Travaux Pratiques :

Caractérisation du transistor MOS

1 Sommaire
• Objectifs du TP,
• Caractérisation d’un transistor NMOS,
– Transconductance : Ids = f (Vgs ),
– Extraction de Kn et de VT 0N ,
– Caractéristique de sortie : Ids = f (Vds ), pour différents Vgs.
– Variation de la tension de seuil avec VBS : VT 0N = f (VBS .
– Régimes de fonctionnement du NMOS et du PMOS dans l’inverseur CMOS.
• Annexes et rappels
– Description de la maquette expérimentale,
– Utilisation sommaire de l’oscilloscope,
– Modèles du courant des transistors MOS,
– Modèles de la tension de seuil des transistors MOS.

2 Objectifs
Les objectifs de ce TP sont d’une part d’acquérir une première familiarisation avec les modèles
de comportement des transistors MOS et d’autre part de découvrir expérimentalement (par la mesure)
la caractérisation d’un modèle simple de transistor.
L’utilisation de la maquette (voir le schéma de la table 6) et celle de l’oscilloscope sont décrites
en annexe.

3 Caractérisation d’un transistor NMOS

3.1 Transconductance : Ids = f (Vgs )
Il s’agit de vérifier expérimentalement la variation du courant Ids d’un transistor NMOS en fonc-
tion de la tension Vgs lorsque le transistor est en régime saturé grâce au montage du tableau 1.

• VS S = 0V : court-circuit entre
masse (gnd) et VS S
• Ve : signal triangulaire
• Vmax = +10V
• T = 10ms
• MN1 = N MOS
• R = 1kΩ

T. 1 – Schéma du montage 1

Question 3.1 Montrer que le transistor passe alternativement du régime bloqué au régime saturé. En
déduire l’expression théorique de Ids fonction de Vgs , en négligeant l’effet de modulation de longueur
de canal (effet Early).

Question 3.2 Réaliser le montage du tableau 1 et faire apparaître sur l’oscilloscope en mode XY, la
courbe Ve − Vds = R · Ids = f (Vgs ), à l’aide des voies A et B connectées selon le schéma.
Question 3.3 Extraire la valeur des paramètres Kn et VT 0N du transistor, à partir de deux mesures,
genre Ids1 = 1mA pour Vgs1 et Ids2 = 4mA pour Vgs2 . Nous obtenons :
r
Ids2
Ids1 Vgs1 − Vgs2
• VT = r soit : VT = 2Vgs1 − Vgs2
Ids2
−1
Ids1
p Ids2
p
− Ids2 2
• Kn =   soit : Kn = 
1mA
2
Vgs2 − Vgs1 Vgs2 −Vgs1

3.2 Caractéristique de sortie : Ids = f (Vds )

Il s’agit de vérifier expérimentalement le changement de forme de la courbe de variation du cou-
rant Ids d’un transistor NMOS en fonction de la tension Vds lors du passage du régime saturé au
régime quadratique (linéaire). Ce relevé sera obtenu pour différente valeurs de Vgs . Nous constate-
rons ainsi que le modèle simple du courant saturé ne suffit pas à rendre compte de la forme de la
caractéristique dans cette zone.

• VS S = 0V : court-circuit entre
masse (gnd) et VS S
• VG = tension continue
• Ve = signal triangulaire
• Vmax = +10V
• T = 10ms
• MN1 = N MOS
• R = 1kΩ

T. 2 – Schéma du montage 2

Question 3.4 Réaliser le montage du tableau 2 et faire apparaître sur l’oscilloscope de la même
manière que précédemment, la courbe Ve − Vds = R · Ids = f (Vds ).

Question 3.5 Expliquer la forme du lieu de l’extémité de la courbe Ids = f (Vds ) lorsque Vgs varie,
c’est à dire le lieu du point Mext Vemax , Vgs . Retrouver l’équation de ce lieu en exprimant Ids en
fonction de Vemax , Vds et de R.

Question 3.6 Que peut on dire de la pente de la courbe Ids = f (Vds ) dans la zone de saturation ?

3.3 Variation de la tension de seuil : VT = f (Vbs )

Il s’agit de vérifier expérimentalement l’influence de la tension Vbs sur la valeur de la tension
de seuil VT d’un transistor NMOS. Attention il faut utiliser le transistor MN2 pour lequel Source et
Substrat ne sont pas court-circuités.

