1TXH000157C0301 QT10 FR

Document d'application technique n10 Installations photovoltaques
Technical Application Papers
Installations photovoltaques
Table des matires
Introduction ............................................... 4
PARTIE I
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV).. 5 1.1 Principe de fonctionnement ..................... 5 1.2 nergie solaire .......................................... 5 1.3 Principaux composants d'une installation
photovoltaque........................................... 8 1.3.1 Gnrateur photovoltaque ............................. 8 1.3.2 Onduleur ....................................................... 11
2 Production d'nergie .............. 18 2.1 Circuit quivalent de la cellule................ 18 2.2 Caractristique courant-tension de la
cellule ...................................................... 18
2.3 Schma de raccordement au rseau ..... 19 2.4 Puissance crte nominale ...................... 20 2.5 Prvision de production annuelle
d'nergie ................................................. 20 des panneaux ......................................... 22
2.6 Inclinaison et orientation 2.7 Tensions et courants d'une installation

PV ........................................................... 24
1.4 Types de panneaux photovoltaques

1.4.1 1.4.2
.... 12 Panneaux en cristaux de silicium ................. 12 Panneaux couche mince ........................... 13
1.5 Types d'installations photovoltaques .... 15

1.5.1 Installations autonomes................................ 15 1.5.2 Installations raccordes au rseau ............... 16
2.8 Variation de la production d'nergie ...... 24

2.8.1 Irradiance ...................................................... 24 2.8.2 Tempratures des modules .......................... 25 2.8.3 Ombrage....................................................... 25
1.6 Intermittence de la gnration et

stockage de l'nergie produite ............... 17
3 Mthodes d'installation et configurations................................ 26 3.1 Intgration architecturale ............................... 26 3.2 Configuration du champ solaire .................... 27
3.2.1 Installation mono-onduleur..................................... 27 3.2.2 Installation avec un onduleur pour chaque string .. 27 3.2.3 Installation multi-onduleurs .................................... 27
3.3 Choix de l'onduleur et interfaage ................. 28 3.4 Choix des cbles............................................ 32

3.4.1 Types de cbles...................................................... 32 3.4.2 Section et intensit admissible .................................... 32
Suite
Table des matires
PARTIE II Contexte italien
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie .................. 33 4.1 Gnralits ..................................................... 33 4.2 Montage en parallle au rseau BT................ 34 4.3 Montage en parallle au rseau MT ............... 36 4.4 Mesure de l'nergie produite et change
avec le rseau ................................................ 38
6 Protection contre les surintensits et les surtensions .... 42 6.1 Protection contre les surintensits du ct DC 42
6.1.1 Protection des cbles............................................. 42 6.1.2 Protection des strings contre le courant inverse .... 43 6.1.3 Comportement de l'onduleur ................................. 43 6.1.4 Choix des dispositifs de protection ........................ 43
6.2 Protection contre les surintensits du ct AC 44 6.3 Choix des dispositifs de commutation et de
dconnexion................................................... 44
5 Mise la terre et protection contre le contact indirect .. 39 5.1 Mise la terre................................................. 39 5.2 Installations avec transformateur ................... 39
5.2.1 Parties conductrices exposes du ct charge du transformateur ........................................................ 39 5.2.1.1 Installation avec systme IT ....................... 39 5.2.1.2 Installation avec systme TN...................... 39 5.2.2 Parties conductrices exposes du ct alimentation du transformateur .................. 40
6.4 Protection contre les surtensions................... 45

6.4.1 Foudroiement direct ............................................... 45 6.4.1.1 Btiment sans systme de protection contre la foudre (LPS) ................................ 45 6.4.1.2 Btiment avec systme de protection contre la foudre (LPS) ................................ 45 6.4.1.3 Installation PV au sol ................................. 46 6.4.2 Foudroiement indirect ............................................ 46 6.4.2.1 Protection du ct DC ............................... 47 6.4.2.2 Protection du ct AC ............................... 48
5.3 Installations sans transformateur .................. 41
PARTIE III
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques .. 49 7.1 Disjoncteurs botier moul et disjoncteurs
ouverts ............................................................ 49
7.1.1 Disjoncteurs botier moul T Tmax pour les applications de courant alternatif ........................... 49 7.1.2 Disjoncteurs diffrentiels ....................................... 50
Annexe A Nouvelles technologies de panneaux A.1 Technologies mergentes ................................ 55 A.2 Photovoltaque concentration........................ 56 A.3 Photovoltaque avec panneaux cylindriques ..... 56 Annexe B Autres sources d'nergie renouvelables B.1 Introduction.................................................... 57 B.2 nergie olienne ............................................. 57 B.3 nergie de la biomasse .................................. 57 B.4 nergie gothermique .................................... 58 B.5 nergie marmotrice et nergie variable.......... 58 B.6 nergie mini-hydrolectrique .......................... 59 B.7 nergie solaire thermique ............................... 59 B.8 nergie solaire thermodynamique ................... 61 B.9 Systmes hybrides ......................................... 63
7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9
Contacteurs .................................................. 50 Interrupteurs-sectionneurs ........................... 50 Disjoncteurs miniatures ................................ 51 Dispositifs de protection contre les surtesions, Type 2 ........................................................... 52 Fusibles sectionneurs et porte-fusibles ....... 52 Tableaux de distribution ............................... 53 Units de consommation murales................ 53 Botes de jonction ........................................ 53
7.10 Bornes de raccordement.............................. 54 7.11 Automates programmables .......................... 54
Introduction
Dans le contexte nergtique et environnemental mondial actuel, l'objectif visant rduire les missions de gaz effet de serre et les substances polluantes (au-del du protocole de Kyoto), en exploitant et en combinant des sources d'nergie alternatives et renouvelables ainsi qu'en rduisant l'utilisation de combustibles fossiles vous l'puisement en raison de leur forte consommation dans de nombreux pays, est devenu capital. Le Soleil constitue naturellement une source d'nergie renouvelable offrant un grand potentiel et pouvant tre utilise tout en respectant l'environnement. chaque instant, la surface de l'hmisphre terrestre expose au Soleil reoit une nergie suprieure 50 000 TW par consquent, la quantit d'nergie solaire atteignant la surface de la Terre est considrable, quivalant prs de 10 000 fois l'nergie utilise dans le monde entier. Parmi les diffrents systmes utilisant des sources d'nergie renouvelables, le photovoltaque s'avre prometteur en raison de ses qualits intrinsques: ses frais de fonctionnement sont trs rduits (le combustible est gratuit), ses exigences d'entretien sont limites, il est fiable, silencieux et relativement facile installer. De plus, dans certaines applications autonomes, le photovoltaque est trs pratique compar d'autres sources d'nergie, en particulier dans les endroits difficiles d'accs et peu rentables pour l'installation de lignes lectriques traditionnelles. En France, la croissance du photovoltaque est lie la politique de tarif de rachat. Ce mcanisme visant a financer le secteur PV en rmunrant, par des mesures d'incitation mises en place par ltat, l'nergie lectrique produite par les installations raccordes au rseau. Ce document technique a pour but d'analyser les problmes et les concepts de base rencontrs lors de la mise en place d'une installation photovoltaque. Partant d'une description gnrale des modalits d'exploitation de l'nergie solaire par des installations PV, il expose brivement les mthodes de raccordement au rseau et de protection contre les surintensits, les surtensions et le contact, afin de bien choisir les dispositifs de commande et de protection des diffrents composants des installations. Ce document technique est divis en trois parties : la premire partie, qui est plus gnrale et comprend les trois premiers chapitres, dcrit le principe de fonctionnement des installations PV, leur typologie, les principaux composants, les mthodes d'installation et les diffrentes configurations. Elle propose par ailleurs une analyse de la production d'nergie d'une installation et illustre la manire dont celle-ci varie en fonction de quantits dtermines. La seconde partie (comprenant les chapitres quatre a huit) traite des mthodes de raccordement au rseau et des systmes de protection puis fournit une description du systme de tarif de rachat ainsi qu'une analyse conomique simple de l'investissement requis pour la mise en place d'une installation PV, en faisant notamment rfrence a la situation Franaise et aux normes, rsolutions et dcrets en vigueur au moment de l'laboration de ce document technique. Enfin, la troisime partie (comprenant le chapitre 9) dcrit les solutions proposes par ABB pour les applications photovoltaques.
Introduction
Deux annexes viennent complter ce document technique et proposent : une description des nouvelles technologies de panneaux solaires et de la mthode de concentration solaire permettant d'augmenter le rayonnement solaire sur les panneaux; une description des autres nergies renouvelables, une analyse de la situation italienne en matire d'nergie.
4 Installations photovoltaques
PARTIE I
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1.1 Principe de fonctionnement
Une installation photovoltaque (PV) transforme directement et instantanment l'nergie solaire en nergie lectrique sans utiliser de combustible. En fait, la technologie photovoltaque (PV) exploite l'effet photolectrique, par lequel des semiconducteurs correctement dops gnrent de l'lectricit lorsqu'ils sont exposs au rayonnement solaire. Les principaux avantages des installations photovoltaques (PV) peuvent tre rsums comme suit : rpartition de la gnration si ncessaire ; absence d'mission de substances polluantes ; conomie de combustibles fossiles ; fiabilit car les installations ne comportent pas de pices mobiles (vie utile gnralement suprieure 20 ans) ; rduction des cots de fonctionnement et d'entretien ; modularit du systme (pour accrotre l'nergie produite par l'installation, il suffit d'augmenter le nombre de panneaux) en fonction des besoins rels des utilisateurs. Cependant, le cot initial du dveloppement d'une installation PV est relativement lev car le march n'a pas encore atteint sa pleine maturit du point de vue technique et conomique. De plus, la gnration d'nergie est imprvisible en raison de la variabilit de la source d'nergie solaire. La production annuelle d'nergie lectrique d'une installation PV dpend de diffrents facteurs. Notamment : rayonnement solaire incident sur le site de l'installation ; inclinaison et orientation des panneaux ; prsence ou absence d'ombrage ; performances techniques des composants de l'installation (principalement les modules et les onduleurs). Les principales applications des installations PV sont les suivantes : 1. installations (avec systmes de stockage) pour les utilisateurs isols du rseau ; 2. installations pour les utilisateurs raccords au rseau BT ; 3. centrales PV gnralement raccordes au rseau MT. Les mesures d'incitation telles que le tarif de rachat concernent uniquement les applications de type 2 et 3, savoir des installations dont la puissance assigne est suprieure ou gale 1 kW. Une installation PV est essentiellement constitue d'un gnrateur (panneaux PV), d'un cadre de support pour monter les panneaux au sol, sur un btiment ou sur une structure de btiment, d'un systme de contrle de l'nergie et de climatisation, d'un ventuel systme de stockage de l'nergie, de tableaux de distribution lectriques et d'appareils de commutation abritant l'quipement de commutation et de protection et de cbles de raccordement.
1.2 nergie solaire

Des ractions de fusion thermonuclaire se produisent sans cesse dans le noyau du Soleil des millions de degrs ; elles librent des quantits d'nergie considrables sous forme de rayonnements lectromagntiques. Une partie de cette nergie atteint l'espace extra-atmosphrique de la Terre avec une irradiance moyenne (constante solaire) d'environ 1,367 W/m2 3%, valeur qui varie en fonction de la distance TerreSoleil (Figure 1.1)1 et de l'activit solaire (taches solaires).
Figure 1.1 - Rayonnement extra-atmosphrique W/m2 1400 1380 1360 1340 1320 1300 J F M A M J J Mois A S O N D
Par irradiance solaire, nous faisons rfrence l'intensit du rayonnement lectromagntique incident sur une surface de 1 mtre carr [kW/m2]. Cette intensit est gale l'intgrale de l'nergie associe chaque valeur de frquence du spectre de rayonnement solaire. Lorsqu'il traverse l'atmosphre, le rayonnement solaire perd de son intensit car il est partiellement rflchi et absorb (principalement par la vapeur d'eau et par d'autres gaz atmosphriques). Le rayonnement qui traverse est en partie diffus par l'air et par les particules solides en suspension dans l'air (Figure 1.2).
Figure 1.2 - Flux d'nergie entre le soleil, l'atmosphre et le sol 25% rflchis par l'atmosphre
18% diffuss par l'atmosphre 5% rflchis par le sol 5% absorbs par l'atmosphre
27% absorbs par la surface du sol
En raison de son orbite elliptique, la Terre est une distance minimale du Soleil (prihlie) en dcembre et en janvier et une distance maximale (aphlie) en juin et juillet.
Par ensoleillement, nous faisons rfrence l'intgrale de l'irradiance solaire sur une priode donne [kWh/m2]. Par consquent, le rayonnement tombant sur une surface horizontale est constitu d'un rayonnement direct, associ l'irradiance directe sur la surface, d'un rayonnement diffus qui frappe la surface depuis l'ensemble du ciel et non depuis une partie spcifique de celui-ci et d'un rayonnement rflchi sur une surface donne par le sol et l'environnement (Figure 1.3). En hiver, le ciel est couvert et le composant diffus est donc suprieur au composant direct.
Figure 1.3 - Composants du rayonnement solaire
Le rayonnement rflchi dpend de la capacit d'une surface rflchir le rayonnement solaire. Il est mesur par le coefficient albdo calcul pour chaque matriau (Figure 1.4).
Figure 1.4 - Rayonnement rflchi
Type de surface Routes sales Surfaces aqueuses Fort de conifres en hiver Asphalte us Toits et terrasses en bitume Terre (argile, marne) Herbe sche Gravats Bton us Fort en automne/champs Herbe verte Surfaces fonces de btiments Feuilles mortes Surfaces claires de btiments Neige frache
albdo 0.04 0.07 0.07 0.10 0.13 0.14 0.20 0.20 0.22 0.26 0.26 0.27 0.30 0.60 0.75
constante solaire Rduction du rayonnement solaire
Direct Rflchi
Diffus
Figure 1.5 - Atlas solaire
La Figure 1.5 montre l'atlas mondial de l'irradiance solaire moyenne sur un plan inclin 30 Sud [kWh/m2/jour]
1 kWh/m2
2 kWh/m2
3 kWh/m2
4 kWh/m2
5 kWh/m2
6 kWh/m2
7 kWh/m2
En France, l'irradiance annuelle moyenne varie de 3 kWh/ m2 par jour la frontire Belge un peu plus de 4 kWh/ m par jour au sud de Lyon. Elle peut atteindre 5.2 kWh/ m2 par jour dans le Var (Figure 1.6). Par consquent, dans les rgions favorables, il est posFigure 1.6 - Ensoleillement quotidien global en kWh/m2
sible d'obtenir pratiquement 2 MWh (5.2 * 365) par an a partir de chaque mtre carr, soit l'quivalent nergtique de 1.5 baril de ptrole par mtre carr. Le reste de la France varie de 1450 kWh/m2 a plus de 1700 kwh/m pour le quart sud est avec une moyenne 1300 kWh/m2 pour le reste du territoire.
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV) 7
1.3 Principaux
composants d'une installation photovoltaque
1.3.1 Gnrateur photovoltaque

Le principal composant d'un gnrateur PV est la cellule photovoltaque, dans laquelle se produit la conversion du rayonnement solaire en courant lectrique. La cellule est constitue d'une fine couche de matriau semi-conducteur, gnralement du silicium trait adquatement, d'une paisseur d'environ 0,3mm et d'une surface de 100 225cm2. Le silicium, qui comprend quatre lectrons de valence (ttravalent), est dop en ajoutant des atomes trivalents (par ex. bore - dopage P) sur une couche et de grandes quantits d'atomes pentavalents (par ex. phosphore - dopage N) sur l'autre. La rgion de type P prsente un excs de trous, tandis que la rgion de type N a un excs d'lectrons (Figure 1.7).
Figure 1.7 - La cellule photovoltaque
Silicium dop
Si
Trou
Si
Si
lectron libre
Dans la zone de contact entre les deux couches diffremment dopes (jonction P-N), les lectrons ont tendance se dplacer de la moiti riche de l'lectron (N) la moiti pauvre de l'lectron (P), gnrant par consquent une accumulation de charge ngative dans la rgion P. Un double phnomne se produit pour les trous d'lectron, avec une accumulation de charge positive dans la rgion N. Un champ lectrique se cre donc autour de la jonction, empchant la diffusion des charges lectriques. En appliquant une tension de l'extrieur, la jonction permet au courant de circuler dans un seul sens (fonctionnement d'une diode). Lorsque la cellule est expose la lumire, en raison de l'effet photovoltaque2, des couples lectron-trou se forment dans la rgion N ainsi que dans la rgion P. Le champ lectrique interne permet aux lectrons en excs (provenant de l'absorption des photons par une partie du matriau) d'tre spars des trous et les pousse dans des directions opposes les uns par rapport aux autres. Par consquent, une fois que les lectrons ont pass la rgion d'appauvrissement, ils ne peuvent pas revenir en arrire car le champ les empche de circuler dans le sens inverse. En raccordant la jonction un conducteur externe, il est possible d'obtenir un circuit ferm dans lequel le courant circule de la couche P, avec un potentiel suprieur, la couche N, avec un potentiel infrieur, tant que la cellule est claire (Figure 1.8).
Figure 1.8 - Fonctionnement d'une cellule photovoltaque
B
Atome de BORE
Si
P
Atome de PHOSPHORE Rayonnement lumineux
Charge
Si
Si
Si
Courant lectrique
Rgion d'appauvrissement Jonction

Photons Flux des lectrons
Silicium de type N Jonction P-N Silicium de type P
+5 +5 +5 +5 +5 +5
+5 +5 +5 +5 +5 +5
+5 +5 +5 +5 +5 +5
+3 +3 +3 +3 +3 +3
+3 +3 +3 +3 +3 +3
+3 +3 +3 +3 +3 +3
2
Flux des trous
L'effet photovoltaque se produit lorsqu'un lectron se trouvant dans la bande de valence d'un matriau (gnralement un semi-conducteur) passe dans la bande de conduction en raison de l'absorption d'un photon incident suffisamment nergtique (quantum de rayonnement lectromagntique) sur le matriau. De fait, dans les matriaux semiconducteurs, l'instar des matriaux isolants, les lectrons de valence ne peuvent pas se dplacer librement. Toutefois, par rapport aux matriaux isolants, l'cart nergtique entre la bande de valence et la bande de conduction (typique des matriaux conducteurs) est rduit, de sorte que les lectrons peuvent facilement se dplacer vers la bande de conduction lorsqu'ils reoivent de l'nergie de l'extrieur. Cette nergie peut tre fournie par le rayonnement lumineux, d'o l'effet photovoltaque.
La partie du silicium contribuant fournir le courant est la zone entourant la jonction P-N ; les charges lectriques se forment dans les zones loignes, mais le champ lectrique ne peut pas les dplacer et par consquent elles se recombinent. Il est donc important que la cellule PV ait une grande surface : plus la surface est grande, plus le courant gnr est important. La Figure 1.9 reprsente l'effet photovoltaque et le bilan nergtique montrant le pourcentage considrable d'nergie solaire incidente non convertie en nergie lectrique.
Figure 1.9 - Effet photovoltaque
Des modules photovoltaques constitus d'un assemblage de cellules sont disponibles sur le march. Les plus communs comprennent 36 cellules disposes en 4 ranges parallles raccordes en srie, avec une surface allant de 0.5 1m2. Plusieurs modules raccords mcaniquement et lectriquement forment un panneau, autrement dit une structure commune qui peut tre monte au sol ou un btiment (Figure 1.10).
Figure 1.10
Gnralits sur les installations photovoltaques (PV
1 Sparation de la charge 2 Recombinaison 3 Transmission 4 Rflexion et ombrage des contacts frontaux
lectrode ngative Couche N
Plusieurs panneaux raccords lectriquement en srie constituent une range et plusieurs ranges raccordes lectriquement en parallle pour gnrer l'nergie requise constituent le gnrateur ou champ photovoltaque (Figures 1.11 et 1.12).
Figure 1.11
2 Contact positif 3 1
Rgion P-N Couche P

Cellule Module
assemblage de plusieurs modules en une structure unique
Panneau
Range
assemblage de panneaux raccords en srie
100% de l'nergie solaire incidente - 3% de pertes par rflexion et ombrage des contacts frontaux - 23% de photons ayant une grande longueur d'onde et une nergie insuffisante pour librer les lectrons ; gnration de chaleur - 32% de photons ayant une courte longueur d'onde et un excdent d'nergie (transmission) - 8.5% de recombinaison des porteurs de charge libres - 20% de gradient lectrique dans la cellule, surtout dans les rgions de transition - 0.5% de rsistance en srie, reprsentant les pertes par conduction = 13% d'nergie lectrique utilisable Dans des conditions d'utilisation standards (irradiance de 1W/m2 une temprature de 25C), une cellule PV gnre un courant d'environ 3A avec une tension de 0.5V et une puissance crte de 1.5-1.7Wp.
Gnrateur photovoltaque
assemblage de ranges raccordes en parallle pour obtenir l'nergie requise
Figure 1.12
Les cellules PV des modules ne sont pas exactement identiques en raison des carts de fabrication invitables ; par consquent, deux blocs de cellules raccords en parallle peuvent avoir des tensions diffrentes. Un courant circule alors du bloc de cellules ayant une tension suprieure au bloc de cellules ayant une tension infrieure. Une partie de l'nergie gnre par le module est donc perdue dans le module lui-mme (pertes par dissipation). L'ingalit des cellules peut galement tre dfinie par une irradiance solaire diffrente, par exemple lorsque certaines cellules sont ombrages ou dtriores. Ces cellules se comportent comme une diode, bloquant le courant gnr par les autres cellules. Cette diode est soumise la tension des autres cellules, ce qui entrane la perforation de la jonction ainsi qu'une surchauffe locale et des dommages sur le module. Afin de limiter ce phnomne, les modules sont quips de diodes by-pass court-circuitant la partie ombrage ou endommage du module. Le phnomne de dissipation se produit galement entre les ranges du champ photovoltaque, en raison de l'ingalit des modules, de la diffrence d'irradiance des ranges, des ombrages et des dfauts d'une range. Pour viter la circulation de courant inverse dans les ranges, il est possible d'insrer des diodes. Les cellules formant le module sont encapsules dans un systme d'assemblage qui : isole lectriquement les cellules de l'extrieur ; protge les cellules contre les agents atmosphriques et les contraintes mcaniques ; rsiste aux rayons ultraviolets, aux basses tempratures, aux variations soudaines de temprature et l'abrasion ; vacue facilement la chaleur afin d'viter que la hausse de temprature ne rduise l'nergie fournie par le module. Ces proprits doivent tre conserves pendant toute la dure de vie du module. La Figure 1.13 montre la vue en coupe d'un module standard en silicium cristallin comprenant : une couche de protection sur le ct suprieur expos la lumire, caractrise par une grande transparence (le matriau le plus utilis est le verre tremp) ;
un matriau d'encapsulation afin d'viter le contact direct entre le verre et la cellule, d'liminer les interstices dus aux imperfections de la surface des cellules et d'isoler lectriquement la cellule du reste du panneau ; dans les processus o la phase de laminage est requise, l'thylne-actate de vinyle (EVA) est souvent utilis ; un substrat de support (verre, mtal, plastique) l'arrire ; un cadre mtallique, gnralement en aluminium.
Figure 1.13
Cadre d'aluminium
Verre Sous-couche de support EVA
Cellules
Dans les modules en silicium cristallin, des contacts mtalliques souds aprs la construction des cellules sont utiliss pour raccorder les cellules ; dans les modules couche mince, le raccordement lectrique entre dans le processus de fabrication des cellules et est assur par une couche d'oxydes mtalliques transparents, tels que l'oxyde de zinc ou l'oxyde d'tain.
1.3.2 Onduleur
Le systme de conditionnement d'nergie et de contrle est constitu d'un onduleur convertissant le courant continu en courant alternatif et contrlant la qualit de la puissance de sortie fournie au rseau au moyen d'un filtre LC situ l'intrieur de l'onduleur. La Figure 1.14 montre le schma de principe d'un onduleur. Les transistors, utiliss comme commutateurs statiques, sont contrls par un signal d'ouverture-fermeture qui se traduit en mode simple par une forme d'onde de sortie carre.
Figure 1.14 Schma de principe d'un onduleur monophas
L'nergie fournie par un gnrateur PV dpend de son point de fonctionnement. Afin de maximiser la production d'nergie de l'installation, le gnrateur doit s'adapter la charge, afin que le point de fonctionnement corresponde toujours au Maximum Power Point (MPP). cette fin, un hacheur contrl appel Maximum Power Point Tracker (MPPT) est utilis l'intrieur de l'onduleur. Le MPPT calcule rgulirement la paire de valeurs courant-tension du gnrateur laquelle la puissance maximale disponible est produite. partir de la courbe I-V du gnrateur PV :
Maximum Power Point (MPP) d'un gnrateur photovoltaque I
Maximum Power Point
N
V . I = const
Pour obtenir une forme d'onde aussi sinusodale que possible, une technique plus sophistique, la modulation de largeur d'impulsions (MLI), est utilise ; la technique MLI permet d'obtenir une rgulation de la frquence ainsi que de la valeur r.m.s de la forme d'onde de sortie (Figure 1.15).
Figure 1.15 Principe de fonctionnement de la technologie MLI
8 6
Vtr
Vsin 4 Tension (V)

