MEMORIAS 2012

NDICE: 1.- INTRODUCCIN 4 2.- MEMORIA RAM.. 5 2.1.- Memoria de acceso aleatorio o RAM 5 2.2.- SIMM (Single In-line Memory Module).. 5 2.3.- DIMM (Dual In-line Memory Module)........................... 6 2.4.- SO-DIMM (Small Outline DIMM) 6 3.- LOS TIPOS BASICOS DE MEMORIA RAM.. 6 3.1.- RAM esttica o SRAM. 6 3.2.- RAM dinmica o DRAM... 6 3.3.- Memorias MOS.. 7 4.- TIPOS DE RAM ESTATICA.. 7 4.1.- SRAM.. 7 4.2.- Sync SRAM 7 4.3.- PB SRAM 8 5.- TIPOS DE RAM DINAMICA... 8 5.1.- DRAM.. 8 5.2.- FPM. 8 5.3.- EDO RAM... 8 5.4.- SDRAM 9 5.5.- PC100 o SDRAM de 100 MHz 9 5.6.- BEDO RAM. 9 6.- LAS MEMORIAS MS RECIENTES 9 6.1.- ESDRAM. 9 6.2.- SLDRAM.. 9 6.3.- RDRAM.. 10 6.4.- RIMM.. 10 a) Caractersticas Generales de la memoria RIMM. 11 b) Partes que la Componen.. 11 c) Capacidad de Almacenamiento. 11 6.5.- DDR 12 a) Caractersticas Generales de la memoria DDR.. 12 b) Partes que la Componen. 12

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c) Capacidad de Almacenamiento.. 13

6.6.- DDR-2 13 a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-2... 13 b) Partes que la Componen. 13 c) Capacidad de Almacenamiento.. 14 6.7.- DDR-3. 14 a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-3 15 b) Partes que la Componen. 15 c) Capacidad de Almacenamiento.. 15 6.8.- DDR-4. 16 a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-4.16 b) Partes que la Componen. 17 c) Capacidad de Almacenamiento.. 17 d) Usos Especficos17 7.- MEMORIA ROM... 17 BIOS... 18 CMOS. 18 SETUP 18 7.1.- Caractersticas Generales 18 7.2.- UBICACIN DE LA ROM EN LA TARJETA PRINCIPAL MOTHERBOARD. 19 7.3.- Tipos Actuales de Memoria ROM... 19 + Memorias PROM. 19 + Memorias EPROM.. 19 + Memorias EEPROM 19 7.4.- Reinicio de una memoria ROM/RESPALDO de una memoria ROM. 20 7.5.- Actualizacin de las memorias ROM.. 20

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7.6.- El Software SETUP de la memoria ROM... 20 7.7.- Como acceder al SETUP de la memoria ROM.. 21 7.8.- Usos especficos de la memoria ROM. 21 8.- CONCLUSIN. 22 9.- BIBLIOGRAFA 23

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1.-INTRODUCCIN: La memoria es uno de los componentes fundamentales de las computadoras, sin ellos no tendran un medio de almacenamiento temporario para la ejecucin de Programas. La memoria es el medio de almacenamiento temporal en el que la CPU (Microprocesador) puede escribir, leer o modificar informacin.

En informtica, la memoria (tambin llamada almacenamiento) se refiere a la parte de los componentes que integran una computadora. Son dispositivos que retienen datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin o almacenamiento de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en ingls, central processing unit), implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940.

Tipos de Memorias: a) RAM (Random Access Memory = Memoria de Acceso al Azar o Aleatorio): es la Memoria Principal de la Computadora. b) ROM (Read Only Memory = Memoria de Solo Lectura): tambin se la denomina ROM BIOS (ROM Basic Input Output System). Se graban durante su fabricacin, no pueden modificarse y tampoco desaparecen al apagar la Computadora.

