de migración de los defectos.

En el cuadro 3 se proporciona algunos valores aproximados de ΔH f y ΔH m según cálculos teóricos aplicados al cobre.

Cuadro 3.

Defecto

ΔH f (eV)

ΔH m (eV)

Vacante

1

1

Divacante

1.6

1.4

Autointersticial

4

0.1

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La divacante está formada por dos vacantes en situación de vecindad, su entalpía

de formación es inferior a la entalpía de formación de dos vacantes aisladas. En efecto, hay

que romper menos enlaces para formar una segunda vacante al lado de otra ya existente, que para formar una aislada. Por razones similares las divacantes son más móviles que las vacantes (entalpía de migración más débil).

Los cálculos recientes sobre los metales de estructura cúbica centrada en el cuerpo

y cúbico centrada en las caras demuestran que el autointersticial no se encuentra

simplemente en inserción dentro de la red, sino que desplaza un átomo de un sitio normal y forma con él un par centrado en este sitio. Entonces el intersticial se denomina disociado, como se muestra en la figura II.7.

se denomina disociado, como se muestra en la figura II.7. Figura II.7.- Intersticial simple (a), Intersticial

Figura II.7.- Intersticial simple (a), Intersticial disociado (b).

2.4 Concentración de vacancias e intersticiales en el equilibrio

Cuando los defectos son producidos por la agitación térmica, existe una concentración de equilibrio de los mismos para cada temperatura. Si el cristal posee un número de defectos dado, superior al valor que corresponde al equilibrio termodinámico, existe sobresaturación. En caso contrario, existe subsaturacion. Debe tenerse en cuenta que el cristal tiende al estado de equilibrio; de ahí la importancia del cálculo de la correspondiente concentración.

Método de cálculo.- aplicación del método clásico al caso de las vacantes.

Considérese un cristal que contiene n intersticios y calcúlese el incremento de energía libre ΔG cuando n v vacantes se introducen en el mismo. Se produce un aumento de ΔG ya que la entalpía libre del cristal resulta aumentada de n v ΔG f. pero por otra parte, la presencia de las vacantes aumenta la entropía (desorden) del cristal en una cantidad ΔS, lo que hace posible una reducción de la entalpía libre del cristal. Basta determinar el número

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n v de vacancias que, para una temperatura dada, dá la disminución máxima de ΔG. Para ello hay que resolver la ecuación:

( ∂∆G / n v ) T = 0

(48)

Cálculo.- Expresemos la variación de entalpía libre del cristal a la temperatura T, debida a la formación de n v vacantes:

G = n v G f - TS

(49)

La entropía de configuración S puede calcularse, según la mecánica estadística, de la siguiente manera:

S = k log P

(50)

siendo P el número de complexiones, es decir, el número de configuraciones que puede tomar un cristal que contiene n v vacantes; en otras palabras, P representa el número de maneras distintas de situar las n v vacantes en los n sitios del cristal.

Por lo que resolviendo las ecuaciones queda determinado el número de vacantes por la siguiente relación:

N v exp ( - H f / kT)

(51)

Se debe tener presente la diferencia entre la entropía de configuración S del cristal que contiene n v vacantes y la entropía de formación de una vacante S f.

Caso de los autointersticiales: Teniendo en cuenta que existen q posiciones intersticiales posibles por sitio de la red, de esta forma se encontrará que el número de intersticiales en la red estará dado por:

N v = n i / n = q exp ( S fi / k ) exp ( H fi / kT )

(52)

APLICACIÓN.- Calcúlese la concentración de vacantes y de intersticiales en el cobre a diferentes temperaturas:

T ( ºK )

300

800

1300

Vacantes

10

–17

6 x 10 17

1.3 x 10 4

Intersticiales

10

-67

10 -25

10 -15

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En el estado de equilibrio termodinámico, la concentración de autointersticiales en un metal de estructura compacta es despreciable a cualquier temperatura. Los únicos defectos atómicos puntuales creados por la agitación térmica son las vacantes. Su concentración es de alrededor de 1 por 10 000 sitios en las proximidades del punto de fusión. A esta temperatura, una fracción importante de las mismas puede existir bajo la forma de divacantes (1 %).

