Вы находитесь на странице: 1из 15

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE

SAN LUIS POTOSI


REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 1 M.I. Sergio Villanueva Bravo

Material.- Todo aquello que va a ocupar un lugar en el espacio y que tiene propiedades
fsicas y qumicas y tiene un uso ingenieril.

Orgnicos
Inorgnicos
Metlicos
No metlicos
Materiales compuestos

Acero
Ferrosos
Hierro

Metlicos Puro
Aleaciones base aluminio
Aleado
No ferrosos
Aleaciones metales preciosos
Latones (Cu- Zn)
Aleaciones base Mg Cupro- niqueles
Aleaciones base cobre Puro (99.99%)
Bronces (Cu-Sn)

Inorgnicos Cermicos

No metlicos
Polmeros
Madera
Orgnicos Piel
Derivados del petrleo


Materiales compuestos (combinacin de materiales metlicos y no metlicos)


Estructura cristalina
Cermicos
Sin estructura cristalina


Termoplsticos
Polmeros Termoedurecibles
Elastmeros


Particulados (con partculas)
Mat. Compuestos Con fibras
Con lminas

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 2 M.I. Sergio Villanueva Bravo


MMIC Metals Matriz Internal Composites, Cermets , Polmeros Cristalinos

Estructurales
Aeroespaciales
Biomdicos
Electrnicos
Funcionalidad Inteligentes
pticos
Magnticos
Tecnologa de energa y medio ambiente


Estructura de los materiales

La forma en que se encuentran arreglados (ordenados) los tomos que forman el
material. La composicin y la estructura de los tomos en un material tienen una enorme
influencia en el mismo. La estructura de los materiales se puede examinar y describir en 5
niveles diferentes.

1. Macroestructurales
2. Microestructurales (500 nm -1000nm)
3. Nano estructurales
4. Arreglos atmicos de corto y largo alcance
5. Estructura atmica

tomo ; del griego: A-sin, Tomos-Divisin

El tomo esta compuesto por un ncleo rodeado de electrones. El ncleo contiene
neutrones y protones.

Numero atmico: Representa la cantidad de electrones o protones en cada tomo.

Masa atmica: La cantidad promedio de neutrones y protones se encuentran en el
ncleo.

Peso del electrn: 9.11 X 10
-28
g

Fe= 55,85g, Cu= 63,55g, Pb= 207,20g

Mol: Es una relacin numrica entre la masa de una sustancia y su peso molecular

n = m/ P.M m= masa de la sustancia n = 5585/55:85 = 1
P.M= peso molecular

N Avogadro: Es el nmero de tomos que existen en un mol de sustancia.
N = 6.023 X 10
23
tomos/mol

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 3 M.I. Sergio Villanueva Bravo


Ejercicios
Calcular la cantidad de tomos en 100g de Ag. P.M=107.86

Calcular la cantidad de tomos presentes en 150 g de sal (NaCl )

Estructura electrnica del tomo



Los niveles y subniveles de energa determinan la valencia

La valencia es la cantidad de electrones que participan en un enlace.

Mg = 1s, 2s,2p, 3s = 2
Al = 1s, 2s, 2p, 3s, 3p = 3

Enlace

- Enlace metlico
- Enlace covalente
- Enlace inico
- Enlace de Van Der Waals

Arreglos atmicos
El arreglo de los tomos desempea un papel importante en la determinacin de la
misma microestructura y propiedad de un material.

Orden de corto alcance
Si el arreglo espacial de los tomos se extiende a su vecinidad inmediata.

(S, O) Polmeros
Vidrio

Orden de largo alcance
El arreglo atmico especial abarca escalas con longitud mucho mayores a 10nm. Los
tomos o los iones en estos materiales forman un patrn respectivo semejantes a una
reden tres dimensiones.


UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 4 M.I. Sergio Villanueva Bravo


La mayora de los metales y aleaciones, semiconductores; cermicos y algunos polmeros
presentan este patrn.

A estos materiales se les llama cristalinos.

- Monocristalinos
- Policristalinos


Red: Es una coleccin de puntos,
llamados puntos de red, ordenados
en un patrn peridico de tal modo
que los alrededores de cada punto
de la red son idnticos.

Celda unitaria: Es una subdivisin
de la red que sigue conservando las
caractersticas generales de toda la
red.