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2.- MEMORIA RAM: Son los circuitos que permiten almacenar y recuperar la informacin. En un sentido ms amplio, puede referirse tambin a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Por lo general se refiere slo al semiconductor rpido de almacenaje (RAM) conectado directamente al procesador. La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory, cuyo acrnimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. En otras palabras, memoria RAM es donde el computador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal, porque los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada. Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de chips o mdulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectngulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con pines o contactos. A diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y que se borra al apagar el computador, no como el disquete o el disco duro, en donde la informacin permanece grabada. La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los mdulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, esta memoria es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memoria FLASH, cach (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la placa principal. 2.1.- Memoria de acceso aleatorio o RAM: Es la memoria basada en semiconductores que puede ser leda o escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. Es un acrnimo del ingls Random Access Memory, el cual es bastante inadecuado puesto a que todas las pastillas de memoria son accesibles en forma aleatoria, pero el trmino ya se ha arraigado. El acceso a posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. Actualmente la memoria RAM para computadoras personales se suele fabricar en mdulos inestables llamados SIMM. 2.2.- SIMM (Single In-line Memory Module): Consta de una pequea placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Los SIMM estn diseados de modo que se puedan insertar fcilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la

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cantidad de memoria RAM. Se fabrican con diferentes capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb, etc.) y con diferentes velocidades de acceso. Hoy en da su uso es muy frecuente debido a que ocupan menos espacio y son ms manejables y compactos que los tradicionales chips de memoria. Aparecen en dos formatos de 30 contactos los cuales manejan 8 bits cada vez, miden unos 8.5 cm de 72 contactos que manejan 32 bits y tienen un largo de 10,5 cm. 2.3.- DIMM (Dual In-line Memory Module): Es otro tipo de encapsulado a diferencia del SIMM aparece con un formato de 168 conectores, de unos 13 cm de longitud, los cuales pueden manejar 64 bits. 2.4.- SO-DIMM (Small Outline DIMM): Consiste en una versin compacta del mdulo DIMM convencional, contando con 144 contactos y con un tamao, de aproximadamente de la mitad de un SIMM. Se utiliza mucho en computadores porttiles.

3.- LOS TIPOS BASICOS DE MEMORIA RAM: Es posible obtener memorias semiconductoras en una amplia gama de velocidades. Sus tiempos de ciclo varan desde unos cuantos cientos de nanosegundos, hasta unas cuantas decenas de nanosegundos. Cuando se presentaron por primera vez, a fines de la dcada de 1960, eran mucho ms costosas que las memorias de ncleo magntico que reemplazaron. Debido a los avances de la tecnologa de VLSI (Very Large Scale Integration integracin a muy gran escala), el costo de las memorias semiconductoras ha descendido en forma notable. Existen dos tipos de memoria RAM: la SRAM o RAM esttica; y la DRAM o RAM dinmica. 3.1.- RAM esttica o SRAM: El almacenamiento en RAM esttica se basa en circuitos lgicos denominados flipflop, que retienen la informacin almacenada en ellos mientras haya energa suficiente para hacer funcionar el dispositivo (ya sean segundos, minutos, horas, o an das). Un chip de RAM esttica puede almacenar tan slo una cuarta parte de la informacin que puede almacenar un chip de RAM dinmica de la misma complejidad, pero la RAM esttica no requiere ser actualizada y es normalmente mucho ms rpida que la RAM dinmica (el tiempo de ciclo de la SRAM es de 8 a 16 veces ms rpido que las SRAM). Tambin es ms cara, por lo que se reserva generalmente para su uso en la memoria de acceso aleatorio (cach). 3.2.- RAM dinmica o DRAM: Las RAM dinmicas almacenan la informacin en circuitos integrados que contienen condensadores, que pueden estar cargados o descargados. Como stos pierden su carga en el transcurso del tiempo, se debe incluir los circuitos necesarios para "refrescar" los chips de RAM cada pocos milisegundos, para impedir la prdida de su informacin. Algunas memorias dinmicas tienen la lgica del refresco en la propia pastilla, dando as gran capacidad y facilidad de conexin a los circuitos. Estas pastillas se denominan casi estticas. Mientras la RAM dinmica se refresca, el procesador no puede leerla. Si intenta hacerlo en ese momento, se ver forzado a