Question 3.7 Réaliser le montage du tableau 3 et faire apparaître sur l’oscilloscope de la même
manière que précédemment, la courbe Ve − Vds = R · Ids = f (Vds ).

Question 3.8 Régler la valeur de VG afin d’obtenir la même intensité du courant Ids pour les différents
points de mesure spécifiés dans le tableau 4. Vérifer, par l’allure de la courbe et pour chaque point de
mesure, que le transistor est en régime saturé.

Question 3.9 Extraire les différentes valeurs de la tension de seuil VT et les comparer à celles du
modèle comportemental présenté sur le graphe de la figure 4. Vérifier à postériori que le transistor est
bien en régime saturé.
 • VS S = [−5V, 0V] :
tension continue négative
• VG = [0V, +10V] :
tension continue positive
• Ve : signal triangulaire
• Vmax = +10V
• T = 10ms
• MN2 = N MOS
• R = 1kΩ

T. 3 – Schéma du montage 3

VG VBS @Vds Ids VT

0V +4V 2mA VT 0
−2V +4V 2mA
−4V +4V 2mA

T. 4 – Conditions de mesures

3.4 Étude des régimes de fonctionnement des transistors NMOS et PMOS

La fonction de transfert d’un inverseur CMOS : V s = f (Ve )

F. 1 – Schéma de l’inverseur CMOS

L’inverseur est un circuit actif, alimenté entre VS S = 0V et VDD par une tension continue positive.
Il réalise la fonction amplification-inversion qui est une fonction élémentaire de l’électronique analo-
gique (0V ≤ Ve ≤ VDD ) comme de l’électronique numérique (Ve = 0V = ”0” ou Ve = VDD = ”1”).
CMOS caractérise la technologie utilisée pour réaliser le circuit. Cette technologie permet de
construire dans un même cristal semi-conducteur, des transistors MOS de type N et des transistors
MOS de type P.
La fonction de transfert est la caractéristique V s = f (Ve ) (graphe du tableau 5). La tension notée
Vbasc correspond à la valeur de la tension d’entrée Ve au moment du basculement de l’inverseur d’un
état statique à l’autre.

Question 3.10 Réaliser le montage du tableau 5 pour relever à l’oscilloscope, la caractéristique de

transfert de l’inverseur.

Question 3.11 Expliquer sa forme et retrouver les équations des droites définissant les différentes
zones de fonctionnement des 2 transistors.
 • VDD = +10V :
tension continue
• VS S = 0V : court-circuit
entre masse (gnd) et VS S
• Ve : signal triangulaire
• Vmax = +10V
• T = 10ms

T. 5 – Schéma du montage 4 et graphe de la fonction de transfert

4 Annexes
4.1 Maquette expérimentale
4.1.1 Câblage de la maquette
Le TP utilise une maquette expérimentale (schéma de la table 6) permettant d’accéder à 3 transis-
tors NMOS et à 3 transistors PMOS organisés en deux rangées.

• S : Source
• G : Grille
• D : Drain
• B : Bulk (suBstrat)

• Rangée du haut : PMOS

• Rangée du bas : NMOS

T. 6 – Disposition des transistors sur la maquette

Pour que les transistors NMOS et PMOS fonctionnent correctement il convient de respecter les
règles suivantes durant tout le TP :
• Le substrat des transistors PMOS (connexion nommée Vdd ) doit toujours être à la tension maxi-
mum (la plus positive) du montage,
• Le substrat des transistors NMOS (connexion nommée V ss ) doit toujours être à la tension mi-
nimum (la plus négative) du montage.

4.1.2 Câblage des éléments

4.1.3 Câblage des alimentations
 Les Source, Grille et Drain de chacun des transistors sont accessibles par
des plots à l’exception des transistors NMOS et PMOS de la colonne de
gauche (MN1 et MP1) dont les sources sont déja connectées à leurs substrats
respectifs (voir schéma de la table 6).

T. 7 – Câblage des transistors

Il est possible de placer des composants passifs de type résistance ou capacité

entre deux plots de connexion marqués d’un symbole rectangulaire.

