Durante los procesos de formacin de pelculas delgadas por CVD, la velocidad de deposicin de las pelculas se encuentra determinada fundamentalmente

por la difusin a travs de la capa que rodea el sustrato (capa lmite) y la reaccin en superficie. En la tcnica de APCVD ambos procesos presentan velocidades similares. Sin embargo, para una temperatura dada, cuando se baja la presin la velocidad de difusin aumenta notablemente por lo que es la reaccin en la superficie la que determina la cintica de la reaccin de formacin de la pelcula. Al mismo tiempo mejora tambin la uniformidad de espesor de las capas. De esta forma, es posible un control ms preciso del proceso mediante la eleccin adecuada de los parmetros experimentales. El trabajo a presin reducida permite adems la deposicin de un gran nmero de muestras en un solo experimento, colocando las muestras muy prximas entre s, sin prdida de la homogeneidad de espesor. Esto hace que la tcnica de CVD a baja presin resulte muy econmica, y de ah que se haya extendido en la industria electrnica en procesos de deposicin de materiales aislantes, de silicio amorfo y policristalino y de metales refractarios y siliciuros.

Tcnicas de deposicin qumica en fase de vapor (CVD)

La tcnica de CVD consiste en la reaccin de una mezcla de gases en el interior de una cmara de vaco (reactor) para dar lugar a la formacin de un material en forma de capa delgada (fig. 1). Los subproductos de la reaccin son evacuados hacia el exterior mediante un sistema de alta velocidad de bombeo (bomba 'roots' apoyada con rotatoria).

Figura 1. Deposicin qumica en fase de vapor

En particular, nuestro grupo de trabajo se ha centrado en el desarrollo de la tcnica de CVD a baja presin (LPCVD). En este caso, la presin de trabajo en el reactor se mantiene habitualmente por debajo de 1 Torr, (aunque en ocasiones se utilizan presiones algo mayores) con objeto de aumentar la difusin de los gases a las regiones del substrato no directamente expuestas (cavidades, poros, etc.). Con ello se favorece la reaccin en superficie (reaccin en fase heterognea) y mejora tambin la homogeneidad en espesor del recubrimiento. En el laboratorio se dispone de diversos equipos de preparacin de capas delgadas mediante tcnicas de CVD, diferencindose unas de otras en el mtodo de activacin de la reaccin de deposicin. Un esquema general de un sistema de CVD, incluyendo los sistemas de calentamiento, control de presin, entrada de gases y de vaco puede verse en la fig. 2. El laboratorio est equipado con un amplio depsito de gases y lquidos precursores (silano, metano, amonaco, oxgeno, hidrgeno, nitrgeno, TEOS, etc.) con objeto de depositar una gran diversidad de materiales (xidos y nitruros de silicio, carbonitruros, carbono en forma graftica o diamante, etc. ). Los substratos utilizados son tambin de diferente naturaleza, como por ejemplo: obleas de silicio, probetas metlicas, discos porosos de almina, etc.

Figura 2. Esquema general de un sistema de CVD

TCNICAS DE CVD
Existen diferentes tcnicas de CVD dependiendo del modo de activacion de la reaccion de la mezcla gaseosa durante el proceso de deposicion: CVD activado termicamente. CVD activado por plasma (PACVD y MWCVD). Deposito quimico en fase vapor asistido por filamento caliente (HW-CVD). Photo-CVD.

Ademas de las tecnicas, existen basicamente dos tipos de reactores: reactor de pared caliente: este esta rodeado de un horno tubular lo cual implica que las paredes del reactor y el sustrato estan practicamente a la misma temperatura y, por lo tanto, la deposicion ocurre tambien sobre las paredes del reactor. Una ventaja de este reactor es que permite recubrir muchas piezas simultaneamente, pero a su vez, se introducen contaminantes provenientes de reacciones entre los gases y las paredes. reactor de pared fria: el sustrato se calienta por induccion electromagnetica o infrarroja mediante una resistencia electrica colocada en contacto con el mismo, de esta manera, las paredes del reactor estan mas frias disminuyendo asi los riesgos de contaminacion. Una ventaja de este reactor es que el polvo no se deposita en la camara, pero solo pueden trabajar con sustratos de area transversal pequea y los metales de baja conductividad termica no pueden calentarse.

APLICACIONES DE LOS RECUBRIMIENTOS CERAMICOS OBTENIDOS POR CVD

APLICACIONES a) Mecnicas: Resistencia al desgaste Baja friccin Reduccin de la corrosin Proteccin trmica

MATERIALES TPICOS (diamante y cuasi-diamante) BN, B4C, SiC, AIN, Si3N4 TiN, TiC, TiB2, CrSi2, MoSi2, Mo2C, Al2O3, ZrO2, BeO MoS2, BN, BaF2/Ca2 Cr2O3, Al2O3, Si3N4, SiO2 CaSi4, MgAI2O4, MgO, ZrO2(estabilizado, Mg o Ca)