UNIVERSIDADE FEDERAL DE VIOSA UFV - CAMPUS FLORESTAL CURSO TCNICO EM ELETRNICA E ELETROTCNICA

Apostila de Eletronica Analogica I

ELABORADA POR: PROF. WANDERSON FERREIRA DE SOUZA

Florestal, fevereiro de 2011.

Apostila de Eletrnica Analgica I

Sumrio
1 Estudo dos fenmenos eltricos ............................................................................... 1 1.1 1.2 Introduo .......................................................................................................... 1 As principais grandezas eltricas ....................................................................... 1 Carga eltrica .............................................................................................. 1 Tenso ou diferena de potencial ............................................................... 1 Corrente eltrica ......................................................................................... 2 Potncia eltrica .......................................................................................... 2 Energia eltrica ........................................................................................... 3

1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.2.4 1.2.5 2 2.1 2.2

Introduo eletrnica ............................................................................................. 4 Caractersticas dos materiais quanto conduo eltrica .................................. 4 Noes de fsica dos semicondutores. ............................................................... 4 Semicondutor tipo n. .................................................................................. 6 Semicondutor tipo p. .................................................................................. 6 Camada de depleo ................................................................................... 7 O smbolo do diodo. ................................................................................... 8 Caractersticas da juno do diodo. ............................................................ 8 Polarizao do diodo .................................................................................. 8 Diodos retificadores. ................................................................................. 10 LED. ......................................................................................................... 10 Diodo Zener. ............................................................................................. 11

2.2.1 2.2.2 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.4 3 3.1

Diodo ideal. ........................................................................................................ 7

Lista 1 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 12 Modelo de pequenos sinais e sua aplicao. .................................................... 13 Primeira aproximao ............................................................................... 13 Segunda aproximao ............................................................................... 13 Terceira aproximao ............................................................................... 13

Circuitos com diodos. ............................................................................................. 13 3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.2 3.3

Reta de carga .................................................................................................... 14 Circuitos retificadores. ..................................................................................... 15 Retificador de meia-onda.......................................................................... 15

3.3.1

3.3.2 Retificador de onda completa com transformador com derivao central (Center Tap). .......................................................................................................... 16 3.3.3 3.4 3.5 Retificador de onda completa em ponte. .................................................. 17 Reguladores a Zener. ....................................................................................... 18 Circuitos limitadores de tenso. ....................................................................... 19 Ceifador srie. ........................................................................................... 19

3.5.1

II 3.5.2 3.6 3.7 3.8 4 4.1 4.2 4.3 Ceifador paralelo. ..................................................................................... 20

Circuitos grampeadores. .................................................................................. 20 Circuitos multiplicadores de tenso ................................................................. 21 Duplicador de tenso ................................................................................ 21 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 23 Estrutura fsica e modos de operao............................................................... 27 Operao do transistor NPN no modo ativo. ................................................... 28 Anlise de circuitos em CC.............................................................................. 30 Parmetro ............................................................................................... 30 Parmetro ............................................................................................... 30

3.7.1

Transistores bipolares ............................................................................................. 27

4.3.1 4.3.2 4.4 4.5 4.6 4.7 5 5.1

Configurao emissor-comum ......................................................................... 31 Configurao coletor-comum .......................................................................... 32 Transistor PNP. ................................................................................................ 32 Lista 3 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 33 Como determinar o ponto de operao do transistor. ...................................... 34 Os parmetros que devem ser conhecidos ................................................ 35 Polarizao fixa ........................................................................................ 35 Determinando a reta de carga. .................................................................. 36

Polarizao CC do transistor TBJ ........................................................................... 34 5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6

Polarizao estvel do emissor. ....................................................................... 36 Polarizao universal ou por divisor de tenso. ............................................... 37 Polarizao por realimentao do coletor. ....................................................... 38 O transistor como chave. ................................................................................. 39 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 40 Principais caractersticas .................................................................................. 42 O JFET. ............................................................................................................ 42 Estrutura do JFET. .................................................................................... 42 Caractersticas e operao fsica do JFET. ............................................... 43 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo depleo. .. 43

Transistores de Efeito de Campo (FET) ................................................................. 42 6.1 6.2

6.2.1 6.2.2 6.3 6.3.1

O MOSFET. ..................................................................................................... 43

6.3.2 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo intensificao. ......................................................................................................... 44

Apostila de Eletrnica Analgica I

III

Lista de Figuras
Figura 1 - Fora eltrica na Lei de Coulomb .................................................................... 1 Figura 2 - Bandas de energia dos materiais. ..................................................................... 4 Figura 3 - Modelo de tomo segundo Bohr ...................................................................... 5 Figura 4 - tomos de Silcio e Germnio ......................................................................... 5 Figura 5 - Dopagem com impureza doadora (tomo de fsforo, P, pentavalente). .......... 6 Figura 6 - Dopagem com impureza aceitadora (tomo de boro, B, trivalente). ............... 7 Figura 7 - Cristal pn no instante de sua formao. ........................................................... 7 Figura 8 - Cristal pn depois da difuso, aparece a camada de depleo ........................... 7 Figura 9 - Smbolo do diodo. ............................................................................................ 8 Figura 10 - Diodo 1N4007 ............................................................................................... 8 Figura 11 - Diodo 1N4148 ............................................................................................... 8 Figura 12 - Diodo polarizado diretamente. ....................................................................... 9 Figura 13 - Diodo polarizado reversamente. .................................................................... 9 Figura 14 - Curva do diodo ............................................................................................ 10 Figura 15 - Estrutura e smbolo do LED ........................................................................ 11 Figura 16 - Fotos de alguns tipos de LED ...................................................................... 11 Figura 17 - Smbolo do diodo Zener. ............................................................................. 11 Figura 18 - Curva caracterstica do diodo Zener. ........................................................... 11 Figura 19 - Circuito para estudo da linha de carga. ........................................................ 14 Figura 20 - Linha de carga do diodo............................................................................... 14 Figura 21 - Circuito de Meia-onda. ................................................................................ 15 Figura 22 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo positivo. ............................. 15 Figura 23 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo negativo. ............................ 15 Figura 24 - Forma de onda do retificador de Meia-onda. ............................................... 16 Figura 25 - Retificador de onda completa com transformador center tap...................... 16 Figura 26 - Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo positivo. ... 16 Figura 27- Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo negativo. ... 17 Figura 28 - Circuito retificador em ponte. ...................................................................... 17 Figura 29 - Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo positivo. ............ 17 Figura 30- Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo negativo ............. 18 Figura 31 - Circuito bsico de um regulador de tenso com zener. ............................... 18 Figura 32 - Equivalente do diodo zener.......................................................................... 19 Figura 33 - Circuito ceifador srie. ................................................................................. 19 Figura 34 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador srie. ............................ 19