T. 8 – Câblage des composants passifs

Il est possible d’injecter ou de prélever un signal par les deux prises co-
axiales (appelées aussi "BNC") situées sur les cotés de la maquette. Rap-
pelons que dans de telles prises sont connectés à la fois :
• le signal : sur l’âme du coaxial (le fil central), elle même reliée à la prise
"mini banane" marquée "E" pour l’une, et marquée "S " pour l’autre,
• la masse : sur le blindage du coaxial, lui même relié à l’équipotentielle
"gnd" de la maquette.
T. 9 – Signaux d’entrée et de sortie

(a) 1 tension continue (b) 2 tensions continues (c) 2 tensions symétriques

F. 2 – Connexion des générateurs de tension continue (alimentations)

4.2 Utilisation sommaire de l’oscilloscope

Pour la visualisation des signaux électriques, nous utiliserons un oscilloscope à 2 voies. Ces 2
voies, A et B, peuvent être affichées de différentes manières :
• A ou B séparément : touche "A/B",
• A et B simultanément : touche "A/B",
 • la voie B peut être inversée : touche "ADD INVERT",
• A et B additionnées : touche "ADD INVERT",
• A et B soustraites (A − B uniquement) : touche "ADD INVERT".
En mode "normal" chacune de ces voies est visualisée en fonction du temps. Nous pouvons utiliser le
mode « X/Y » en utilisant la touche "X DEFL" et en sélectionnant la tension de deviation horizontale
par la touche "TRIG or X SOURCE".

4.3 Modèles statique et grand signal

F. 3 – Schéma des modèles statique et grand signal du transistor MOS

Équations du transistor NMOS

régime conditions courant Ids
bloqué Vgs ≤ VT n Ids = 0
ohmique Vds → 0 Ids = 2 Kn
 (Vgs − VT n ) Vds 
quadratique Vds < Vds sat Ids = 2 Kn Vgs − VT n − Vds 2 Vds
pincement Vgs > VT n Vds = Vds sat Ids sat = Kn (Vgs − VT n )2
Vds > Vds sat Ids = Ids sat 1 + λn (Vds − Vds sat )


saturation
effet de substrat Vbsn < 0 VT n = VT 0n + f (Vbsn ) (voir figure 4)
Équations du transistor PMOS
régime conditions courant Ids
bloqué Vgs ≥ VT p  =0
Ids 
ohmique Vds → 0 Ids = −2 K p Vgs − VT p Vds
 
quadratique Vds > Vds sat Ids = −2 K p Vgs − VT p − Vds 2 Vds
Vgs < VT p  2
pincement Vds = Vds sat Ids sat = −K p Vgs − VT p
Vds < Vds sat Ids = Ids sat 1 − λ p (Vds − Vds sat )


saturation
effet de substrat Vbs p > 0 VT p = VT 0p − f (Vbs p ) (voir figure 4)

T. 10 – Équations des transistors MOS (voir schéma figure 3)

La table 10 résume d’une part les conditions normales d’utilisation des transistors NMOS et
PMOS et d’autre part les équations simplifiées du courant Ids entre le Drain et la Source, en fonction
de leur conditions de fonctionnement. Les symboles utilisés sont :
• VDD : tension continue positive d’alimentation
(circuit supposé être alimenté entre 0V et VDD ),
• VT 0N : tension de seuil du transistor NMOS : à Vbs = 0V, VT 0N > 0V,
• VT 0P : tension de seuil du transistor PMOS : à Vbs = 0V, VT 0P < 0V,
• k : facteur de transconductance :
kn = µ0n · Cox0 et k p = µ0p · Cox
0 ,

• K : coefficient de conduction :
k W
Kn = k2n WLnn et K p = 2p L pp ,
 • λ : coefficient de modulation de longueur de canal (effet Early) :
λn = VEn1·Ln et λ p = VE p1·L p
• VEG : tension effective de grille (pour le NMOS et pour le PMOS) :
VEG = Vgs − VT ,
• Vdssat : tension de pincement ou de saturation (pour le NMOS et pour le PMOS) :
Vdssat = Vgs − VT .

F. 4 – Variation de la tension de seuil

La valeur absolue de la tension de seuil VT augmente lorsque la valeur absolue de la tension Vbs
augmente. Le modèle comportemental de cette variation est : | VT |=| VT 0 | + | f (Vbs |). La courbe de
cette fonction sera le plus souvent fournie comme dans la figure 4.

La valeur de VT 0 et celles des paramètres de la fonction f (Vbs ), sont propres à une technologie de
fabrication. Pour une même technologie, ces valeurs différent pour le NMOS et pour le PMOS.