Sistemas cristalinos principales
(Redes de Bravais)

- Sistema Cbico
- Sistema Ortogonal
- Sistema Hexagonal
- Sistema Rombodrico
- Sistema Monoclnico
- Sistema Triclnico


Parmetros de red: Describen el tamao y la forma de la celda unitaria

Sistema cristalino Ejes Angulo entre ejes
Cbico a = b = c = = = 90
Tetragonal a = b c = = = 90
Ortorrmbico a b c = = = 90
Hexagonal a = b c 2 ngulos de 90
1 Angulo de 120
Rombodrico a = b = c
= = 90
Monoclnico a b c = = 90 90
Triclnico a b c 90


UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 5 M.I. Sergio Villanueva Bravo

La longitud de los parmetros de red se expresa en nm o en

1 = 0.1nm 1 = 1 X 10 m
Para el sistema cbico solo se requiere un conocer un solo parmetro para descubrir la
forma de la celda. Mientras que para descubrir el tamao y la forma de formas unitarias
complicadas se requieren unos parmetros de red.

Cantidad de tomos por celda unitaria
En un vrtice un tomo esta compartido por 8 celdas unitarias de tomo.

Para el SC:
Puntos de mol/celda unitaria = (1/8 punto de red/vrtice) (8 vrtices/celda)
= 1


BCC:
Puntos de red/ celda unitaria = (1/8 punto de red/ vrtice) (8 vrtices/celda) + 1 = 2
FCC:
Puntos de red/celda unitaria = (1/8 punto de red/ vrtice) (8 vrtices/celda)+ (1/2 puntos
de red) (6 caras) = 4

Radio atmico en funcin de parmetros de red
a = f(r) atmico
Cbico simple Cbico centrado en el cuerpo Cbico centrado en las caras

a = 2r a = 4r/3 a = 4r/2



N de coordinacin: Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, sea la
cantidad de vacancias ms cercanas a ese tomo.



UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 6 M.I. Sergio Villanueva Bravo


Factor de empaquetamiento
Es la medida del grano de espacio ocupado por los tomos por celda unitaria con
respecto al volumen de la celda.
Suponiendo que son esferas duras que tocan a su vecino ms cercano.

F. E = [(N de tomos/celda)(volumen del tomo)] / volumen de la celda unitaria

Ejercicio:

Calcule el factor de empaquetamiento para la celda FCC

Factor de empaquetamiento: (4atomos/celda)( r)

Dado que para las celdas unitarias FCC, a = (4r/4/3r)/(4r/2) = 0.74

Densidad
La densidad tcnica de un material se puede calcular con las propiedades de su
estructura cristalina.

= (N tomos/celda) (masa atmica)/(volumen de la celda unitaria)(N de Avogadro)

Ejercicios:

1.- Determine la de hierro (Fe) con una celda tipo BCC, cuyo parmetro de red es de
0.2866nm.

2.- La densidad de Torio, que tiene la estructura FCC y un tomo por punto de red es de
11.72g/cm. El peso atmico del Torio es de 232g/mol.
Calcule a) el parmetro de red y b) el radio atmico del Torio.

3.- Un metal tiene una estructura cbica, su densidad es 1.982 g/cm y su parmetro de
es 6.13 . Un tomo esta asociado en cada punto de la red. Determine: La estructura
cristalina de este metal.

Alotropa y polimorfismo
Es la propiedad que tiene los materiales de tener ms de una estructura cristalina.
Alotrpico Metal puro.
Polimorfito compuestos.

Alotrpicos Fe
Si O
Zn O Monoclnico 170 tetragonal 2379C Cbico (fusin)
FCC-BCC Cambio de volumen
FCC


ndices para localizacin, direccin y planos en la celda unitaria.

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 7 M.I. Sergio Villanueva Bravo


ndices de Miller.
Notaciones abreviadas para describir esas direcciones.
Para representar las coordenadas de los puntos en la celda unitaria es necesario utilizar
el sistema (x, y, z), y partiendo del origen, recorrer las tres distancias hasta llegar al punto
deseado, enunciando las tres distancias separadas por coma.

ndices de direccin.
Se coloca la base del vector en el origen y seguimos sus ejes hasta que se encuentran
las coordenadas enteras, siguiendo el siguiente proceso

1. Utilizar el sistema de coordenadas derecho y escoger dos puntos que
descansaran sobre el eje del vector.
2. Se restan las coordenadas del punto trasero al punto delantero.
3. Se eliminan las fracciones y se reduce al mnimo entero.
4. Se encierran entre corchetes [ ]. Si tienen un nmero negativo se representan con
una lnea por encima de este.

