Centro de Investigacin Cientfica y de Educacin Superior de Ensenada.

Fsica aplicada.

Departamento de electrnica y telecomunicaciones.

Materia: Dispositivos semiconductores de microondas.

Tareas 1.

Alumno: Cesea Barrios Jos Alfredo.

Fecha de entrega: jueves 10 de Enero del 2013.

a) Definiciones. Material homogneo: - Tiene las mismas propiedades fsicas y mecnicas en todo su volumen. - Presentan la misma composicin qumica e iguales propiedades en todos sus puntos presentan una sola fase que puede estar en estado slido, lquido o gaseoso. Material isotrpico: -Material que tiene las mismas propiedades fsicas y mecnicas en todas direcciones. -Cuando hablamos de un material isotrpico quiere decir que no depende de la eleccin de los ejes, no importa para que lado ests midiendo cierta propiedad o magnitud fsica siempre va a medir lo mismo. b) Aportacin de Maxwell. -El trabajo Maxwell ms importante y definitivo para el siglo XX se realiz entre 1864 y 1873. Durante estos aos, dio forma matemtica a las especulaciones de Michael Faraday sobre las lneas de fuerza magnticas y la electricidad. Mediante cuatro ecuaciones, el matemtico pudo expresar el comportamiento de los campos elctricos y magnticos y sus interrelaciones. Su teora demostr que la electricidad y el magnetismo no podan existir aisladamente, por lo tanto se hace referencia a su obra como la teora del electromagnetismo. - En 1873 public Treatise on Electricity and Magnetism. Michael Faraday haba descrito en forma cualitativa los fenmenos de la induccin electromagntica y los campos de fuerza. Maxwell encontr la forma de explicarlo desde la matemtica e introdujo el concepto de onda electromagntica. De esta manera poda describir la interaccin entre la electricidad y el magnetismo. James Maxwell sostena que en el futuro los sonidos e imgenes podran llegar a viajar por el aire. Este sueo de Maxwell pronto se hara realidad. Ocho aos despus de su muerte Henrich Rudolf Hertz, en 1887, comprobara que era posible generar ondas electromagnticas. c) Trampas en los semiconductores. Son impurezas qumicas (dopantes) o defectos estructurales que generan nuevos estados energticos, en los cuales los portadores de carga son atrapados por periodos de tiempo. Deep level traps o trampas de nivel profundo: es un tipo de defecto electrnico en semiconductores generalmente indeseable. Son profundos en el sentido de que la energa requerida para quitar un electrn o un orificio de la trampa a la banda de conduccin es

mucho mayor que la energa caracterstica trmica kT, donde k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura. La trampas profundas interfieren en las formas ms tiles de dopaje mediante la compensacin de la carga tipo operador dominante, ya sea eliminando electrones libres o huecos. Los portadores libres, electrones y huecos, pueden ser generados en un material semiconductor por varios procesos, tales como la absorcin de luz, un campo elctrico, inyeccin de portadores a travs de la barrera, irradiacin con partculas de alta energa. Despus de que el proceso que gener portadores fuera del equilibrio se haya detenido, el sistema regresa a su equilibrio debido a la terminacin de la recombinacin de electrones y huecos. Si los portadores son libres (los electrones en la banda de conduccin y los huecos en la banda de valencia), su proceso de terminacin es llamado recombinacin banda a banda. Si uno de los portadores es atrapado en un estado y el otro es libre, a esto se le llama recombinacin de estados localizados. Debido al proceso de recombinacin un aparte de la energa es liberada por la emisin de un fotn o un fonn, o un electrn secundario. Un portador capturado en un estado, puede recombinarse con un portador de signo contrario, o puede ser liberado en la banda correspondiente. Cuando es capturado un segundo portador con signo contrario, se aniquilan y a esto se le llama recombinacin en un estado localizado. Si los portadores son liberados en la banda, el centro de captura es llamado trampa. Las trampas pueden ser clasificadas en trampas para huecos y trampas para electrones, utilizando el criterio de su carga, y pueden ser clasificadas como trampas bulk y trampas surface, dependiendo de su localizacin. d)

Bibliografa/Referencias: - Mecnica de materiales, Rusell C. Hibbeler. - http://bacterio.uc3m.es/docencia/profesores/antonio/biog/maxwell.htm - http://en.wikipedia.org/wiki/Deep-level_trap - http://www.monografias.com/trabajos67/electronica-organica/electronica-organica2.shtml