2 0 -2 -4 -6 -8 0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014
Le point maximum de transfert de puissance correspond au point de tangence entre la caractristique I-V d'une valeur donne de rayonnement solaire et l'hyperbole de l'quation V . I = const. Les systmes MPPT disponibles dans le commerce identifient le Maximum Power Point (MPP) sur la courbe de caractristique du gnrateur en provoquant, intervalles rguliers, de lgres variations de charges qui se traduisent par des carts des valeurs courant-tension et en valuant si la valeur I-V du nouveau produit est suprieure ou infrieure la prcdente. En cas de hausse, les conditions de charge continuent de varier dans le sens en question. Dans le cas contraire, les conditions sont modifies dans le sens oppos. En raison des caractristiques de performances requises, les onduleurs des installations autonomes et des installations raccordes au rseau doivent prsenter des caractristiques diffrentes : dans les installations autonomes, les onduleurs doivent tre capables de fournir une tension ct AC aussi constante que possible lors de la variation de la production du gnrateur et de la demande de charge ; dans les installations raccordes au rseau, les onduleurs doivent reproduire le plus fidlement possible la tension du rseau et en mme temps tenter d'optimiser et de maximiser la production d'nergie des panneaux PV.
temps (s)
m = Vsin / Vtr <1
11
1.4 Types de panneaux photovoltaques

1.4.1 Panneaux en silicium cristallin
l'heure actuelle, les panneaux en silicium cristallin sont les plus utiliss et sont diviss en deux catgories : silicium monocristallin (Figure 1.16), les panneaux monocristallins sont composs de cristaux de silicium de grande puret. Le lingot de silicium monocristallin a une forme cylindrique, un diamtre de 13-20 cm et une longueur de 200 cm, et est obtenu par la croissance d'un cristal filiforme en lente rotation. Ce cylindre est ensuite coup en plaquettes de 200-500 m d'paisseur et la surface est traite pour obtenir des microrainures visant minimiser les pertes par rflexion. Le principal avantage de ces cellules est leur efficacit (14 17%), leur longue dure de vie et la conservation des caractristiques avec le temps3. Le cot de ces modules est d'environ 3.2 3.5 /W et les panneaux labors avec cette technologie sont gnralement caractriss par une couleur bleu fonc4.
panneaux en silicium polycristallin (Figure 1.17), o les cristaux constituant les cellules s'agrgent en prenant diffrentes formes et sens. En fait, les irisations typiques des cellules en silicium polycristallin sont causes par les diffrents sens des cristaux et donc par le comportement diffrent par rapport la lumire. Le lingot de silicium polycristallin est obtenu en faisant fondre et en coulant le silicium dans un moule en forme de paralllpipde. Les plaquettes ainsi obtenues ont une forme carre et des stries caractristiques de 180-300 m d'paisseur. L'efficacit est infrieure celle du silicium monocristallin (12 14%), toutefois le cot est plus avantageux, de 2.8 3.3 /W. La dure de vie est leve (comparable celle du silicium monocristallin) de mme que la conservation des performances avec le temps (85% de l'efficacit initiale aprs 20 ans). Les cellules labores partir de cette technologie peuvent tre reconnues leur surface prsentant des grains de cristaux assez visibles.
Figure 1.16 Panneau en silicium monocristallin
Figure 1.17 Panneau en silicium polycristallin
Certains fabricants garantissent les panneaux pendant 20 ans avec une perte maximale d'efficacit de 10% par rapport la valeur nominale. La couleur bleu fonc est due au revtement antireflet en oxyde de titane visant amliorer l'absorption du rayonnement solaire.
3 4
Le march est actuellement domin par la technologie de silicium cristallin, qui reprsente environ 90% des panneaux. Cette technologie est mature en termes d'efficacit disponible et de cots de fabrication et elle continuera probablement dominer le march court et moyen terme. Seules quelques lgres amliorations sont attendues en termes d'efficacit (les nouveaux produits industriels dclarent une efficacit de 18%, avec une valeur en laboratoire de 24.7%, qui est considre comme quasiment imbattable) de mme qu'une ventuelle rduction des cots lie d'une part l'introduction dans les processus industriels de plaquettes plus grandes et plus fines et d'autre part aux conomies d'chelle. Par ailleurs, l'industrie PV employant cette technologie utilise le surplus de silicium de l'industrie lectronique. Toutefois, en raison du dveloppement constant de cette dernire et de la croissance exponentielle de la production PV un taux moyen de 40% au cours des six dernires annes, la disponibilit sur le march des matires premires utilises dans le secteur photovoltaque devient de plus en plus limite.
1.4.2 Panneaux couche mince

Les cellules couche mince sont composes de matriau semi-conducteur dpos, gnralement sous forme de mlanges gazeux, sur des supports tels que le verre, les polymres, l'aluminium, qui donnent une cohrence physique au mlange. La couche mince de semi-conducteur a quelques m d'paisseur par rapport aux cellules en silicium cristallin qui en comptent des centaines. Par consquent, l'conomie de matriau est remarquable et la possibilit d'avoir un support flexible augmente le champ d'application des cellules couche mince (Figure 1.18). Les matriaux utiliss sont les suivants :
Figure 1.18 Module couche mince
silicium amorphe ; CdTeS (Tellure de cadmium-Sulfure de cadmium) ; GaAs (Arsniure de gallium) ; CIS, CIGS et CIGSS (Alliages de cuivre iridium dislniure). Le silicium amorphe (symbole a-Si) dpos sous forme de couche mince sur un support (par ex. aluminium) permet d'avoir une technologie PV un cot rduit par rapport au silicium cristallin, toutefois l'efficacit de ces cellules a tendance diminuer au fil du temps. Le silicium amorphe peut galement tre vaporis sur une couche mince de plastique ou de matriau flexible. Il est surtout utilis lorsqu'il est ncessaire de rduire au maximum le poids du panneau et de l'adapter des surfaces courbes. L'efficacit de l'a-Si (5% 6%) est trs faible en raison des nombreuses rsistances rencontres par les lectrons qui circulent. Les performances des cellules ont galement tendance diminuer dans le temps. Une application intressante de cette technologie est le tandem, combinant une couche de silicium amorphe une ou plusieurs couches de silicium cristallin multi-jonctions; grce la sparation du spectre solaire, chaque jonction monte en srie donne son meilleur rendement et garantit des niveaux suprieurs en termes d'efficacit et d'endurance. Les cellules solaires CdTeS sont composes d'une couche P (CdTe) et d'une couche N (CdS) qui forment une jonction P-N. Les cellules en CdTeS ont une plus grande efficacit que les cellules en silicium amorphe: 10% 11% pour les produits industriels (15.8% dans les laboratoires d'essais). La production grande chelle de la technologie CdTeS pose un problme environnemental en raison du
Figure 1.19 Structures des cellules couche mince base de CdTe-CdS Verre calcium-sodium Oxyde d'indium-tain (ITO 400nm) Couche tampon 100-200nm Sulfure de cadmium (CdS 60nm)
Tellure de cadmium (CdTe 6nm)
Tellurure d'antimoine (Sb2 Te3 200nm) Molybdne (Mo 200nm)
13
CdTe contenu dans la cellule: tant donn qu'il n'est pas soluble dans l'eau et qu'il est plus stable que d'autres composs contenant du cadmium, il peut s'avrer problmatique s'il n'est pas correctement recycl ou utilis (Figure 1.19). Le cot unitaire de ces modules varie de 1.5 2.2 /W. Actuellement, la technologie GaAs est la plus intressante du point de vue de l'efficacit, qui est suprieure 25 30%. Cependant, la production de ces cellules est limite par le cot lev et la raret du matriau, principalement utilis dans les semi-conducteurs grande vitesse et l'industrie optolectronique. En fait, la technologie GaAs est essentiellement employe dans les applications spatiales o la rduction du poids et des dimensions joue un rle cl. Les modules CIS/CIGS/CIGSS correspondent une technologie qui est encore l'tude et en cours de dveloppement. Le silicium est remplac par des alliages spciaux tels que : cuivre, indium et slnite (CIS) ; cuivre, indium, gallium et slnite (CIGS) ; cuivre, indium, gallium, slnite et soufre (CIGSS). L'efficacit est actuellement de 10 11% et les performances restent constantes au fil du temps ; concernant le silicium monocristallin et polycristallin, une rduction du cot de production est prvue, tant aujourd'hui d'environ 2.2-2.5 /W. La part de march des technologies couche mince est encore trs limite (7%), toutefois des solutions offrant des capacits suprieures moyen et long terme sont envisages afin de rduire considrablement les prix. En dposant directement la couche mince grande chelle, autrement dit sur plus de 5 m2, les chutes inhrentes l'opration de dcoupage de plaquettes en silicium cristallin partir du lingot initial sont vites. Les techniques de dpt sont des processus faible consommation d'nergie, par consquent le dlai d'amortissement est
5
court, correspondant uniquement la priode durant laquelle une installation PV doit fonctionner avant que l'nergie utilise pour la construire ait t gnre (environ 1 an pour les couches minces de silicium amorphe contre 2 ans pour le silicium cristallin). Compars aux modules en silicium cristallin, les modules couche mince montrent une dpendance moindre entre l'efficacit et la temprature d'utilisation et une bonne rponse mme lorsque le composant diffus est plus marqu et que les niveaux de rayonnement sont bas, notamment les jours nuageux.
Tableau 1.1 Silicium monocristallin cellule 14% - 17% lev constant Avantages nergie suprieure Silicium polycristallin 12% - 14% cot infrieur production plus simple Couche mince (silicium amorphe) 4-6% mono 7-10% tandem cot infrieur influence rduite de la temprature
rendement nergtique dimensions suprieur avec globales optimales rayonnement diffus
nergie suprieure sensibilit aux dimensions suprieures quantit ncessaire impurets dans cot de la structure Inconvnients pour la production les processus de et temps de fabrication montage
Tableau 1.2 GaAs (Arsniure de gallium) cellule Avantages 32,5%

grande rsistance des tempratures leves (compatible avec les concentrateurs)
CdTe (Tellure de cadmium) 11% faible cot toxicit disponibilit des matriaux
CIS (Alliages de cuivre iridium slniure) 12% trs constant
toxicit Inconvnients disponibilit des matriaux
toxicit
Selon certaines tudes dans ce domaine, d'ici 2020 la part de march des couches minces pourrait atteindre 30% 40%.
1.5 Types d'installations photovoltaques

1.5.1 Installations autonomes
Les installations autonomes sont des installations non raccordes au rseau, composes de panneaux PV et dont le systme de stockage garantit une nergie lectrique mme en cas de faible clairage ou d'obscurit. tant donn que le courant fourni par le gnrateur PV est du courant DC, si l'installation de l'utilisateur requiert du courant AC, un onduleur est ncessaire. Ces installations sont avantageuses d'un point de vue technique et financier si le rseau lectrique n'est pas prsent ou s'il n'est pas facile d'accs, car elles peuvent remplacer des ensembles moteur-gnrateur. Par ailleurs, dans une configuration autonome, le champ PV est surdimensionn de sorte que, pendant les heures d'ensoleillement, l'alimentation de charge ainsi que la recharge des batteries de stockage puissent tre garanties avec une certaine marge de scurit en tenant compte des jours de faible ensoleillement. l'heure actuelle, les applications les plus communes sont utilises pour alimenter ce qui suit (Figure 1.20) : quipement de pompe eau ; rpteurs radio, stations de transmission de donnes et d'observation mtorologique ou sismique ; systmes de protection contre la foudre ; systmes de signalisation routire, portuaire ou aroportuaire ; services de caravanes et camping-cars ; installations publicitaires ; refuges de haute montagne.
Figure 1.21
Figure 1.20 Abris et clairage public photovoltaques

La Figure 1.21 montre le schma de principe d'une installation PV autonome.
2 4
1 Gnrateur PV 1 2 Tableaux de distribution ct DC 3 Rgulateur de charge 4 Systme de stockage (batterie)
5 6 7
Charges DC possibles Convertisseur statique DC/AC (onduleur) Charges AC Raccordements DC Raccordements AC
15
1.5.2 Installations raccordes au rseau

Les installations raccordes en permanence au rseau utilisent l'nergie du rseau lorsque le gnrateur PV n'est pas en mesure de produire l'nergie ncessaire pour satisfaire les besoins du consommateur. En revanche, si le systme PV produit un excdent d'nergie lectrique, celui-ci est mis sur le rseau, qui agit par consquent comme un grand accumulateur : les systmes raccords au rseau n'ont donc pas besoin de batterie d'accumulateur (Figure 1.22).
Figure 1.23
Rseau BT nergie provenant du rseau nergie introduite sur le rseau
Onduleur
Ces installations (Figure 1.23) offrent l'avantage de

Figure 1.22
fournir une gnration rpartie et non centralise : en effet, la valeur de l'nergie produite prs de la zone de consommation est suprieure celle de l'nergie produite dans les grandes centrales traditionnelles, car les pertes par transmission sont limites et les dpenses lies au transport et aux systmes lectriques de rpartition sont rduites. En outre, la production d'nergie lors des heures d'ensoleillement permet de rduire le recours au rseau pendant la journe, autrement dit lorsque la demande est suprieure. La Figure 1.24 montre le schma de principe d'une installation photovoltaque raccorde au rseau.
Figure 1.24
5 4
3 2
1 Gnrateur PV 1 2 Tableaux de distribution ct DC 3 Convertisseur statique DC/AC (onduleur) 4 Tableau de distribution ct AC 5 Rseau de distribution Raccordements DC Raccordements AC
1.6 Intermittence de la gnration et stockage

de l'nergie produite
L'utilisation du PV grande chelle est freine par une limite technique due l'intermittence incertaine de la production. En effet, le rseau de distribution lectrique national peut accepter une quantit limite de puissance d'entre intermittente, au-del de laquelle de srieux problmes peuvent se poser pour la stabilit du rseau. La limite d'acceptation dpend de la configuration du rseau et de son degr d'interconnexion avec les rseaux contigus. Dans le cas dune puissance leve introduite par intermittence dans le rseau, elle peut tre considr comme dangereuse lorsqu'elle excde un pourcentage significatif de la puissance totale des centrales lectriques traditionnelles. Par consquent, la prsence d'une contrainte due l'intermittence de la gnration d'nergie restreint la possibilit d'apporter une contribution PV significative au bilan nergtique national. Cette observation peut s'appliquer toutes les sources d'nergie renouvelables intermittentes. Afin de contourner cet obstacle, il est ncessaire de stocker suffisamment longtemps l'nergie lectrique intermittente produite pour la mettre sur le rseau de manire plus continue et plus stable. L'nergie lectrique peut tre stocke dans de grandes bobines supraconductrices ou tre transforme en une autre forme d'nergie : nergie cintique dans les volants d'inertie ou les gaz comprims, nergie gravitationnelle dans les bassins d'eau, nergie chimique dans les carburants
de synthse et nergie lectrochimique dans les accumulateurs lectriques (batteries). Lors de la slection technique de ces options en tenant compte de l'exigence de conservation de l'nergie pendant plusieurs jours et/ ou mois, deux systmes de stockage se dtachent : celui utilisant les batteries et celui utilisant l'hydrogne. Grce ces deux technologies de pointe, le stockage lectrochimique semble permettre court et moyen terme de conserver l'nergie pendant des heures voire des jours. Par consquent, s'agissant du photovoltaque appliqu aux petites installations raccordes au rseau, l'introduction d'un sous-systme de stockage consistant en des batteries de petites dimensions peut limiter les inconvnients dus l'intermittence et permettre ainsi de dpasser partiellement la limite d'acceptation du rseau. Concernant le stockage saisonnier de la grande quantit d'nergie lectrique requise pour remplacer le ptrole dans tous les secteurs d'utilisation, l'hydrogne semble tre la technologie la plus adapte sur le long terme car elle tire parti du fait que la productivit lectrique solaire en t est prs de trois fois suprieure la productivit en hiver. L'excdent d'nergie stock en t pourrait tre utilis pour optimiser le facteur de charge annuel des installations de sources d'nergie renouvelables, passant de la valeur actuelle de 1500-1600 heures sans stockage une valeur proche de la moyenne des centrales lectriques conventionnelles (environ 6000 heures). Dans ce cas, l'nergie provenant de la source renouvelable pourrait remplacer l'nergie thermolectrique car la limite d'acceptation du rseau serait retire.
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV) 17
2 Production d'nergie
2.1 Circuit quivalent de la cellule
Une cellule photovoltaque peut tre considre comme un gnrateur de courant et tre reprsente par le circuit quivalent indiqu dans la Figure 2.1. Le courant I au niveau des bornes de sortie est gal au courant gnr par l'effet PV Ig du gnrateur de courant idal, moins le courant de diode Id et le courant de fuite Il. La srie de rsistances Rs reprsente la rsistance interne au flux de courant gnr et dpend de l'paisseur de la jonction P-N, des impurets prsentes et des rsistances de contact. La conductance de fuite Gl tient compte du courant la terre dans des conditions normales d'utilisation. Dans une cellule idale, nous aurions Rs=0 et Gl=0. Cependant, dans une cellule en silicium de grande qualit, nous avons Rs=0.05 0.10 et Gl=3 5mS. L'efficacit de conversion de la cellule PV est considrablement affecte par une lgre variation de Rs, alors qu'elle est nettement moins affecte par une variation de Gl.
Figure 2.1
Par consquent, le courant fourni la charge est obtenu par la formule : K.V I = Ig - Id - II = Ig - ID .
La tension vide Voc se produit lorsque la charge n'absorbe pas de courant (I=0) et est obtenue par le rapport : Voc = II GI
w
Courant [A]
A . k . T -1 - GI . VOC
OC
[2.3]
Dans les cellules traditionnelles, le dernier terme, savoir le courant de fuite la terre Il, est ngligeable par rapport aux deux autres courants. Par consquent, le courant de saturation de la diode peut tre dtermin exprimentalement en appliquant la tension vide Voc une cellule non claire et en mesurant le courant circulant l'intrieur de la cellule.
2.2 Caractristique courant-tension de la cellule

La courbe de la caractristique courant-tension d'une cellule PV est montre dans la Figure 2.2. Dans des conditions de court-circuit, le courant gnr est son maximum (Isc), tandis que lorsque le circuit est ouvert, la tension (Voc=tension du circuit ouvert) est son maximum. Dans les deux conditions susmentionnes, l'nergie lectrique produite dans la cellule est nulle, alors que dans toutes les autres conditions, lorsque la tension augmente, l'nergie produite augmente galement: elle atteint tout d'abord le Maximum Power Point (Pm) puis elle chute soudainement jusqu' approcher la valeur de tension vide.
Figure 2.2
Ig
Rs I
Id
II
Voc GI
4.5
Temp. cellule= 25C Irrad. incid. = 1 000W/m2
ISC
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 5 Im
Pm = Im* Vm 59.9 W
P=I*V
Vm
Le courant de diode est obtenu par la formule classique du courant direct : Q . VOC [2.2] Id = ID . e A . k . T -1
10
15
20
Tension [V]
VOC
25
o : ID est le courant de saturation de la diode ; Q est la charge de l'lectron (1.6 . 10-19 C) ; A est le facteur d'identit de la diode et dpend des facteurs de recombinaison l'intrieur de la diode (pour le silicium cristallin, environ 2) ; J k est la constante de Boltzmann (1.38 . 10-23 ); K T est la temprature absolue en degrs K.
Par consquent, les donnes caractristiques d'une cellule solaire peuvent tre rsumes comme suit : Isc courant de court-circuit ; Voc tension vide ; Pm puissance maximale produite dans des conditions standards (STC) ; Im courant produit au Maximum Power Point ; Vm tension au Maximum Power Point ; FF facteur de remplissage : c'est un paramtre qui dtermine la forme de la courbe de la caractristique V-I et c'est le rapport entre la puissance maximale
et le produit (Voc . Isc ) de la tension vide multiplie par le courant de court-circuit. Si une tension extrieure est applique la cellule PV en sens inverse par rapport au fonctionnement standard, le courant produit reste constant et l'nergie est absorbe par la cellule. Lorsqu'une certaine valeur de tension inverse (tension de rupture) est dpasse, la jonction P-N est perfore, comme cela se produit dans une diode, et le courant atteint une valeur leve endommageant la cellule. En l'absence de lumire, le courant gnr est nul pour la tension inverse jusqu' la tension de rupture. Il y a ensuite un courant de dcharge comme dans des conditions d'ensoleillement (Figure 2.3 partie gauche).
Figure 2.3 Courant [A]
Les courants Ig et Ir, qui proviennent respectivement du gnrateur PV et du rseau, convergent au nud N de la Figure 2.4 et le courant Iu absorb par l'installation du consommateur part du nud : Iu = Ig + Ir
[2.4]
tant donn que le courant de la charge est galement le rapport entre la tension du rseau U et la rsistance de charge Ru : Iu = U Ru
[2.5]
le rapport entre les courants devient : Ir = U Ru - Ig
Courant [A]
[2.6]
Si dans [2.6], nous avons Ig = 0, comme cela se produit pendant les heures nocturnes, le courant absorb du rseau est : Ir =
Tension [V]
U Ru
[2.7]
Vinv
Voc
2.3 Schma de raccordement au rseau