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esperar. Como son relativamente sencillas, las RAM dinmicas suelen utilizarse ms que las RAM estticas, a pesar de ser ms lentas. 3.3.- Memorias MOS: Dos importantes ventajas de los dispositivos MOS, en comparacin con los dispositivos bipolares, son que permiten mayores densidades de bits en los chips de circuito integrado, y fundamentalmente son ms fciles de fabricar. Sin embargo los transistores MOS son dispositivos de alta impedancia, lo que lleva a una disipacin de potencia ms baja. Su principal desventaja es su velocidad de operacin relativamente lenta. Como en el caso de las memorias bipolares, son posibles muchas configuraciones de celda MOS. La ms simple es el circuito flip-flop. La operacin del circuito es semejante a su contraparte bipolar. Los transistores realizan la misma funcin que los resistores del punto anterior. Los transistores corresponden a los dos diodos. Actan como interruptores que pueden abrirse o cerrarse bajo control de la lnea de palabras. Cuando estos dos interruptores estn cerrados, el contenido de la celda se transfiere a las lneas de bit. Como en el caso de la memoria bipolar, cuando se selecciona una celda en particular, su contenido puede volverse a escribir aplicando voltajes adecuados en las lneas de bit. Tanto la celda bipolar, como su contraparte MOS, requieren un flujo continuo de corriente de suministro de energa, a travs de una de las dos ramas del flip-flop. Son capaces de almacenar informacin indefinidamente, siempre y cuando se mantenga este flujo de corriente. Por lo tanto se les conoce como memorias estticas. Vase tambin RAM estticas o SRAM. La alta impedancia que se puede alcanzar en la tecnologa MOS permite construir un tipo diferente de memoria conocido como memoria dinmica (DRAM). La memoria dinmica se basa en celdas simples, lo cual permite mayor densidad de bits y menor consumo de energa en relacin con las configuraciones estticas. Vase tambin RAM dinmica o DRAM.

4.- TIPOS DE RAM ESTATICA: 4.1.- SRAM: Static Random Access Memory Memoria esttica de acceso aleatorio Es un tipo de memoria ms rpida y confiable que la DRAM. El trmino esttica se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM esttica se construye con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cul de los dos transistores es activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede con las RAMs dinmicas, pero usan mucha ms energa y espacio. La misma es usada como memoria cach. 4.2.- Sync SRAM: Synchronous Static Random Access Memory Es tambin un tipo de memoria cach. La RAM sincronizada a rfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a rfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema est en velocidades de reloj superiores a los 66 MHz, puesto que

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los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente ms lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos mdulos estn en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades. 4.3.- PB SRAM: Pipeline Burst Static Random Access Memory Es un tipo de memoria esttica pero que funciona a rfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como cach al igual que la SRAM, y la ms rpida de la actualidad con soporte para buses de 75 MHz o superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos. 5.- TIPOS DE RAM DINAMICA: 5.1.- DRAM: Dynamic Random Access Memory Memoria dinmica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento tpica es de 80 70 nanosegundos. Fsicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera de la siguiente manera, las posiciones de memoria estn organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila, despus la columna y por ltimo decimos si deseamos escribir o leer en esa posicin. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posicin en la salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posicin seleccionada si el acceso es de escritura. 5.2.- FPM: Fast Page Memory - Memoria en modo paginado. Tambin es llamada FPM RAM, FPM DRAM o DRAM puesto que evoluciona directamente de ella es algo ms rpida ya que su velocidad es de 70 60 nanosegundos. Fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos. Con el modo pgina, la fila se selecciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando as un rpido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 MHz, generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 MHz y en algunos 486. 5.3.- EDO RAM: Extended Data Output Random Access Memory Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos. Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque tambin se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en una serie de latchs que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede acceder a un nico byte la EDO permite mover un bloque completo de memoria. Muy comn en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.

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5.4.- SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory Memoria de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20 % ms rpida que le EDO RAM. La SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso, es capaz de sincronizar todas las seales de entrada y salida con la velocidad del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 MHz por lo que su refrescamiento debe ser mucho ms rpido alcanzando las mismas velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra fsicamente en mdulos DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron. 5.5.- PC100 o SDRAM de 100 MHz: Tericamente es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a la calidad de los chips y diseo de los circuitos impresos establecidos por Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea para que realmente funcionen a esos 100 MHz. Es usada en los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y micros an ms modernos. La memoria PC100 es la ms usada en la actualidad. Hay todava realmente una gran confusin con respecto al mdulo PC100, no se sabe de qu consta. Hay varios mdulos que se venden hoy como PC100 pero desgraciadamente, todava no se opera fiablemente a los 100 MHz. 5.6.- BEDO RAM: Burst Extended Data Ouput Memory Random Access Es una evolucin de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en rfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posicin determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitacin de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.

