1

Mod
Mod

lisation du
lisation du
transistor MOS
transistor MOS
Modlisation petit signaux
Calcul manuel
Dimensionnement
Approche simplifie
Master IGIS, spcialit Microlectronique
Cours de R. Grisel
Rcapitulation
(

=
DS
DS
th GS OX n D
V
V
V V
L
W
C I )
2
(
2
) (
2
th GS
OX n
D
V V
L
W C
I =

) 1 ( ) (
2
2
DS th GS
OX n
D
V V V
L
W C
I

+ =
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
=

t
DS
t
GS
nU
V
nU
V
x D
e e
L
W
k I 1
| |
DS th GS OX n D
V V V
L
W
C I = ) (
2
Modlisation petits signaux
en rgime satur
permet de modliser le comportement du MOS en
prsence de petites variations sur la source, la grille ou le
drain.
Modlisation petits signaux
en rgime satur : basses frquences
Les capacits ne sont pas prises en comptes
3
Modlisation petits signaux
en rgime satur : basses frquences
GS
DS
m
V
I
g

=
V
S
, V
D
DS
DS
ds
V
I
g

=
V
G
, V
S
=
1
r
ds
I
SB
DS
mb
V
-g

=
V
G
, V
D
Transconductance du mos Rsistance de sortie du mos
Effet de substrat du mos
La variation du courant
de drain dans le MOS
I
D
= g
m
. V
G
- g
mb
. Vs + g
ds
. V
D
Transconductance du transistor : g
m
Reprsente l action des variations de la
tension Vgs
L D OX n
th GS
DS
th GS OX n
GS
DS
m
I
W
C
V V
I
V V
L
W
C
V
I
g

2
) (
2
) (
=

=
=

=
Pour la technologie 0.8 m des exemples,
n
C
OX
=103,6 A/V
4
Effet de substrat du transistor : g
s
g
mb
g
mbs
Permet de rpercuter les variations de la
tension V
BS
sur la valeur de la tension de seuil
F SB
m
BS
DS
mb
V
g
V
I
g
+
=

=
2 2

=
m
mb
g
g
(0.1 0.3). g
mb
est souvent nglig devant g
m
SB
tn
tn
D
SB
D
mb
V
V
V
I
V
I
g

=
m tn GS OX n
tn
D
g V V
L
W
C
V
I
= =

) (
F SB
SB
tn
V
V
V
+
=

2 2

prendre en compte si Vsb AC est non nulle
Rsistance de sortie du transistor : r
ds
D
DS
DS
ds
ds
I
V
I
g
r

1

= =
reprsente la rsistance de sortie du transistor et
modlise leffet de modulation de la longueur du canal
La rsistance de sortie dpend du paramtre technologique
dont la valeur est mal contrle (mesure pratiquement)
VA=1/ est la tension Early (daprs lappellation BJT)
) 1 ( ) (
2
2
DS tn GS
OX n
D
V V V
L
W C
I