Une installation PV raccorde au rseau et alimentant une installation de consommateur peut tre reprsente de manire simplifie par le schma de la Figure 2.4. Le rseau d'alimentation (dont la puissance de court-circuit est prsume infinie) est schmatis par un gnrateur de tension idal dont la valeur est indpendante des conditions de charge de l'installation du consommateur. Le gnrateur PV est quant lui reprsent par un gnrateur de courant idal (avec un courant constant et un ensoleillement gal) tandis que l'installation du consommateur est reprsente par une rsistance Ru.
Figure 2.4
En revanche, si l'intgralit du courant gnr par l'installation PV est absorbe par l'installation du consommateur, le courant fourni par le rseau doit tre nul et par consquent la formule [2.6] devient : Ig = U Ru
[2.8]
Ig
N Iu
Ir
Lorsque l'ensoleillement augmente, si le courant gnr Ig devient suprieur celui requis par la charge Iu, le courant Ir devient ngatif, autrement dit il n'est plus pris du rseau mais introduit dans celui-ci. En multipliant les termes de [2.4] par la tension du rseau U, les remarques prcdentes peuvent galement s'appliquer aux puissances, en considrant que : U2 Pu = U . Iu = l'nergie absorbe par l'installation de Ru l'utilisateur ; Pg = U . Ig l'nergie gnre par l'installation PV ; Pr = U . Ir l'nergie fournie par le rseau.
Gnrateur PV
U RU
Rseau
19
2.4 Puissance crte nominale
La puissance crte nominale (kWp) est l'nergie lectrique fournie par une installation PV dans des conditions d'essai standards (STC) : 1 kW/m2 ensoleillement perpendiculaire aux panneaux ; 25C temprature dans les cellules ; masse d'air (AM) gale 1.5. La masse d'air influence la production d'nergie PV car elle constitue un indicateur de tendance de la densit spectrale de puissance du rayonnement solaire. De fait, ce dernier a un spectre dot d'une longueur d'onde W/ m2 caractristique qui varie galement en fonction de la densit de l'air. Dans le schma de la Figure 2.5, la surface jaune reprsente le rayonnement perpendiculaire la surface de la Terre absorb par l'atmosphre tandis que la surface bleue reprsente le rayonnement solaire qui atteint rellement la surface de la Terre ; la diffrence entre la tendance des deux courbes donne une indication de la variation du spectre due la masse d'air1.
Figure 2.5
[W/m2]
AM = 1 au niveau de la mer un jour o le ciel est dgag et le soleil au znith (P = Po, sen(h) = 1) ; AM = 2 au niveau de la mer un jour splendide avec le soleil un angle de 30 au-dessus de l'horizon 1 ). (P = Po, sen(h) = 2
Figure 2.6 Limite suprieure de l'atmosphre absorbante AM = AM1 = 0
Densit spectrale de puissance
AM = AM1 = 1
AM h
=1
/se
n(h
Surface de la distance znithale Horizon local
10
Surface de la Terre
0k
2.5 Prvision de production annuelle d'nergie

D'un point de vue nergtique, le principe de conception gnralement adopt pour un gnrateur PV consiste maximiser le captage du rayonnement solaire annuel disponible. Dans certains cas (par ex. installations PV autonomes), le critre de conception peut tre d'optimiser la production d'nergie sur des priodes dfinies de l'anne. La puissance lectrique produite par une installation PV au cours d'une anne dpend avant tout de ce qui suit : disponibilit du rayonnement solaire ; orientation et inclinaison des modules ; efficacit de l'installation PV. Etant donne que le rayonnement solaire est variable dans le temps, afin de dterminer l'nergie lectrique pouvant tre produite par l'installation a un intervalle de temps fixe, le Rayonnement solaire correspondant a cet intervalle est tudi en prsumant que les performances des modules sont proportionnelles a l'ensoleillement. Les valeurs du rayonnement solaire moyen en France peuvent tre dduites de : la norme UNI 10349 : chauffage et refroidissement des btiments. Donnes climatiques ; l'Atlas europen du rayonnement solaire sur la base des donnes enregistres par le CNR-IFA (Institut italien de physique atmosphrique) au cours de la priode 1966-1975. Il comprend des cartes d'iso-rayonnement de l'Italie et du territoire europen sur une surface horizontale ou incline ; la banque de donnes d'ENEA ; depuis 1994, ENEA recueille des donnes sur le rayonnement solaire en Italie grce aux images satellite de Meteosat. Les cartes obtenues jusqu' prsent ont t compiles dans deux publications : une concernant l'anne 1994 et une autre couvrant la priode 1995-1999.
1800 1350 [W/m2] (AM0) 1200 1000 [W/m2] (AM1) 800 Rayonnement visible l'il nu 400
0.3 0.5
1.0
1.5
L'indicateur de masse d'air AM est calcul comme suit : Posen (h) o : P est la pression atmosphrique mesure au point et l'instant considrs [Pa] ; Po est la pression atmosphrique de rfrence au niveau de la mer [1.013 . 105 Pa] ; h est la distance znithale, savoir l'angle d'lvation du Soleil au-dessus de l'horizon local l'instant considr. Valeurs remarquables de l'AM (Figure 2.6) : AM = 0 l'extrieur de l'atmosphre o P = 0 ;
1
2.0 2.5 Longueur d'onde
AM =
P
[2.9]
Les trous dans l'ensoleillement correspondent aux frquences du rayonnement solaire absorb par la vapeur d'eau prsente dans l'atmosphre.
La carte ci-dessous reprsente le nombre dheure densoleillement sur le territoire franais. On constate que la partie Sud-Est du pays, ainsi que la Corse, sont les zones bnficiant du meilleur ensoleillement du territoire Le rayonnement solaire annuel pour un site donne peut varier de 10% d'une source a l'autre, car il drive du traitement statistique des donnes recueillies sur diffrentes priodes ; de plus, ces donnes sont soumises a la variation des conditions mtorologiques d'une anne a l'autre. Par consquent, les valeurs d'ensoleillement ont une signification probabiliste, autrement dit elles reprsentent une valeur attendue et non dfinie. partir du rayonnement annuel moyen Ema, la production d'nergie annuelle attendue Ep pour chaque kWp est calcule l'aide de la formule suivante : Ep = Ema . BOS [kWh/kWp]
[2.10]
variations de temprature, pertes dues l'ingalit des performances, pertes dues l'ombrage et un faible rayonnement solaire, pertes dues la rflexion). Cette efficacit, dans une installation correctement conue et installe, peut varier de 0.75 0.85. Cependant, si nous tenons compte de l'ensoleillement quotidien moyen Emg, la production d'nergie annuelle attendue pour chaque kWp est calcule l'aide de la formule : Ep = Emg . 365 . BOS [kWh/kWp]
[2.11]
o : BOS (Bilan du systme) est l'efficacit globale de tous les composants des installations PV du ct charge des panneaux (onduleur, raccordements, pertes dues aux
Exemple 2.1 Nous souhaitons dterminer la production d'nergie annuelle moyenne d'une installation PV de 3kWp NICE. L'efficacit des composants de l'installation est gale a 0.75. A partir du tableau 2.2, nous obtenons un rayonnement annuel moyen de 1545 kWh/m2. En supposant que nous soyons en dessous des conditions standards de 1 kW/m2, la production annuelle moyenne attendue est gale : Ep = 3 . 1545 . 0.75 = 3476 kWh
Tableau 2.2
Site Paris Metz Lyon Nantes Montpellier Montlimar Marseille Nice Toulon Janvier 27 25 31 31 52 43 52 50 58 Fvrier 43 45 52 52 77 78 67 69 82 Mars 89 81 100 107 120 119 121 114 126 Avril 118 121 136 134 145 157 154 157 164 Mai 155 155 165 154 180 180 192 194 195 Juin 168 161 179 179 205 209 209 208 223 Juillet 165 171 197 182 209 231 219 228 249 Aot 138 144 158 160 178 187 189 193 202 Septembre 101 106 110 119 135 143 139 138 153 Octobre 61 59 69 73 84 94 93 95 101 Novembre 30 29 33 40 59 52 58 55 67 Dcembre 22 20 22 26 48 36 46 44 51 Anne 1117 1117 1252 1257 1490 1529 1539 1545 1670
21
2.6 Inclinaison et orientation des panneaux
L'efficacit maximale d'un panneau solaire serait atteinte si l'angle d'incidence des rayons solaires tait toujours de 90. De fait, l'incidence du rayonnement solaire varie en fonction de la latitude ainsi que de la dclinaison solaire pendant l'anne. tant donn que l'axe de rotation de la Terre est inclin d'environ 23.45 par rapport au plan de l'orbite de la Terre autour du Soleil, une latitude dfinie, la hauteur du Soleil sur l'horizon varie quotidiennement. Le Soleil se trouve un angle d'incidence de 90 par rapport la surface de la Terre (Znith) au niveau de l'quateur lors des quinoxes et le long des tropiques lors des solstices (Figure 2.7).
Figure 2.7
En trouvant l'angle complmentaire de (90-), il est possible d'obtenir l'angle d'inclinaison des panneaux par rapport au plan horizontal (CEI/TS 61836) de manire ce que les panneaux soient touchs perpendiculairement par les rayons du soleil au moment mentionn plus haut2. Cependant, il ne suffit pas de connatre l'angle pour dterminer l'orientation optimale des panneaux. Il est galement ncessaire de considrer la trajectoire du Soleil dans le ciel pendant les diffrentes priodes de l'anne et par consquent l'angle d'inclinaison doit tre calcul en tenant compte de tous les jours de l'anne3 (Figure 2.8). Cela permet d'obtenir un rayonnement total annuel capt par les panneaux (et par consquent la production d'nergie annuelle) suprieur celui obtenu dans la condition d'irradiance prcdente perpendiculaire aux panneaux lors du solstice.
Figure 2.8 diagramme solaire la latitude 45 Nord
11 12
+23
Hauteur du Soleil
N Solstice d't au Tropique du Cancer 21 ou 22 juin

+23 , 45
, 45
quinoxe de printemps 20 ou 21 mars quinoxe d'automne 22 ou 23 septembre Solstice d'hiver au Tropique du Capricorne 22 ou 23 dcembre
10 9 8 7 6 8 7 0 6 8 9 9 10 11 12 10 11 12
*2 1j uin
E S T
O U E S T
*2 1m
*2 1 d ce m
ars
e br
Au-del de la latitude des tropiques, le Soleil ne peut pas atteindre le znith au-dessus de la surface de la Terre, mais il sera son point le plus haut (en fonction de la latitude) lors du solstice d't dans l'hmisphre Nord et du solstice d'hiver dans l'hmisphre Sud. Par consquent, si nous souhaitons incliner les panneaux de manire ce qu'ils puissent tre touchs perpendiculairement par les rayons du soleil midi le jour le plus long de l'anne, il est ncessaire de connatre la hauteur maximale (en degrs) atteinte par le Soleil au-dessus de l'horizon cet instant, en appliquant la formule suivante : = 90 - lat + d
[2.12]
Les panneaux fixes doivent tre orients autant que possible vers le sud dans l'hmisphre nord4 de manire obtenir un meilleur ensoleillement de leur surface midi heure locale et un meilleur ensoleillement quotidien global. L'orientation des panneaux peut tre indique avec l'angle d'azimut5 () de la dviation par rapport la direction optimale vers le sud (pour les installations dans l'hmisphre nord) ou vers le nord (pour les installations dans l'hmisphre sud).
2 Sur les toits deux versants, l'angle d'inclinaison est dtermin par l'inclinaison du toit. 3 En France, l'angle d'inclinaison optimal est d'environ 30. 4 tant donn que l'irradiance solaire est maximale midi, la surface du collecteur doit tre oriente autant que possible vers le sud. Au contraire, dans l'hmisphre sud, l'orientation optimale est videmment vers le nord. 5 En astronomie, l'angle d'azimut est dfini comme l'angle horizontal, mesur du nord (0) vers l'est, du point d'intersection du cercle vertical traversant l'objet.
o : lat est la valeur (en degrs) de la latitude du site d'installation des panneaux ; d est l'angle de dclinaison solaire [23.45]
Une valeur positive de l'angle d'azimut indique une orientation vers l'ouest, tandis qu'une valeur ngative indique une orientation vers l'est (CEI 61194). Concernant les panneaux monts au sol, la combinaison de l'inclinaison et de l'orientation dtermine l'exposition des panneaux (Figure 2.9). En revanche, lorsque les panneaux sont installs sur les toits des btiments, l'exposition est dtermine par l'inclinaison et l'orientation de la pente du toit. De bons rsultats sont obtenus par les collecteurs orients vers le sud-est ou le sud-ouest avec une dviation de 45 maximum (Figure 2.10) par rapport au sud. Des dviations suprieures peuvent tre compenses par un lger largissement de la surface du collecteur.
Figure 2.9
Pour la premire valuation de la capacit de production annuelle de puissance lectrique d'une installation PV, il suffit gnralement d'appliquer au rayonnement annuel moyen sur le plan horizontal (Tableaux 2.2) les coefficients de correction du tableau 2.3.
6
Albdo suppos gal 0.2.
Tableau 2.3 Italie du Nord : latitude 44N Orientation / Inclinaison Est Sud-Est Sud Sud-Ouest Ouest 0 0,93 0,93 0,93 0,93 0,93 30 0,90 0,96 1,00 0,96 0,90 60 0,78 0,88 0,91 0,88 0,78 90 0,55 0,66 0,68 0,66 0,55
SUD
Exemple 2.2 Nous souhaitons dterminer l'nergie annuelle moyenne produite par l'installation PV de l'exemple prcdent, prsent avec une orientation sud-est et une inclinaison de 30. Le Tableau 2.3 nous donne un coefficient croissant gal 0.96. En multipliant ce coefficient par l'nergie attendue sur le plan horizontal de l'exemple prcdent, la capacit de production attendue devient : E = 0.96 . Ep = 0.96 . 3476 3337 kWh
Figure 2.10
-16 0
Nord
-170
+170
+1 30 +1 20 +11 0
+100
0 +16 50 +1 40 +1
+3 0 +20
-15
40
-1 30
-1
-12
0
0
-11
-100
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ouest
+80
+70
0 +6
Est
-80
-70
0 +5
-60 -5 0
-4
+4 0
-30
-20
-10
+10
Sud
Ensoleillement annuel en % 30 40 50 60 70 40 80 90 100
Angle d'inclinaison 10 20 30 40 50 60 70 80 90
O : Exemple : 30C ; 45C sud-ouest ; 95%
Un panneau non-horizontal reoit, en plus du rayonnement direct et diffus, le rayonnement rflchi par la surface qui l'entoure (composant albdo). En rgle gnrale, un coefficient albdo de 0.2 est prsum.
23
2.7 Tensions et courants d'une installation PV
2.8 Variation de la production d'nergie

Les principaux facteurs influenant la production d'nergie lectrique d'une installation PV sont les suivants : irradiance ; temprature des modules ; ombrage.
Courant [A]
Les panneaux PV gnrent GNRALEMENT un courant de 4 12A une tension de 30 60V. Pour obtenir la puissance crte attendue, les panneaux sont raccords lectriquement en srie pour former des strings, qui sont leur tour raccords en parallle. La tendance est de dvelopper des strings constitus du plus grand nombre de panneaux possible, tant donn la complexit et le cot du cblage, en particulier la mise en parallle des tableaux de distribution entre les strings. Le nombre maximum de panneaux pouvant tre raccords en srie (et par consquent la tension maximale accessible) pour former un string est dtermin par la plage d'utilisation des onduleurs (voir Chapitre 3) et par la disponibilit des dispositifs de dconnexion et de protection compatibles avec la tension obtenue. Plus particulirement, la tension de l'onduleur est lie, pour des raisons d'efficacit, sa puissance : en gnral, lors de l'utilisation d'un onduleur d'une puissance infrieure 10 kW, la plage de tension la plus utilise est comprise entre 250 et 750V, alors que si la puissance de l'onduleur dpasse 10 kW, la plage de tension est gnralement de 500 900V.
2.8.1 Irradiance
En fonction de l'irradiance incidente sur les cellules PV, leur courbe de caractristique V-I varie comme indiqu dans la Figure 2.11. Lorsque l'irradiance diminue, la gnration de courant PV diminue proportionnellement, tandis que la variation de la tension vide est trs faible. De fait, l'efficacit de conversion n'est pas influence par la variation de l'irradiance dans la plage d'utilisation standard des cellules. Cela signifie que l'efficacit de conversion est la mme lorsque le ciel est dgag ou nuageux. Par consquent, la rduction de la gnration d'nergie lorsque le ciel est nuageux est lie non pas une baisse de l'efficacit mais une rduction de la gnration de courant due une irradiance solaire infrieure.
Figure 2.11 3.5 1000 W/m2 900 W/m2 3 800 W/m2 700 W/m2 600 W/m2 2.5 500 W/m2
1.5
0.5
0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Tension [V]
2.8.2 Temprature des modules

Contrairement au cas prcdent, en cas de hausse de la temprature des modules, le courant produit reste pratiquement inchang, tandis que la tension diminue et entrane une rduction des performances des panneaux en termes de production d'nergie lectrique (Figure 2.12).
Figure 2.12 3
2.8.3 Ombrage
E = 1000 W/m2
20 40 60
1
80 100
Tension
0 0.2 0.4 0.6
La variation de la tension vide Voc d'un module PV par rapport aux conditions standards Voc,stc, en fonction de la temprature d'utilisation des cellules Tcell, est exprime par la formule suivante (Guide CEI 82-25, II d.) : Voc(T) = Voc,stc - NS . . (25-Tcel)
[2.13]
Compte tenu de la surface occupe par les modules sur une installation PV, certains (une ou plusieurs cellules) peuvent tre ombrags par des arbres, des feuilles mortes, des chemines, des nuages ou des panneaux PV installs proximit. En cas d'ombrage, une cellule PV prsentant une jonction P-N cesse de produire de l'nergie et devient une charge passive. Cette cellule se comporte comme une diode qui bloque le courant produit par les autres cellules raccordes en srie, compromettant toute la production du module. De plus, la diode est soumise la tension des autres cellules, ce qui peut entraner la perforation de la jonction due une surchauffe localise (point chaud) et endommager le module. Afin d'viter qu'une ou plusieurs cellules ombrages ne compromettent la production de l'ensemble d'un string, des diodes court-circuitant la partie ombrage ou endommage du modle sont insres au niveau du module. Par consquent, le fonctionnement du module est garanti mme si l'efficacit est rduite. En thorie, il serait ncessaire de monter une diode by-pass en parallle chaque cellule, toutefois cela s'avrerait trop onreux en termes de rapport cot/bnfice. 2 4 diodes by-pass sont donc gnralement installes sur chaque module (Figure 2.13).
Figure 2.13 Diode by-pass
o : est le coefficient de variation de la tension en fonction de la temprature et dpend du type de module PV (gnralement -2.2 mV/C/cellule pour les modules en silicone cristallin et environ -1.5 -1.8 mV/C/cellule pour les modules couche mince) ; Ns est le nombre de cellules montes en srie dans le module. Par consquent, pour viter une rduction excessive des performances, il convient de contrler la temprature de service en tentant de fournir une bonne ventilation aux panneaux en vue de limiter leur variation de temprature. De cette manire, il est possible de rduire la perte d'nergie due la variation de temprature (par rapport la temprature de 25C dans des conditions standards) une valeur de l'ordre de 7%7.
7
Rayonnement solaire
Ombre
La rduction de l'efficacit en cas d'augmentation de la temprature peut tre estime 0.4 0.6 pour chaque C.
25
3 Mthodes d'installation et configurations

3.1 Intgration architecturale
Tableau 3.1 Typologie spcifique 1 Modules PV installs sur les toits plats et les terrasses de btiments et d'difices. En prsence d'une balustrade, la dimension maximale correspondant l'axe moyen des modules PV ne doit pas excder la hauteur minimale de la balustrade. Typologie spcifique 2 Modules PV installs sur les toits, les couvertures, les faades, les balustrades ou les parapets des btiments et difices coplanaires avec surface de support et sans remplacement des matriaux constituant les surfaces de support. Typologie spcifique 3 Modules PV installs sur les lments de mobilier urbain, les barrires d'insonorisation, les auvents, les tonnelles et les abris coplanaires avec surface de support et sans remplacement des matriaux constituant les surfaces de support.
De grands progrs ont t faits au cours des dernires annes dans l'intgration architecturale des panneaux la structure des btiments grce la fabrication de panneaux dont les dimensions et les caractristiques peuvent entirement remplacer certains composants. Trois types d'intgration architecturale des installations PV peuvent tre dfinis, notamment afin de dterminer le tarif de rachat correspondant (Voir l'arrt NOR : DEVR1106450A du 4 mars 2011 paru au journal officiel du 5 mars 2011) : 1 installations avec une intgration au bti ; 2 installations avec une intgration simplifie au bti ; 3 installations non intgres. Les installations non intgres sont des installations composes de modules monts au sol, autrement dit les modules sont placs sur les lments de mobilier urbain, la surface extrieure des enveloppes de btiment, les btiments et les structures toute fin dont les modalits diffrent de celles des typologies 2) et 3) (Figure 3.1).
Figure 3.1
Les installations avec intgration architecturale sont les installations dans lesquelles les modules sont positionns conformment aux typologies listes dans le Tableau 3.2 et remplacent, totalement ou partiellement, la fonction des lments de construction (soutien, insonorisation, isolation thermique, clairage, ombrage) (Figure 3.3).
Figure 3.3
Tableau 3.2 Typologie spcifique 1 Remplacement des matriaux de revtement des toits, couvertures et faades de btiment par des modules PV ayant la mme inclinaison et la mme fonctionnalit architecturale que la surface recouverte.
Les installations partiellement intgres sont des installations dont les modules sont placs conformment aux typologies listes dans le Tableau 3.1 sur les lments de mobilier urbain, les surfaces extrieures des enveloppes de btiment, les btiments et les structures toute fin sans remplacer les matriaux de construction de ces structures (Figure 3.2).
Figure 3.2
Typologie spcifique 2 Auvents, tonnelles et abris dans lesquels la structure du revtement est constitue de modules PV et de leurs systmes de support. Typologie spcifique 3 Parties du revtement du toit des btiments dans lesquelles les modules PV remplacent le matriau transparent ou semi-transparent permettant l'clairage naturel d'une ou plusieurs pices. Typologie spcifique 4 Barrires acoustiques dans lesquelles une partie des panneaux d'insonorisation est constitue de modules PV. Typologie spcifique 5 lments d'clairage dans lesquels la surface des lments rflchissants expose au rayonnement solaire est constitue de modules PV. Typologie spcifique 6 Brise-soleil dans lesquels les lments structurels sont constitus de modules PV et de leurs systmes de support. Typologie spcifique 7 Balustrades et parapets dans lesquels les lments de revtement et de couverture sont remplacs par des modules PV. Typologie spcifique 8 Fentres dans lesquelles les modules PV remplacent ou intgrent les surfaces vitres des fentres. Typologie spcifique 9 Stores dont les modules PV constituent les lments structurels. Typologie spcifique 10 Toute surface dcrite dans les typologies ci-dessus sur laquelle les modules PV constituent un revtement ou une couverture adhrant la surface.
3.2 Configuration du champ solaire

Le raccordement des strings formant le champ solaire de l'installation PV peut tre ralis en utilisant : un seul onduleur pour toutes les installations (onduleur simple ou central) (Figure 3.4) ; un onduleur pour chaque string (Figure 3.5) ; un onduleur pour plusieurs strings (installations multionduleurs) (Figure 3.6).
3.2.2 Installation avec un onduleur pour chaque string

Dans une installation de taille moyenne, chaque string peut tre directement raccord son propre onduleur et donc fonctionner selon son propre Maximum Power Point. Dans cette configuration, la diode, qui empche la source de circuler dans le sens inverse, est gnralement incluse dans l'onduleur. Ce dernier ralise un diagnostic de la production et assure galement la protection contre les surintensits et les surtensions d'origine atmosphrique du ct DC. De plus, la prsence d'un onduleur sur chaque string limite les problmes de couplage entre les modules et les onduleurs de mme que la rduction des performances cause par l'ombrage ou une exposition diffrente. Par ailleurs, avec plusieurs strings, des modules prsentant diffrentes caractristiques peuvent tre utiliss, augmentant par consquent l'efficacit et la fiabilit de l'ensemble de l'installation.
Figure 3.5 string
module
3.2.1 Installation mono-onduleur