6.- LAS MEMORIAS MAS RECIENTES: 6.1.- ESDRAM: Enhanced SDRAM Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los mdulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequea de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un cach en el chip. Permite tiempos de latencia ms bajos y funcionamientos de 200 MHz. La SDRAM oficia como un cach dentro de la memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4 veces mayor al de la memoria DRAM. 6.2.- SLDRAM: Sysnclink DRAM - La SLDRAM es una DRAM fruto de un desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia ms cercana de Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un grupo de 12 compaas fabricantes de memoria. La SLDRAM es una extensin ms rpida y mejorada de la arquitectura SDRAM que ampla el actual diseo de 4 bancos a 16 bancos. La SLDRAM se encuentra

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actualmente en fase de desarrollo y se prev que entre en fase de produccin en el 2000. El ancho de banda de SLDRAM es de los ms altos 3.2GB/s y su costo no sera tan elevado. 6.3.- RDRAM: La tecnologa RDRAM de Rambus ofrece un diseo de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces ms rpido que la DRAM estndar, a travs de un bus simplificado. Se la encuentra en mdulos RIMM los que conforman el estndar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura est basada en los requerimientos elctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de transferencia las siguientes: Rambus PC600: 2x2 bytes/ciclo x 300 MHz = 1, 20 GB/s Rambus PC700: 2x2 bytes/ciclo x 356 MHz = 1, 42 GB/s Rambus PC800: 2x2 bytes/ciclo x 400 MHz = 1, 60 GB/s El bus usa caractersticas de lneas de transmisin para mantener una alta integridad en la seal. El control de la temperatura se hace a travs de un disipador y un elastmero trmicamente conductor. 6.4.- RIMM: Proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa mdulo de memoria de lnea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, tambin estn basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Se buscaba que fueran el estndar que reemplazara a las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module"). Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las cules eran ms econmicas.

Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung, terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC.

modelo PC800, 184

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a) Caractersticas Generales de la memoria RIMM: Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca solamente un mdulo de memoria. Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales. Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits. Tiene una placa metlica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa acta como disipador de calor. Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estn ocupadas. b) Partes que Componen la memoria RIMM: Los componentes internos estn cubiertos por una placa metlica que acta como disipador de calor:

1.- Disipador: es una placa metlica que cubre la tarjeta plstica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente. 2.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria RIMM. 3.- Muescas: son 2 hendiduras caractersticas de la memoria RIMM y que indican la posicin correcta dentro de la ranura de memoria. Lista 1. Partes externas y funciones de una memoria Figura 3. Esquema externo de RIMM. una memoria RAM tipo RIMM

c) Capacidad de Almacenamiento: La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria RIMM es el Megabyte (MB). Se comercializaron bsicamente las siguientes capacidades: Tipo de memoria RIMM 184 terminales, capacidad en megabytes (MB) 64MB, 128MB, 256MB. Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel Pentium 4, pero era muy caro y tenda a sobrecalentarse, por lo que termin siendo remplazado en el mbito general por las memorias RAM tipo DDR que eran mas econmicas y no necesitaban ventilacin adicional.

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6.5.- DDR: Proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisin doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultnea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Compiti directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module"). Estas memorias estn siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus 266 MHz. A 400 MHz.

a) Caractersticas Generales de la memoria DDR: Todas las memorias DDR cuentan con 184 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La medida del DDR mide 13.3 cm de largo X 3.1 cm de alto y 1 mm de espesor. Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar o no ocupadas todas sus ranuras para memoria. b) Partes que la Componen: Los componentes son visibles, ya que no cuentan con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes: 1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR. Figura 3. Esquema de partes la memoria RAM tipo DDR Partes de la memoria DDR 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR.

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c) Capacidad de Almacenamiento: La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR es el Megabyte (MB) y el Gigabyte (GB). Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia AMD Athlon y por su bajo precio y eficiencia tambin la firma Intel lo adopto para sus productos Pentium 4. 6.6.- DDR-2: Proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisin doble de datos segunda generacin (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y adems recibir los datos de manera simultnea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR. Actualmente compite contra un nuevo estndar: las memorias RAM tipo DDR-3 "Double Data Rate -3.

