Amplificador en emisor comn

El circuito equivalente de Corriente continua es:

Circuito equivalente de corriente alterna

RB

R L

donde

RB = R 1 ||R 2
' RL = RC ||RL

Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma lineal y para efectos de anlisis el transistor tiene un circuito lineal equivalente llamado circuito en parmetros h. Modelo de seal pequea del BJT para la configuracin en Emisor Comn

Modelo del BJT en parmetros h (configuracin en Emisor Comn)

Significado de los parametros h Vbe = hieib + hreVce iC = h feib + hoeVce

Estos parmetros h reciben su nombre a partir de las siguientes condiciones A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

por lo que:

Vbe = (hie )ib

ic = (h fe )ib

hie =

Vbe ib VCEQ

h fe =

Vce = 0

ic ib

VCEQ Vce = 0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.

i = input. e = emisor comn.

h fe

= Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto. f = forward - directo e =emisor comn

B).- Circuito abierto en la entrada ( ib = 0 )

por lo que:

Vbe = hre (Vce ) ic = hoe (Vce )

V hre = be Vce I BQ

hoe =

ic Vce I BQ

ib = 0

ib = 0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.

r = reverse e = emisor comn

hoe = Admitancia de salida con la salida abierta.

o = output e = emisor comn.

Determinacin de los parmetros h De las curvas de entrada pueden ser determinados grficamente los parmetros hie y hre

ib

VCE = 19V
ib

VCE = 1V

VCE = 20V

vBE

iB VBE VBE hie = = ib ib

=
VBE =0

v BE i B

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinmica del diodo B-E

hie =

VT V V = T = hfe T I CQ I CQ ICQ h fe

VB E

VCE

ib
I BQ

VBE

vBE
Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeo, su valor se encuentra en el rango de 1x10-4 a 3x10-4, y para efectos prcticos puede considerarse cero

hre =

vCE VCE = vBE VBE

=
VBE =0

v BE v BE

Los parmetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas ic ic = i b i B ic i B

h fe =

Vce = ctte = ic 0

hoe =

ic ic ic = i B = ctte = VCE VCE VCE ic 0

Se observa que el valor de hoe es muy pequeo, un valor tpico es de aproximadamente de 100 m siemens y para fines prcticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita. Modelo del Amplificador en Emisor Comn incluyendo el modelo de seal pequea del transistor

Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fcilmente mediante observacin del circuito: Z i = R B || hie y Z o = Rc

La ganancia de voltaje puede obtenerse a partir de la multiplicacin de los siguientes factores

AV =

vL vL vce vbe = vs vce vbe vs

vL =1 vCE vce = h feib Rc RL vbe = hieib R R vce = h fe C L vbe hie RB hie vbe = vs RB hie + rs Av = RB hie RC R L VL = h fe . RB hie + rs VS hie i L i L ib = . i S ib i s

Ai =

RC iL = h fe i S RC + RL ib RB = i S RB + rs
Ai = RC iL RB = h fe iS RC + R L R B + rs

VL i RL V rs + z i Ai = L = = L. VS iS VS RL rs + z i

Ai = Av

zi + rs RL

PROBLEMA.- El transistor 2N3904 tiene un h fe de 125 cuando su punto de operacin es I CQ = 1mA y VCEQ = 6V . Se pretende polarizar este transistor mediante la tcnica de divisin de tensin. a).- Calcular el valor adecuado de cada uno de los resistores para cumplir con esa condicin de 1 1 polarizacin y bajo los siguientes datos adicionales; Vcc=12V, RB = RE y VE = VCC . 10 10 Una vez polarizado el transistor, el circuito se utilizar como amplificador. La seal a amplificar proviene de una fuente de voltaje con resistencia interna de 50 . la seal amplificada ser suministrada a una resistencia de carga de 1.2 K . b).- Calcular la impedancia de entrada y la de salida del amplificador c).- Calcular la ganancia del voltaje del amplificador. d).- Calcular la ganancia de corriente del amplificador. En los incisos b, c y d suponer que la reactancia de los capacitores es despreciable a la frecuencia de la seal. e).- Calcular el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores de tal manera que en el amplificador se tenga un acoplamiento y desacoplamiento ideal para fines prcticos. Fc = 100 Hz a).VE = 12V 1.2V = 1.2V por lo que RE = = 1 .2 K 10 1mA 125 RB = (1200) = 15K 10 V VCEQ 12V 6V RC = CC RE = 1.2 K = 4.8 K I CQ 1mA VT 25mV h fe = (125) = 3.212 K I CQ 1mA

b).-

hie =

(3.212 K)(15 K) = 2.546 K 18.212 K Z o = RC = 4.8 K Z i = RE || hie = c).AV = VL R || RL RB || hie 125(960) 2646 = h fe C = = 36.65 Vs hie rs + RE || hie 3212 2696 iL RC RB 4800 15000 = ( h fe ) = (125) = 82.36 is RC + RL RB + hie 6000 18212

d).-

Ai =

e).- Para poder calcular el capacitor Ci tenemos que calcular la resistencia de Thvenin que este capacitor mira entre sus terminales

RCi = RB || hie + rs = 2646 + 50 = 2696 1 RCi = 269.6 10 1 Ci = = 5.9 F 2 (100)(269.6) X Ci = Donde RCi es la resistencia vista por el capacitor Ci Para poder calcular el capacitor CO tenemos que calcular la resistencia de Thvenin que este capacitor mira entre sus terminales RCO = RC + RL = 6 K 1 RCO = 600 10 1 CO = = 2.65 F 2 (100)(600) X Ci = Donde RCO es la resistencia vista por el capacitor CO Para poder calcular el capacitor CE tenemos que calcular la resistencia de Thvenin vista desde el el desde la fuente de seal. Para esto dibujamos el circuito equivalente visto desde el Terminal del emisor, a este circuito en donde las resistencias de base cambian aparentemente en su valor, se le conoce como circuito de de base reflejado en el de emisor.

rs'/(hfe+1)

ie

hie/(hfe+1)

Vs

RE ie

RTH

' Donde rs = RB || rs

Entonces:

RCE = RE || XC =

rs' + hie = 25.34 h fe + 1

1 RCE = 2.534 10 1 CC = = 628F 2 (100)(2.534) RCE =

( rs || RB ) + hie || R
h fe + 1

(50 || 15 K) + 3.2 K || 1200 126

RCE = 25.88 || 1200 = 25.33 = X C CE = 1 = 62.83F 2 (100)(25.33)

Donde RCE es la resistencia Thvenin vista por el capacitor CE