Cette configuration est utilise dans les petites installations avec des modules du mme type ayant la mme exposition. La prsence d'un onduleur unique prsente des avantages conomiques, en rduisant l'investissement initial et les cots d'entretien. Cependant, la dfaillance de l'onduleur peut entraner l'arrt de la production de l'ensemble de l'installation. De plus, cette solution n'est pas trs adapte l'agrandissement (et donc la hausse de la puissance crte) de l'installation PV, car elle augmente les problmes de protection contre les surintensits et ceux lis un ombrage diffrent, autrement dit lorsque l'exposition des panneaux n'est pas la mme dans l'ensemble de l'installation. Le fonctionnement de l'onduleur est rgul par le MPPT1, en tenant compte des paramtres moyens des strings raccords l'onduleur ; par consquent, si tous les strings sont raccords un onduleur unique, l'ombrage ou la dfaillance de tout ou partie des strings entrane une rduction accrue des performances lectriques de l'installation par rapport d'autres configurations.
Figure 3.4
L1 L2 L3 N
string
module
3.2.3 Installation multi-onduleurs

Dans les installations de grande taille, le champ PV est gnralement divis en un plus grand nombre de parties (sous-champs), chacune tant alimente par un onduleur auquel diffrents strings sont raccords en parallle. Par rapport la configuration prcdente, le nombre d'onduleurs est dans ce cas infrieur, entranant une rduction consquente de l'investissement et des cots d'entretien. Cette configuration prsente galement l'avantage de rduire les problmes lis l'ombrage et la diffrence d'exposition des strings mais galement ceux lis l'utilisation de modules diffrents, condition que les strings du sous-champ ayant des modules et une exposition identiques soient raccords au mme onduleur.
Voir Chapitre 1.
module
27
De plus, la dfaillance d'un onduleur n'implique pas la perte de production de l'ensemble de l'installation (comme dans le cas de l'onduleur unique) mais du souschamp correspondant uniquement. Il est recommand de pouvoir dconnecter chaque string sparment, de manire ce que les vrifications de fonctionnement et d'entretien requises puissent tre ralises sans mettre hors service l'ensemble du gnrateur PV. Lors de l'installation en parallle du tableau de distribution du ct DC, il est ncessaire de prvoir l'introduction d'un dispositif de protection contre les surtensions et les courants inverses sur chaque string afin d'viter l'alimentation des strings ombrags ou dfectueux par ceux monts en parallle. La protection contre les surtensions peut tre assure par un disjoncteur thermomagntique ou un fusible, tandis que la protection contre le courant inverse est assure par des diodes3. Dans cette configuration, le diagnostic de l'installation est ralis par un systme de supervision qui vrifie la production des diffrents strings.
Figure 3.6 string
module
3.3 Choix de l'onduleur et interfaage

Le choix de l'onduleur et de sa taille est ralis en tenant compte de la puissance assigne PV prise en charge. La taille de l'onduleur peut tre dtermine par un rapport variant de 0.8 0.9 entre la puissance active mise dans le rseau et la puissance assigne du gnrateur PV. Ce rapport tient compte de la perte de puissance des modules PV dans des conditions relles d'utilisation (temprature d'utilisation, chutes de tension au niveau des raccordements lectriques...) et de l'efficacit de l'onduleur. Il dpend galement des mthodes d'installation des modules (latitude, inclinaison, temprature ambiante...) susceptibles d'entraner une variation de la puissance gnre. C'est pourquoi l'onduleur est fourni avec une limitation automatique de l'nergie fournie afin de contourner les situations dans lesquelles la puissance gnre est suprieure celle gnralement estime. Afin d'obtenir un bon dimensionnement de l'onduleur, les caractristiques suivantes doivent notamment tre considres : Ct DC : - puissance assigne et puissance maximale ; - tension assigne et tension maximale admissible ; - champ de variation de la tension du MPPT dans des conditions d'utilisation standards. Ct AC : - puissance assigne et puissance maximale pouvant tre fournies en continu par le groupe de conversion, ainsi que la plage de temprature ambiante auquel cette puissance peut tre fournie ; - courant assign fourni ; - courant fourni maximum permettant le calcul de la contribution de l'installation PV au courant de court-circuit ; - tension maximale et distorsion du facteur de puissance ; - rendement maximal ; - rendement une charge partielle et 100% de la puissance assigne (selon l' efficacit europenne4 ou le schma d'efficacit5 (Figure 3.7).
module
module
string
L1 L2 L3 N
string
Remarque : l'ouverture du dispositif de dconnexion n'empche pas la prsence d'une tension du ct DC. Les diodes entranent une perte de puissance constante due la chute de tension au niveau de leur jonction. Cette perte peut tre rduite par l'utilisation de composants dots d'une jonction mtal-semi-conducteur ayant une perte de 0.4V (diodes Schottky), au lieu de 0.7V comme les diodes conventionnelles.
4 L'efficacit europenne est calcule en tenant compte des efficacits la charge partielle de l'onduleur l'aide de la formule suivante : euro = 0.03.5% + 0.06.10% + 0.13.20% + 0.10.30% + 0.48.50% + 0.20.100% 5
Ce schma fait apparatre que l'efficacit maximale varie de 40% 80% de la puissance assigne de l'onduleur, ce qui correspond l'intervalle de puissance dans lequel l'onduleur fonctionne la plupart du temps.
Figure 3.7 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 5 10 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 0 5 10
VDC = 190 V200 V VDC = 350 V370 V VDC = 470 V490 V
du string pour une puissance maximale correspondante dans des conditions de rayonnement solaire standards doit tre suprieure la tension d'utilisation minimale du MPPT de l'onduleur ; la tension minimale du MPPT est la tension maintenant la logique de commande active et permettant une livraison de puissance correcte sur le rseau du distributeur. De plus, elle doit tre :
100
Efficacit [%]
20
30
50
Umax UMPPT max
[3.3]
autrement dit, la tension minimale ( -10C), la sortie du string pour une puissance maximale correspondante dans des conditions de rayonnement solaire standards, doit tre infrieure ou gale la tension d'utilisation maximale du MPPT de l'onduleur. La Figure 3.8 montre un schma de couplage entre le champ PV et l'onduleur tenant compte des trois ingalits susmentionnes. Outre la conformit avec les trois conditions susmentionnes concernant la tension, il est ncessaire de vrifier que le courant maximum du gnrateur PV lors de l'utilisation au Maximum Power Point (MPP) est infrieur au courant maximum admis par l'onduleur au niveau de l'entre.
Figure 3.8
Efficacit [%]
20 30 50 Puissance [% de la puissance assigne]
100
De plus, il est ncessaire d'valuer les valeurs assignes de tension et de frquence la sortie et de tension l'entre de l'onduleur. Pour les installations raccordes au rseau public, les valeurs de tension et de frquence la sortie sont imposes par le rseau dans les tolrances dfinies6. Concernant la tension l'entre, les conditions extrmes d'utilisation du gnrateur PV doivent tre values afin de garantir un fonctionnement sr et productif de l'onduleur. Il est tout d'abord ncessaire de vrifier que la tension vide Uoc la sortie des strings, la temprature prospective minimale (-10C), est infrieure la temprature maximale prise en charge par l'onduleur, savoir : Uoc max UMAX
[3.1]
Plage d'utilisation du champ PV

0V U min U max U oc max
0V
U MPPT min
U MPPT max U MAX
Certains modles d'onduleurs prsentent une batterie de condensateurs l'entre ; par consquent, la connexion dans le champ PV peut gnrer un appel de courant gal la somme des courants de court-circuit de tous les strings raccords. Ce courant ne doit pas dclencher les protections internes, le cas chant. Chaque onduleur est caractris par une plage normale de tensions l'entre. tant donn que la tension la sortie des panneaux PV est fonction de la temprature, il est ncessaire de vrifier que dans des conditions d'utilisation prvisibles (de -10C +70C), l'onduleur fonctionne dans la plage de tensions dclare par le fabricant. Par consquent, les deux ingalits [3.2] et [3.3] doivent tre simultanment vrifies : Umin UMPPT min
[3.2]
Plage d'utilisation DC de l'onduleur

Dfaut d'allumage de l'onduleur Possible disfonctionnement en cas de limite basse de la tolrance rseau Opration autorise Blocage de l'onduleur protection contre les surtensions d'entre Possible dommage de l'onduleur
Lgende :
Umin tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV la temprature d'utilisation maximale attendue pour les modules PV sur le site d'installation tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV, correspondant la temprature d'utilisation minimale attendue pour les modules PV sur le site d'installation tension vide du champ PV la temprature d'utilisation minimale attendue pour les modules PV sur le site d'installation
Umax
autrement dit, la tension minimale ( 70C) la sortie

6
Uoc max
Depuis 2008, la tension standard europenne est de 230/400V avec une tolrance de +6% et -10%, tandis que la tolrance pour la frquence est de 0.3 Hz. Concernant le choix de l'onduleur et des autres composants de l'installation PV du ct AC, une valeur de prcaution de 1.2 Uoc pour la tension maximale du string peut tre prsume.
UMPPT min tension d'entre minimale admise par l'onduleur UMPPT max tension d'entre maximale admise par l'onduleur UMAX tension d'entre maximale supporte par l'onduleur
29
Les onduleurs disponibles sur le march ont une puissance assigne de 11 kW maximum pour les modles monophass et jusqu' plusieurs centaines de kW pour les modles triphass. Dans les installations de petite taille jusqu' 6 kW avec un raccordement monophas au rseau BT, un onduleur unique est gnralement install, tandis que dans les installations de plus de 6 kW avec un raccordement triphas au rseau BT ou MT, plusieurs onduleurs sont gnralement installs.
Dans les installations de petite/moyenne taille, la solution privilgie comporte gnralement plusieurs onduleurs monophass rpartis de manire gale sur les trois phases et sur le neutre commun et un seul transformateur pour la sparation du rseau public (Figure 3.9). En revanche, pour les installations de moyenne/grande taille, il convient de privilgier une structure comportant un nombre rduit d'onduleurs triphass auxquels sont raccords plusieurs strings en parallle du ct DC des tableaux de distribution du sous-champ (Figure 3.10).
Figure 3.9
Coffret de distribution
OND 1
Onduleur mont en parallle dans le tableau de distribution basse tension I1
OND 2
I2
OND 3
I3
U V Coffret de distribution W OND 4 I4 N
OND 5
I5
OND 6
I6
Figure 3.10
Coffrets de protections de spring Champ PV Q1-1 String mont en parallle dans le coffret de protection
Vers le tableau de distribution Vers le tableau de distribution Vers le tableau de distribution Vers le tableau de distribution Vers le tableau de distribution Vers le tableau de distribution Q7 - 1 Q6 - 1 Q5 - 1 Q4 - 1 Q3 - 1 Q2 - 1
Coffrets de regroupements Onduleur
String mont en parallle dans le coffret de protection
Q1-2
Onduleur
Vers le coffret de regroupement Vers le coffret de regroupement Vers le coffret de regroupement Vers le coffret de regroupement Vers le coffret de regroupement Vers le coffret de regroupement Q7 - 2 Q6 - 2 Q5 - 2 Q4 - 2 Q3 - 2 Q2 - 2
Onduleur mont en parallle dans le tableau AC distribution
Q1-3
Onduleur
Q1-4
Onduleur
Pour permettre la maintenance des onduleurs PV, des moyens de sectionnement doivent tre prvus par onduleur, tant du ct continu que du ct alternatif. De plus, comme indiqu dans la Figure 3.10, il est recommand d'installer un dispositif de dconnexion
sur chaque string, afin qu'il soit possible d'effectuer les oprations de vrification et d'entretien sur chaque string sans mettre hors service les autres parties de l'installation.
31
3.4 Choix des cbles

Tout dabord, les cbles doivent avoir une tension assigne compatible avec celle de linstallation. C'est-dire que pour la partie courant alternatif, la tension de linstallation ne doit pas excder la tension assigne des cbles. Les cbles utiliss dans la partie courant continue doivent possder une tension assigne suprieur ou gale Uoc MAX. La caractristique Uoc MAX , dfinie la tension maximale du systme. Sa valeur est : Uoc MAX = k x Uoc STC avec k correspondant au facteur de correction en fonction de la temprature ambiante minimale au lieu dinstallation des modules (Tableau 3.4, issu de lUTE C 15-712-1). En labsence dinformation de temprature k = 1,2.
Tableau 3.4 : Facteur de correction k pour les modules mono ou poly cristallins
modules et le string du premier tableau de distribution du sous-champ ou directement l'onduleur ; cbles non solaires qui sont utiliss du ct charge du premier tableau de distribution. Les cbles raccordant les modules sont fixs l'arrire de ces derniers, o la temprature peut atteindre 70 80C. Par consquent, des cbles particuliers sont utiliss, gnralement des cbles unipolaires gaine et isolation en caoutchouc. Pour ceux qui sont soumis directement au rayonnement solaire, il faut quils rpondent de plus la condition dinfluence externe AN2, ce qui assure la rsistance aux rayons UV. Il est cependant possible datteindre cette condition par mise en uvre dcran dinterposition ou lments similaires.
3.4.2 Section et intensit admissible

La section d'un cble doit tre telle que : son intensit admissible Iz ne soit pas infrieure au courant d'emploi Ib ; la chute de tension son extrmit se trouve dans les limites fixes. Dans des conditions d'utilisation ne ncessitant pas de protection pour tous les strings, chaque module fournit un courant proche du courant de court-circuit, de sorte que le courant maximal Ib du circuit du string est suppos au plus gal : [3.4] Ib = 1.25 . ISC STC o Isc STC est le courant de court-circuit dans des conditions d'essai standards et l'augmentation de 25% tient compte des valeurs de rayonnement suprieures 1kW/m2. Lorsque chaque string possde un appareil de protection, le calibre (In) de cet appareil de protection pour valeur minimale : [3.5] I = 1.4 . I
n SC STC
Temprature ambiante minimale (en C) 24 20 19 15 14 10 95 40 -1 -5 -6 -10 -11 -15 -16 -20 -21 -25 -26 -30 -31 -35 -36 -40
Facteur de correction (k) 1,02 1,04 1,06 1,08 1,10 1,12 1,14 1,16 1,18 1,20 1,21 1,23 1,25
3.4.1 Types de cbles

Les cbles des installations PV sont diviss en deux types. Les cbles installs sur la partie tension alternative. Ils se conforment aux rgles applicables sur les installations lectriques communes (en France : NF C15-100, ). Les cbles installs sur la partie tension continue. Ceux-ci possdent des particularits. Les conducteurs du ct DC de l'installation doivent avoir une isolation double ou renforce (classe II) afin de minimiser le risque de dfauts la terre et de courts-circuits (CEI 60364-7-712). Ils doivent tre au minimum de type C2 (non propagateur la flamme). Ils doivent possder en rgime permanant, une temprature minimale sur lme dau moins 90C. Les cbles HO7 RN-F install en poste fixe et R02V sont utilisable jusqu 1500V DC. Les cbles du ct DC sont diviss en : cbles solaires (ou cbles de string) qui raccordent les
8
Dans ce cas, le courant admissible des cbles doit au moins tre gal au courant conventionnel I2. Ce dernier dpend du type dappareil de protection utilis. Il est dfini comme suit : pour les fusibles : I2 = 1,45 x In pour les disjoncteurs : I2 = 1,3 x In Le mode de pose influe galement sur la section et lintensit admissible des cbles. Pour le calcul des cbles de chanes, la temprature prendre en compte pour leur dimensionnement est considre gale 70C et un facteur de correction de 0,58 est appliquer conformment au Tableau 3.4.2 dans les cas suivant : Cbles soumis lchauffement direct des modules ; Cbles soumis au rayonnement solaire. Dans ce cas, le facteur de correction de 0,85 dfini larticle 512-
L'ensemble des cbles et du systme de conduits dans lequel ils sont placs.
2-11 de la NF C 15-100 nest pas prendre en compte ; Cbles cheminant dans des isolants thermiques de toiture ou de faade. Dans ce cas, le facteur de correction de 0,58 doit tre multipli par 0,77, soit 0,45. .
Tableau 3.4 : Facteur de correction k pour les modules mono ou poly cristallins
Temprature ambiante (C) 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Elastomre (caoutchouc) 1,29 1,22 1,15 1,07 0,93 0,82 0,71 0,58
Isolation PVC 1,22 1,17 1,12 1,06 0,94 0,87 0,79 0,71 0,61 0,50 PR / EPR 1,15 1,12 1,08 1,04 0,96 0,91 0,87 0,82 0,76 0,71 0,65 0,58 0,50 0,41
Dans les installations PV il est ncessaire de diffrentier la partie tension continue de la partie tension alternative. Dans le premier cas, la chute de tension maximale autorise est de 3% Impp STC. Dans le second cas, la chute de tension maximale entre les bornes de londuleur et lAGCP est de 3% puissance nominale. Dans le cas o plusieurs circuits sont prsents, cest le circuit possdant la plus forte chute de tension qui est retenu. Le calcul de la chute de tension pour la partie tension continue doit se faire avec la tension de rfrence Umpp STC, le courant Impp STC, la rsistivit du cble correspondant la temprature maximale de lme en service normal (=1,25 x 0).
33
PARTIE II - Contexte italien
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie