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston, capacidad para 512 MB, velocidad 667 MHz, tipo PC5300. a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-2: Todas las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para memoria. Tiene un voltaje de alimentacin de 1.8 Volts.

b) Partes que Componen la memoria DDR-2: Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

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1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2. 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR2. Figura 3. Esquema de partes Partes externas y funciones de la memoria DDR-2 externas de una memoria DDR-2

c) Capacidad de Almacenamiento:
La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-2 es el Megabyte (MB) y el Gigabyte (GB). Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la firma AMD: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel se utilizan en quipos: Pentium 4, Core 2 Duo, Core 2 Quad y Core Quad. 6.7.- DDR-3: Proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisin doble de datos tercer generacin: son el mas moderno estndar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayora de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan. Actualmente compite contra el estndar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales, capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V.

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a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-3: Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales. Una caracterstica es que si no todas, la mayora cuentan con disipadores de calor. Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas. Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para memoria. Tiene un voltaje de alimentacin de 1.5 Volts hacia abajo. Con los sistemas operativos Microsoft Windows mas recientes en sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocern como mximo 2 GB 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits. b) Partes que Componen la memoria DDR-3: Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR3. 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la Figura 3. Esquema de partesranura de memoria DDR3. de la memoria DDR-3

c) Capacidad de Almacenamiento: La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-3 es el Gigabyte (GB). Actualmente se comercializan mdulos independientes y tambin por Kit; es importante mencionar que las memorias de mas de 8 GB no vienen en un slo mdulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 3 memorias de 4 GB, dando resultado 12 GB), por lo que al momento de decidir como comprar la memoria, hay que tomar en cuenta el nmero de ranuras con que cuenta la tarjeta principal y cul es su mxima capacidad en caso de que despus queramos escalarla. DDR-3 240 Terminales en un solo mdulo, capacidad de gigabytes (GB) 1GB, 2GB, 4GB, 8GB.

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Los DDR-3 de 240 terminales se utilizan en equipos con el procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel y tambin en equipos con procesador AMD Phenom y AMD FX-74. 6.8.- DDR-4: Proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisin doble de datos cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado por la firma Samsung para el uso con futuras tecnologas. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y segn las imgenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cules estn especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin. Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Actualmente est en fase de presentacin y no se comercializa, pero se espera que sea el remplazo del estndar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-4, marca Samsung, voltaje 1.2V.

a) Caractersticas Generales de la memoria DDR-4: Cuentan con 240 terminales para la conexin a la Motherboard. Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas. Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para memoria. Utiliza la tecnologa de 30 nanmetros para su fabricacin. Tiene un voltaje de alimentacin de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que segn la firma, es ms ecolgica.

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b) Partes que Componen la memoria DDR-4: Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4. 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR4. Figura 3. Esquema de partes de la memoria DDR-4

c) Capacidad de Almacenamiento: La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-4 es el Gigabyte (GB). El modelo presentado es el siguiente: DDR-4 240 terminales en un solo mdulo, capacidad en gigabytes (GB) 2GB. d) Usos Especficos: Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con modelos prximos de procesadores y placas en el ao 2015 aproximadamente . 7.- MEMORIA ROM: ROM es la sigla de ("Read Only Memory") memoria de solo lectura. Se trata de un circuito integrado que se encuentra instalado en la tarjeta principal -Motherboard, dnde se almacena informacin bsica referente al equipo, lo que se denomina BIOS que integra un programa llamado POST encargado de reconocer inicialmente los dispositivos instalados como el teclado, el monitor CRT, la pantalla LCD, disqueteras, la memoria RAM, etc., y otro programa llamado Setup para que el usuario modifique ciertas configuraciones de la mquina. Actualmente se est buscando eliminar por completo el uso de chips ROM y utilizar slo chips de memoria flash NAND, para evitar el uso de bateras, ya que este ltimo tipo de memoria es capaz de almacenar datos hasta por 10 aos sin necesidad de una pila elctrica.