Punto inicial (0, 0,0)
Punto final (1, 1,1)
1, 1,1-0, 0,0= 1, 1,1
[1, 1,1]

P1 (0, 0,0) P1 (0, 0, 1)
P1 (1, 0,1) P1 (1, , 0)
1, 0, 1 - 0, 0, 0, = 1, 0,1 1, , 0 0, 0, 1 [1, , -1)
[1, 0, 1] [2, 2, -2]


P1 (0, 0, 1) P1 (1/2, 1, 0)
P1 (1/2, 1, 0) P1 (0, 0, 1)
, 1, 0 0, 0, 1 0, 0, 1 , 1, 0
(1/2, 1, -1) 2 (-1/2, -1, 1) (2)
[1, 2, -2] [-1, -2, 2]

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 8 M.I. Sergio Villanueva Bravo


Observaciones:
1. Los vectores y sus negativos son idnticos [1,0,0] = [ 1,0,0]
2. Una direccin y sus mltiplos son idnticos [1,0,0] = [3,0,0]
3. En cada celda unitaria, ciertos grupos de direcciones son equivalentes.




ndices de Miller para un plano.
El procedimiento para obtenerlos es el siguiente:
a) Se identifican los puntos en los cuales el plano interfecta a los ejes de
coordenadas (x, y, z) en funcin del parmetro de red.
b) Se obtienen los recprocos de estas intersecciones.
c) Simplificar tracciones, pero No reducir a enteros mnimos.
d) Se encierran en un parentesisis ( ), los nmeros negativos se representan por una
barra en la parte superior del numero.





UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 9 M.I. Sergio Villanueva Bravo

ndices de Millar para celdas hexagonales

Sistema Cbico (H,K,L)
Sistema Hexagonal (h, k, i, l)




NDICE INTERPLANAR

Distancia entre dos planos adyacentes de tomos con los mismos ndices de Miller en el
sistema cbico.
2 2 2
0
) (
l k h
a
d
kkl
+ +
=


d
(h k l)
= distancia interplanar
a
0
= parmetro de red
h, k, l = ndices de Miller para un plano dado


DIFRACCIN DE RAYOS X
Es la tcnica que sirve para determinar las distancias interplanares un material cristalino.
Cuando un haz de rayos x de una longitud de onda especfica del mismo orden de
magnitud de las distancias interatmicas del material llega a ste, los rayos x se
dispersan en todas direcciones. La mayor parte de la radiacin dispersada por el tomo
anulada la radiacin dispersada en otro tomo. Sin embargo, los rayos x que llegan a
ciertos planos cristalogrficos formando ngulos especficos con ellos se refuerzan en vez
de aniquilarse. A este fenmeno se le llama difraccin.



UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 10 M.I. Sergio Villanueva Bravo



Ley de Bragg



= 2 d sen
Sen = /2d


IRREGULARIDADES DEL SISTEMA ATMICO CRISTALINO

Todos los materiales tienen defectos en el arreglo atmico, los cuales tienen un efecto en
el comportamiento del material. Controlando las irregularidades de la red, se hacen ms
resistentes los materiales y las aleaciones, imgenes ms potentes, vidriera de colores.

Existen tres tipos bsicos de imperfecciones en la red:
Puntuales
De lnea o dislocaciones
Superficiales

Defectos puntuales
Son imperfecciones localizadas en los arreglos atmicos o inicos que involucran uno o
varios tomos. Los tipos de defectos puntuales son:
Vacancias
tomo intersticial

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 11 M.I. Sergio Villanueva Bravo

tomo substitucional
Defecto de Frenkell
Defecto de Schottky

Defecto de vacancia
Se produce cuando falta un tomo o un in en sitio
normal de estructura atmica.
Las vacancias se introducen en los metales y
aleaciones durante la solidificacin a temperaturas
elevadas o como consecuencia de daos por
radiacin.

A temperatura ambiente (298K) la concentracin de
vacancias es pequea, pero aumenta en forma
exponencial al aumentar la temperatura con el
siguiente comportamiento de Arrhenius.

|
.
|

\
|
=
RT
Q
n nv exp


nv = cantidad de vacancias / cm
3

n = cantidad de tomos / cm
3

Q = energa necesaria para vacancias cal/mol
R = constante general de los gases cal/mol K
T = temperatura K
R = 1.987 cal/mol K

Defecto intersticial
Se forma cuando se inserta un tomo adicional en la
estructura cristalina, en una posicin normalmente
desocupada que no es un nodo normal.

Aunque los iones y tomos intersticiales son mucho
menores a los iones y/o tomos que conforman la red
son mayores que los sitios intersticiales que ocupan.

Defecto substitucional
Ocurre cuando un tomo es
substituido con otro tomo,
alojndose ste en nodo normal
original.







UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 12 M.I. Sergio Villanueva Bravo

Defecto de Frenkell
Es un par de vacancia-
intersticial que se forma cuando
un ion o tomo salta desde un
punto normal a un sitio
intersticial, dejando tras de s
una vacancia. Se pueden
presentar en metales y
materiales con enlaces
covalentes.


Defecto de Schottky
Las vacancias se presentan en
materiales con enlaces inicos
(cermicos) donde debe faltar un
nmero estequiomtrico de aniones
y cationes en el cristal si quiere
seguir conservando su neutralidad
elctrica.