4.1 Gnralits
Une installation PV peut tre raccorde en parallle au rseau de distribution public si les conditions suivantes sont respectes (CEI 0-16) : le raccordement parallle ne doit pas nuire la continuit et la qualit du service du rseau public afin de prserver le niveau de service pour les autres utilisateurs raccords ; l'installation de production ne doit pas tre raccorde ou le raccordement en parallle doit immdiatement et automatiquement tre interrompu en cas d'absence d'alimentation du rseau de distribution ou si les valeurs de tension et de frquence du rseau ne sont pas dans la plage des valeurs autorises ; l'installation de production ne doit pas tre raccorde ou le raccordement en parallle doit immdiatement et automatiquement tre interrompu si la valeur seuil du dsquilibre de la puissance gnre par les installations triphases comprenant des gnrateurs monophass n'est pas infrieure la valeur maximale autorise pour les raccordements monophass. Ceci afin d'viter que (CEI 0-16) : en cas de manque de tension dans le rseau, l'utilisateur actif connect puisse alimenter le rseau ; en cas de dfaillance sur la ligne MT, le rseau puisse tre aliment par l'installation PV raccorde celui-ci ; en cas de renclenchement automatique ou manuel des disjoncteurs du rseau de distribution, le gnrateur PV puisse tre hors phase avec la tension du rseau, endommageant probablement le gnrateur. L'installation PV peut tre raccorde au rseau BT, MT ou HT en fonction de la valeur de puissance crte gnre (TICA) : raccordement au rseau BT pour les installations jusqu' 100 kW1 ; raccordement au rseau MT pour les installations jusqu' 6 MW. Plus particulirement, le raccordement de l'installation PV au rseau BT : peut tre monophas pour des puissances jusqu' 6kW ; doit tre triphas pour des puissances suprieures 6 kW et, si les onduleurs sont monophass, la diffrence maximale entre les phases ne doit pas excder 6 kW. Le schma de principe de la configuration du systme de gnration mont en parallle au rseau public est illustr dans la Figure 4.1 (Guide CEI 82-25, II d.).
1
Figure 4.1
Rseau public
quipement de production d'nergie et quipement de mesure
Systme lectrique de l'autoproducteur DG Dispositif principal Partie du rseau non autonome de l'autoproducteur QF
DDI Dispositif d'interface Partie du rseau autonome de l'autoproducteur QF
DDG Dispositif du gnrateur
Systme de gnration PV
Concernant le schma particulier de l'installation PV, la norme (CEI 0-16) permet que le mme dispositif ralise un plus grand nombre de fonctions condition que, entre le gnrateur et le rseau, deux disjoncteurs ou un disjoncteur et un contacteur monts en srie soient prsents. Lors du choix du pouvoir de coupure des dispositifs QF (arrt du flux), il convient de considrer que l'installation de gnration peut contribuer, outre au rseau et au fonctionnement de grands moteurs, au courant de courtcircuit au niveau du point d'installation.
Ces limites peuvent tre dpasses la discrtion de l'autorit de distribution. De plus, s'agissant des installations dj raccordes au rseau, ces limites sont augmentes jusqu'au niveau de puissance dj disponible pour le retrait.
4.2 Montage en parallle au rseau BT
En analysant la Figure 4.1, nous pouvons remarquer que trois dispositifs de commutation sont interposs entre l'installation de production de l'utilisateur et le rseau public (Guide CEI 82-25, II d.) : dispositif principal, il spare l'installation de l'utilisateur du rseau public ; il se dclenche en cas de dfaillance de l'installation PV ou, si cette dernire est facturation nette, en raison d'une dfaillance du systme PV ou de l'installation de l'utilisateur ; il consiste en un disjoncteur permettant la dconnexion en cas de surintensit et le dclenchement de toutes les phases et du neutre ; dispositif d'interface, il spare l'installation de gnration du rseau non autonome de l'utilisateur et par consquent du rseau public ; il se dclenche en prsence de perturbations sur le rseau du distributeur et consiste en un contacteur ou un disjoncteur automatique dclenchant toutes les phases impliques et le neutre en cas de surtension ; il est de catgorie AC-7a si monophas ou AC-1 si triphas (CEI EN 60947-4-1) ; dispositif du gnrateur, il spare le gnrateur PV du reste de l'installation de l'utilisateur; il se dclenche en prsence d'une dfaillance dans le gnrateur et peut consister en un contacteur ou un disjoncteur automatique dclenchant toutes les phases impliques et le neutre. Le systme de protection d'interface, qui agit sur le dispositif d'interface, prsente les fonctions listes dans le Tableau 4.1.
Pour une puissance allant jusqu' 6kW dans des systmes monophass et 20kW dans des systmes triphass, le dispositif d'interface peut galement tre intgr au systme de conversion. Pour les installations allant jusqu' 20 kW, la fonction d'interface peut tre assure par jusqu' 3 diffrents dispositifs (Guide de raccordement aux rseaux lectriques d'Enel Distribution). Dans les installations PV dotes d'une puissance maximale de 20 kW et d'au maximum trois onduleurs, auxquels les charges ne sont pas raccordes pour le fonctionnement autonome, le dispositif du gnrateur peut galement assurer la fonction de dispositif d'interface (Figure 4.1a), tandis que dans les installations PV de gnration uniquement, autrement dit celles auxquelles aucune installation de consommation n'est associe, le dispositif d'interface peut tre combin au dispositif principal (Figure 4.1b).
Figure 4.1a
Rseau public
quipement de production d'nergie et quipement de mesure Ener Systme lectrique de l'autoproducteur
DG Dispositif principal
Partie du rseau non autonome de l'autoproducteur
QF
Dispositif d'interface / du gnrateur DI/DDG
Tableau 4.1 Protection Tension maximale (59) Tension minimale (27) Frquence maximale (81>) Frquence minimale (81<) Drive de frquence (81)(3) Version Unipolaire/ Tripolaire(1) Unipolaire/ Tripolaire(1) Unipolaire Unipolaire Unipolaire Valeur de consigne 1.2 Un 0.8 Un 50.3 ou 51 Hz(2) 49 ou 49.7 Hz(2) 0.5 Hz/s Temps de dclenchement 0.1 s 0.2 s Sans retard intentionnel Sans retard intentionnel Sans retard intentionnel
Figure 4.1b
Rseau public
quipement de production d'nergie et quipement de mesure Systme lectrique de l'autoproducteur Dispositif d'interface / du gnrateur DG/DI Dispositif du gnrateur DDG
(1) Unipolaire pour les systmes monophass et tripolaire pour les systmes triphass. (2) Les rglages par dfaut sont 49.7 Hz et 50.3 Hz. Si dans des conditions normales d'utilisation, les variations de la frquence du rseau du distributeur sont telles qu'elles causent des dclenchements intempestifs du dispositif de protection contre la frquence maximale/minimale, les rglages 49 et 51 Hz doivent tre appliqus. (3) Dans des cas particuliers uniquement.
35
Une sparation mtallique entre l'installation PV et le rseau public doit tre garantie afin de ne pas introduire de courants directs dans le rseau. Pour les installations dont la puissance totale gnre n'est pas suprieure 20kW, cette sparation peut tre remplace par une protection (gnralement situe l'intrieur de la commande lectronique et du systme de rglage de l'onduleur) qui ouvre le dispositif d'interface (ou de gnrateur) si les valeurs du composant direct total excdent 0.5% de la valeur r.m.s. du composant fondamental du courant maximal total sortant des convertisseurs. Pour les installations dont la puissance de gnration totale excde 20kW et dotes d'onduleurs sans sparation mtallique entre les parties courant direct et alternatif, l'insertion d'un transformateur BT/BT la frquence industrielle est requise (Guide CEI 82-25, II d.). La Figure 4.2 montre un schma unifilaire type d'une installation PV raccorde au rseau BT en prsence d'une installation d'utilisateur.
Figure 4.2
Les installations PV peuvent fournir une nergie active prsentant un facteur de puissance (Guide CEI 82-25, II d.)3 : en retard de 0.8 minimum (absorption de la puissance ractive) lorsque la puissance active varie de 20% 100% de la puissance totale installe ; unitaire ; en avance, lorsqu'elles fournissent une puissance ractive totale n'excdant pas la valeur minimale comprise entre 1kvar et (0.05+P/20)kvar (o P est la puissance totale installe exprime en kW).
Un transformateur haute frquence n'est pas compatible car ses composants de courant direct de sortie excdent les limites autorises ; de plus, seul un transformateur de sparation est admis pour plusieurs onduleurs. Correspondant au composant fondamental.
Rseau public BT
Mesure de l'nergie prise kWh et introduite dans le rseau kvarh Distributeur Installation de l'utilisateur Disjoncteur principal (DG)
Dispositif d'interface (DDI )
27 - 59 - 81
Protection d'interface (PI)
Utilisateurs BT non autonomes kWh Mesure de l'nergie produite
Disjoncteur du gnrateur (DDG) Onduleur
Disjoncteur du gnrateur (DDG)
Gnrateur photovoltaque (PV)
4.3 Montage en parallle au rseau MT
Le dispositif principal est constitu de (CEI 0 -16) : un disjoncteur tripolaire en version amovible avec unit de dclenchement d'ouverture ; ou un disjoncteur tripolaire avec unit de dclenchement d'ouverture et interrupteur-sectionneur tripolaire du ct alimentation du disjoncteur. Concernant la commande d'ouverture du dispositif principal transmise par la protection principale, une bobine manque de tension doit tre utilise. En effet, si pour une raison quelconque la tension d'alimentation de la protection principale est insuffisante, l'ouverture du dispositif principal se produit mme en cas d'absence de commande de la protection principale. La protection gnrale comprend (CEI 0-16) : un dclencheur maximum de courant avec trois seuils de dclenchement, un retard inverse I> (seuil de surcharge 51), deux temps constant I>> (seuil avec retard intentionnel 51) et I>>> (seuil instantan 50) ; un dclencheur maximum de courant homopolaire 51N avec deux seuils de dclenchement temps constant Io> et Io>>, un pour les dfauts la terre monophass et un pour les dfauts la terre monophass doubles, ou un dclencheur maximum de courant homopolaire directionnel avec deux seuils 67N.1 et 67N.2, un pour la slection des dfauts internes en cas de rseaux neutre compens et un en cas de neutre isol, associ un dclencheur maximum de courant homopolaire avec un seuil pour les dfauts la terre monophass doubles. Le dispositif d'interface peut tre plac du ct MT ou BT. Si ce dispositif est install sur la partie MT de l'installation, il peut tre constitu des lments suivants (Fiche d'interprtation CEI 0-16) : un disjoncteur tripolaire en version amovible avec dclencheur d'ouverture minimum de tension ou ; un disjoncteur tripolaire avec dclencheur d'ouverture minimum de tension et un interrupteur-sectionneur install du ct alimentation ou charge du disjoncteur5. En rgle gnrale, pour les installations dotes de plusieurs gnrateurs PV, le dispositif d'interface doit tre unique et permettre d'exclure en mme temps tous les gnrateurs. Cependant, plusieurs dispositifs d'interface
4
sont autoriss condition que la commande de dclenchement de chaque protection agisse sur tous les dispositifs, afin que la dtection d'une condition anormale par une protection dconnecte tous les gnrateurs du rseau6. Si des onduleurs monophass dots d'une puissance allant jusqu' 10kW sont utiliss, le systme de protection d'interface peut tre intgr au convertisseur pour des puissances gnres totales de 30kW maximum (Fiche d'interprtation CEI 0-16). De plus, tant donn que les onduleurs utiliss dans les installations PV fonctionnent comme des gnrateurs de courant et non comme des gnrateurs de tension, il n'est pas ncessaire d'intgrer dans la protection d'interface les protections homopolaires contre les surtensions (59N) ni la protection supplmentaire contre le dfaut d'ouverture du dispositif d'interface (Guide CEI 82-25, II d.). Le systme de protection d'interface comprend les fonctions listes dans le Tableau 4.2 (Fiche d'interprtation CEI 0-16).
Tableau 4.2 Protection Tension maximale (59) Tension minimale (27) Frquence maximale (81>) Frquence minimale (81<) Valeur de consigne 1.2 Un 0,7 Un 50.3 Hz 49.7 Hz
Dlai d'extinction en Retard cas de dfaillance intentionnel
170 ms 370 ms 170 ms 170 ms
100 ms 300 ms 100 ms 100 ms
Concernant le dispositif du gnrateur, les observations faites pour le montage en parallle avec la partie BT s'appliquent. Les Figures 4.3 et 4.4 montrent deux schmas type de raccordement du rseau MT d'une installation PV. Le schma de la Figure 4.3 montre une installation quipe d'onduleurs monophass dans laquelle le dispositif d'interface est plac du ct BT. Cette configuration est caractristique des installations ayant une puissance maximale de 100 kW. En revanche, les installations plus grandes utilisent des onduleurs triphass avec un ou plusieurs transformateurs BT/MT et le dispositif d'interface est gnralement plac du ct MT (Figure 4.4).
Une protection 67N est requise lorsque la contribution au courant capacitif de dfaut la terre monophas du rseau MT de l'utilisateur excde 80% du courant de consigne fix par le distributeur de la protection 51N. En pratique, lorsque les cbles MT de l'utilisateur excdent la longueur de : 400m pour les rseaux avec Un=20 kV ; 533m pour les rseaux avec Un=15kV. L'ventuelle prsence de deux interrupteurs-sectionneurs (un du ct alimentation et l'autre du ct charge) doit tre envisage par l'utilisateur en fonction du besoin de scurit pendant les oprations d'entretien.
Lorsqu'une installation PV (d'une puissance totale de 1 MW maximum) est ajoute des installations raccordes au rseau depuis plus d'un an, il n'est pas possible d'installer plus de trois dispositifs d'interface, chacun d'eux pouvant prendre en charge 400 kW maximum (CEI 0-16 Fiche d'interprtation).
37
Figure 4.3
Rseau MT
kWh kvarh
Distributeur Installation de l'utilisateur
Disjoncteur principal (DG)
50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
Dispositif d'interface (DDI ) Utilisateurs BT non autonomes kWh
<U
Dispositif 27 - 59 - 81 d'interface (DDI )
Mesure de l'nergie produite
Disjoncteur du gnrateur (DDG) Onduleur
Disjoncteur du gnrateur (DDG)
Gnrateur photovoltaque (PV)
Figure 4.4 Rseau MT

kWh kvarh
Distributeur Installation de l'utilisateur
Disjoncteur principal (DG)
50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
Dispositif d'interface (DDI) Utilisateurs BT non autonomes
<U
Protection 27 - 59 - 81 d'interface (PI)
kWh Disjoncteur du gnrateur (DDG) Onduleur triphas Onduleur triphas
kWh
4.4 Mesure de l'nergie produite et change avec le rseau

Dans une installation PV raccorde au rseau public, l'interposition de systmes de mesure est ncessaire pour dtecter : l'nergie lectrique prise du rseau ; l'nergie lectrique introduite sur le rseau ; l'nergie produite par l'installation PV. La modalit d'insertion des systmes de mesure est montre dans la Figure 4.5.
Figure 4.5
Charges lectriques
En revanche, lorsque l'installation PV gnre de l'nergie, les deux situations suivantes peuvent se produire : P > C : dans ce cas le bilan est positif et l'nergie est introduite sur le rseau ; P < C : dans ce cas le bilan est ngatif et l'nergie est prise du rseau. L'nergie change avec le rseau est gnralement mesure par un compteur lectronique bi-directionnel M2 et le systme de mesure doit tre horaire. Le service public de distribution est gnralement responsable de l'installation et de l'entretien de l'quipement de mesure de l'nergie change. Le dcret ministriel DM 19/2/07 dfinit l'nergie lectrique produite par une installation PV comme l'nergie lectrique mesure la sortie de l'ensemble onduleur convertissant le courant direct en courant alternatif, y compris l'ventuel transformateur, avant que cette nergie ne soit mise disposition des charges lectriques du sujet responsable et/ou introduite sur le rseau public. La mesure de l'nergie produite est ralise par un compteur M1, qui doit tre capable de dtecter l'nergie produite par heure et tre quip d'un dispositif de demande de tlcommunication et d'acquisition des mesures par l'administrateur du rseau. L'quipement de mesure de l'nergie produite doit tre install le plus prs possible de l'onduleur et tre quip de dispositifs anti-fraude adapts. Pour les installations dotes d'une puissance assigne maximale de 20 kW, le responsable de la mesure de l'nergie produite est l'administrateur du rseau. Pour les puissances suprieures 20 kW, le responsable est l'utilisateur actif (autrement dit l'utilisateur qui produit galement de l'nergie), lequel a la possibilit de faire appel l'administrateur du rseau pour raliser cette activit, tout en conservant la responsabilit de ce service.
M2
Installation PV P U
Rseau
M1
Le bilan nergtique du systme pour une priode spcifique est donn par : U-E=P-C
[4.1]
o : U est l'nergie produite par l'installation PV et l'nergie introduite sur le rseau ; E est l'nergie prise du rseau ; P est l'nergie produite par l'installation PV (nergie soutenue par le tarif de rachat) ; C est l'nergie consomme par l'installation de l'utilisateur. Pendant la nuit ou lorsque l'installation PV ne produit pas d'nergie pour d'autres raisons, (U=P=0), la formule [4.1] devient : E=C
[4.2]
autrement dit toute l'nergie consomme est prise du rseau.
39
5 Mise la terre et protection contre le contact indirect

5.1 Mise la terre
Le concept de mise la terre appliqu un systme photovoltaque (PV) peut impliquer la fois les parties conductrices exposes (par ex. le cadre mtallique des panneaux) et le systme de gnration d'nergie (parties sous tension du systme PV, par ex. les cellules). Un systme PV peut tre mis la terre uniquement s'il est spar galvaniquement (par ex. au moyen d'un transformateur) du rseau lectrique. Un systme PV isol pourrait sembler en apparence plus sr pour les personnes touchant une pice sous tension ; en fait, la rsistance la terre de l'isolation des pices sous tension n'est pas infinie et une personne peut tre lectrocute par un courant retraversant cette rsistance. Ce courant augmente lorsque la tension la terre de l'installation et la taille de l'installation augmentent, car la rsistance la terre de l'isolation diminue. De plus, la dcomposition physiologique des isolants, au fil du temps et en prsence d'humidit, rduit la rsistance de l'isolation. Par consquent, dans les trs grandes installations, le courant traversant une personne en contact avec une pice sous tension peut causer une lectrocution. L'avantage sur les systmes mis la terre concerne donc uniquement les petites installations. Dans ce cas, la rsistance de terre Re des pices conductrices exposes doit respecter la condition (CEI 64-8) : Re 120 Id
[5.1]
o Id est le courant du premier dfaut la terre, qui n'est pas connu l'avance mais qui est gnralement trs bas dans les installations de petite taille.. Par consquent, la rsistance de terre Re de l'installation du consommateur, qui est dfinie pour un dfaut dans le rseau, respecte gnralement le rapport [5.1] uniquement. En cas de double dfaut la terre, tant donn que le gnrateur PV est un gnrateur de courant, la tension des pices conductrices exposes interconnectes doit tre infrieure : Isc . Reqp 120V
[5.2]
5.2 Installations avec transformateur

Dans les installations quipes d'un transformateur, outre l'analyse du systme PV isol ou mis la terre, il est ncessaire, pour la protection contre les contacts indirects, de diffrencier les pices conductrices exposes en amont et en aval du transformateur1.
o Isc est le courant de court-circuit des cellules impliques, tandis que Reqp est la rsistance du conducteur interconnectant les parties conductrices exposes affectes par le dfaut. Par exemple, si Reqp = 1 (valeur approche par excs), le rapport [5.2] est respect pour Isc n'excdant pas 120A, ce qui est habituel dans les installations de petite taille; par consquent, la tension de contact effective en cas de second dfaut la terre n'est pas dangereuse. En revanche, dans les installations de grande taille, il est ncessaire de rduire une limite acceptable la probabilit d'un second dfaut la terre en supprimant le premier dfaut la terre dtect par le contrleur d'isolement ( l'intrieur ou l'extrieur de l'onduleur).
5.2.1 Parties conductrices exposes du ct charge du transformateur 5.2.1.1 Installation avec systme IT
Dans ce type d'installation, les pices sous tension sont isoles de la terre, tandis que les pices conductrices exposes sont mises la terre2 (Figure 5.1).
Figure 5.1
5.2.1.2 Installation avec systme TN

Dans ce type d'installation, les parties sous tension et les parties conductrices exposes sont raccordes au mme systme de mise la terre (systme de mise la terre de l'installation du consommateur). Par consquent, un systme TN est obtenu du ct DC (Figure 5.2).
Figure 5.2
A
Id
B
Charge
Id
Re
Charge
Dans ce cas, l'amont et l'aval se rapportent au sens de l'nergie lectrique produite par l'installation PV. Pour des raisons de scurit, le systme de mise la terre est commun l'installation PV et l'installation de consommation. Cependant, afin que le contrleur d'isolement de l'onduleur fonctionne correctement et contrle le gnrateur PV, il est ncessaire que les cadres et/ou les structures de support des panneaux (y compris de classe II) soient mis la terre.
Re
En prsence d'un dfaut la terre, un court-circuit se produit comme dans les systmes TN habituels, toutefois ce courant ne peut pas tre dtect par les dispositifs de courant maximum car les installations PV sont caractrises par la gnration de courants de dfaut ayant des valeurs peine suprieures au courant assign. Par consquent, concernant la dangerosit de ce dfaut, les observations faites dans le paragraphe prcdent3 sur le second dfaut pour un systme IT s'appliquent.
des points parallles A-B, par exemple la partie conductrice expose du transformateur ou de l'onduleur lorsque le transformateur est intgr, un disjoncteur de courant rsiduel4 doit tre interpos comme indiqu dans la Figure 5.4 ; ce dispositif de courant rsiduel dtecte les courants de fuite venant du rseau ainsi que du gnrateur PV. Lorsque le dispositif de courant rsiduel se dclenche en raison d'un courant de dfaut la terre, l'onduleur se met en veille cause du manque de tension du rseau.
Figure 5.4
A
5.2.2 Parties conductrices exposes du ct alimentation du transformateur

Considrons prsent le systme rseau-consommateur de type TT. Les parties conductrices exposes de l'installation du consommateur, laquelle est protge par des disjoncteurs de courant rsiduel placs au dbut de l'installation (Figure 5.3), sont protges du rseau ainsi que du gnrateur PV.
Figure 5.3
A
Id B
Idr
Rseau
Rn Re Id
IdPV B
Idr
Rseau
IdPV
Charge
Rn
Id
Charge
Re
En revanche, si le systme rseau-consommateur est de type TN, des disjoncteurs de courant rsiduel ne sont pas requis pour les deux options d'alimentation, partir du rseau ou du gnrateur PV, condition que le courant de dfaut du ct AC provoque le dclenchement des dispositifs de protection contre les surintensits aux moments dcrits dans la norme. (Figure 5.5).
Figure 5.5
A
Il ne doit y avoir aucune partie conductrice expose entre les points parallles A-B et le rseau, sinon l'exigence normative stipulant que toutes les parties conductrices exposes d'une installation de consommation dans un systme TT doivent tre protges par un disjoncteur de courant rsiduel n'est pas respecte. Concernant les parties conductrices exposes en amont
3
IdPV B
Idr
Rseau
La norme CEI 60364-7 recommande que l'ensemble de l'installation du ct DC (tableaux de distribution, cbles et plaques bornes) comprenne des dispositifs de classe II ou une isolation quivalente. Cependant, afin que le contrleur d'isolement de l'onduleur fonctionne correctement et contrle le gnrateur PV, il est ncessaire que les cadres et/ou les structures de support des panneaux (mme en cas de classe II) soient mis la terre. Le courant rsiduel assign doit tre coordonn avec la rsistance de terre Re, conformment au rapport habituel des systmes TT : 50 Re Idn
Rn Charge
41
5.3 Installations sans transformateur

En cas d'absence de transformateur de sparation entre l'installation PV et le rseau, l'installation PV doit tre isole de la terre dans ses parties actives devenant une extension du rseau d'alimentation, avec gnralement un point raccord la terre (systme TT ou TN). Concernant les parties conductrices exposes de l'installation de consommation situes en amont des points parallles A-B, le concept dcrit dans la clause 5.2.2 s'applique. Du ct DC, un dfaut la terre sur les parties conductrices exposes entrane le dclenchement du disjoncteur de courant rsiduel plac en aval de l'onduleur (Figure 5.6). Aprs le dclenchement du dispositif de courant rsiduel, l'onduleur se met en veille en raison du manque de tension du rseau, toutefois le dfaut est aliment par le gnrateur PV. tant donn que le systme PV est de type IT, les observations faites dans la clause 5.2.2.1
Figure 5.6
IdPV
s'appliquent. En cas de dfauts la terre du ct DC et sur les parties conductrices exposes en amont des points parallles A-B, le disjoncteur de courant rsiduel du ct charge de l'onduleur est travers par un courant rsiduel qui n'est pas alternatif. Par consquent, ce dispositif doit tre de type B5, moins que l'onduleur ne soit conu de manire ne pas injecter de courants de dfaut la terre DC (CEI 60364-7)6.
Le dispositif de courant rsiduel de type B dtecte les types suivants de courants de dfaut la terre : alternatifs (galement une frquence excdant celle du rseau, par ex. jusqu' 1000 Hz) ; pulss unidirectionnels ; directs. La norme CEI EN 62040-1 recommande que la protection de l'ASI (comprenant un onduleur) contre les dfauts la terre soit assure par des dispositifs de courant rsiduel de type B (pour les ASI triphases) et de type A (pour les ASI monophases), si un courant de dfaut la terre ayant des composants DC est compatible avec la conception de l'ASI.
A Idr Id type B Rseau B
Rn
Charge
Re
6 Protection contre les surintensits et les surtensions

Lors de la dfinition de la configuration d'une installation photovoltaque, il convient de prvoir, si ncessaire, la protection des diffrentes sections de l'installation contre les surintensits et les surtensions d'origine atmosphrique. Nous indiquerons tout d'abord les conditions de protection contre les surtensions de l'installation PV du ct alimentation (ct DC) et du ct charge (ct AC) de l'onduleur, puis les mthodes de protection de l'installation contre les dommages causs par une ventuelle fulmination directe ou indirecte1. au courant de service du circuit entre le tableau de distribution du sous-champ et l'onduleur, tandis que le courant Isc4 = (x-y) . 1.25 . Isc est suprieur au courant de service si x-y > y x > 2y. Dans ce cas, il est ncessaire de protger le cble contre le court-circuit si son intensit admissible est infrieure Isc4, soit Iz<(x-y).1.25.Isc.
Figure 6.1 A reprsente le dispositif de protection dans le tableau de distribution du sous-champ pour la protection du cble 1 raccordant le string et le tableau de distribution. B reprsente le dispositif de protection install dans le tableau de distribution de l'onduleur pour protger le cble 2 raccordant l'onduleur et le tableau de distribution du sous-champ. y nombre de strings raccords au mme tableau de distribution de sous-champ. x nombre total de strings raccords au mme onduleur.
String
+ Cble 1 Tableau de distribution du sous-champ A
6.1 Protection contre les surintensits du ct DC 6.1.1 Protection des cbles

Il n'est pas ncessaire de protger les cbles contre les surcharges (CEI 64-8/7) si leur intensit admissible n'est pas infrieure au courant maximum qui peut les affecter (1.25 Isc)2. Concernant les courts-circuits, les cbles du ct DC sont affects par cette surintensit en cas de : dfaut de polarit du systme PV ; dfaut la terre des systmes mis la terre ; double dfaut la terre des systmes isols de la terre. Un court-circuit sur un cble raccordant le string au tableau de distribution du sous-champ (dfaut 1 de la Figure 6.1) est fourni simultanment en amont du ct charge par le string considr (Isc1 = 1.25 . Isc) et en aval par les autres x-1 strings raccords au mme onduleur (Isc2 = (x-1) . 1.25 . Isc). Si l'installation PV est de petite taille et compte seulement deux strings (x=2), alors Isc2 = 1.25 . Isc = Isc1 et par consquent il n'est pas ncessaire de protger les cbles des strings contre le court-circuit. En revanche, lorsque trois strings ou plus (x3) sont raccords l'onduleur, le courant Isc2 est suprieur au courant de service et par consquent les cbles doivent tre protgs contre le court-circuit lorsque leur intensit admissible est infrieure Isc2, soit Iz< (x-1) . 1.25 . Isc. Un court-circuit entre un tableau de distribution de souschamp et le tableau de distribution de l'onduleur (dfaut 2 de la Figure 6.1) est fourni en amont par les y strings monts en parallle du sous-champ (Isc3) et en aval par les strings restants (x-y) associs au mme tableau de distribution d'onduleur. Le courant de court-circuit Isc3 = y . 1.25 . Isc correspond
1
Cble 2
Isc3 Dfaut 1 Dfaut 2 Isc1 Isc2
Isc4 Tableau de distribution du sous-champ
B
+
Point parallle au rseau +
Tableau de distribution de l'onduleur
Concernant la correction du facteur de puissance d'une installation d'utilisateur comprenant une installation PV, voir l'Annexe E de QT8 Correction du facteur de puissance et filtrage des harmoniques dans les installations lectriques.
2 Isc est le courant de court-circuit dans le module dans des conditions d'essai standards et l'augmentation de vingt-cinq pour cent tient compte de valeurs d'ensoleillement excdant 1kW/m2 (voir Chapitre 3).
43
6.1.2 Protection des strings contre le courant inverse

En raison de l'ombrage ou d'un dfaut, un string devient passif, absorbant et dissipant l'nergie lectrique gnre par les autres strings raccords en parallle au mme onduleur par l'intermdiaire d'un courant qui traverse le string en question en sens inverse par rapport au sens normal, susceptible d'endommager les modules. Ceux-ci sont capables de supporter un courant inverse de 2.5 3 Isc (CEI TS 62257-7-1). tant donn qu'avec x strings en parallle raccords au mme onduleur, le courant inverse maximum est gal Iinv = (x-1) . 1.25 . Isc, il n'est pas ncessaire de protger les strings si Iinv 2.5 . Isc soit (x-1) . 1.25 2.5 x 33.
6.1.3 Comportement de l'onduleur