IV Figura 35 - Circuito ceifador paralelo. ........................................................................... 20 Figura 36 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador paralelo. ...................... 20 Figura 37 - Circuito grampeador. ................................................................................... 20 Figura 38 - Funcionamento do grampeador, primeiro com diodo ligado e depois com diodo desligado. .............................................................................................................. 21 Figura 39 - Circuito duplicador de tenso. ..................................................................... 21 Figura 40 - Estados e operao do circuito dobrador. .................................................... 21 Figura 41 - Circuito triplicador ou quadruplicador de tenso. ....................................... 22 Figura 42 - Primeiro transistor criado em 1947. ............................................................. 27 Figura 43 - Tipos de transistor TBJ. ............................................................................... 28 Figura 44 - Estruturas das junes do transistor NPN. ................................................... 28 Figura 45 - Esquema didtico e simbologia do transistor. ............................................. 29 Figura 46 - Polarizao base comum para transistor npn. .............................................. 29 Figura 47 - Curva caracterstica do transistor para configurao base-comum. ............ 30 Figura 48 - Configurao emissor-comum para transistor TBJ npn. ............................. 31 Figura 49 - Curvas caractersticas de um npn emissor-comum. (a) a curva de entrada e (b) a curva de sada. ........................................................................................................ 32 Figura 50 - Configurao coletor-comum para transistor TBJ npn. ............................... 32 Figura 51 - Pontos de operao do circuito. ................................................................... 34 Figura 52 - Circuito polarizao fixa. ............................................................................. 35 Figura 53 - Reta de carga para polarizao fixa. ............................................................ 36 Figura 54 - Polarizao estvel de emissor. ................................................................... 37 Figura 55 - Polarizao universal ou por divisor de tenso. ........................................... 37 Figura 56 - Circuito equivalente para determinar a tenso Thvenin de entrada. .......... 38 Figura 57 - Circuito equivalente Thvenin de entrada. ................................................... 38 Figura 58 - Polarizao por realimentao de coletor. ................................................... 39 Figura 59 - Transistor funcionando como chave. ........................................................... 39 Figura 60 - Estrutura do JFET canal n. ........................................................................... 42 Figura 61 - Smbolo do JFET (a) canal n e (b) canal p. ................................................. 43 Figura 62 - Estrutura do MOSFET de depleo canal n................................................. 43 Figura 63 - Smbolo do MOSFET de depleo. ............................................................. 44 Figura 64 - Estrutura do MOSFET de intensificao canal n......................................... 44 Figura 65 - Smbolo do MOSFET de intensificao. ..................................................... 44

Apostila de Eletrnica Analgica I

Prefcio
O objetivo desta apostila de auxiliar os alunos dos cursos tcnicos de Eletrnica e Eletrotcnica no estudo da disciplina de Eletrnica Analgica I da UNIVERSIDADE FEDERAL DE VIOSA - CAMPUS FLORESTAL. Em momento algum, pretende-se com este material substituir a bibliogrfica bsica e complementar. Foi feito um resumo de cada tpico para facilitar o entendimento dos pontos mais relevantes. Como referncias para elaborao desse material foram usados os livros: Malvino, Albert Paul. Eletrnica. Volume I, 2 Edio. Editora McGraw-Hill. Boylestad, Robert e Nashelsky, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 6 Edio. Editora LTC. Um grande nmero de figuras utilizadas neste material foram copiadas do livro do Boylestad. Assim, desde j declaro a no propriedade sobre as mesmas. Est apenas uma primeira verso, no sendo realizada uma reviso mais criteriosa do material. Desta forma, correes e sugestes so bem vindas e podem ser encaminhadas para o responsvel pela elaborao do material. Desejo que este material possa contribuir de forma agradvel e eficiente para a formao dos alunos desses cursos. Seja bem vindo a disciplina e ao curso.

PROFESSOR WANDERSON FERREIRA DE SOUZA Coordenador do Curso Tcnico de Eletrnica UFV-Campus Florestal wanderson.souza@ufv.br

Apostila de Eletrnica Analgica I

1 Estudo dos fenmenos eltricos

Esta unidade far uma reviso sucinta de alguns conceitos bsicos empregados no estudo da eletricidade.

1.1 Introduo
Sabemos que a unidade fundamental da matria o tomo. Este tomo constitudo por partculas fundamentais, conhecidas como: prtons, eltrons e neutros. Onde, Prtons: carga eltrica positiva (+) Coulombs); Eltrons: carga eltrica negativa (-) Coulombs); Nutrons: no possuem carga. Todos os valores de carga so mltiplos inteiros destas cargas elementares.

1.2 As principais grandezas eltricas

Inmeras so as grandezas eltricas que poderiam ser discutidas. Aqui o objetivo e entender algumas das grandezas de maior interesse para estudo da Eletrnica Analgica. 1.2.1 Carga eltrica Devido carga eltrica elementar de um eltron ou de um prton ser muito pequena usado como unidade de carga eltrica um mltiplo dessa. O nome da unidade de carga eltrica o Coulomb, que representado pela letra C. A varivel Q (MAISCULA) usada para referenciar carga constante e a varivel q (MINSCULA) para carga varivel no tempo. Assim,

1.2.2 Tenso ou diferena de potencial definido pela Lei de Coulomb, que estabelece que em torno de um corpo carregado aparece um campo eltrico. Esse campo capaz de exercer uma fora de atrao ou repulso sobre uma carga colocada na sua presena, a depender da polaridade das cargas envolvidas. Imaginando um espao conforme mostra a Erro! Fonte de referncia no encontrada. possvel elaborar as seguintes consideraes. -F A B + Q2 F

Q1

+
r

Figura 1 - Fora eltrica na Lei de Coulomb

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1-1

Onde, k a constante eletrosttica [N.m2/C2], Q1 e Q2 so as cargas eltricas [C] ou [Coulombs], r a distncia entre as cargas [m]. Sobre a carga Q2 haver uma fora de repulso, F. A fora F criada pelo campo eltrico realizar trabalho ao deslocar a carga Q2 de A at B. Pode ser definido como tenso ou diferena de potencial como a capacidade de realizar trabalho sobre uma carga eltrica. Assim, na Erro! Fonte de referncia no encontrada. tem-se:
1-2

Onde, VA a tenso no ponto A [V] ou [Volts], VB a tenso no ponto B t TAB o trabalho realizado para deslocar a carga eltrica de A para B [J] ou [Joules]. Da definio acima, vemos que a unidade da tenso o 1J/1C, est unidade denominada de 1 Volt = 1 V. Por fim, podemos dizer que 1 Volt a energia necessria para realizar um trabalho de 1J sobre um carga de 1C. 1.2.3 Corrente eltrica A corrente eltrica o deslocamento de carga que ocorre quando um campo eltrico estabelecido sobre um condutor qualquer. Essa corrente pode ser da forma contnua (I) ou alternada (i), dependendo do campo eltrico responsvel. Nos metais, a corrente eltrica constituda por eltrons livres em movimentos. A intensidade da corrente eltrica a relao entre a variao de carga (Q), sobre a seco (S) em um intervalo de tempo (t). Assim,
1-3

Onde, Q a variao de carga na seco S sobre o intervalo t [C], t a variao de tempo observada [s], Sentido Convencional = mesmo do campo eltrico (+) Sentido Real = oposto ao campo eltrico (-) 1.2.4 Potncia eltrica Potncia a razo pela qual alguma coisa absorve ou libera energia. a medida de quo rpido um equipamento eletroeletrnico transforma energia, realiza trabalho. A unidade de potncia o Watt (W) e representada pela varivel P. Assim,
1-4

Apostila de Eletrnica Analgica I

Como,

tem-se
1-5

Se um trabalho de 1J for realizado em um intervalo de 1s ento a potncia envolvida de 1W. 1.2.5 Energia eltrica o que os consumidores compram das companhias de energia eltrica, por exemplo, CEMIG. A sua intensidade a medida do trabalho que pode ser realizado. Sendo assim, pode tambm ser entendida como por quanto tempo uma determinada potncia pode ser alimentada, suprida. A sua unidade o Joule e representada pela varivel E.
1-6

Devido ao Joule ser uma unidade muito pequena, as companhias de fornecimento de energia eltrica geralmente utilizam o kWh (quilo watts por hora).