OBSERVACIONES:

1. En el cálculo anterior se han hecho intervenir dos términos de entropía distintos: Una entropía de vibración y una entropía de configuración. Esta ultima ha sido calculada mediante la relación S k log p. La primera resulta de la modificación de las frecuencias de vibración de los átomos en las proximidades de una vacante, y se ha llamado entropía de formación de una vacante S f. para un cristal que contenga n vacantes, la variación de entropía es pues igual a n l S f + klog P, de donde, para la variación de energía libre:

G = n v H f T (n v S f + k log P)

(53)

G = n l G f k T log P

(54)

2. En el cálculo se supone que la concentración de vacantes es suficientemente débil para que la probabilidad de la presencia de p vacantes en p sitios vecinos sea despreciable. En general se deben tener en cuenta las divacantes. Un cálculo estadístico análogo al precedente permite calcular su concentración. Puede procederse de una manera más sencilla, considerando la formación de una divacante a partir de dos vacantes y aplicando a esta reacción la ley de acción de masa, con una entalpía de asociación positiva H 2. Fácilmente se encuentra:

N div ≈ α exp ( -H div / kT)

(55)

Con la entropía de formación de una divacante H div = 2 H f - 2 H 2 y un factor geométrico α que es igual a 6 en la estructura fcc. La concentración total de defectos puntuales viene dada entonces por N v + N div. También se podrá calcular la razón de concentración N div / N v en el cobre, en las proximidades del punto de fusión, tomando H 2 = 0.4 eV.

2.5 Dislocaciones y concepto de dislocación.

Las dislocaciones son imperfecciones en la red que de otra manera seria perfecta. Es posible identificar dos tipos de dislocaciones – la dislocación de alabeo y la dislocación de borde o de arista.

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La dislocación de alabeo o de tornillo puede representarse mediante un corte parcial a través de un cristal perfecto y volviendo a unir el cristal desviándolo un espacio atómico. Si se sigue el plano cristalográfico una revolución alrededor del eje al cual el plano fue reacomodado, recorriendo igual número de espaciamientos atómicos en cada dirección, se terminaría un espacio atómico por debajo del punto de partida, como se muestra en la figura II.8.

del punto de partida, como se muestra en la figura II.8. Figura II.8.- El cristal perfecto

Figura II.8.- El cristal perfecto se corta (a) y desplaza un espacio atómico, (b) y (c). La línea a lo largo de la cual ocurre el desplazamiento representa la dislocación de alabeo o tornillo. Se requiere un vector de Burgers b para completar el giro de igual número de espacios atómicos alrededor de la dislocación de tornillo.

La dislocación de borde o de arista, puede ilustrarse dividiendo parcialmente un cristal perfecto, separando el cristal y llenando el corte con un plano adicional de átomos. El borde inferior de este plano insertado representa la dislocación de borde. Si se describe un giro en el sentido de las manecillas del reloj alrededor de la dislocación de borde recorriendo igual número de espaciamientos atómicos en cada dirección, se terminaría a un átomo de distancia del punto de partida, como se muestra en la figura II.9.

del punto de partida, como se muestra en la figura II.9. Figura II.9.- El cristal perfecto

Figura II.9.- El cristal perfecto se corta (a) y se inserta un semiplano adicional de átomos (b). El borde inferior del plano adicional representa una dislocación de borde (c). Se necesita de un vector de Burgers b para completar el giro de igual número de espaciamientos atómicos alrededor de la dislocación de borde.

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2.6 Propiedades fundamentales de las dislocaciones

Para definir y demostrar las propiedades de las dislocaciones, se recurrirá a la teoría de los medios elásticos.

2.6.1 Definición general

Considerando un medio elástico continuo y una línea L en este medio, ya se trate de una línea extendida de un extremo a otro o bien de una línea cerrada (figura II.10). Para crear una dislocación según la línea L es preciso efectuar las siguientes operaciones:

línea L es preciso efectuar la s siguientes operaciones: Figura II.10.- Superficie de corte limitada por

Figura II.10.- Superficie de corte limitada por la línea de dislocación

1.- Cortar el medio según una superficie cualquiera S limitada por la línea L.