La contribution au court-circuit du ct DC de l'onduleur peut provenir du rseau et de la dcharge des condensateurs l'intrieur de l'onduleur. Le courant de rseau est li aux diodes de recirculation du pont onduleur qui agit dans ce cas comme un pont redresseur. Ce courant est limit par les impdances du transformateur et des inducteurs du circuit de sortie et par les fusibles de protection de l'onduleur du ct AC afin de limiter les effets thermiques des ventuels dfauts internes des semi-conducteurs. Par consquent, le courant I2t circulant sera normalement rduit. titre indicatif, une valeur finale du courant (condensateurs internes entirement dchargs) de 10In peut tre une valeur limite suprieure. Ce courant est prsent si l'onduleur est quip d'une isolation galvanique 50Hz et nul si l'onduleur n'a pas de transformateur. En fait, ces onduleurs comprennent gnralement un convertisseur d'entre DC/DC afin de garantir le fonctionnement sur une large plage de tensions du gnrateur PV ; ce convertisseur, de par sa construction, comporte au moins une diode vitant la contribution du courant de rseau au court-circuit. Le courant de dcharge des condensateurs est limit par les cbles situs entre l'onduleur et le dfaut et s'puise avec une tendance exponentielle : plus l'impdance de l'tirement du cble est basse, plus le courant initial est lev mais plus la constante de temps de la dcharge est basse. L'nergie qui circule se limite celle initialement stocke dans les condensateurs. De plus, si une diode ou un autre dispositif similaire est install en srie avec l'un des deux ples, cette contribution au court-circuit
3
est nulle. Dans tous les cas, le court-circuit du ct DC cause une chute de la tension directe, l'onduleur s'arrte certainement et est probablement dconnect du rseau. Normalement, les temps d'arrt de l'onduleur sont de l'ordre de quelques millisecondes, tandis que les temps de dconnexion peuvent tre de l'ordre de quelques douzaines de millisecondes. Dans l'intervalle entre l'arrt et la dconnexion, le rseau peut produire l'effet susmentionn et les condensateurs internes, s'ils sont impliqus, participent jusqu' leur complte dcharge. Cependant, l'influence du rseau et des condensateurs internes sur le court-circuit est uniquement temporaire et gnralement insuffisante pour affecter le calibrage des dispositifs de protection, de commutation et de dconnexion placs du ct DC.
6.1.4 Choix des dispositifs de protection

Concernant la protection contre les courts-circuits du ct DC, les dispositifs doivent tre videmment compatibles avec l'utilisation DC et avoir une tension de service assigne Ue suprieure ou gale la tension maximale du gnrateur PV qui est gale 1.2 Uoc4 (CEI TS 62257-7-1). De plus, les dispositifs de protection doivent tre placs la fin du circuit pour tre protgs, des strings vers l'onduleur, autrement dit dans les divers tableaux de distribution des sous-champs et les tableaux de distribution des onduleurs car les courants de court-circuit proviennent des autres strings, savoir du ct charge et non du ct alimentation (CEI TS 62257-7-1). Afin d'viter un dclenchement intempestif dans des conditions normales d'utilisation, les dispositifs de protection situs dans les tableaux de distribution des souschamps (dispositif A dans la Figure 6.1) doivent avoir un courant assign In5 : [6.1] In 1.25 . Isc Ces dispositifs doivent protger : chaque string contre le courant inverse ; le string du cble de raccordement 6 vers le tableau de distribution (cble 1 de la Figure 6.1) si ce dernier a une intensit admissible infrieure au courant de court-circuit maximum des autres x-1 strings raccords au mme tableau de distribution de l'onduleur7, par ex. si : [6.2] Iz < Isc2 = (x - 1) . 1.25 . Isc
4
Uoc est la tension vide provenant des strings (voir Chapitre 3).
Les diodes peuvent tre utilises, toutefois elles ne remplacent pas les protections contre les surintensits (CEI TS 62257-7-1), car il faut envisager la possibilit que la diode ne fonctionne pas correctement et soit court-circuite. De plus, les diodes impliquent une perte d'nergie en raison de la chute de tension au niveau de la jonction, une perte qui peut tre rduite en utilisant des diodes Schottky causant une chute de 0.4V au lieu de 0.7V pour les diodes traditionnelles. Cependant, la tension inverse assigne des diodes devra tre 2 Uoc et le courant assign 1.25 Isc (Guide CEI 82-25).
Pour les disjoncteurs thermomagntiques, [6.1] devient I1 1.25 . Isc, tandis que pour les disjoncteurs magntiques seulement Iu 1.25 . Isc afin d'viter leur surchauffe. Protection contre le court-circuit uniquement car Iz 1.25 . Isc .
Le court-circuit Isc1 = 1.25 . Isc (fig. 6.1) (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble du string a une intensit admissible minimale de 1.25 . Isc .
7
Aux fins de la protection du string, le courant assign du dispositif de protection (disjoncteur thermomagntique ou fusible) ne doit pas excder le courant indiqu par le fabricant pour la protection des panneaux (clause 6.1.2) ; si aucune indication n'est donne par le fabricant, les valeurs suivantes sont prsumes (CEI TS 62257-7-1) : [6.3] 1.25 . I I 2 . I
sc n sc
Aux fins de la protection du cble de raccordement, le dispositif de protection doit tre choisi de manire ce que le rapport suivant soit respect pour chaque valeur de courtcircuit (CEI 60364)8 jusqu' un maximum de (x-1) . 1.25 . Isc : I2t K2 S2
[6.4]
requise. Cependant, le cble doit tre protg contre les courts-circuits du rseau 10 par un dispositif de protection situ proximit du point parallle au rseau. Pour protger ce cble, le disjoncteur principal de l'installation de consommation peut tre utilis si l'nergie passante est supporte par le cble. Cependant, le dclenchement du disjoncteur principal met l'ensemble de l'installation de consommation hors service. Dans les installations multi-onduleurs (Figure 6.2), la prsence d'une protection pour chaque string permet, en cas de dfaut sur un onduleur, le fonctionnement des autres, condition que les disjoncteurs de chaque string soient slectifs avec le disjoncteur principal.
Figure 6.2
Le pouvoir de coupure du dispositif ne doit pas tre infrieur au courant de court-circuit des autres n-1 strings, savoir: [6.5] I (x-1) . 1.25 . I
cu sc
Les dispositifs du tableau de distribution de l'onduleur doivent protger du court-circuit les cbles raccordant le tableau de distribution du sous-champ au tableau de distribution de l'onduleur lorsque ces cbles ont une intensit admissible infrieure Isc4 = (x-y) . 1.25 . Isc9 (Figure 6.1). Dans ce cas, ces dispositifs doivent respecter les rapports [6.1] et [6.4] et leur intensit admissible ne doit pas tre infrieure au courant de court-circuit des autres n-m strings, savoir : [6.6] Icu (x-y) . 1.25 . Isc En rsum, le cble raccordant le tableau de distribution de l'onduleur l'onduleur ne doit pas tre protg si son intensit admissible est au moins gale (CEI 64-8/7) : [6.7] Iz x . 1.25 . Isc
Point parallle au rseau
6.2 Protection contre les surintensits du ct AC

tant donn que le cble raccordant l'onduleur au point de raccordement avec le rseau est gnralement dimensionn de manire obtenir une intensit admissible suprieure au courant maximum pouvant tre fourni par l'onduleur, une protection contre les surcharges n'est pas
6.3 Choix des dispositifs de commutation et de dconnexion

L'installation d'un dispositif de dconnexion sur chaque string est recommande afin de permettre les interventions de vrification et d'entretien sur le string sans mettre hors service d'autres parties de l'installation PV (Guide CEI 82-25 II d.)11.
Pour le disjoncteur magntique uniquement, il convient dans la mesure du possible de rgler I3 une valeur gale la valeur Iz du cble afin de dfinir le dclenchement du dispositif lorsque le courant de court-circuit excde l'intensit admissible du cble protg. De plus, il est possible d'utiliser un disjoncteur magntique uniquement si le nombre de strings raccords au mme onduleur est au maximum de 3 ; sinon, pour la protection du string, il est ncessaire d'utiliser un disjoncteur thermomagntique choisi en fonction de [6.3].
8 9 Le courant de court-circuit Isc3 = y . 1.25 . Isc (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble du string a une intensit admissible minimale de y . 1.25 . Isc.
10 L'onduleur limite gnralement le courant de sortie une valeur correspondant au double de son courant assign et se met en veille en quelques dizaines de secondes suite au dclenchement de la protection interne. Par consquent, la contribution de l'onduleur au courant de court-circuit est ngligeable par rapport la contribution du rseau. 11
Lorsqu'un disjoncteur automatique est utilis, la fonction de commutation et de dconnexion est dj incluse.
45
La dconnexion de l'onduleur doit tre possible du ct DC et du ct AC, de manire pouvoir raliser l'entretien en excluant les deux sources d'alimentation (rseau et gnrateur PV) (CEI 64-8/7). Du ct DC de l'onduleur, un dispositif de dconnexion tel qu'un interrupteur-sectionneur doit tre install et commut en charge. Du ct AC, un dispositif de dconnexion gnral doit tre fourni. Le dispositif de protection install au point de raccordement avec le rseau peut tre utilis ; si ce dispositif n'est pas proche de l'onduleur, il est recommand de placer un dispositif de dconnexion immdiatement du ct charge de l'onduleur.
Figure 6.3
6.4 Protection contre les surtensions

tant donn que les installations PV sont gnralement places l'extrieur des btiments, elles peuvent tre soumises des surtensions d'origine atmosphrique, aussi bien directes (foudre frappant la structure) qu'indirectes (foudre tombant ct de la structure du btiment, affectant l'nergie ou les lignes de signalisation entrant dans la structure) par un couplage rsistif ou inductif. Le couplage rsistif se produit lorsque la foudre frappe la ligne lectrique entrant dans le btiment. Le courant de foudre, par l'impdance caractristique de la ligne, produit une surtension qui peut excder la tension de tenue aux chocs de l'quipement, entranant des dommages et un risque d'incendie. Le couplage inductif se produit car le courant de foudre est puls et gnre un champ lectromagntique trs variable dans l'espace environnant. Par consquent, la variation du champ magntique gnre des surtensions induites sur les circuits lectriques proximit. Outre les surtensions d'origine atmosphrique, l'installation PV peut galement tre expose des surtensions de commutation internes. En revanche, si l'installation PV modifie considrablement le profil du btiment, il convient de reconsidrer la frquence des fulminations sur celui-ci et donc d'envisager la ncessit d'intgrer un LPS (Guide CEI 82-25 II d.) (Figure 6.4).
Figure 6.4
6.4.1 Foudroiement direct 6.4.1.1 Btiment sans systme de protection contre la foudre (LPS)12
En rgle gnrale, le montage d'une installation PV ne modifie pas le profil d'un btiment et donc la frquence des fulminations ; par consquent, aucune mesure spcifique contre le risque de fulmination n'est ncessaire (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure 6.3).
12
6.4.1.2 Btiment avec systme de protection contre la foudre (LPS)

En prsence d'un systme de protection contre les dcharges atmosphriques13, si l'installation PV n'altre pas le profil du btiment et si la distance minimale d entre l'installation PV et l'installation LPS est suprieure
13
Systme de protection contre la foudre : il est constitu de systmes de protection externes (dtecteurs, conducteurs de foudre et lectrodes de terre) et internes (mesures de protection visant rduire les effets lectromagntiques du courant de foudre entrant dans la structure protger).
Il est recommand de raccorder l'installation de mise la terre de la protection celle de la protection contre la foudre.
la distance de scurit s (EN 62305-3), des mesures supplmentaires pour la protection de la nouvelle installation (Guide CEI 82-25 II d.) ne sont pas requises (Figure 6.5).
Figure 6.5
Enfin, si l'installation PV altre le profil du btiment, une nouvelle valuation des risques et/ou une modification du LPS sont ncessaires (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure 6.7).
Figure 6.7
6.4.1.3 Installation PV au sol

Si une installation PV est monte au sol, il n'y a pas de risque d'incendie d la fulmination directe. Les seuls risques pour les humains sont les tensions d'chelon et de contact. Lorsque la rsistivit de la surface excde 5 km (par ex. sol asphalt rocheux, d'au moins 5 cm d'paisseur ou recouvert d'au moins 15 cm de graviers), il n'est pas ncessaire de prendre des mesures particulires car les valeurs de tension d'chelon et de contact sont ngligeables (CEI 81-10). En revanche, si la rsistivit du sol est infrieure ou gale 5 km, il est ncessaire de vrifier en thorie si certaines mesures de protection contre les tensions d'chelon et de contact sont requises. Cependant la probabilit de foudroiement est dans ce cas trs faible, par consquent ce problme se produit uniquement dans des installations de trs grande taille.
En revanche, si l'installation PV n'altre pas le profil du btiment, mais que la distance minimale d est infrieure la distance s, il convient d'agrandir l'installation LPS et de la raccorder aux structures mtalliques de l'installation PV (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure 6.6).
Figure 6.6
6.4.2 Foudroiement indirect

Mme lorsque la foudre ne frappe pas directement la structure d'une installation PV, il est ncessaire de prendre quelques mesures pour minimiser les surtensions causes par tout ventuel foudroiement indirect : protection des circuits afin de rduire le champ magntique l'intrieur du botier et les surtensions induites14 ; rduction du primtre du circuit induit obtenu en raccordant correctement les modules l'un l'autre (Figure 6.8), en torsadant les conducteurs et en rapprochant le plus possible le conducteur sous tension du point d'entre.
14
L'effet protecteur du botier mtallique est possible grce aux courants induits dans le botier ; ces derniers crent un champ magntique qui, selon la loi de Lenz, s'oppose la cause les gnrant, savoir le champ magntique du courant de foudre; plus les courants induits dans la protection sont levs (autrement dit plus la conductance est leve), plus l'effet de protection est important.
47
Figure 6.8
6.4.2.1 Protection du ct DC
Pour la protection du ct DC, il est recommand d'utiliser des SPD varistance ou des SPD combins. Les onduleurs ont gnralement une protection contre les surtensions, toutefois l'ajout de SPD leurs bornes amliore leur protection et permet d'viter leur mise hors service suite au dclenchement des protections internes, qui interrompt la production d'nergie et ncessite l'intervention d'un personnel qualifi. Ces SPD doivent prsenter les caractristiques suivantes : type 2 ; tension de service assigne maximale Ue > 1.25 Uoc ; niveau de protection Up Uinv15 ; courant de dcharge nominal In 5 kA ; protection thermique ayant la capacit de supprimer le courant de court-circuit en fin de vie et coordination avec une protection de secours adapte. tant donn que les modules des strings ont gnralement une tension de tenue aux chocs suprieure celle de l'onduleur, les SPD installs pour protger l'onduleur permettent de protger galement les modules, condition que la distance entre les modules et l'onduleur soit infrieure 10 m16.
Les surtensions susceptibles d'tre gnres, mme si elles sont limites, doivent tre vacues vers le sol au moyen d'un dispositif de protection contre les surtensions (SPD) afin de protger l'quipement. En fait, les SPD sont des dispositifs dont l'impdance varie en fonction de la tension: la tension assigne de l'installation, ils ont une impdance trs leve, tandis qu'en prsence d'une surtension, ils rduisent leur impdance, drivant le courant associ la surtension et maintenant cette dernire dans une plage dfinie de valeurs. En fonction de leurs modalits de fonctionnement, les SPD peuvent tre diviss selon les catgories suivantes : les SPD de commutation, tels que les spintermtres ou les diodes contrles, qui lorsque la tension excde une valeur dfinie, rduisent instantanment leur impdance et par consquent la tension leurs extrmits ; les SPD de limitation, tels que les varistances ou les diodes Zener, ont une impdance qui diminue mesure que la tension leurs extrmits augmente ; les SPD combins comprenant les deux dispositifs susmentionns raccords en srie ou en parallle.
15
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct DC.
16
Le SPD doit tre install du ct alimentation (sens de l'nergie du gnrateur PV) du dispositif de dconnexion de l'onduleur de manire galement protger les modules lorsque le dispositif de dconnexion est ouvert.
6.4.2.2 Protection du ct AC
Une installation PV raccorde au rseau est galement soumise aux surtensions provenant de la ligne. En prsence d'un transformateur de sparation dot d'une protection mtallique mise la terre, l'onduleur est protg des surtensions du transformateur. En l'absence de transformateur ou en prsence d'un transformateur dnu de protection, il est ncessaire d'installer un SPD adapt immdiatement en aval de l'onduleur. Ce SPD doit prsenter les caractristiques suivantes : type 2 ; tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo17 ; niveau de protection Up Uinv18 ; courant de dcharge nominal In 5 kA ; protection thermique ayant la capacit de supprimer le courant de court-circuit en fin de vie et coordination avec une protection de secours adapte.
Si l'analyse des risques du btiment prconise l'installation d'un LPS l'extrieur, il est ncessaire de placer un SPD pour la protection contre le foudroiement direct au point de distribution de l'nergie. Ce SPD doit prsenter les caractristiques suivantes : type 1 ; tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo ; niveau de protection Up Uinv ; courant de choc Iimp 25 kA pour chaque ple ; pouvoir de coupure du courant de suite Ifi excdant le courant de court-circuit au point d'installation et coordination avec une protection de secours adapte. Les Figures ci-dessous montrent la configuration d'une installation PV divise en zones de A E et indiquent la fonction de protection ralise par le SPD lorsqu'il est install dans chaque zone.
Paratonnerre
Limite extrieure de la zone de rception du paratonnerre Zone de liaison quipotentielle des masses du btiment
String A A B C D E
L1
L2
Emplacement du SPD
Fonction Protection de chaque panneau solaire (cellule + raccordements) Protection de la ligne DC principale ( l'entre du btiment) Protection d'entre de l'onduleur, du ct DC
Recommandation Recommand si la distance L1 excde 10 m ou s'il existe un risque de couplage inductif Toujours recommand
Remarques Le raccordement au panneau doit tre aussi court et droit que possible. Si l'environnement le requiert, le SPD doit tre install dans un botier ayant une protection IP adapte Le raccordement la barre de liaison quipotentielle doit tre aussi court et droit que possible. Le raccordement la barre de liaison quipotentielle et la masse de l'onduleur du ct DC doit tre aussi court et droit que possible Le raccordement la barre de liaison quipotentielle et la masse de l'onduleur du ct AC doit tre aussi court et droit que possible Le raccordement la barre de liaison quipotentielle doit tre aussi court et droit que possible.
A A A A A B B B B B C C C C C D D D D D E E E E E
Recommand si la distance L2 excde 10 m
Protection de la sortie de l'onduleur, du ct AC
Toujours recommand
Protection principale au point de distribution de l'nergie
Toujours recommand
17
Uo est la tension la terre des systmes TT et TN; en cas de systme IT, c'est Ue > 1.73 Uo.
18
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct AC.
49
PART III
7 Solutions d'ABB pour les application photovoltaques

7.1 Disjoncteurs botier moul et disjoncteurs ouverts
ABB propose les types suivants de disjoncteurs botier moul, de disjoncteurs ouverts et d'interrupteurs-sectionneurs pour la protection contre les surintensits et la dconnexion des installations PV dans les sections DC et AC. thermomagntiques de type TMF avec seuils thermiques et magntiques fixes (I3 = 10 x In) ; disjoncteurs Tmax T1, T2, T3 et T4 (jusqu' 50A) quips de dclencheurs thermomagntiques de type TMD avec seuil thermique rglable (I1 = 0.7..1 x In) et seuil magntique fixe (I3 = 10 x In) ; disjoncteurs Tmax T4, T5 et T6 quips de dclencheurs thermomagntiques de type TMA avec seuils thermiques (I1 = 0.7..1 x In) et magntiques rglables (I3 = 5..10 x In) ; disjoncteurs Tmax T2 quips de dclencheurs lectroniques de type PR221DS ; disjoncteurs Tmax T4, T5 et T6 quips de dclencheurs lectroniques de type PR221DS, PR222DS et PR223DS ; disjoncteurs Tmax T7 quips de dclencheurs lectroniques de type PR231/P, PR232/P, PR331/P et PR332/P, disponibles en deux versions, avec commande manuelle ou commande moteur accumulation d'nergie.
T3
250 3/4 690 8 800 3000 H L N 36 25 20 5 A S 85 50 40 30 8 N 70 36 30 25 20 S 50 40 30 25
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques
7.1.1 Disjoncteurs botier moul Tmax T pour les applications de courant alternatif
Les disjoncteurs botier moul Tmax, conformes la norme CEI 60947-2 ont une plage d'intensits allant de 1A 1600A, une tension d'utilisation assigne de 690V et des pouvoirs de coupure allant de 16kA 200kA ( 380/415V). Pour la protection de la section AC des installations PV, les disjoncteurs suivants sont disponibles : disjoncteurs Tmax T1B, 1p, quips de dclencheurs
T1 1P
Courant ininterrompu assign Iu Ples Tension de service assigne Ue [A] [N] [V] (AC) 50-60 Hz 160 1 240 8 500 3000 B [kA] [kA] [kA] [kA] [kA] 25* A B
T1
160 3/4 690 8 800 3000 C N B C
T2
160 3/4 690 8 800 3000 N S
T4
250/320 3/4 690 8 1000 3500 H L V N S 50 40 30 25
T5
400/630 3/4 690 8 1000 3500 H L V N
T6
630/800/1000 3/4 690 8 1000 3500 S 50 45 35 22 H L S
T7
800/1000 1250/1600 3/4 690 8 1000 3500 H L V(3)
Tension de tenue aux chocs assigne Uimp [kV] Tension d'isolement assigne Ui Tension d'essai la frquence industrielle pendant 1 mn Pouvoir de coupure ultime assign en court-circuit Icu (AC) 220-230V 50-60Hz (AC) 380-400-415V 50-60Hz (AC) 440V 50-60Hz (AC) 500V 50-60Hz (AC) 690V 50-60Hz Catgorie d'utilisation (CEI 60947-2) Comportement d'isolement Dclencheurs: thermomagntiquesT fixe, M fixe T rglable, M fixe T rglable, M rglable (5..10 x In) magntiques uniquement lectroniques PR221DS PR222DS PR223DS PR231/P PR232/P PR331/P PR332/P Interchangeabilit Versions TMF TMD TMA MA [V] [V]
25 40 50 25 40 65 85 100 120 50 16 25 36 16 25 36 50 70 85 10 15 22 10 15 30 45 55 75 8 3 10 15 4 A 6 8 3 10 25 30 36 50 4 6 A 7 8 10
85 100 200 200 70 70 120 200 36 65 100 180 30 50 40 A 85 150 25 70 80 20
85 100 200 200 70 70 120 200 36 65 100 180 30 50 40 85 150 25 70 80 20
85 100 200 85 100 200 200 70 100 50 50 50 25 80 65 30 50 50 30 70 120 150 65 100 130 50 42 85 100 50 60
B (400A)(1) - A (630A)
B (630A-800A) (2) A (1000A)
B(4)
F F -
(jusqu' 50A)
(jusqu' 500A) -
(jusqu' 800A) -
(MF jusqu' 12.5A)
(jusqu' 250A)
F-P F-P F-P-W F-P-W F-W -
F-W
* Le pouvoir de coupure pour les rglages In=16A et In=20A est 16kA (1) Icw = 5kA (2) Icw = 7.6kA (630A) - 10kA (800A) (3) Uniquement pour T7 800/1000/1250A (4) Icw = 20kA (Versions S, H, L) - 15kA (Version V)
7.2.2 Disjoncteurs diffrentiels