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2 Introduo eletrnica
Nesta unidade sero estudados os dispositivos semicondutores, classificados como dispositivos do estado slido. Para uma melhor compreenso do funcionamento destes dispositivos, ser feita uma breve reviso sobre a conduo eltrica nos materiais, como so formados os semicondutores tipo n e tipo p e como um diodo de juno.

2.1 Caractersticas dos materiais quanto conduo eltrica

Com relao capacidade de conduzir corrente eltrica, os materiais podem ser: - Isolantes: no possuem eltrons livres na sua camada de conduo e possuem uma larga banda proibida. Exemplos: mica, vidro, borracha, papel e plstico. - Condutores: possuem eltrons livres na sua camada de conduo e no possuem banda proibida. Exemplos: cobre prata e alumnio. - Semicondutores: no possuem eltrons livres na camada de conduo e possuem uma mdia banda proibida. Exemplos: silcio e germnio.

Figura 2 - Bandas de energia dos materiais.

A Erro! Fonte de referncia no encontrada. apresenta as bandas de energia dos materiais quanto a sua conduo eltrica. A banda de valncia a orbita mais externa do tomo. Para que um tomo esteja em uma condio eltrica estvel um tomo deve possuir na sua banda de valncia 8 eltrons. Esta capacidade de conduzir corrente eltrica depende do nmero de eltrons livres do material. Por exemplo, o tomo de cobre (condutor) possui um eltron livre. Este eltron percorre uma rbita muito grande (alto nvel de energia) e sente pouca atrao do ncleo. Em um fio de cobre os eltrons livres esto em uma banda de energia chamada banda de conduo. Ao se aplicar um campo eltrico a este fio, provoca-se a circulao de uma corrente eltrica.

2.2 Noes de fsica dos semicondutores.

Segundo Bohr um tomo constitudo por um ncleo rodeado por eltrons em orbita, como mostra a Figura 3. O ncleo possui uma carga positiva que atrai os eltrons, que possuem carga negativa e esto em movimento em torno do ncleo.

Apostila de Eletrnica Analgica I

Figura 3 - Modelo de tomo segundo Bohr

Uma forma de representar um tomo em duas dimenses mostrada na Figura 4, que mostram os tomos de silcio e germnio. O tomo de silcio possui 14 prtons no ncleo e os eltrons esto distribudos em 3 camadas, sendo que a ltima camada possui 4 eltrons na ltima camada. O tomo de germnio possui 32 prtons no ncleo, sendo os seus eltrons distribudos em 4 camadas, tendo tambm 4 eltrons na ltima camada. Por essa razo, tanto o silcio quanto o germnio, semicondutores, so chamados de tomos tetravalentes. sabido que um tomo para estar em uma condio quimicamente estvel necessrio estar com 8 eltrons na sua banda de valncia, assim os semicondutores esto exatamente no meio dessa condio, pois possui 4 eltrons na camada de valncia. Assim, os semicondutores poderiam tanto perder 4 eltrons quanto ganhar 4 eltrons. Diferentemente, os condutores possuem no mximo 3 eltrons na sua ltima camada e tendem a perder esses eltrons da ltima camada para se tornarem estveis. No caso dos isolantes, no metais, esses possuem 5, 6 ou 7 eltrons na sua ltima camada e assim tenderiam a receber eltrons para ficarem em uma situao estvel.

Figura 4 - tomos de Silcio e Germnio

O silcio, na forma cristalina pura a 0 K, possui todos os eltrons em seus nveis mais baixos de energia. Na medida em que a temperatura aumenta, a energia trmica pode elevar alguns eltrons at a banda de conduo, onde eles podem se deslocar mais facilmente. Neste caso, o eltron que vai para a banda de conduo deixa uma lacuna na de valncia. As lacunas agem como cargas positivas, equivalem a uma ausncia de eltron. Aplicando um campo eltrico neste material os eltrons se movem para o lado positivo da bateria e as lacunas para o negativo, mas, no entanto, a 25C, observa-se apenas uma corrente muito pequena. Ele no nem isolante nem condutor, um semicondutor. No cristal puro o nmero de lacunas igual ao nmero de eltrons livres. Neste caso o semicondutor chamado semicondutor intrnseco. Para uso prtico o semicondutor intrnseco no teria nenhuma funcionalidade, ento para permitir o seu uso existe a dopagem, que consiste na introduo de impurezas para aumentar o nmero de eltrons livres e de lacunas. Um cristal dopado um semicondutor extrnseco.

6 2.2.1 Semicondutor tipo n.

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Para se conseguir mais eltrons na banda de valncia, acrescentam-se tomos pentavalentes ao silcio. O tomo pentavalente forma ligaes covalentes com tomos de silcio, mas fica com um eltron extra, sem combinar. Este eltron vai para a banda de conduo. Com este procedimento, a banda de conduo fica com muitos eltrons, enquanto a da valncia fica com poucas lacunas. Neste semicondutor: Os eltrons so chamados portadores majoritrios, pois esto em maioria. As lacunas so chamadas portadores minoritrios. Observaes: - Os tomos pentavalentes so chamados doadores; - Semicondutor tipo n significa negativo; - Como impurezas doadoras podem-se citar: arsnio, antimnio e fsforo.

Figura 5 - Dopagem com impureza doadora (tomo de fsforo, P, pentavalente).

2.2.2 Semicondutor tipo p. Para se conseguirem mais lacunas acrescentam-se tomos trivalentes ao silcio. O tomo trivalente forma ligaes com apenas 3 eltrons do tomo de silcio, deixando um eltron do tomo de silcio sem combinar, uma lacuna. No semicondutor tipo p a banda de conduo fica com poucos eltrons enquanto a banda de valncia fica com muitas lacunas. Neste semicondutor: As lacunas so os portadores majoritrios e os eltrons so os portadores minoritrios. Observaes: - Os tomos trivalentes so impurezas aceitadoras; - O nome semicondutor tipo p, refere-se a positivo. - Exemplo de impurezas aceitadoras: alumnio, boro e glio.

Apostila de Eletrnica Analgica I

Figura 6 - Dopagem com impureza aceitadora (tomo de boro, B, trivalente).

2.3 Diodo ideal.

possvel produzir um cristal como o da Figura 7, com uma parte do tipo p e outra do tipo n. A juno onde as regies p e n se encontram. Um cristal pn como o mostrado conhecido como diodo.

Figura 7 - Cristal pn no instante de sua formao.

2.3.1 Camada de depleo Com a juno, os eltrons livres do material tipo n se movem atravs desta e se combinam com lacunas do material tipo p. Quando isto ocorre, desaparece a lacuna e o tomo que recebeu eltrons torna-se um on negativo; o que perdeu eltrons torna-se um on positivo. Quando a juno formada h uma corrente inicial chamada corrente de difuso. Devido s ligaes covalentes, os ons ficam fixos e no podem se deslocar, como os eltrons livres. Aps algum tempo, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e sem lacunas. Esta regio chamada camada de depleo, como mostrada na Figura 8. Esta camada torna-se uma barreira contra a difuso de eltrons por meio do cristal. A diferena de potencial nela chamada barreira de potencial.

Figura 8 - Cristal pn depois da difuso, aparece a camada de depleo

8 2.3.2 O smbolo do diodo.

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O diodo, um cristal pn, visto na Figura 9. Um dos seus terminais recebe o nome de anodo (A) e o outro de catodo (K).

Figura 9 - Smbolo do diodo.