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Figura 2. Memoria ROM M919, con el software AMIBIOS 486PCI-ISA de American Megatrends, ubicada en una tarjeta principal ("Motherboard") marca P&Q, modelo L-9645-8 ML-1 94V-0. Otros nombres muy utilizados son los siguientes, aunque cada uno es parte de la ROM, no significa que sean sinnimo de ROM como la mayora lo deduce: BIOS: proviene de las siglas ("Basic In Out System") sistema bsico de entrada y salida. Se le llama as al conjunto de rutinas que se realizan desde la memoria ROM al encender la computadora, permite reconocer los perifricos de entrada y salida bsicos con que cuenta la computadora as como inicializar un sistema operativo desde alguna unidad de disco o desde la red. CMOS: proviene de las siglas de ("Complementary Metal Oxide Semiconductor") o semiconductor complementario xido-metlico. Es el tipo de material con el que est basada la fabricacin de un circuito especial llamado del mismo nombre "CMOS", el cual tiene la caracterstica de consumir un nivel muy bajo de energa elctrica cuando est en reposo. En este material est basada la construccin de la memoria ROM. SETUP: es un software integrado en la memoria ROM, desde el cul el usuario puede acceder y modificar ciertas caractersticas del equipo antes de que cargue la interfaz de usuario, es decir, el sistema operativo. 7.1.- Caractersticas Generales: Hace algunos aos, la ROM era una memoria para una sola escritura de datos, en la fbrica se grababa la informacin y ya no era posible modificarla. Almacena configuraciones bsicas de la tarjeta principal ("motherboard"), tales como la informacin del fabricante, la fecha de manufactura, el nmero de serie, el modelo, etc. Integra un programa denominado POST que se encarga de realizar una revisin bsica a los componentes instalados en el equipo antes de que se visualice algo en pantalla. Integra otro programa llamado SETUP, que contiene una serie de mens sobre las configuraciones avanzadas del equipo, las cules pueden ser modificados por el usuario (forma de arranque, dar de alta discos duros, disqueteras, unidades de CD/DVD, velocidad del microprocesador, etc.). Para almacenar los datos que el usuario modifica, cuenta con una memoria llamada CMOS alimentada constantemente desde una batera integrada en la tarjeta principal. Actualmente es posible borrarlas e incluso actualizarlas va Internet.

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7.2.- UBICACIN DE LA ROM EN LA TARJETA PRINCIPAL MOTHERBOARD La memoria ROM se puede localizar de muy diferentes formas, tamaos y lugares dentro de la tarjeta principal. Sin embargo es importante destacar que la mayor parte de las veces se localiza cerca de la batera y junto a la ROM se encontrar un "jumper", algunos "microswitches" para reiniciarla.

Figura 4. Batera de Figura 3. Localizacin de la memoria respaldo ROM en la tarjeta principal marca marca P&Q, modelo L-9645-8 ML-1 94V-0, KTS, tipo CR2032. para microprocesador 486DX. Para la memoria ROM. 7.3.- Tipos Actuales de Memoria ROM: Hay actualmente 3 tipos principales:

Al apagarse la computadora, todos los elementos dejan de recibir el suministro de corriente excepto la memoria ROM, la cual contina alimentndose de electricidad por medio de una batera montada en la tarjeta principal, por ello es que se sigue conservando la fecha y horas actuales aunque el equipo est apagado.

+ Memorias PROM: son las siglas de ("Programable Read Only Memory") memoria programable de slo lectura. Esta memoria permite una nica programacin con un programador PROM, una vez concluida esta equivale a una ROM. + Memorias EPROM: son las siglas de ("Erasable Programable Read Only Memory") memoria borrable y programable de slo lectura. Es una variante que permite el borrado por medio de rayos ultravioleta sobre una ventana que tiene el circuito integrado y la reprogramacin electrnica por medio de un programador PROM. + Memorias EEPROM: son las siglas de ("Electrically Erasable Programable Read Only Memory") memoria elctricamente borrable y programable de slo lectura. Es la variante que permite alterar el contenido mediante seales elctricas sin necesidad de programadores o borradores. Este tipo de memorias se pueden actualizar con un software de la misma computadora.