+ =
2
) (
2
tn GS
OX n
D
V V
L
W C
I =

Effet de modulation de canal court Courant de saturation
5
Modlisation petits signaux
en rgime satur : hautes et moyennes frquences
Les capacits C
s-sw
et C
d-sw
sont gnralement ngligeables
(sauf dans le cas d une rgion fortement dope p
+
sous loxyde).
Seule C
GS
(canal + overlap ) est intrinsque au fonctionnement du
composant, les autres sont des capacit parasites
Mod Mod le capacitif de Meyer standard le capacitif de Meyer standard
(Source et Drain de dimension nulle) (Source et Drain de dimension nulle)
Pour le rgime ohmique, on notera qu' Vds=0
Pour le rgime satur, avec Vgst=0,
le modle donne :
6
Les capacit Les capacit s et SPICE s et SPICE level level 1 1
Leff = Longueur effective de canal, Wphy = largeur physique
PHI est le potentiel de surface
et
Forte inversion et rgime ohmique
1)
2)
et
Forte inversion et rgime satur
3)
D D finitions finitions
Du point de vue lectrique la longueur considrer pour le fonctionnement intrinsque du transistor MOS est la
distance entre les deux zones de diffusion formant la source et le drain. Cette longueur effective est diffrente de la
longueur dessine L du concepteur, du fait de l'erreur de gravure note XL et du dbordement des zones diffuses
sous la grille note LD . On dfinit donc une longueur effective de canal :
Pour la dtermination de la largeur effective de grille, on doit considrer l'erreur de gravure XW et une seconde erreur,
connue sous le terme "effet de bec d'oiseau" due une dformation latrale WD de la surface active au niveau de la
transition entre l'oxyde mince de grille et l'oxyde pais localis. La largeur effective de canal est ainsi donne par :
et
parfois utilises pour la dtermination des capacits de jonction
sont appeles respectivement longueur et largeur physique du
transistor.
7
Classification des mod Classification des mod les (intrins les (intrins ques) ques)
Premire gnration : Ils sont essentiellement bass sur les lois universelles de la physique des semi-conducteurs. Les
reprsentant types sont les modles de niveaux 1, 2 et 3 de type SPICE Berkeley. Si le niveau 1 est maintenant
totalement obsolte, les niveaux 2 et 3 continuent tre utiliss pour la simulation lectrique des circuits numriques.
Ils sont connus pour tre susceptibles de prsenter des discontinuits entre les diffrentes zones de fonctionnement
notamment pour les transistors submicroniques et ils modlisent trs mal la conductance de sortie et le fonctionnement
en faible inversion. Ils sont peu peu abandonns. Le niveau 3 qui est un modle partiellement empirique donn
gnralement de meilleurs rsultats que le niveau 2 souvent considr comme un modle "acadmique".
Deuxime gnration : Par rapport la gnration prcdente, un grand nombre de paramtres lectriques empiriques
sont introduits pour prendre en compte les effets de canal court et troit , essayer de rsoudre les problmes de
convergence et amliorer le fonctionnement en faible inversion. Contrairement au niveau 2 et 3 pour lesquels quelques
effets de dpendances gomtriques sont directement cods dans le modle, les modles de deuxime gnration
utilisent une structure de calcul additionnelle contenant les dpendances gomtriques. Dans cette structure
additionnelle, Leff et Weff tant respectivement la longueur et la largeur effective de canal, chaque paramtre X sujet
des dpendances gomtriques est considr sous la forme composite suivante :
Cette technique, utilisable sous forme discrte pour les modles de premire gnration avec certains simulateurs, est
connue sous l'anglicisme de "binning". Schmatiquement, faire du "binning" sur un modle consiste diviser l'espace
des valeurs possibles pour L et W en plusieurs rgions adjacentes et d'affecter pour chaque rgion un modle diffrent.
La continuit entre les rgions est suppose tre assure par la forme composite des paramtres sujets au "binning". Les
reprsentants types de cette gnration de modle sont BSIM1 et BSIM2 dvelopps l'universit de Berkeley. Leur
caractre essentiellement empirique rendant trs complique l'extraction des paramtres, ces modles ont trs vite t
abandonns et supplants par les modles de troisime gnration.
Classification des mod Classification des mod les (intrins les (intrins ques) (suite) ques) (suite)
Troisime gnration : Du fait de la rduction des tensions d'alimentation et de la forte demande en terme de circuits
lectroniques basse consommation, les concepteurs des dispositifs actifs analogiques ont tendance autant que faire ce
peut, d'une part fixer les points de fonctionnement des transistors entre la zone ohmique et sature, et d'autre part
travailler au voisinage de la faible inversion (inversion dite modre) pour optimiser la dynamique des signaux, Or,
dans ces zones de transition, les modles prcdents s'avrent totalement inappropris pour une valuation fiable des
performances des circuits raliss. Ceci a donn naissance dans les annes 1990 une troisime gnration de modles.
Ces modles sont de nouveau bass sur les lois de la physique des semi-conducteurs et sont caractriss par une
quation unique quelque soit la zone de fonctionnement. Le raccordement entre les diffrentes zones de
fonctionnement est assur par l'utilisation intensive de fonctions de lissage. Par principe, ces modles compacts sont
continus pour eux mme et leurs drives. Les deux reprsentants types sont BSIM3v3 dvelopp l'universit de
Berkeley et MM9 dvelopp Philips Eindhoven. Le code SPICE et le manuel tant mis gratuitement la disposition
des utilisateurs sur le rseau par Berkeley (http://www.eecs.berkeley.edu/), BSIM3v3 est rapidement devenu de fait le
modle standard utilis actuellement en conception micro-lectronique. Depuis l'an 2000, BSIM4, un nouveau modle
offrant quelques amliorations, principalement en terme de bruit et de modlisation extrinsque par rapport
BSIM3v3, est propos par Berkeley.
8
Sch Sch ma ma quivalent petit signal moyennes fr quivalent petit signal moyennes fr quences quences
(Meyer standard) (Meyer standard)
Sch Sch ma ma quivalent avec S=B quivalent avec S=B
Sch Sch ma ma quivalent avec quivalent avec Cdb Cdb n n gligeable gligeable
9
Sch Sch ma ma quivalent capacitif complet quivalent capacitif complet
Rcapitulation :
TRIODE : Vds faible, canal uniforme, la capacit totale est W.L.C
OX
, et modlise par
rpartition quitable entre le drain et la source (bon modle pour Vds de niveau correct)
SATURATION : Pincement au niveau du Drain, C
gd
est suppose nulle, la valeur de C
gs
provient des calculs prcdents
OX gs
C L W C
2
1
=
C
gd
=
OX gs
C L W C
3
2