A Figura 10 e a Figura 11 mostram respectivamente as fotos de um diodo de retificao e um diodo de sinal.

Figura 10 - Diodo 1N4007

Figura 11 - Diodo 1N4148

2.3.3 Caractersticas da juno do diodo. Como dito a juno do diodo formada quando se junta uma regio dopada do tipo p com outra dopada do tipo n, entre essas regies, conhecida com juno aparece uma camada de depleo, que responsvel por criar uma barreira de potencial. O valor dessa barreira de potencial depende do tipo de semicondutor que o diodo construdo. Ento a 25C tem-se: - Diodo de silcio, Si 0,7V. - Diodo de germnio, Ge 0,3V. 2.3.4 Polarizao do diodo O diodo um dispositivo de dois terminais e sendo assim pode ser polarizado de duas formas, quando um potencial positivo aplicado ao anodo (A) e negativo no catodo (K), polarizao direta; ou quando um potencial negativo aplicado ao anodo (A) e positivo no catodo (K), polarizao reversa. 2.3.4.1 Polarizao direta. Polarizando-se o diodo diretamente, h passagem de corrente porque os eltrons so repelidos pelo terminal negativo e atravessam a juno, chegando at as lacunas. No semicondutor tipo p, estes eltrons se recombinam com as lacunas e se deslocam na camada de valncia, atravessando o cristal, saindo deste e chegando ao polo positivo da bateria. Em resumo: - Os eltrons saem do terminal negativo da fonte. - Percorrem a regio n como eltrons livres. - Prximo juno, recombinam e se tornam de valncia. - Passam pela regio p como de valncia. - Saem do cristal como eltrons livres e vo ao polo positivo da bateria.

Apostila de Eletrnica Analgica I

Figura 12 - Diodo polarizado diretamente.

2.3.4.2 Polarizao reversa. A polarizao reversa consiste em conectar ao material tipo n (negativo) o polo positivo da bateria e ao tipo p (positivo) o negativo da bateria. Assim: - Os eltrons livres se afastam na regio n em direo ao terminal positivo da fonte. - Os eltrons que saem deixam mais ons positivos na regio de depleo. - As lacunas que saem deixam mais ons negativos nesta regio. - A regio de depleo fica mais larga. - Ela interrompe o aumento quando sua diferena de potencial se igualar da fonte. - S existir uma pequena corrente reversa da ordem de 0,1A para o silcio e de 1A para o germnio, devido aos portadores minoritrios, chamada Corrente de Saturao Reversa. - Alm dessa corrente existe outra, muito pequena tambm, na superfcie do cristal, chamada Corrente de Fuga Superficial.

Figura 13 - Diodo polarizado reversamente.

2.3.4.3 Tenso de ruptura Se a tenso reversa aumentar muito, o diodo passar a conduzir uma elevada corrente no sentido reverso, sendo danificado. Tenso de ruptura aquela que rompe a barreira de potencial. Para diodos retificadores, normalmente, esta tenso maior que 50V. No se permite, na maioria dos diodos, que a tenso chegue ao valor de ruptura, atravs do projeto de um circuito adequado. No h nenhuma varivel padro de identificao da tenso de ruptura, depende da folha de dados do fabricante. Assim para tem-se as seguintes: VBR: tenso de ruptura PIV: tenso reversa de pico VBV: tenso de ruptura VRM: tenso reversa mxima PRV: tenso reversa de pico

10 2.3.5 Diodos retificadores.

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Um diodo age de forma a deixar passar corrente quando polarizado no sentido direto, e a bloquear a conduo de corrente ao ser polarizado no sentido inverso. Com esta propriedade ele opera como elemento retificador (alm de outras aplicaes). No caso do diodo, ao polarizarmos no sentido direto ele conduz corrente de maneira exponencial em funo da tenso aplicada, conforme mostra o grfico da Figura 14. Para altas polarizaes a expresso para a corrente mostrado na Equao 2-1.

2-1

Onde, I a corrente no diodo [A], I0 a corrente de saturao [A], q a carga do eltron ( 1,6x10-19 C), V a tenso aplicada [V], k a constante de Boltzmann ( 1,38x10-23 J/K), T a temperatura da juno em kelvin [K].

Figura 14 - Curva do diodo

A curva caracterstica do dispositivo descreve a relao tenso-corrente em um diodo. Observa-se que, em polarizao direta, o diodo no conduz intensamente, at a barreira de potencial (no caso: V0). A partir deste ponto (tenso de joelho ou tenso de limiar), a corrente aumenta rapidamente. Em polarizao reversa, a corrente de fuga muito pequena at certo limite, quando cresce rapidamente (ruptura).

2.3.6 LED. O LED (Lighting Emission Diode) o diodo emissor de luz. Atualmente tem crescido muito o interesse o emprego de dispositivos que emitem luz quando devidamente polarizados. Quando uma juno pn polarizada diretamente, h dentro da estrutura, principalmente prximo da juno uma recombinao de eltrons e lacunas. Na recombinao a energia do eltron livre ser transferida para outro estado. Na juno pn parte de energia ser dissipada na forma de calor e outra na forma de ftons. No silcio e no germnio parte dessa energia ,

Apostila de Eletrnica Analgica I

11

basicamente, transformada em calor e os ftons emitidos so insignificantes. Para o caso, por exemplo, do arsenieto de glio (GaAsP) ou fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons da energia luminosa suficiente para criar uma luz bem visvel. O processo de emisso de luz aplicando uma fonte de energia eltrica chamado de eletroluminescncia.

Figura 15 - Estrutura e smbolo do LED

Figura 16 - Fotos de alguns tipos de LED

2.3.7 Diodo Zener. A regio zener a regio onde ocorre a avalanche, como mostrado pela Figura 14. Observa-se que para valores maiores que VZ a curva cai quase verticalmente. Nesta condio observa-se que a corrente que passa pelo diodo tem um sentido contrrio ao diodo polarizado diretamente. Para que o diodo Zener funcione necessrio que restries de corrente sejam atendidas. A corrente dever ser maior que um valor mnimo IZmin e menor que um valor mximo IZmax, isso limita a potncia dissipada por este diodo.

Figura 17 - Smbolo do diodo Zener.

Figura 18 - Curva caracterstica do diodo Zener.

12

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2.4 Lista 1 de Exerccios Eletrnica Analgica

Conceitos Iniciais, Lei de Ohm e Teoria dos Semicondutores.

1. Como surgiu a teoria do fluxo convencional? Para o circuito abaixo represente o fluxo de corrente real (eltrons) e convencional.

2. O que vem a ser uma fonte de tenso ideal? Represente uma fonte de tenso real e trace o grfico da corrente de carga.

3. Qual a diferena entre fonte de corrente e fonte de tenso?

4. O que voc entende por banda de valncia e banda de conduo?

5. Por que atualmente o diodo de germnio no usado?

6. Represente as bandas de energia de um tomo.

7. Explique como aparece a camada de depleo.

8. O que vem a ser dopagem de um cristal?

9. Qual a diferena entre o semicondutor tipo p e o tipo n?

10. O que ocorre quando um diodo polarizado diretamente em um circuito?

11. O que ocorre quando um diodo polarizado reversamente em um circuito?

12. Quais so os principais parmetros utilizados na especificao de um diodo?

13. Cite alguns dos tipos de diodos existentes? 14. Qual a principal aplicao dos diodos?

Apostila de Eletrnica Analgica I

13

3 Circuitos com diodos.

Como so muitos os circuitos que podem ser construdos com diodos, nesta unidade ser visto alguns circuitos para fixao de conceitos. Mais circuitos envolvendo diodos como os retificadores e dobradores, grampeados e ceifadores sero vistos ao longo desta unidade.