2.- Desplazar los dos labios S 1 y S 2 producidos por el corte, sin deformarlos.

3.- Este desplazamiento puede constituir una cortadura pura, como en el caso de un corte plano, en que deslizan una contra otra las superficies S 1 y S 2 ; si no es así, será preciso añadir materia si el desplazamiento ha creado un vacío o eliminarla en el caso contrario.

4.- Soldar nuevamente los labios S 1 y S 2 y eliminar las tensiones externas que fue necesario aplicar para efectuar el desplazamiento.

La dislocación queda así caracterizada por:

- la línea L,

- el desplazamiento relativo de los labios.

Si ya no se trata del medio continuo simple de la teoría de la elasticidad sino de un cristal, el desplazamiento de los labios ya no es cualquiera. No puede consistir en una rotación alrededor de una línea recta L (figura II.11), ya que la simetría cristalina quedaría destruida. Sólo puede tratarse de una traslación caracterizada por su vector b. Para que la

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soldadura después del desplazamiento sea posible, este vector b debe ser un vector de la red. En tales condiciones, la dislocación queda perfectamente definida por:

- la línea L,

- el vector b.

La dislocación así formada no depende de la elección de la superficie de corte S.

no depende de la elección de la superficie de corte S . Figura II.11.- Corte rectilíneo

Figura II.11.- Corte rectilíneo y rotación.

2.6.2 Dislocaciones rectilíneas

Las figuras II.12 a-d representan ejemplos de rotura según una superficie S limitada por una línea recta L. Para una dislocación cuña, b, es perpendicular a L (figura II.12 (b) y (c)); para una dislocación tornillo, b es paralelo a L (figura II.12 (d)).

En (b) y (c), la misma dislocación cuña se ha producido mediante dos cortes distintos, pero con un mismo desplazamiento relativo b; en el caso (b), ha sido preciso introducir un semi-plano suplementario. Las figuras II.12 (b) y (d) representan dos dislocaciones diferentes (cuña y tornillo) producidas a partir de una misma superficie de corte.

producidas a partir de una misma superficie de corte. Figura II.12.- (a) Corte plano; (b, c)

Figura II.12.- (a) Corte plano; (b, c) creación de una dislocación rectilínea cuña; (d) o tornillo.

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2.7 Circuito de Burgers

Parece fácil a priori caracterizar una dislocación por la línea L y el vector b. Según se ha visto anteriormente, es posible crear un par de dislocaciones de signo opuesto; hay que poder determinar, por tanto, el signo b, para comparar carias dislocaciones. Para ello se ha establecido el circuito llamad de Burgers, tal como se indica en la figura II.13 (a), que presenta un corte según un plano P perpendicular a la dislocación cuña L. Después de haber escogido una orientación para la línea L, en el plano P se describe un circuito cerrado alrededor de la línea de dislocación, situado todo él en la zona “correcta” del cristal. Este circuito se dibuja convencionalmente en sentido directo, es decir, en sentido inverso a las manecillas del reloj para un observador situado según el sentido positivo de la línea L, sentido dado, por ejemplo, por la regla del tornillo.

Estableciendo ahora un circuito homólogo en un cristal perfecto, tal como se indica en la figura II.13 (b). El circuito no se cierra; el vector que se añade para cerrarlo es en magnitud y en signo del vector de Burgers b de la dislocación L.

y en signo del vector de Burgers b de la dislocación L . (a) (b) Figura

(a)

(b)

Figura II.13.- Circuito de Burgers

La figura II.14 proporciona un ejemplo de dislocación en un apilamiento compacto de dos dimensiones obtenido mediante burbujas de jabón (modelo de Bragg).

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Metalurgia Física 4 2 Figura II.14.- Burbujas de Bragg, ofreciendo el aspecto de una ordenamiento comparada

Figura II.14.- Burbujas de Bragg, ofreciendo el aspecto de una ordenamiento comparada con una dislocación (limitada a un solo plano atómico).