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7.4.- Reinicio de una memoria ROM/RESPALDO de una memoria ROM : En caso de ser necesario, una memoria ROM puede volver a sus estado original con los datos de fbrica y borrar las modificaciones del SETUP, esto con solo cambiar de posicin un pequeo puente ("Jumper"), que se encuentra en la tarjeta principal en algunos casos un ("Microswitch"). Pero hay que ser cuidadosos, este puente es especfico para ello y viene ilustrado en el manual de la tarjeta, ya que si no se elige el adecuado, se puede cambiar la configuracin de otros elementos. Como se mencionaba, la memoria ROM cuenta con una pequea memoria CMOS que guarda las configuraciones que hace el usuario, y para mantener alimentada esta ltima, la tarjeta principal integra una batera.

Figura 5. "Jumpers".

Esquema

de

un panel de Figura 6. "Microswitches" algunos equipos.

utilizados

en

7.5.- Actualizacin de las memorias ROM: Hay varias formas de actualizarlas, esto es, adquirir la ltima versin del software para esa memoria:

Usando el programador PROM. Borrndolas mediante rayos ultravioleta y reescribindolas.

En las ms actuales mediante software y el uso de la Internet desde el sitio Web de la marca que la manufactur. 7.6.- El Software SETUP de la memoria ROM: Al encender el equipo, se realiza una serie de auto pruebas rpidas de diagnstico llamadas "POST"; durante este, es posible acceder a una opcin para acceder a un programa que permite al usuario cambiar ciertas configuraciones como el orden de arranque de las unidades de disco, cambiar la fecha, cambiar la hora, dar de baja y de alta dispositivos, cambiar la velocidad del microprocesador entre otras.

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7.7.- Como acceder al SETUP de la memoria ROM: La manera de acceder vara segn la marca del equipo pero regularmente es oprimir alguna tecla como DEL, F1, F2, F12, S, o alguna combinacin de teclas como Crt+Esc, Ctl+Alt+F1, entre otras formas; ello inmediatamente al encender la computadora, siendo lo ms recomendable consultar el manual de la tarjeta principal (Motherboard), ya que si se modifican ciertos parmetros, es posible que el equipo no funcione de manera correcta. 7.8.- Usos especficos de la memoria ROM: Se utilizan para el arranque de las computadoras, ya que tienen datos sobre el equipo e informacin que el usuario no debe modificar, por ello son de solo lectura. Estas almacenan tambin datos importantes como la fecha, la hora, los dispositivos instalados, algn pequeo antivirus, etc., los cules el sistema operativo lee, utiliza y modifica como la hora y fecha.

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8.- CONCLUSIN: Como hemos visto, la aparicin de las computadoras electrnicas es bastante reciente, y ha tenido un avance vertiginoso. Tanto es as, que hoy en da la competencia entre las empresas productoras de computadores ha provocado la aparicin de nuevos modelos con perodos muy cortos de tiempo, los cuales a veces son de meses. Lo que provoca un aumento en: las velocidades de los procesadores; capacidades de almacenamiento; velocidad de transferencia de los buses; etctera. Lo citado anteriormente ha exigido a los fabricantes de memorias, la constante actualizacin de las mismas, superndose una y otra vez en velocidad, capacidad y almacenamiento. Existen unos tipos de memoria que por tener elevados costos, han sido descartados del mercado pese a tener excelentes rendimientos. Aunque a veces se ha estancado el mercado debido a la superproduccin de memorias, como ha sucedido con la SDRAM. Actualmente el mercado est tomando vigor nuevamente, debido a que han aparecido procesadores muy rpidos, los cuales trabajan a velocidades de 1 GHz. Observando los hechos que han sucedido a lo largo de la evolucin de la memoria, podemos suponer que la misma continuar creciendo en cuanto a velocidad, capacidad y disminuyendo el espacio fsico ocupado.

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9.- BIBLIOGRAFA: *Tanenbaum Andrew S. 1992. Organizacin de computadores Un enfoque Estructurado. Mxico: Prentice Hall. *Hennessey, John L. - Patterson, David A. 1993. Arquitectura de Computadores Un enfoque Cuantitativo. Madrid: McGraw Hill. *Uranesic, Zvonko G. Zaky, Safwat G. Hamacher, V. Carl. 1988. Organizacin de computadoras. Mxico: McGraw Hill/Interamericana de Mxico. *La informacin tomada de Internet se registra de la siguiente manera: www.sil.edu.py/alumnos/cuartoa/ment.html www.terra.es./personal/envarios/hard2/tiposram.html http://www.hardside.com.ar/docs/memorias.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_ROM.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_ROM.htm#tips

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