3.1 Modelo de pequenos sinais e sua aplicao.

Conforme apresentado na Equao 2-1 e representado na Figura 14 verifica-se que o diodo apresenta uma caracterstica de funcionamento no linear. Em ambas as polarizaes observadas: regio direta e regio reversa a caracterstica tenso x corrente no linear. Para facilitar a anlise e soluo matemtica de circuitos com diodo algumas aproximaes so usadas. As aproximaes so criadas segundo o grau necessrio de acompanhamento das curvas reais do diodo. 3.1.1 Primeira aproximao O diodo modelado como uma chave. Estando polarizado diretamente funciona como uma chave fechada e quando polarizado reversamente funciona como uma chave aberta. Esta aproximao adequada quando estamos trabalhando com tenses altas, em que a queda direta de tenso seja praticamente desprezvel.

3.1.2 Segunda aproximao O diodo modelado por uma chave em srie com a bateria de valor igual VD. Quando polarizado diretamente a chave est fechada tendo a bateria em srie. Nesta condio, a tenso sobre o diodo permanece a mesma independente do valor da corrente. O funcionamento de uma chave aberta quando polarizado reversamente. Essa aproximao mais usada em circuitos eletrnicos de baixa tenso.

3.1.3 Terceira aproximao Essa a aproximao mais perto da curva real. O diodo modelado por uma chave em srie com uma bateria e um resistor. O resistor usado para indicar a caracterstica de linearidade entre a tenso e corrente quando o diodo entra em conduo. Assim, quando o diodo est polarizado diretamente a chave fecha, quando a tenso for maior ou igual VD e ter uma queda de tenso dependente da corrente. Essa aproximao usada quando se trabalha com resistores de preciso e pequenos valores de tenso e corrente.

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3.2 Reta de carga

Dispondo-se da curva do diodo e dos valores dos componentes no circuito, pode-se traar uma reta mostrando-se o ponto de operao (corrente e tenso no diodo para o circuito em questo). Considere o circuito mostrado na Figura 19 para este estudo.

Figura 19 - Circuito para estudo da linha de carga.

Esta reta chamada linha de carga e aparece na Figura 20.

Figura 20 - Linha de carga do diodo.

Pela curva do diodo, observa-se que a corrente no circuito poder crescer rapidamente aps ser vencida a barreira de potencial. Para se limitar o valor desta corrente, conveniente a utilizao de um resistor, o resistor R1 da Figura 19. Esse resistor recebe o nome de resistor limitador. Para o traado desta reta, tomam-se seus os valores extremos, ou seja, supondo-se tenso zero no diodo determina-se o ponto de corrente mxima. Supondo-se corrente zero, determina-se a tenso mxima. Assim, para V=0 (ponto nas ordenadas):

Agora para I=0, chega-se ao ponto das abcissas:

Apostila de Eletrnica Analgica I

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3.3 Circuitos retificadores.

Retificadores transformam correntes alternadas em correntes contnuas (converso CA/CC). Podem ser monofsicos ou polifsicos, de meia onda ou de onda completa, controlados ou no. Sero vistos, nesta unidade, os retificadores monofsicos de meia onda e de onda completa no controlados. Os circuitos retificadores executam a funo mais conhecida de um diodo, que a retificao. Isso possvel porque o diodo um dispositivo unidirecional. 3.3.1 Retificador de meia-onda. A Figura 21 mostra um retificador de meia-onda. Sendo a tenso de entrada senoidal.

Figura 21 - Circuito de Meia-onda.

Durante o semiciclo positivo sinal de entrada o diodo estar polarizado diretamente e conduzir, assim, a tenso de entrada vi aparecer na sada, sobre o resistor R, verifique pela Figura 22.

Figura 22 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo positivo.

Quando for o semiciclo negativo o diodo estar polarizado reversamente e se comportar como uma chave aberta. Nessa condio no haver corrente no circuito e a tenso de sada ser zero, como mostra a Figura 23.

Figura 23 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo negativo.

A forma de onda da tenso no resistor R semelhante mostrada no grfico da Figura 24.

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Figura 24 - Forma de onda do retificador de Meia-onda.

3.3.2 Retificador de onda completa com transformador com derivao central (Center Tap). O retificador de onda completa com transformador com derivao central, conhecido como center tap, mostrado na Figura 25. Nesse circuito um elemento que deve ser destacado o transformador com dois enrolamentos de secundrio iguais. Ele indispensvel para o funcionamento do circuito.

Figura 25 - Retificador de onda completa com transformador center tap.

Da mesma forma, a anlise do circuito pode ser feita em dois momentos, quando o semiciclo do sinal de entrada positivo e quando negativo. Para o semiciclo positivo o funcionamento do circuito pode ser explicado pela Figura 26.

Figura 26 - Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo positivo.

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Para o semiciclo negativo, o funcionamento do circuito pode ser entendido pela Figura 27.

Figura 27- Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo negativo.

3.3.3 Retificador de onda completa em ponte. O terceiro retificador a ser estudado tambm um retificador de onda completa. A diferena mais importante em relao ao outro retificador de onda completa que ele no precisa de um transformador no circuito para o funcionamento. Para circuitos de baixa potncia essa uma vantagem interessante. Outra caracterstica desse circuito a necessidade de quatro diodos, que somente preocupante para circuitos de grandes potncias. Considere o circuito mostrado na Figura 28 para analisar o retificador.

Figura 28 - Circuito retificador em ponte.

Dois tambm so os momentos de anlise do circuito. Para o semiciclo positivo do sinal de entrada o funcionamento segue a

Figura 29 - Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo positivo.

Durante o semiciclo negativo o funcionamento obedece a Figura 30.

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Figura 30- Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo negativo

Observe que neste tipo de retificador sempre se tem dois diodos conduzindo conjuntamente.

3.4 Reguladores a Zener.

A anlise de circuitos com diodo zener bem semelhante de diodos retificadores a diferena fundamental que o diodo zener trabalha na regio de polarizao reversa. Assim, o diodo zener precisa ser um diodo especial, pois consegue funcionar, dentro de condies restritas, na regio de ruptura. Os diodos zener so os elementos principais nos reguladores de tenso. O circuito bsico de um regulador de tenso mostrado na Figura 31.

Figura 31 - Circuito bsico de um regulador de tenso com zener.

O resistor R no circuito da Figura 31 necessrio para limitar a corrente sobre o zener dentro de limiares aceitveis. A tenso sobre a carga, RL, ser a tenso sobre o diodo zener. Um fator limitante do funcionamento desse diodo a mxima potncia que ele capaz de suportar, PZM. A potncia sobre ele dever ser sempre menor que este valor.
3-1

Para o estudo do funcionamento do circuito necessrio modelar o dispositivo. A Figura 32 (a) mostra o equivalente do diodo quando ele est ligado e a (b) quando o diodo est desligado. Ento, para analisar o circuito com zener basta substituir o dispositivo pelo seu devido modelo e proceder anlise do circuito.

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Figura 32 - Equivalente do diodo zener.