F204 B type B Courant assign In : 40, 63, 125 A Sensibilit assigne Idn : 30, 300, 500 mA Tension assigne : 230 400 V Ples : 4 dans 4 modules Type : B, B slectif Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, CEI 62423 Accessoires pour F204 type B - contact auxiliaire/de signalisation F202 PV B Courant assign In : 25, 63 A Sensibilit assigne Idn : 30, 300 mA Tension assigne : 230 V Ples : 2 dans 4 modules Type : B Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, CEI 62423 Accessoires pour F202PV B - contact auxiliaire/de signalisation
7.2 Contacteurs
Srie A Tension d'utilisation maximale assigne 1000 V AC Courant assign : - contacteurs tripolaires : de 25 A 2050 A (dans AC-1 - 40C) ; - contacteurs ttrapolaires : de 25 A 1000 A (dans AC1- 40C). Design compact de toute la gamme Gamme : - contacteurs tripolaires ; - contacteurs ttrapolaires ; - contacteurs auxiliaires.
7.3 Interrupteurs-sectionneurs
Srie OT Courant assign In: de 15 125 A Ples : 3, 4, 6 et 8 ples selon la tension d'utilisation Caractristiques : - mcanisme de fermeture/d'ouverture rapide et fonction d'attache indpendante (Version OT 45...125) ; - accessoires pour le montage par encliquetage sur les disjoncteurs ; - mcanisme de montage sur rail DIN des interrupteurs-sectionneurs OT 45...125, cadenassable par un adaptateur de verrouillage. Norme de rfrence : CEI 60947-3 S800 PV-M Courant assign In: 32, 63, 125 A Tension assigne Ue : - 2 ples, jusqu' 800 V DC ; - 4 ples, jusqu' 1200 V DC. Courant de courte dure admissible assign Icw : 1.5 kA Plage de tempratures : 25C...+60C
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Catgorie d'utilisation : DC-21A Norme de rfrence : CEI 60947-3 Accessoires pour S800 PV-M : - dclencheurs d'ouverture mission ; - dclencheurs minimum de tension ; - contacts auxiliaires/de signalisation ; - adapteur commande rotative et poigne rotative.
S800 PV-S Courant assign In : 10...125 A Tension assigne Ue : - 2 ples, jusqu' 800 V DC (100 125 A, jusqu' 600 V DC) ; - 4 ples, jusqu' 1200 V DC. Pouvoir ultime de coupure en court-circuit Icu: 5 kA Plage de tempratures : 25C...+60C Norme de rfrence : CEI 60947-2 Accessoires pour S800 PV-S : - dclencheurs d'ouverture mission ; - dclencheurs minimum de tension ; - contacts auxiliaires/de signalisation ; - adapteur commande rotative et poigne rotative.
7.4 Disjoncteurs miniatures

S284 UC Z Courant assign In : 6...63 A Ples : 4 Tension assigne Ue : 500 V DC Pouvoir ultime de coupure en court-circuit Icu : 4.5 kA Plage de tempratures : 25C...+55C Norme de rfrence : CEI 60947-2 Accessoires pour S284 UC Z : - dclencheurs d'ouverture mission ; - dclencheurs minimum de tension ; - contacts auxiliaires/de signalisation ; - adapteur commande rotative et poigne rotative.
Utilisation d'interrupteurs-sectionneurs S800 PV-M dans DC

Configuration des panneaux PV dans les systmes isols de la terre
800 V DC 1200 V DC
Schma de cblage d'une installation PV en aval des strings

S 284 UC - Systme IT
Utilisation de disjoncteurs thermomagntiques S800 PV-S avec DC

Configuration des panneaux PV dans les systmes isols de la terre
80 A 800 V DC
1 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7 8 2 +
3 4
5 6
7 8
1200 V DC
1 2
3 4
1 2
3 4
5 6
7 8
Onduleur + 100, 125 A 600 V DC 1200 V DC
1 Panneaux solaires 2
3 4
1 2
3 4
5 6
7 8
7.5 Dispositifs de protection contre les surtensions, Type 2

OVR PV Protection du ct DC Tension continue applique maximale jusqu' 1120 V DC Courant de dcharge assign du ple : 20 kA Courant de dcharge maximum du ple : 40 kA Autres caractristiques : - protection thermique intgre avec pouvoir de coupure 25 A DC ; - cartouches enfichables ; - contact de signalisation distance dans les versions TS (indicateur distant) ; - pas de courant de court-circuit de suite ; - pas de risque en cas d'inversion de polarit ; - protection de secours avec fusible 4A gR (ou 16A gR uniquement en cas d'installation dans un botier IP65).
7.6 Fusibles sectionneurs et porte-fusibles

E 90 PV Tension assigne : 1000 V DC Courant assign : jusqu' 32 A Dimensions du fusible : 10.3 mm x 38 mm Catgorie d'utilisation : DC-20B Norme de rfrence : CEI EN 60947-3 Autres caractristiques : - un module par ple ; - disponibles en version unipolaire et bipolaire ; - compatibles avec les barres PS ; - section des bornes de 25mm2 ; - scellables en position ferm et verrouillables en position ouvert ; - versions disponibles avec LED de signalisation de coupure du fusible.
53
7.7 Tableaux de distribution

Srie Gemini Degr de protection : IP 66 Classe d'isolement II Tension d'isolement assigne : 1000 V AC, 1500 V DC Matriau de co-injection thermoplastique, 100% recyclable GWT : 750C Plage de tempratures : de 25C +100C Rsistance aux chocs : jusqu' 20 J (degr IK 10) Pour une utilisation en intrieur/extrieur Compatibles avec l'installation de disjoncteurs et d'autres composants sur rail DIN, de disjoncteurs botier moul, de contacteurs et d'autres produits d'automation. Normes de rfrence : CEI EN 50298, CEI EN 50439-1, CEI 23-48, CEI 23-49, CEI 60670 Approuvs IMQ
brides bi-matriau rigides pour faciliter l'introduction de conduits et de cbles Normes de rfrence : CEI 23-48, CEI 23-49, CEI 60670 Approuves IMQ
7.9 Botes de jonction

Degr de protection : IP 65 Classe d'isolement : II Disponibles en matriau polycarbonate auto-extincteur, rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu' 960C (essai au fil incandescent) conformment la norme CEI 60695-2-11 Temprature d'installation : de 25C +60C Rsistance aux chocs : 20 J (degr IK 10) Normes de rfrence : CEI 23-48, CEI 60670 Approuves IMQ
7.8 Units de consommation murales

Srie Europa Degr de protection : IP 65 Classe d'isolement : II Disponibles en matriau thermoplastique auto-extincteur, rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu' 650C (essai au fil incandescent) conformment la norme CEI 60695-2-11 Temprature d'installation : de 25C +60C Tension d'isolement assigne : 1000 V AC, 1500 V DC Rsistance aux chocs : 6 J (degr IK 08) Cadre de rail DIN amovible afin de faciliter le cblage du banc, il peut galement tre dmont (et encliquet) afin de faciliter le raccordement des cbles des ranges simples Possibilit d'installer un quipement d'une profondeur de 53, 68 et 75 mm Units comprenant 8 modules ou plus, quipes de
7.10 Bornes de raccordement
Conformes aux normes CEI 60947-7-1 et CEI 60947-7-2 Interconnexions parallles disponibles Matriau auto-extincteur V0 Connexion de vis Tension : max 1000 V Courant : max 415 A Section : max 240 mm2 Raccordement autodnudant (Systme ADO) Tension : max 1000 V Courant : max 32 A Section : max 4 mm2 Disponible galement en version collier vis ADO Raccordement ressort Tension : max 800 V Courant : max 125 A Section : max 35 mm2 Nouvelle srie SNK Raccordement vis Tension : max 1000 V Courant : max 232 A Section : max 95 mm2
Moteurs sans balai Srie 9C Transducteur contre-raction absolue Frein d'urgence Surcharge : jusqu' 4 fois la valeur assigne Couple d'appel : jusqu' 90 Nm Dimensions globales compactes Principaux avantages : - dimensions compactes ; - construction robuste avec protection IP 65 ; - uniformit de rotation avec tpm bas ; - couples d'appel levs.
7.11 Automates programmables

AC500 CPU 2 interfaces srie intgres, configurables RS232/ RS485 cran intgr pour le diagnostic et le contrle d'tat Possibilit d'extension centralise, jusqu' 10 modules d'extension locale et jusqu' 4 modules de communication externe simultanment, dans toute combinaison souhaite Option : carte SD pour le stockage des donnes et la sauvegarde du programme Ils peuvent galement tre utiliss en tant qu'esclave sur Profibus DP, CANopen et DeviceNet via FieldBusPlug Disponibles avec ports Ethernet intgrs
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Annexe A : Nouvelles technologies de panneaux

A.1 Technologies mergentes
De nouvelles technologies font actuellement l'objet de recherches et de dveloppements. Ces technologies mergentes peuvent tre classes en deux groupes en fonction de leur concept innovant : faible cot, comprenant les cellules pigment photosensible et les cellules hybrides base de nanocomposs inorganiques/organiques (DSSC) ; grande efficacit, comprenant diffrentes approches visant obtenir des cellules capables de dpasser la limite thorique de l'efficacit de conversion solaire pour une jonction simple, savoir 31% sans concentration et 40.8% la concentration maximale possible (OSC). Les cellules pigment photosensible (DSSC galement connues sous le nom de cellules Grtzel du nom de leur inventeur) sont constitues d'une sous-couche en verre ou en plastique comprenant les lments suivants superposs les : une lectrode transparente conductrice fine couche, une couche de nanocristaux poreux de dioxyde de titane semi-conducteur (Ti02), des molcules de colorant (complexes mtal-organique de ruthnium) rparties sur la surface en Ti02, un lectrolyte form d'un solvant organique et d'une paire d'oxydorduction telle que iodure/trioxyde et une contre-lectrode catalyse par du platine. Contrairement aux cellules traditionnelles, la fonction d'absorption du rayonnement solaire et de gnration de charges lectriques est spare de la fonction de transport des charges. En fait, les molcules de colorant absorbent la lumire et crent les paires lectron-trou, puis les lectrons sont injects dans le Ti02 et transports jusqu' la zone de contact o la paire d'oxydorduction fournit la coloration aux lectrons produits en fermant le circuit interne avec l'lectrode arrire ( l'endroit o les lectrons des circuits externes sont prlevs). Le principal avantage de cette technologie est la possibilit de dposer les diffrents matriaux sur une grande surface en employant des processus bas cot. Toutefois ce type de cellules a une efficacit de conversion limite (<11%) et surtout une rsistance de quelques annes seulement l'exposition aux agents atmosphriques et au rayonnement solaire. Les cots de production sont estims environ 0.5 /W. Les cellules solaires organiques (OSC) sont constitues d'une lectrode transparente conductrice (ITO sur verre ou plastique), d'un matriau actif compos de molcules ou polymres organiques et d'une contre-lectrode mtallique. Dans les OSC, l'absorption du rayonnement solaire et la libration des charges lectriques sont ralises par la matire organique qui est galement responsable du transport des charges gnres par l'effet PV vers les lectrodes. Les cellules organiques les plus efficaces (toutefois elles atteignent seulement un pourcentage dfini) s'inspirent du processus de photosynthse de la chlorophylle : elles utilisent un mlange de composs tels que les pigments vgtaux, par ex. les anthocyanines provenant des fruits des bois, ou les polymres et les molcules synthtiss afin de maximiser l'absorption du rayonnement solaire. Dans les cellules hybrides, la matire active peut tre un mlange de molcules organiques et de nanoparticules de composs inorganiques (par ex. nanotubes de carbone). Les semi-conducteurs organiques offrent les capacits requises pour atteindre moyen-long terme l'objectif de production de panneaux PV faible cot, car ils peuvent tre synthtiss puis dposs, basse temprature et un faible cot industriel, sur une grande surface mais galement sur des sous-couches flexibles. l'heure actuelle, la principale limite de ce type de panneaux est leur efficacit de conversion (<7%). De plus, des tudes plus approfondies sur la rsistance et la dure de vie de ces dispositifs doivent tre menes. Les activits d'optimisation de l'efficacit visent avant tout produire plusieurs dispositifs monts en srie, o chaque jonction est conue et ralise avec un matriau spcifique pour la photognration dans un intervalle dfini du spectre de rayonnement solaire. tant donn que chaque jonction requiert une nergie diffrente pour effectuer le transfert des lectrons de la bande de valence la bande de conduction, il est possible d'utiliser l'nergie d'un plus grand nombre de photons que le rayonnement solaire, avec une efficacit de conversion suprieure 30% (limite thorique 50%). La ralisation de cellules base de points quantiques (QD) de silicium est l'une des solutions les plus prometteuses. Dans ce cas, le matriau photoactif est constitu de nanocristaux de silicium d'une forme quasi sphrique et d'un diamtre infrieur 7nm, intgrs dans une matrice de matriau dilectrique base de silicium, tel que l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium ou le carbure de silicium. En contrlant les dimensions et la densit des points, il est possible de fournir le matriau prsentant les caractristiques les plus adaptes l'exploitation d'une partie du spectre solaire. Pour tre compatible avec l'usage photovoltaque, un matriau doit tre constitu de rseaux plus ou moins rguliers de QD de silicium de quelques nm de diamtre une distance d'environ 1 nm dans une matrice de nitrure ou de carbure de silicium. Afin d'obtenir une efficacit leve, une autre approche consiste utiliser des systmes de concentration capables de sparer, par des matriaux dichroques, les diffrents composants chromatiques du rayonnement solaire incident, en dirigeant ce dernier vers diffrentes cellules physiquement spares, chacune capable d'exploiter au mieux une partie du spectre solaire. Cette approche vite l'utilisation de cellules multi-jonctions coteuses et rduit le problme de la hausse de temprature des cellules PV rencontre dans
les systmes de concentration traditionnels. En dpit de la mise en uvre des premires lignes de production pilote, les modules bass sur ces technologies ne sont encore pas disponibles sur le march. Le dlai de commercialisation des cellules organiques est estim environ dix ans. La Figure A.1 montre la prvision de part de march de ces technologies court, moyen et long terme. Outre les technologies mergentes, les nouveaux concepts comprennent le photovoltaque concentration.
Figure A.1
100% 90% 80% 70% 60% March 50% 40% 30% 20% 10% 0% 2010 Nouveaux concepts 2020 Couches minces 2030 Silicium cristallin
40% pour les cellules multi-jonctions ayant une sous-couche de germanium (Ge) ou d'arsniure de gallium (GaAs). Concernant la production dcentralise d'nergie, les systmes PV concentration permettent non seulement la production d'nergie lectrique mais galement la rcupration de la chaleur ncessaire pour les applications de cognration. En effet, la chaleur lie au refroidissement des cellules (60 120C selon le facteur de concentration) peut tre utilise pour la climatisation ou l'eau chaude sanitaire. Cependant, la solution de cognration prsente l'inconvnient de faire fonctionner les cellules une temprature suprieure pour la production de chaleur, entranant une rduction de l'efficacit PV. Le photovoltaque concentration est encore en phase de dmonstration, toutefois, un passage progressif la phase de production industrielle a t constat au cours des dernires annes. Par consquent, le cot de cette technologie (3.5 5 /W) est encore li au dveloppement pr-industriel ; cependant, une rduction 2-3/W est prvue pour les 5 prochaines annes de mme qu'une rduction supplmentaire de moiti au cours des 5 annes suivantes, notamment grce aux nouveaux systmes de suiveur solaire et la recherche sur les systmes haute concentration (1000x).
A.2 Photovoltaque concentration

Les installations solaires concentration utilisent le principe de concentration du rayonnement solaire, au moyen de systmes optiques adapts, pour frapper les cellules PV avec de la lumire. En conservant une puissance crte du systme constante, la surface du semi-conducteur est rduite d'un facteur gal la concentration optique. Ce facteur varie de la valeur 30x dans les systmes prsentant la plus faible concentration une valeur proche de 1000x dans les systmes ayant une concentration suprieure. Cependant, contrairement aux panneaux PV, le photovoltaque concentration peut convertir en nergie lectrique le rayonnement solaire direct uniquement, par consquent ces systmes ont besoin d'un systme de suiveur solaire (hliostat). Les concentrateurs actuellement utiliss sont des concentrateurs par rfraction (lentille de Fresnel ou prismatique) comme dans les solutions de type concentr en un point (dans lesquelles chaque cellule a une optique ddie) et des concentrateurs par rflexion dans les solutions paraboliques de type rseau dense (comprenant une seule optique focale pour un assemblage de cellules places au point focal, autrement dit le long de la ligne de concentration du rayonnement solaire). L'efficacit des panneaux solaires concentration varie de 12% pour les cellules en silicium monocristallin (concentration 20x) environ 20% (concentration 200x) avec des pics
A.3 Photovoltaque panneaux cylindriques

Ces installations solaires semi-intgres utilisent des panneaux cylindriques entirement revtus de couches minces, qui exploitent le rayonnement solaire toute la journe ainsi que la lumire rflchie par la surface sur laquelle ils reposent (Figure A.2). Les panneaux cylindriques ont un rendement optimal lorsqu'ils sont monts horizontalement les uns ct des autres. Ce systme est lger et, contrairement celui des panneaux traditionnels, il n'est pas soumis l'effet de voile. Par consquent, il n'est pas ncessaire que les modules soient fixs par des poids d'quilibrage.
Figure A.2
Rayonnement direct Rayonnement diffus
Rayonnement rflchi
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Annexe B : Autres sources d'nergie renouvelables

B.1 Introduction
Les nergies renouvelables sont les formes d'nergie gnres par des sources qui, de par leurs caractristiques intrinsques, sont rgnres ou ne sont pas puisables une chelle de temps humaine et dont l'utilisation ne met pas en danger les ressources naturelles des gnrations futures. Par consquent, le soleil, la mer et la chaleur de la Terre sont gnralement considrs comme des sources d'nergie renouvelables , autrement dit des sources dont l'usage actuel ne compromet pas la disponibilit dans le futur ; en revanche, les sources dites non renouvelables sont limites pour le futur, d'une part car elles ont des priodes de formation longues, suprieures celles de la consommation relle (en particulier les combustibles fossiles tels que le ptrole, le charbon, le gaz naturel) et d'autre part car leurs rserves ne sont pas inpuisables une chelle de temps humaine. Si la dfinition stricte d'nergie renouvelable est celle indique plus haut, les expressions synonymes nergie durable et sources d'nergie alternatives sont galement employes. Cependant, il existe de lgres diffrences ; en effet, l'nergie durable est une mthode de production et d'utilisation de l'nergie permettant un dveloppement durable, incluant par consquent galement l'aspect d'efficacit des utilisations de l'nergie. Les sources d'nergie alternatives dsignent quant elles toutes les sources autres que les hydrocarbures, drivant de matriaux non fossiles. Il n'existe donc pas de dfinition unique de l'ensemble des sources renouvelables, tant donn que les opinions divergent selon les disciplines concernant l'inclusion d'une ou plusieurs sources dans le groupe des sources renouvelables. de dcrochage arodynamique, dtournant les pales du vent. Certaines oliennes disposent galement de pales pas variable qui s'adaptent au sens du vent, permettant ainsi de conserver une production d'nergie constante. Les tours par minute (TPM) de l'olienne sont trs variables car la vitesse du vent est elle-mme variable ; cependant, tant donn que la frquence du rseau doit tre constante, les rotors sont raccords des onduleurs afin de contrler la tension et la frquence de l'nergie introduite sur le rseau. La cintique de l'olienne est caractrise par de faibles frictions associes une lgre surchauffe. Par consquent, aucun systme de rfrigration (huile et eau) n'est requis, ce qui rduit considrablement les cots d'entretien. L'impact environnemental a toujours t un facteur important de dissuasion de l'implantation de ces installations. De fait, dans la plupart des cas, les endroits les plus exposs au vent sont les cimes et les versants des reliefs montagneux. Les parcs oliens sont alors visibles une grande distance et ont un impact sur le paysage qui n'est pas toujours tolrable. Un autre problme consquent ds lors qu'on envisage une production grande chelle est l'intermittence de l'nergie lectrique gnre. En effet, l'instar du soleil et l'oppos des sources d'nergie conventionnelles, le vent ne fournit pas d'nergie homogne et continue. Plus particulirement, il ne permet pas de contrler l'nergie produite afin de l'adapter l'exigence de charge. De plus, les autorits de contrle du trafic arien de certains pays ont rcemment mis des rserves quant l'installation de nouveaux parc oliens car ceux-ci pourraient interfrer avec les radars, qui ne peuvent pas facilement supprimer les chos produits par les oliennes en raison de leur section radar (SR) leve1. En dpit de toutes ces contraintes, les parcs oliens connaissent un essor dans de nombreux pays europens, notamment grce leur facilit d'installation et leur entretien rduit ainsi qu' la possibilit d'une exploitation sur terre mais galement en mer, avec les parcs offshore.
B.2 nergie olienne

L'nergie olienne est le produit de la conversion de l'nergie cintique du vent en d'autres formes d'nergie, principalement en nergie lectrique. Les dispositifs adapts ce type de transformation sont appels arognrateurs ou oliennes. Une olienne requiert une vitesse minimale (de conjonction) du vent de 3-5 m/s et produit la puissance nominale une vitesse du vent de 12-14 m/s. des vitesses suprieures, le gnrateur est bloqu par le systme de freinage pour des raisons de scurit. Ce blocage peut tre ralis par de vritables freins qui ralentissent le rotor ou l'aide de mthodes bases sur le phnomne
B.3 nergie de la biomasse

La biomasse utilisable pour la production d'nergie est constitue de toutes les matires vivantes pouvant tre
1
La section radar (SR) est une mesure de la dtectabilit d'un objet par un radar. En effet, lorsque les ondes du radar sont diffuses vers une cible, seul un certain nombre d'entre elles sont renvoyes. Diffrents facteurs dterminent la quantit d'nergie lectromagntique renvoye la source, tels que les angles crs par les intersections du plan et de la surface. Par exemple, un avion furtif (conu pour tre indtectable) aura des caractristiques de conception impliquant une faible SR, contrairement un avion de ligne qui aura une forte SR.
employes directement comme combustibles ou transformes en combustibles liquides ou gazeux dans les usines de transformation, pour un usage plus adapt et plus large. Le terme biomasse regroupe des matires htrognes, allant des rsidus forestiers aux dchets de l'industrie de transformation du bois ou de fermes zootechniques. En gnral, toutes les matires organiques drives de ractions photosynthtiques peuvent tre dfinies comme de la biomasse. En Italie, les biomasses couvrent environ 2.5% de la demande d'nergie. Leur contribution aux missions de dioxyde de carbone dans l'atmosphre peut tre quasiment considre comme nulle tant donn que la quantit de CO2 mise pendant la combustion est quivalente celle absorbe par la plante durant sa phase de croissance. Les biomasses peuvent tre utilises dans des centrales thermiques de diffrentes dimensions, lesquelles sont strictement lies aux caractristiques du territoire et la disponibilit de ce combustible dans les zones environnantes.
L'immense rserve nergtique offerte par la mer (plus de 70% de la surface de la Terre est constitue d'eau d'une profondeur moyenne de 4000 m) peut tre exploite de diffrentes manires. En effet, outre la chaleur lie au gradient thermique (diffrence de temprature entre deux points), la mer produit une nergie cintique due la prsence de courants, de vagues et de mares. Dans les rgions prsentant une grande amplitude entre la mare haute et la mare basse, il est possible d'envisager la construction d'une usine marmotrice. Sur les ctes canadiennes ou sur le littoral de la Manche, la diffrence de hauteur entre les mares hautes et les mares basses atteint 8 15 m ; en revanche, dans la Mer Mditerrane, le marnage n'excde gnralement pas 50 cm. Dans un usine marmotrice, l'eau circule l'intrieur et l'extrieur d'un bassin de quelques kilomtres carrs, passant dans une srie de tuyaux dans lesquels elle gagne de la vitesse et entrane des turbines raccordes des gnrateurs (alternateurs). mare descendante, l'eau circule du bassin vers la haute mer, entranant les turbines; lorsque le niveau de la mer commence monter et que la mare est suffisamment haute, l'eau de la mer circule dans le bassin, entranant nouveau les turbines. Une particularit de ce systme est la rversibilit des turbines, qui peuvent fonctionner mare montante et descendante (Figure B.1).
Figure B.1
B.4 Gothermie
La gothermie est une forme d'nergie utilisant les sources de chaleur des rgions intrieures de la terre, savoir le sous-sol. Elle est naturellement prsente dans les rgions connaissant des phnomnes gothermiques (la Toscane, le Latium, la Sardaigne, la Sicile et d'autres rgions de la Vntie, de l'milie Romagne et de la Lombardie peuvent tre signales comme des rgions chaudes). La chaleur se diffusant dans les pierres proches de la surface peut tre exploite pour gnrer de l'lectricit l'aide de turbines vapeur ou utilise dans des applications rsidentielles et industrielles2. Il existe galement des technologies (pompes chaleur capteurs gothermiques) capables d'exploiter l'nergie latente stocke dans le sol : dans ce cas, nous parlons de gothermie basse temprature. Ces pompes sont des systmes de chauffage (mais galement de refroidissement) lectrique qui exploitent la temprature relativement constante du sol pendant l'anne et peuvent trouver une application dans un grand nombre de btiments dans le monde entier. Les capteurs gothermiques sont des changeurs de chaleur (des tubes) monts verticalement (ou horizontalement) au sol dans lesquels circule un fluide caloporteur. Pendant l'hiver, l'environnement est chauff en transfrant l'nergie du sol vers la maison. En t le systme est invers, prlevant la chaleur ambiante et la transfrant dans le sol.
Haute mer
Bassin
Turbine avec gnrateur
B.5 nergie marmotrice et nergie variable