Dislocaciones Defectos de lnea

Son imperfecciones en la red que suelen introducir durante la solidificacin del material o
cuando se deforma permanentemente.

Dislocaciones de tornillo o alabeo
Dislocaciones de borde


Dislocaciones de tornillo
Se puede representar mediante un corte
parcial a travs de un cristal perfecto y
torciendo el cristal un espaciamiento atmico
que sigue una revolucin alrededor del eje al
cual el plano fue reacomodado, recorriendo
igual nmero de espaciamientos atmicos en
cada direccin, se termina un espaciamiento
atmico por debajo del punto de partida.
El vector necesario para completar el giro y
regresarnos al punto de partida es el vector
de BURGERS, si se contina la rotacin, se
trazar una trayectoria en espiral.
El eje a la lnea a la cual se describe esta trayectoria es la dislocacin de tornillo. La
caracterstica de sta es que el vector de Burgers es paralelo a la dislocacin.



UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 13 M.I. Sergio Villanueva Bravo

Vector de Burgers
Direccin y distancia en que se mueve una dislocacin en cada etapa.

Dislocaciones de borde o de arista
Se puede representar por la
insercin de un semiplano extra
de tomos en un cristal perfecto,
el borde interior de este
semiplano representa la
dislocacin.
Realizando un giro alrededor de
la dislocacin en sentido de las
manecillas del reloj, a igual nmero de espaciamientos en cada direccin, se obtendr un
vector de Burgers perpendicular a la dislocacin.

Efecto en las dislocaciones
Debido a que el vector de Burgers, se puede mover en el espacio, se puede trasladar al
lugar donde est la dislocacin de borde, de tal manera que entre los dos formen un
plano en la red.
El vector de Burgers y el plano de deslizamiento permiten explicar la deformacin de los
materiales.
Cuando acta una fuerza de corte en direccin del vector de Burgers, aplicado a un cristal
que tiene una dislocacin, la
dislocacin se mueve rompiendo
los enlaces entre tomos de un
plano. El plan cortado extra se
desvia lentamente estableciendo
iones con el semiplano de tomos
original. Esto provoca que la
dislocacin se mueva lentamente.
El proceso por el cual se mueve una dislocacin y causa
que un material (metal) se deforme, se llama
deslizamiento.
La direccin a la cual se mueve la lnea de dislocacin o
sea la direccin de desplazamiento es el vector de
Burgers, para dislocaciones de borde.
Durante el desplazamiento la dislocacin de borde
recorre un plano formado por el vector de Burgers y la
dislocacin. Este se llama plano de deslizamiento. La
combinacin de la direccin y el plano de deslizamiento
constituyen el sistema de deslizamiento.








UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 14 M.I. Sergio Villanueva Bravo

Deformacin
Es la prdida (momentnea o permanente) de la forma original de la
red cristalina de un material.

Deformacin elstica
Deforma al material al aplicar una fuerza, cuando esta fuerza deja de
aplicarse, el material regresa a su forma original.

Deformacin plstica
Deforma un material de forma permanente al aplicarle una
fuerza.

Si tuviera que romper una barra de acero rompiendo todos
sus enlaces en la seccin trasversal, se necesitaran
millones de lb. por in, pero si aplicamos deslizamiento,
solo es necesario romper una fraccin de los enlaces
metlicos para producir una deformacin.

El deslizamiento proporciona ductilidad a los materiales.
Las propiedades mecnicas de un material se controlan
interfiriendo en sus dislocaciones.



























UNIVERSIDAD AUTONOMA DE
SAN LUIS POTOSI
REA MECANICA Y ELECTRICA


Ingeniera de Materiales A Pgina. 15 M.I. Sergio Villanueva Bravo

Defectos superficiales
El grano es una porcin de material dentro del cual
el arreglo atmico es casi igual.

El lmite de grano es la superficie que separa a
granos individuales. Es una zona muy angosta
donde los tomos no tienen distancias correctas.

Controlando el tamao de grano del material es
posible controlar sus propiedades mecnicas.

Ecuacin de Hall Petch

y
=
0
+ kd
-1/2

y
= resistencia a la cedencia
d = dimetro promedio de los granos

0
y k = constantes para cada material

Tamao de grano:
Muestra-lijado-pulido a espejo (pasta de diamante 1,3 cm)
mtodo :ASTM ( American Society of Testing Materials). Se
toma la muestra, se coloca en el microscopio a 100
aumentos (100X) , se cuenta el nmero de granos que hay
en un rea de 1X1, y se utiliza la formula:


Donde:
N.- Nmero de granos por pulgada cuadrada
n.- tamao de grano ASTM

Limite de macla
Es un plano a travs del cual hay una desorientacin especial de imagen especular de la
estructura cristalina.
Se produce cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo del lmite hace que se
desplacen de su posicin.

Вам также может понравиться