3.5 Circuitos limitadores de tenso.

Os circuitos limitadores de tenso tambm so conhecidos como circuitos ceifadores. A funo desempenhada por este circuito a de ceifar parte do sinal de entrada de forma a no se ter uma parte do sinal de entrada, porm sem distoro do restante do sinal. Os circuitos ceifadores podem ser de dois tipos: srie ou paralelo. Ele tido como srie quando o diodo estiver em srie com a sada. No outro caso, quando aparecer em paralelo com o sinal de sada. Para anlise dos circuitos ceifadores tenha em mente as seguintes dicas: 1. Imagine um esboo do sinal de sada tendo em mente a direo do diodo e os nveis de tenso aplicados. 2. Identifique a tenso aplicada (tenso de transio) que mudar o estado do diodo. 3. Esteja sempre atento aos terminais e polaridade do sinal de sada vo. 4. Trace o sinal de entrada acima do sinal de sada e determine este a partir dos valores instantneos do sinal de entrada. 3.5.1 Ceifador srie. O circuito do limitador de tenso srie apresentado na Figura 33.

Figura 33 - Circuito ceifador srie.

As formas de onda da entrada e sada para vrios sinais mostrada na Figura 34.

Figura 34 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador srie.

20 3.5.2 Ceifador paralelo.

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O circuito do limitador de tenso paralelo apresentado na Figura 35. Verifica-se que o diodo est em paralelo com a sada.

Figura 35 - Circuito ceifador paralelo.

As formas de onda da entrada e sada para vrios sinais mostrada na Figura 36.

Figura 36 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador paralelo.

3.6 Circuitos grampeadores.

So os circuitos responsveis por grampear o sinal de sada em um valor CC diferente. O circuito deve ter um capacitor, um diodo e um elemento resistivo, mas tambm pode ter uma fonte de tenso. O valor de RC deve ser grande suficiente para no permitir que durante o intervalo que o diodo no estiver conduzindo. Algumas dicas que podem auxiliar a anlise de circuitos grampeadores: 1. Inicie a anlise do circuito considerando a parte do sinal de entrada que polariza diretamente o diodo. 2. Durante o perodo que o diodo est no estado ligado assuma que o capacitor carregue instantaneamente com o valor de tenso estabelecido pelo circuito. 3. Assuma, que quando o diodo estiver no estado desligado o capacitor se mantm em seu nvel de tenso estabelecido. 4. Mantenha a ateno na polaridade da tenso de sada, vo e nos nveis de tenso apropriados. 5. Saiba que a excurso total da sada deve estar de acordo com a excurso do sinal de entrada. O circuito do grampeador mostrado na Figura 37

Figura 37 - Circuito grampeador.

Para facilitar o entendimento do funcionamento do circuito, a Figura 38 mostra os dois momentos de funcionamento.

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Figura 38 - Funcionamento do grampeador, primeiro com diodo ligado e depois com diodo desligado.

3.7 Circuitos multiplicadores de tenso

Atravs de uma tenso de pico relativamente pequena no transformador possvel obter na sada uma tenso duas, trs, ou mais vezes o valor de pico da tenso retificada da entrada. 3.7.1 Duplicador de tenso O circuito duplicador de tenso poder ser do tipo meia onda ou onda completa. A Figura 39 mostra o circuito duplicador de tenso de meia onda.

Figura 39 - Circuito duplicador de tenso.

Para facilitar o entendimento do circuito o estudo dos estados de funcionamento eficiente, verifique atravs da Figura 40. No primeiro semiciclo o diodo D1 conduz e o D2 no, ento o capacitor C1 carrega com a tenso de pico do secundrio do transformador, Vm. No seguinte semiciclo o diodo D2 que conduz e faz com que o capacitor C2 carregue com o dobro da tenso no secundrio do transformador, 2Vm.

Figura 40 - Estados e operao do circuito dobrador.

Triplicador e quadruplicador de tenso

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como se fosse uma extenso do circuito duplicador de meia onda. Esse circuito pode ser estendido de forma a obter 5, 6 ou mais vezes o valor da tenso de entrada. A mostra a forma desse circuito.

Figura 41 - Circuito triplicador ou quadruplicador de tenso.

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3.8 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica

Lei de Ohm, Teoria dos Semicondutores e Circuitos com Diodo.

1. Para o circuito das figuras seguintes trace a linha de carga.

2. Para o diodo 1N914 determine a sua resistncia direta, sabendo que os seus valores tpicos de corrente e tenso direta so respectivamente de 10mA e 0,65V.

3. Para o diodo 1N914 determine a sua resistncia reversa, sabendo que os seus valores tpicos de corrente e tenso reversa so respectivamente de 25nA e 20V.

4. Para os circuitos abaixo, sabendo que a tenso direta dos diodos de 0,7V, determine a corrente e a potncia sobre os diodos e tenso sobre a carga.

5. Determine a faixa de valores de Vi que mantm o diodo zener ligado.

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6. Para o circuito seguinte, determine: VL, VR, IZ e PZ.

7. Determine VO e VC para o diodo na situao ligado.

8. Determine VO para o circuito.

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9. Determine a forma de onda da tenso de sada para o circuito.

10. Determine a forma de onda da sada e a tenso PIV para cada diodo.

11. (a) Esboce a forma de onda da sada e determine o valor do sinal CC para o caso do diodo ideal e para o diodo de silcio. (b) Agora considere Vm = 200V e refaa o pedido no item (a).

12. Determine o valor de sada da porta AND de lgica positiva.

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13. Determine o valor da sada e identifique a funo dessa porta lgica.

14. Explique o funcionamento do retificador de onda completa com transformador com derivao central.

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4 Transistores bipolares
Durante o perodo de 1904 a 1947 a vlvula foi sem dvida o dispositivo de interesse e desenvolvimento. Em 23 de dezembro de 1947, a indstria eletrnica estava prestes a descobrir uma linha de dispositivos completamente novos. Foi durante tarde do dia 23 de dezembro de 1947 que o mundo conhecia o transistor, o primeiro amplificador eletrnico de estado slido. Mais do que substituir as vlvulas eletrnicas, o transistor logo se revelaria como uma das ferramentas mais importantes j criadas pelo homem. A humanidade nunca mais seria a mesma depois dele. Walter H Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de amplificao do primeiro transistor, nos laboratrios da companhia Bell Telephone. O primeiro transistor media cerca de 1,5 centmetro e no era feito de silcio, mas de germnio e ouro, montado sobre suportes de plstico, conforme mostra a Figura 42.

Figura 42 - Primeiro transistor criado em 1947.

Os transistores fabricados em escala industrial hoje medem 45 nanmetros, mais de 330.000 vezes menores. Em escala de laboratrio, os cientistas j conseguiram fabricar transistores moleculares, centenas de vezes ainda menores.

4.1 Estrutura fsica e modos de operao.

O transistor um dispositivo que constitudo por trs regies semicondutoras, que podem ser uma do tipo n e duas do tipo p, ou uma do tipo p e duas do tipo n. Assim, existem dois tipos de transistores: os transistores do tipo npn e do tipo pnp. Eles so mostrados na Figura 43, em (a) mostrado o transistor do tipo pnp e em (b) o transistor npn, com a devida polarizao. A polarizao CC importante para garantir a operao do transistor em uma regio linear e permitir a amplificao de um sinal CA.

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Figura 43 - Tipos de transistor TBJ.

A estrutura de um transistor do tipo npn mostrada na Figura 44. Percebe-se uma disposio especfica de cada regio, quanto questo de rea de silcio e dopagem das regies. A regio mais estreita e menos dopada conhecida como Base e fica entre as duas outras regies. A regio mais extensa conhecida como Coletor. O Emissor conhecido assim por ser a regio mais fortemente dopada, por fornecer os portadores para iniciar a operao do transistor.

Figura 44 - Estruturas das junes do transistor NPN.