2.8 Energía de las dislocaciones

Una dislocación introduce desplazamientos atómicos en la retícula, los cuales son máximos en la línea de dislocación. Dentro de algún radio r 0 de la línea de dislocación los desplazamientos son lo suficientemente grandes como para que la ley de Hooke no sea aplicable. Por lo tanto, la energía de una dislocación se separa en dos partes.

E = E nucleo + E deformacion

(56)

donde E nucleo se llama energía del núcleo y se refiere a la energía dentro de la región donde los desplazamientos son demasiado grandes como para aplicar la ley de Hooke.

La dislocación de tornillo implica solamente una deformación cortante simple y, por lo tanto, es posible presentar una derivación simple para su energía de deformación. El análisis se realiza sobre el elemento de volumen diferencial cilíndrico de la figura II.16(a) el cual es extraído de la figura II.15 y contiene el escalón b producido por la dislocación de tornillo que oprime su centro. Para empezar, se debe poder determinar la deformación elástica cortante, γ, producida en el elemento por el desplazamiento debido a la dislocación de tornillo. Si se extiende el elemento como se muestra en la figura II.16(b), se ve que la deformación cortante puede tomarse como γ = b / 2πr.

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Metalurgia Física 4 3 Figura II.15.- desplazamiento helicoidal producido por dislocaciones de tornillo. Figura II.16.-

Figura II.15.- desplazamiento helicoidal producido por dislocaciones de tornillo.

helicoidal producido por dislocaciones de tornillo. Figura II.16.- Efecto del desplazamiento de la dislocación

Figura II.16.- Efecto del desplazamiento de la dislocación de tornillo sobre un elemento de volumen diferencial cilíndrico.

De la ecuación:

E / V = ½ τγ = ½ G γ 2

Para corte simple, donde τ = G γ.

(57)

Se tiene dE = 2 τ

γ

dv, y para el elemento de volumen se tiene dv = 2πr dr L.

Tomando τ = G γ se obtiene por sustituciones

E L

r 0

r

(

dE L

)

=

( 2 )( ∫ Gb 4 π
(
2
)(
Gb
4 π

dr r

)

(58)

r 0 es algún pequeño radio dentro del cual falla la ley de Hooke, y esta energía se considera en un termino separado como se explico antes:

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(E/L) sc = (Gb 2 / 4π) ln (r/r 0 ) + (E/L) nucleo

(59)

Nótese que la energía se evalúa por unidad de longitud de la línea de dislocación y tiene unidades de ergs/cm. Esto refleja simplemente el hecho de que las dislocaciones son defectos lineales.

El campo de esfuerzo alrededor de una dislocación de borde es mas complicado, y es necesario utilizar la teoría de elasticidad formal para determinar su energía de deformación. Obteniendo la siguiente expresión:

(E/L) borde = [Gb 2 / 4π(1-ν)] ln (r/r 0 ) + (E/L) nucleo

(60)

donde ν es el modulo Poisson. Con base en estas ecuaciones, es posible sacar algunas conclusiones.

1.- Puesto que la energía de deformación elástica de una dislocación es proporcional a ln r, se incrementa lentamente con el radio. Por lo tanto, las dislocaciones poseen un campo de deformación elástica de largo alcance. Las estimaciones de la energía del núcleo demuestran que este campo es menor de un quinto de la energía total para r > 10 -4 cm en las ecuaciones (1) y (2) y, por lo tanto, la energía del núcleo a menudo se pasa por alto.

2.-La energía de deformación es igual al cuadrado del vector de Burgers. Consecuentemente, las dislocaciones estables en los cristales metálicos serán aquellas que tienen el mas bajo vector b debido a que también tendrán la mas baja energía de deformación.

3.- ¿Por qué una burbuja en un vaso de cerveza toma siempre la forma de una esfera? Debido a que la geometría esférica produce la mínima área para un volumen fijo, y minimizando su área, la burbuja minimiza su energía superficial. La dislocación tiene una energía por unidad de longitud la cual se podría llamar