2
En Italie, l'exploitation de la gothermie est aujourd'hui limite la Toscane et au haut Lazio avec une capacit totale de 681 MW en 2004 et une production de 5.4 milliards de kWh quivalant 1.55% de la production lectrique nationale.
Globalement, l'exploitation des mares pour produire de l'lectricit s'avre peu efficace ; jusqu' prsent, seules deux installations de ce type ont t construites : la plus importante est situe sur l'estuaire de la Rance en Bretagne (France) et a une capacit nergtique totale de 240 MW tandis que l'autre se trouve en Russie. Les vagues emmagasinent l'nergie du vent. Plus la longueur d'onde est importante, plus la quantit d'nergie stocke est grande. tant donn l'tendue de l'ocan et l'nergie contenue dans une seule vague, nous disposons d'une immense rserve d'nergie renouvelable. La quantit totale moyenne d'nergie contenue dans le mouvement ondulatoire des vagues (parcourant des centaines de kilomtres sans vent et avec une faible dispersion) au large
59
des ctes amricaines, calcule avec une profondeur d'eau de 60 m (l'nergie commence se dissiper une profondeur d'environ 200 m et est divise par trois 20 m) a t estime environ 2100 trawatt-heure (TWh/an) (210010 Wh). La production d'nergie marmotrice est d'ores et dj une ralit et suscite un grand intrt. Dans des pays tels que le Portugal, le Royaume-Uni, le Danemark, le Canada, les tats-Unis, l'Australie, la Nouvelle-Zlande ou autres, des dizaines d'entreprises et d'instituts de recherche se consacrent exclusivement ce domaine. Le cot par KWh de cette ressource s'approche dj de celui de l'nergie olienne. Les technologies en phase d'essai et en cours d'utilisation sont diffrentes et nombreuses : dispositifs flottants ancrs au moyen d'un cble droul et enroul, pastilles pizolectriques, caissons remplis et vids d'eau, divers systmes flottants et systmes fixes sur terre et sur les fonds marins. Les premires installations taient des structures fixes ayant un fort impact environnemental. Le premier projet flottant fut le projet Kaimei, dans le cadre duquel un groupe de nations (tats-Unis, Royaume-Uni, Irlande, Canada et Japon) a entrepris en 1978 la construction d'un navire dont la gnration de puissance tait de 2 MWh. Un autre projet similaire est le Mighty Whale japonais. Le projet italien Sea Breath s'inscrit dans le cadre de cette initiative.
piscines. Cette technologie est mature et fiable, offrant des installations d'une dure de vie suprieure 20 ans et un dlai de rentabilit parfois trs court. Une famille de 4 personnes utilisant 75 litres d'eau chaude par personne/ jour et associant une chaudire gaz traditionnelle une installation solaire (installation type : panneaux de 4 m2 et rservoir de 300 litres) peut amortir l'investissement initial d'environ 4 000 euros sur une priode de trois ans. Ce calcul tient compte des actuelles mesures d'incitation permettant de dduire des impts une partie des frais d'achat et d'installation (rduction d'impts de 55% pour la requalification nergtique des btiments). Les solutions technologiques actuellement disponibles peuvent tre classes en trois catgories : collecteurs sans vitrage, bass sur un principe de fonctionnement trs simple : l'eau circule dans des tuyaux gnralement constitus de matire plastique directement exposs au rayonnement solaire. En chauffant, ces tuyaux permettent d'augmenter la temprature de l'eau y circulant ; collecteurs plats, qui sont bass sur le mme principe que les collecteurs sans vitrage, mais utilisent des matriaux ayant une conductivit thermique suprieure (cuivre, acier inoxydable, aluminium, etc.) et sont protgs dans des botiers (panneaux) constitus d'une plaque absorbante l'arrire (visant retenir la chaleur et maximiser le rayonnement) et d'une plaque en verre (ou en matire plastique) dans la partie suprieure, afin de prvenir la perte de chaleur dans l'environnement due la convection ; collecteurs tubulaires sous vide, dans lesquels le tube contenant le fluide caloporteur est protg par un tube en verre de diamtre suprieur, dont la surface interne est revtue de matriau absorbant et o le vide est cr afin d'obtenir une isolation thermique visant rduire la perte de chaleur due la convection. La chaleur capte par le fluide caloporteur est transfre de diffrentes manires selon le type d'installation vers l'eau sanitaire stocke dans un rservoir particulier. L'eau chaude produite par une installation solaire thermique peut tre utilise : 1. pour un usage sanitaire (salle de bain, cuisine, machine laver, lave-vaisselle) ; 2. pour un chauffage domestique (l'association avec des systmes radiants tels que le chauffage au sol et les panneaux muraux est recommande car ils requirent de l'eau une plus basse temprature que les radiateurs normalement utiliss et causent moins de perte de chaleur) ; 3. pour maintenir la temprature dans les piscines ;
B.6 nergie mini-hydrolectrique

Le terme mini-hydrolectrique fait gnralement rfrence aux centrales hydrolectriques dont la puissance est infrieure 10 MW, dont les dimensions sont rduites et dont l'impact environnemental est faible. L'nergie est obtenue par des centrales hydrauliques qui utilisent le flux de l'eau pour entraner des turbines. La technique mini-hydrolectrique peut constituer une ressource importante pour de nombreuses rgions agricoles et montagneuses. Elle peut tre exploite en utilisant les structures existant le long des rivires (conduits, stations d'puration, aqueducs) de mme que, en prsence d'un flux d'eau suffisant, en formant des vagues et en effectuant des interventions ayant un impact limit sur les bassins versants.
B.7 nergie solaire thermique

Les installations solaires thermiques sont les installations les plus rpandues et les plus facilement applicables sur les toits en Italie. Par l'intermdiaire d'un collecteur solaire, elles utilisent le rayonnement solaire principalement pour le chauffage de l'eau, les utilisations sanitaires ainsi que, aprs une valuation prcise, pour le chauffage des pices et des
4. pour les particuliers ainsi que pour les structures plus grandes (centres de loisirs, hpitaux, htels, etc.). En simplifiant cette classification, trois types d'installations solaires thermiques peuvent tre identifis : circulation naturelle. Ces systmes exploitent le principe naturel selon lequel un fluide chaud a tendance monter, tandis qu'un fluide froid tendance descendre. Dans ce cas, l'unit de stockage thermique est place au-dessus du panneau (montage sur le toit comme dans la Figure B.2a ou installation au grenier comme dans la Figure B.2b). Le fluide caloporteur, aprs avoir t chauff par le rayonnement solaire, monte directement dans l'unit de stockage et transfre sa chaleur l'eau contenue dans l'unit. Lorsque le fluide a refroidi, il redescend dans les panneaux et le cycle recommence. Cette technologie requiert simplement quelques collecteurs solaires et une unit de stockage/changeur de chaleur. Les surfaces et les tailles varient en fonction des exigences thermiques. Les avantages de ce type d'installations sont notamment le faible cot, le fonctionnement sans pompe lectrique ni unit de contrle, l'inclinaison donne par la pente du toit, l'installation rapide et conomique, l'entretien minimum et la grande efficacit renforce par la circulation naturelle du fluide caloporteur. Toutefois, ces installations prsentent galement quelques inconvnients, allant des plus mineurs comme la nature esthtique aux plus importants comme l'exposition de l'unit de stockage aux agents atmosphriques et aux conditions environnementales adverses et la ncessit que la structure du toit puisse supporter le poids de l'installation ;
Figure B.2
circulation force. Contrairement la circulation naturelle, la circulation force permet de placer l'unit de stockage un niveau infrieur celui des collecteurs et donc dans la maison. Dans ce type d'installation, la prsence d'une pompe lectrique permet au fluide caloporteur de circuler des collecteurs (position suprieure) l'unit de stockage thermique (position infrieure). Par rapport aux systmes circulation naturelle, ce type d'installation requiert une pompe de circulation, une unit de commande, des capteurs de temprature et des cuves d'expansion et implique des cots gnralement plus levs et des exigences d'entretien suprieures. Cependant, les personnes habitant dans des centres historiques prestigieux (et par consquent dans des btiments soumis des rgles architecturales) et ne disposant pas de grenier pour cacher l'unit de stockage du systme circulation naturelle, peuvent rsoudre ce problme de dimensions de l'unit de stockage sur le toit grce la circulation force (Figure B.3) ;
Figure B.3 - Types de collecteurs solaires Panneaux gnralement placs sur un toit ou tout autre endroit suffisamment spacieux et ensoleill
Unit de stockage contenant de l'eau
Chaudire utilise pour intgrer la chaleur si ncessaire
circulation force et vidange automatique. Cette technologie est une volution de la circulation force traditionnelle. Elle supprime l'ventuel inconvnient de la stagnation du fluide caloporteur dans les collecteurs, susceptible de se produire en cas de blocage de la pompe ou d'autres problmes caractristiques de la circulation force. En effet, la stagnation peut causer une surchauffe du fluide et endommager srieusement l'installation solaire. Au contraire, avec ce type d'installation, les panneaux se vident et le liquide circule l'intrieur de l'unit de vidange ds que la pompe s'arrte, vitant ainsi la rupture des collecteurs due la stagnation. Une installation circulation naturelle de 2-3 m2 avec
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une unit de stockage de 150/200 litres pour l'eau chaude sanitaire (utile pour rpondre aux besoins de 2 4 personnes) a un cot moyen de 2,000-3,000 (installation, main d'uvre et TVA comprises). Pour une installation plus grande, toujours circulation naturelle, de 4 m2 de surface, avec une unit de stockage de 300 litres (utile pour rpondre aux besoins de 4 6 personnes), un cot indicatif d'environ 4,000-4,500 doit tre envisag. Une installation encore plus grande - 15 m2 avec une unit de stockage de 1,000 litres (pour une famille de 5 membres dans une maison dote d'un systme de chauffage au sol) et une circulation force contribuant au chauffage des pices - a un cot indicatif d'environ 12,000 . Une installation solaire thermique permet de faire des conomies sur les factures d'lectricit et/ou de gaz tout en ayant un dlai d'amortissement intressant. Les panneaux solaires rpondent environ 70% des besoins en eau chaude sanitaire d'une maison. Lors de l'utilisation de l'nergie solaire pour le chauffage domestique, le besoin total satisfait peut atteindre 40%. Un systme solaire thermique correctement install peut tre garanti jusqu' quinze ans et un entretien appropri peut allonger sa dure de vie. Il est possible de bnficier d'une exonration fiscale pour les installations thermiques (uniquement lorsqu'elles sont installes dans des btiments dj inscrits au cadastre) quivalant 55% des cots d'achat et de montage de l'installation, rpartie sur 5 ans conformment la Loi n2 du 28 janvier 2009 relative la conversion du Dcret lgislatif anticrise 185/2008. Cette dduction a t prolonge d'une priode de trois ans dans la Loi des finances 2008. La TVA pour les installations solaires est de 10%. De plus, dans de nombreuses rgions, provinces et communes, des incitations et des prts sont proposs, couvrant gnralement 25 30% des dpenses totales.
tu de miroirs spcialement conus pour capter et focaliser le rayonnement solaire sur un rcepteur qui l'absorbe et le transforme en nergie thermique. L'ensemble du concentrateur et du rcepteur forme le collecteur solaire. Dans les technologies actuellement disponibles, le concentrateur peut tre linaire ou concentr en un point, de type continu ou discontinu (Figure B.4) : solution a), concentrateurs cylindro-paraboliques ; solution b), concentrateurs paraboliques ; solution c), rflecteurs de Fresnel linaires ; solution d), systmes tour solaire.
Figure B.4 - Types de collecteurs solaires
LINAIRE
CONCENTR EN UN POINT
Rcepteur/Moteur
Concentrateur
CONTINU
Concentrateur
Rcepteur
Rcepteur Concentrateur Rcepteur
DISCONTINU
Heliostat
B.8 nergie solaire thermodynamique

Dans une installation solaire thermodynamique, la conversion de l'nergie solaire en lectricit est ralise en deux phases : le rayonnement solaire est tout d'abord converti en nergie thermique ; puis l'nergie thermique est convertie en nergie lectrique par un cycle thermodynamique. La conversion thermodynamique de la seconde phase est entirement analogue celle des installations thermiques conventionnelles. Il est donc ncessaire que l'nergie thermique ait une temprature leve afin d'obtenir une grande efficacit. Par consquent, dans les systmes solaires thermodynamiques, il faut gnralement concentrer le rayonnement solaire au moyen d'un concentrateur, consti-
Chaque technologie permet d'atteindre divers facteurs de concentration, autrement dit diffrentes valeurs de temprature maximale ainsi que des types de cycles thermodynamiques plus adapts la conversion de l'nergie thermique en nergie lectrique. Par consquent, une installation solaire thermique peut tre considre comme le regroupement de deux sousensembles : l'un constitu du collecteur solaire qui ralise la premire phase de la conversion d'nergie ; l'autre convertissant l'nergie thermique en nergie lectrique et constitu de l'quipement de conversion d'nergie et du systme de transport et de stockage qui transfre la chaleur du collecteur au cycle thermodynamique. L'unit de stockage thermique a pour but de stocker la chaleur gnre afin de garantir le bon fonctionnement de l'installation en cas de variations soudaines de l'ensoleillement dues des phnomnes mtorologiques. Selon la temprature maximale du fluide caloporteur, les
types de cycles thermodynamiques suivants peuvent tre adopts : le cycle de Rankine eau-vapeur (pour les tempratures comprises entre 400 et 600C) typique pour les installations collecteurs cylindro-paraboliques, le cycle de Stirling (pour les tempratures jusqu' 800C) dans les installations concentrateurs paraboliques et le cycle de Joule-Brayton (pour les tempratures jusqu' 1000C) en configuration simple ou en cycle combin, gnralement dans des installations tour solaire. Dans les installations concentrateurs cylindro-paraboliques (Figure B.5), les miroirs sont utiliss pour focaliser le rayonnement solaire sur les tubes rcepteurs thermoefficaces circulant le long de la ligne focale de la parabole. Un fluide caloporteur (huile synthtique ou mlange de sels fondus) circule dans ces tubes. Il prend la chaleur du rcepteur et la transfre vers l'eau du cycle thermodynamique par l'intermdiaire d'changeurs de chaleur, gnrant une vapeur surchauffe qui entrane une turbine vapeur standard. Ces types d'installations ont une conversion nette annuelle moyenne d'environ 12 14% et reprsentent la quasi-totalit des installations solaires thermodynamiques actuelles.
Figure B.5 - Concentrateurs cylindro-paraboliques
petit moteur Stirling ou d'une petite turbine gaz. Ces types d'installations ont une conversion nette annuelle moyenne d'environ 18% avec des pics quotidiens 24%, toutefois elles sont adaptes la gnration de faibles puissances (quelques dizaines de kW).
Figure B.6 Installation parabolique
Les installations concentrateurs de Fresnel linaires (Figure B.7) sont similaires d'un point de vue conceptuel aux installations cylindriques linaires. Elles ont des retours optiques lgrement infrieurs mais des systmes de suiveurs plus simples pour les miroirs et des structures plus lgres car elles sont moins exposes au vent. Elles sont encore en phase d'essai toutefois, selon les valuations des cots de fabrication des collecteurs, elles s'avrent plus rentables que d'autres technologies.
Figure B.7 Installation concentrateurs de Fresnel linaires
Dans les installations concentrateurs paraboliques (Figure B.6), le rayonnement solaire est concentr dans un collecteur plac dans le foyer d'un rflecteur parabolique. Le collecteur absorbe la chaleur du rayonnement et chauffe un fluide utilis pour gnrer de l'nergie lectrique directement dans le rcepteur au moyen d'un
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Dans les installations rcepteur central (Figure B.8), le rayonnement solaire provenant des miroirs plats (hliostats) placs en cercles sur le sol est focalis sur le rcepteur central mont sur une tour. Dans le rcepteur, un changeur absorbe le rayonnement rflchi et le convertit en nergie thermique, gnrant une vapeur surchauffe envoye dans les turbines ou chauffant l'air ou le gaz dment comprim et utilis directement dans des turbines gaz cycle ouvert ou ferm.
Figure B.8 Installation rcepteur central
d'utilisation ; le second permet de raccorder un systme PV en remplacement temporaire du cognrateur afin que les panneaux puissent tre exploits lors de l'ensoleillement maximum et que le cognrateur fonctionne pendant la nuit ou en cas de faible ensoleillement. La flexibilit de la cognration DC, qui s'applique galement aux petits consommateurs avec une efficacit pouvant atteindre 90%, est bien adapte l'intermittence des sources renouvelables, permettant une alimentation constante des systmes autonomes qui n'utilisent pas le rseau pour stocker l'nergie lectrique. De plus, des systmes hybrides plus complexes sont en train de voir le jour : ils permettent de stocker l'nergie dans l'hydrogne produit par lectrolyse en utilisant l'excdent d'nergie lectrique gnr par les systmes photovoltaques ou oliens lorsque la consommation des charges et du rseau est basse3. L'hydrogne produit est stock dans des rservoirs haute pression puis utilis pour gnrer de l'nergie lectrique au moyen de piles combustibles ou d'un mlange de biogaz4. Toutefois, ces systmes ont encore une faible efficacit totale dans la chane de conversion de l'nergie lectrique en hydrogne puis en lectricit par les piles combustible. De plus ces dispositifs sont encore relativement coteux. Il existe cependant des solutions techniques visant rduire ces inconvnients ; leur utilisation grande chelle doit permettre une rduction des cots et une augmentation de l'intgration du systme avec une diffusion croissante, recherchant l'introduction de rseaux intelligents, autrement dit des rseaux de distribution intelligents capables de transfrer l'nergie lectrique d'un point du rseau un autre dans une configuration caractrise par une varit de producteurs galement auto-consommateurs.
B.9 Systmes hybrides

Dans un futur proche, il sera non seulement possible d'envisager l'application d'une source renouvelable un btiment ou un site, mais galement de considrer des solutions hybrides permettant une source de complter l'autre. Cette intgration a dj des applications dans les btiments rsidentiels, o de plus en plus de systmes solaires thermiques sont coupls des installations PV ou bien des systmes de gothermie sont combins des systmes solaires thermiques. De plus, la cognration DC est actuellement dj utilise dans les installations de cognration produisant de la chaleur et de l'nergie lectrique DC, qui est convertie en courant alternatif par un onduleur l'instar des installations PV. Ce type d'installation offre deux avantages : le premier permet de moduler la production lectrique de 15 100% de la puissance maximale selon les exigences
C'est le cas typique des systmes oliens en Europe du Nord, o le vent souffle souvent trop fort par rapport aux demandes relles du rseau. Les oliennes doivent alors tre arrtes, perdant par consquent le quota de production susceptible d'tre utilis. Afin d'viter cette situation, des systmes de stockage d'hydrogne sont raliss pour stocker l'nergie produite par les oliennes les jours de vents forts, autrement dit lorsque les installations gnrent plus d'nergie que la quantit requise par le rseau.
Ou gnration de chaleur pour le chauffage urbain et vente d'ventuels biogaz rsiduels comme combustible pour les moyens de transport.
Documents d'application technique

QT5
Disjoncteurs ABB pour les applications de courant direct
QT6
Appareils de commutation et de contrle basse tension l'preuve des arcs lectriques
QT1
Slectivit basse tension avec les disjoncteurs ABB
QT7
Moteurs asynchrones triphass Gnralits et propositions d'ABB pour la coordination des dispositifs de protection
QT2
Postes de transformation MT/BT : thorie et exemples de calcul de court-circuit
QT8
Correction du facteur de puissance et filtrage des harmoniques dans les installations lectriques
QT3
Systmes de distribution et protection contre le contact indirect et le dfaut la terre
QT9
Communication par bus avec les disjoncteurs ABB
QT4
Disjoncteurs ABB dans les tableaux de distribution BT
QT10
Contact
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Document d'application technique n10 Installations photovoltaques

Technical Application Papers

2.6 Inclinaison et orientation 2.7 Tensions et courants d'une installation

1.4 Types de panneaux photovoltaques

.... 12 Panneaux en cristaux de silicium ................. 12 Panneaux couche mince ........................... 13

1.5 Types d'installations photovoltaques .... 15

2.8 Variation de la production d'nergie ...... 24

1.6 Intermittence de la gnration et

3.3 Choix de l'onduleur et interfaage ................. 28 3.4 Choix des cbles............................................ 32

Technical Application Papers

6.4 Protection contre les surtensions................... 45

5.3 Installations sans transformateur .................. 41

7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9

7.10 Bornes de raccordement.............................. 54 7.11 Automates programmables .......................... 54

Technical Application Papers

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1.2 nergie solaire

27% absorbs par la surface du sol

Technical Application Papers

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

constante solaire Rduction du rayonnement solaire

Figure 1.5 - Atlas solaire

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV) 7

Technical Application Papers

composants d'une installation photovoltaque

1.3.1 Gnrateur photovoltaque

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Rgion d'appauvrissement Jonction

Silicium de type N Jonction P-N Silicium de type P

Flux des trous

Gnralits sur les installations photovoltaques (PV

1 Sparation de la charge 2 Recombinaison 3 Transmission 4 Rflexion et ombrage des contacts frontaux

lectrode ngative Couche N

Rgion P-N Couche P

assemblage de plusieurs modules en une structure unique

assemblage de panneaux raccords en srie

assemblage de ranges raccordes en parallle pour obtenir l'nergie requise

Technical Application Papers

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Verre Sous-couche de support EVA

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Maximum Power Point

Vsin 4 Tension (V)

m = Vsin / Vtr <1

Technical Application Papers

1.4 Types de panneaux photovoltaques

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Figure 1.16 Panneau en silicium monocristallin

Figure 1.17 Panneau en silicium polycristallin

1.4.2 Panneaux couche mince

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Tellure de cadmium (CdTe 6nm)

Tellurure d'antimoine (Sb2 Te3 200nm) Molybdne (Mo 200nm)

Technical Application Papers

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

rendement nergtique dimensions suprieur avec globales optimales rayonnement diffus

Tableau 1.2 GaAs (Arsniure de gallium) cellule Avantages 32,5%

CIS (Alliages de cuivre iridium slniure) 12% trs constant

toxicit Inconvnients disponibilit des matriaux

1.5 Types d'installations photovoltaques

Figure 1.20 Abris et clairage public photovoltaques

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1 Gnrateur PV 1 2 Tableaux de distribution ct DC 3 Rgulateur de charge 4 Systme de stockage (batterie)