4.2 Operao do transistor NPN no modo ativo.

Para falar sobre a polarizao do transistor necessrio primeiro conhecer a sua curva de funcionamento. A Figura 47 mostra essa curva. Nela possvel identificar as regies de operao do transistor. Trs so essas regies: regio de saturao, regio ativa ou direta e regio de corte. Vale ressaltar que a curva do transistor apresenta outra regio conhecida como regio de ruptura, mas essa no representa uma regio de operao, tendo que o transistor no pode funcionar nela. Antes de tentar entender o modo de operao do transistor facilita enxergar o transistor como formado por dois diodos em antessrie, tendo a base como terminal central. A Figura 45 mostra essa configurao, juntamente com o smbolo que cada transistor. Para o transistor npn temos o diodo base-emissor e o diodo base-coletor.

Apostila de Eletrnica Analgica I

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Figura 45 - Esquema didtico e simbologia do transistor.

Para fazer o estudo das regies de operao do transistor considere a polarizao mostrada na Figura 46. Essa polarizao conhecida como base comum, ou seja a base comum a circuito de entrada (base-emissor) e ao circuito de sada (base-coletor).

Figura 46 - Polarizao base comum para transistor npn.

A regio de saturao uma regio que caracteriza por apresentar altas correntes de coletor (sada) sob baixas quedas de tenso de coletor para a base (VCB). Para estar nessa regio, o transistor dever estar com ambos os diodos polarizados diretamente. O transistor nessa regio comporta-se como se fosse uma chave fechada, Na regio ativa o transistor est com o diodo base-emissor polarizado diretamente e o diodo base-coletor reversamente. Essa uma regio especial de operao, pois permite o transistor amplificar de maneira linear um sinal de entrada. Nessa regio a corrente de sada (IC) permanece constante mesmo com a variao da tenso entre coletor e base (VCB). Por fim, a regio de corte ocorre quando ambos os diodos esto polarizados reversamente. Assim, no haver corrente passando pelo componente. Ele atuar como se fosse uma chave aberta. Mesmo com tenses entre coletor e base altas o dispositivo no conduz. Ento, podemos dizer que o transistor, dada a sua polarizao, pode operar como elemento amplificador de sinal, quando polarizado na regio ativa, ou como elemento chaveador, quando a sua polarizao alternar entre a saturao e corte.

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Figura 47 - Curva caracterstica do transistor para configurao base-comum.

4.3 Anlise de circuitos em CC.

Como foi discutido na seo anterior o transistor poder atuar como chave ou como amplificador. Atuando como chave ter maior aplicao em circuitos lgicos, mais vastamente discutidos na Eletrnica Digital. Na Eletrnica Analgica maior foco ser dado para o entendimento do transistor como elemento amplificador, por ser mais abrangente e possuir maiores de detalhes de interesse. O transistor operando como amplificador ter alm da alimentao CC, responsvel pela polarizao do mesmo na regio ativa, a presena de um sinal de entrada geralmente alternado (CA). Neste primeiro momento preocuparemos estudar os vrios circuitos e polarizaes CC do transistor. Trs so as configuraes bsicas: base-comum, emissor-comum e coletor-comum. Algumas variaes dessas configuraes bsicas so possveis e sero discutidas oportunamente. Para fazer o estudo das configuraes bsicas de funcionamento do transistor necessrio conhecer as relaes eltricas e parmetros do transistor. 4.3.1 Parmetro Este parmetro estabelece a relao entre os valores de IC e IE devido aos portadores majoritrios. Na prtica o valor de varia de 0,90 a 0,998, sendo que a grande maioria fica no final da faixa. Ento,
4-1

4.3.2 Parmetro No estudo das relaes entre IC e IB existe o parmetro . Ele dado pela Equao 4-2.
4-2

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31

Esse parmetro na prtica varia entre 50 a 400. Nas folhas de dados, normalmente, o parmetro referido como hFE. Conhecida a Lei de Kirchhoff da corrente possvel estabelecer outras relaes matemticas dos parmetros do transistor. Tem-se:
4-3

Substituindo os parmetros estabelecidos na Equao 4-3, chega-se:

4-4

e
4-5

Em relao ao transistor TBJ de silcio do tipo npn tambm pode ser estabelecido: e

4.4 Configurao emissor-comum

Essa a configurao mais comumente utilizada, onde se tem o sinal de entrada na base e o sinal de sada no coletor. A Figura 48 mostra essa configurao, onde so identificadas as correntes convencionais do circuito.

Figura 48 - Configurao emissor-comum para transistor TBJ npn.

Duas so as curvas usadas para determinao de parmetros dessa configurao. Uma curva que relaciona a corrente de entrada (IB) em funo da tenso base-emissor (VBE). Essa a curva de entrada. A curva de sada contm trs informaes importantes. A corrente de sada (IC) em funo da corrente de entrada (IB) e da tenso de sada (VCE). A Figura 49 ilustra essas curvas.

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Figura 49 - Curvas caractersticas de um npn emissor-comum. (a) a curva de entrada e (b) a curva de sada.

4.5 Configurao coletor-comum

uma configurao que proporcional uma alta impedncia de entrada e uma baixa impedncia de sada, por essa razo empregada em estgio de cancelamento de impedncia.

Figura 50 - Configurao coletor-comum para transistor TBJ npn.

Do ponto de vista de projeto no h necessidade de um conjunto de curvas caractersticas para a configurao coletor-comum. Ele pode ser feito utilizando as curvas da configurao emissor-comum, conforme visto na seo anterior.

4.6 Transistor PNP.

O que foi dito para o transistor npn serve para o transistor pnp de maneira complementar, tendo em vista a inverso das polaridades. Exemplos sero feitos posteriormente.

Apostila de Eletrnica Analgica I

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4.7 Lista 3 de Exerccios Eletrnica Analgica

Estrutura do Transistor, Configurao e Determinao de Parmetros.

1. Utilizando as curvas caractersticas da Figura 47 determine a corrente de coletor para (a) IE=3mA e VCB=10V e (b) IE=4mA e VCB=2V.

2. Pesquise a folha de dados do transistor 2N4123 e descreva os parmetros principais.

3. Quais so os tipos de transistores bipolares de juno? Descreva a constituio bsica de cada um. Desenhe o smbolo grfico de cada um.

4. Com relao estrutura do transistor identifique cada uma das regies, destacando as suas caractersticas.

5. O que quer dizer um dispositivo bipolar?

6. Em relao a curva caracterstica do transistor identifique cada uma das regies e determine as polarizaes de cada uma.

7. Desenhe um circuito na configurao base-comum, emissor-comum e coletor-comum. Identifique o sentido convencional das correntes.

8. Quais so e como so as funes principais de um transistor TBJ?

9. O que representa o parmetro e . Deduza as suas relaes.

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5 Polarizao CC do transistor TBJ

A funo de amplificao talvez seja a funo mais importante de um transistor. A capacidade de elevar um pequeno sinal de entrada a nveis de centenas ou milhares de vezes maior, somente possvel atravs de uma adequada configurao, arranjo de transistores e outra energia fornecida. A polarizao CC responsvel por estabelecer um ponto de operao adequado do transistor pela fonte CC, que tambm fornecer energia para ser convertida em energia CA para o sinal de entrada. Vrias so as polarizaes ou configuraes possveis. Essas polarizaes visam atender a uma srie de necessidades requeridas para o adequado funcionamento do circuito.

