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Anlisis del circuito recortador con diodo aplicando el modelo de gran seal.

Valores de componentes: ,, , Funcionamiento: Para el diodo del circuito consideraremos el modelo de gran seal, de este modo para el dispositivo existe un voltaje umbral de conduccin V y considerando la conexin en el circuito, el diodo, en polarizacin inversa, actuar como una fuente de corriente Is en paralelo con una Resistencia Rr , al aplicar una transformacin de fuentes se tiene el circuito equivalente de la figura 1b, el diodo se polarizar directo en el momento que Vi supere el valor V + VR, cumplindose esto el diodo conducir corriente y desde ese momento lo haremos equivalente a una fuente V con una resistencia en serie Rf como se muestra en la figura 1c. En sntesis con: se tiene: Para , polarizacin inversa del diodo, en este caso asumiremos un valor de:

Usando los valores del circuito: , Desde sta ecuacin podemos observar que el valor de , en polarizacin inversa Para , polarizacin directa del diodo, en este estado consideramos al diodo aplicando el modelo de gran seal, de este modo si aplicamos anlisis de mallas e el circuito se obtiene: , Reemplazando Id obtenemos: , con lo que reduciendo algebraicamente llegamos a la ecuacin:

De esta ecuacin se puede observar que el limite de recorte para la seal de entrada ser de V + VR si Rf <<R, y si Rf >>R, el recorte tender a ser menor obteniendo una seal se salida similar e la de entrada, si las diferencias son pocas entre las resistencias el recorte ser de un valor V + VR ms un factor entregado por la relacin: Grficas de Voltajes Vi y V0 Usando los valores en las ecuaciones encontradas anteriormente encontramos la ecuacin de las funciones de entrada y de salida para el circuito, de este modo se tiene: , para todo t, excepto donde: , (*) Para , , , , etc. Los ngulos donde ocurre la conduccin en el diodo son: 14,77, 180-14,77, 360+14,77, 540-14,77, etc. Tiempos y ngulos extrados desde la ecuacin (*) Voltaje del Diodo El voltaje para el diodo en polarizacion inversa est determinado por la ecuacin: VDS: Voltaje del diodo en polarizaron inversa. En polarizacin directa: VDD: Voltaje en diodo polarizado directo. De este modo podemos apreciar la grfica para el voltaje tal y como se muestra en al figura 2b. Grficas de i0 Si en el circuito se colocase una carga RL entre los terminales V0, La grfica correspondiente a la corriente que fluira por la resistencia sera similar a la que existe para V0 la cual es mostrada en la figura 2a, la diferencia entre los rangos de una grafica de corriente estaran determinados por el valor de RL, valor que producira una atenuacin en la amplitud de la seal con respecto a la amplitud de V0, esto regido por la relacin . Grfica de id Usando las expresiones encontradas para la corriente en el diodo para cada estado de polarizacin se obtienen las siguientes expresiones con los valores de las magnitudes de los componentes involucrados en el circuito, para la polarizacin inversa: , esta es una corriente del orden de los micro Amper por lo que prcticamente se puede despreciar. Para la polarizacin directa tenemos: , esta es la funcin para la corriente que el diodo conduce en la polarizacin directa, su grfica se puede apreciar en la figura 2d. Relacin de voltajes RMS

Problema II

Para el circuito mostrado en la figura N2, obtenga las corrientes y los voltajes a travs de ambos diodos. Nota, considere:

Solucin: En el circuito podemos visualizar que el diodo 2 est bajo una polarizacin inversa, puesto que la cada de tensin en el diodo 1 una ser mnima comparada con el voltaje de la fuente, de este modo asumiremos una corriente en el sentido horario la cual corresponder a la corriente inversa que circula por el diodo 2 con esto se tiene:

Asumiendo que

Con estos valores numricos comprobamos la consistencia de las condiciones que se tomaron para la resolucin del problema. Parte Terica a) Al encontrarse la juntura en circuito abierto, por leyes fsicas debe estar en equilibrio, lo que en ella sucede es que se genera una corriente de difusin que tiende a atravesar la unin desde el material tipo P al tipo N, esto producido por la diferencia de concentracin de huecos que estn en mayora en el lado P. La corriente de difusin se anula debido a que se genera una corriente de desplazamiento generada por el campo elctrico que aparece en la unin. b) Al incidir una onda electromagntica en un semiconductor aumenta la energa de los electrones subiendo as su nivel energtico y comienza a romper los enlaces covalente formando nuevos pares de electrn hueco con esto aumentan los portadores minoritarios y se genera la corriente de saturacin inversa. La ecuacin que rige la corriente en un el diodo por generacinn ptica es:

ID: corriente en un diodo con generacin ptica. Io: corriente de saturacin ptica . VD: tensin en los terminales del diodo. n: coeficiente de emisin (depende del material Si n=1; Ge n=2) VT: factor afectado por la temperatura. Iop: corriente formada ptimamente. Donde q: Carga del

A: rea del semiconductor

: Coef. De generacin

: Long. Del material P

: Long. Del material N Al variar el rea del diodo varia tambin con esto la corriente generado ptimamente esto quiere decir que estos parmetros son directamente proporcional entre si En la ecuacin del diodo se despreci la corriente inversa y que es muy pequea c) Del efecto fotoelctrico podemos decir que en algunos materiales, al ser sometidos a una luz intensa generan una pequea corriente elctrica .Es as como se explica el funcionamiento general del fotodiodo los cuales son sensibles a la luz visible o infrarroja. Este es un dispositivo que conduce una corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que incide sobre la unin. Para su correcto funcionamiento se polariza inversamente ya que: al incidir luz(fotones incidentes) la superficie del dispositivo se forman nuevos pares de electrones-huecos adicionales generados trmicamente esto lo podemos ver como una inyeccin de portadores minoritarios que contribuyen a la conduccin de corriente la cual varia linealmente con el flujo de luminoso. d) Es un diodo que tiene una variacin de anchura de la barrera de potencial en la juntura PN ,esta variacin esta en funcin del voltaje inverso aplicado al diodo son directamente proporcionales, esto quiere decir que al aumentar el voltaje inverso, aumenta la anchura de la barrera y esto disminuye as la capacidad del diodo. La capacidad es variable y depende de la tensin ,con respecto a la frecuencia este dispositivo a altas frecuencias tendr una baja capacitanca por esto este tipo de diodo es tan utilizado en circuitos de telecomunicacin para sintonizacin de emisoras de radio ,etc. e) existe una gran variedad de parmetros para los diodos sin embargo los ms importantes son:

Corriente directa mxima (IF = fordwad intensity): mxima corriente que puede soportar un diodo en polarizacin directa sin que se destruya. Voltaje inverso o de Ruptura (PIV = peak inverse voltaje): mximo voltaje que se puede aplicar a un diodo en polarizacin inversa antes de que se destruya. Potencia disipada (PD = disipated power) o Temperatura mxima: mxima potencia que puede disipar un diodo en condiciones de operacin normales es igual (0.7)*ID Tipo de Empaque: cdigo que define el empaque utilizado por un diodo. Tipo de Material: si el diodo es de Si o Ge esto define el voltaje umbral.

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