5.1 Como determinar o ponto de operao do transistor.

Umas das primeiras necessidades no estudo de circuitos amplificadores a transistor determinar o ponto de operao do dispositivo. A Figura 51 mostra alguns pontos de operao. Em se tratando de transistor funcionando como amplificador indicado que o ponto de operao esteja mais prximo do centro da rea clara.

Figura 51 - Pontos de operao do circuito.

preciso conhecer exatamente o ponto em que o transistor est funcionando. Esse ponto pode ser conhecido cruzando os dados fornecidos pelo fabricante, atravs das folhas de dados, com as condies do circuito em que o transistor se encontra. Para conseguir isso ento, faz-se mo de duas curvas principais da curva caracterstica do transistor com a curva de reta de carga. A interseo dessas duas curvas estabelece o ponto de operao do circuito.

Apostila de Eletrnica Analgica I 5.1.1 Os parmetros que devem ser conhecidos

35

Para as seguintes relaes considere que se trata da anlise de um TBJ do tipo npn. Relaes bsicas de um transistor:

5.1.2 Polarizao fixa O circuito mostrado na Figura 52 uma boa configurao para se iniciar o estudo para determinar o ponto de operao de um transistor. Essa configurao do tipo emissorcomum. usada uma nica fonte de tenso para polarizar o circuito de entrada e sada. Atravs do resistor RB polariza-se a base e atravs do resistor RC polariza-se o coletor.

Figura 52 - Circuito polarizao fixa.

Ento,

Levantando a equao da malha de entrada.

5-1

Levantando a equao da malha de sada.

Como, Assim,

36

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Atravs das equaes 5-1 e 5-2 possvel conhecer as grandezas do circuito, para isso necessrio apenas que se conhea o parmetro do transistor. 5.1.3 Determinando a reta de carga. A reta de carga, conforme mostrado na Figura 53, determinada a partir das equaes do circuito. sabido que para determinar uma reta so necessrios conhecer pelo menos dois pontos. A curva utilizada a apresentada na Equao 5-2. Primeiro ponto: Para IC=0 tem-se VCE=VCC. Segundo ponto: Para VCE=0 tem-se IC=VCC/RC. Os dois pontos determinados estabelecem a reta de carga do circuito que mostrada na Figura 53.

Figura 53 - Reta de carga para polarizao fixa.

5.2 Polarizao estvel do emissor.

Configurao que apresenta uma menor suscetibilidade a variaes com ou na temperatura. Com isso, consegue-se uma melhoria na estabilidade do circuito. - Levantando a equao da malha de entrada. Lembrando a relao entre as corrente do transistor tem-se: Ento,
5-3

Levantando a equao da malha de sada.

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Ento,
5-4

Figura 54 - Polarizao estvel de emissor.

5.3 Polarizao universal ou por divisor de tenso.

A polarizao universal mostrada na Figura 55 uma das mais usadas por circuitos amplificadores. Foi visto nas outras configuraes que o ponto de operao do transistor era dependente do ganho de corrente do transistor, . Como o do transistor no um parmetro estvel, variando com a temperatura, o ponto de operao fica instvel. Para resolver este problema a polarizao por divisor de tenso empregada.

Figura 55 - Polarizao universal ou por divisor de tenso.

Para resolver este circuito necessrio determinar os seus parmetros de entrada. Um mtodo para resolver o circuito de entrada aplicando Thvenin nele.

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Figura 56 - Circuito equivalente para determinar a tenso Thvenin de entrada.

A resistncia Thvenin pode ser determinada por:

Determinando a tenso Thvenin,

Ento, o circuito de entrada fica conforme mostrado na Figura 57.

Figura 57 - Circuito equivalente Thvenin de entrada.

Levantando a equao da malha de entrada.

Como fica
5-5.

assim,

Levantando a equao da malha de sada.

5-6.

5.4 Polarizao por realimentao do coletor.

A polarizao com realimentao do coletor vista na Figura 58 possibilita uma maior estabilidade em relao ao e a temperatura, embora o ponto de operao esteja sujeito ao . - Levantando a equao da malha de entrada. Fazendo as substituies de corrente fica:

Apostila de Eletrnica Analgica I

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5-7.

Figura 58 - Polarizao por realimentao de coletor.

Levantando a equao da malha de sada.

5-8.

5.5 O transistor como chave.

Foi discutido em seo anterior que o transistor apresenta funes alm da amplificao. Dependendo do circuito o transistor pode funcionar de forma lgica. Quando o sinal de entrada aplicado entrada do circuito pode fazer o transistor conduzir, caso este no esteja conduzindo, ou deixar de conduzir, caso este estivesse conduzindo. A Figura 59 mostra um circuito funcionando como chave.

Figura 59 - Transistor funcionando como chave.

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5.6 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica

Polarizao CC do TBJ, Tipos e Caractersticas.

1. Identifique os tipos principais de polarizao CC do TBJ.

2. Determine as correntes do transistor para o circuito da Figura 59.

3. Baseado nas leituras do circuito determine se ele est funcionando adequadamente e caso no esteja aponte o problema.

4. Determine IC, RC, RB e VCE para o circuito (a) da figura abaixo.

5. Estabelea IC, VCC, e RB para o circuito (b) da figura acima. Para os problemas seguintes considere o circuito mostrado a seguir.

Apostila de Eletrnica Analgica I

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6. Para o circuito determine IBQ , VCEQ, ICQ, VC, VB e VE.

7. Determine ICsat para o circuito. 8. (a) Determine IC e VCE para o circuito. (b) Faa = 120 e determine os novos valores de IC e VCE.

9. Utilizando as curvas caractersticas, determine a forma de onda na sada do circuito e determine IB, IBmx e ICsat quando Vi=10V.

10. Para a polarizao fixa, considere VCC = 12V, RB = 240k, RC = 2,2k e =50. Calcule ICQ, VCEQ, VB, VC e VBC. Determine a reta de carga do circuito.

11. Desenhe o circuito realimentao por coletor e deduza as expresses do circuito.

12. Mostre porque o ponto de operao do circuito polarizao por divisor de tenso no depende muito do .

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6 Transistores de Efeito de Campo (FET)

Os transistores de efeito de campo conhecido por FET possuem caractersticas distintas s apresentadas para os transistores TBJ. Uma das que os diferenciam so que os FETs so transistores unipolares.

6.1 Principais caractersticas

Os FETs apresentam as seguintes caractersticas: - Possuem trs terminais; - Suas funes se assemelham ao TBJ; - controlado por tenso; - um dispositivo unipolar; - Apresentam alta impedncia de entrada; - So mais estveis em relao temperatura que os TBJs; - Menor tamanho; - So mais sensveis ao manuseio.

6.2 O JFET.
O transistor de efeito de campo de juno pode ser do tipo canal p ou canal n. 6.2.1 Estrutura do JFET.

Figura 60 - Estrutura do JFET canal n.

Apostila de Eletrnica Analgica I 6.2.2 Caractersticas e operao fsica do JFET.

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Figura 61 - Smbolo do JFET (a) canal n e (b) canal p.

6.3 O MOSFET.
O transistor de efeito de campo metal-xido semicondutor possuem duas formas de funcionamento, podendo ser: MOSFET de depleo ou MOSFET de intensificao. Semelhante ao JFET os MOSFETs podem ser do tipo canal p ou canal n. 6.3.1 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo depleo.

Figura 62 - Estrutura do MOSFET de depleo canal n.

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Figura 63 - Smbolo do MOSFET de depleo.

6.3.2 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo intensificao.

Figura 64 - Estrutura do MOSFET de intensificao canal n.

Figura 65 - Smbolo do MOSFET de intensificao.