C
gd = 0
10
BLOCAGE : Pas de canal de conduction, donc Cgs=Cgd=0, cependant on modlise leffet
capacitif de la grille en affectant la valeur W.L.COX la capacit Grille-Bulk .
C
gs = Cgd = 0
OX gb
C L W C
=
Capacit additionnelle : Les diffusions source et drain stendent lgrement sous la
grille (voir la figure), si on appelle L
OV
, la longueur de chevauchement ( Overlap ), il faut
tenir compte de la capacit de chevauchement COV qui doit tre ajoute aux valeurs de
Cgs et Cgd dans les formules prcdentes, typiquement L
OV
=0,05L 0,1L
OX
OV
C L W C
=
OV
Capacits de jonction
dues aux jonctions PN inverse entre les diffusions source et drain
et le substrat (B), ce sont des formules classiques de jonction PN :
0
1
V
+
=
SB
sb0
sb
V
C
C
Capacit Source Substrat (Bulk) , C
sb0
est la valeur
V
SB
=0, V
SB
la tension inverse et V
0
le potentiel interne de la
jonction (0,6 0,8V)
0
1
V
+
=
DB
db0
db
V
C
C
Capacit Drain Substrat (Bulk) , C
db0
est la valeur V
DB
=0,
V
DB
la tension inverse et V
0
le potentiel interne de la jonction
(0,6 0,8V)
11
Exemple de calcul Exemple de calcul
z Soit un transistor MOS, canal N, pour lequel on a
les valeurs suivantes :
z t
ox
=10 nm; L=1 m; W=10 m; L
OV
=0,05 m;
C
sb0
=C
db0
=10fF; V
0
=0,6V, V
SB
=1V; V
DS
=2V;,
calculez les capacits quand le transistor est en
saturation.
Le transistor est quivalent une rsistance commande en tension.
) (
1
DS tn GS OX n ds
ds
V V V
L
W
C g
r
= =
Vgs>Vth
Vds<Vgs-Vth
Mod Mod lisation petits signaux : lisation petits signaux :
r r gime ohmique gime ohmique
(

=
DS
DS
th GS OX n D
V
V
V V
L
W
C I )
2
(
) (
1
tn GS OX n ds
ds
V V
L
W
C g
r
= =
Si Vds faible
12
Effet de Effet de Cgs Cgs sur la bande passante sur la bande passante
z Considrons un ampli charge passive
donnant le schma quivalent suivant
z La gain Av du montage (vout/vin) correspond
lexpression suivante (Rs=RS/R12):
z Ce qui conduit lattnuation caractristique des filtres
passe-bas du premier ordre (ple fc1).
z Limpdance dentre devient R12//Cgs, elle est
purement capacitive en haute frquence et conduit au
ple donn ci-dessus
z Limpdance de sortie reste rsistive (RL ds le cas
prsent)
gs
'
s
1 c
1 c
0 v
v
C . R . . 2
1
f avec
f
f
j 1
A
A

=
|
.
|

\
|
+
=
13
Effet de Cds sur la bande passante Effet de Cds sur la bande passante
z Si on reprend lampli charge passive avec
uniquement linfluence de Cds, on obtient, avec
une analyse similaire au cas prcdent un ple
avec une frquence de coupure fc2 :
z Limpdance dentre est rsistive
z Limpdance de sortie correspond un circuit
RC //.
ds
'
L
2 c
C . R . . 2
1
f

=
Effet de Effet de Cdg Cdg sur la bande passante sur la bande passante
z Cdg est une capacit de liaison entre lentre et la sortie,
elle introduit donc une contre-raction ( feedback ), le
circuit quivalent simplifi (toujours pour lampli
charge passive) est donn ci-dessous et sa modification
Miller ensuite (le pont de rsistance de polarisation a
t volontairement omis).
14
z Le gain Av correspond lexpression suivante Cdg=M.Cdg
z Exercice : Dmonstration
c4 c3 0 v
S
L
DG
m
4 c
DG s
3 c
3 c
4 c
0 v v
f f avec A
R
R
1 M
C . . 2
g
f ,
C . R . M . . 2
1
f avec
f
f
j 1
f
f
j 1
A A
< + =

=
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|

=
z La courbe caractristique (Bode) commence Av0 (gm.
RL) puis descend 20db/dec en fc3 jusquen fc4 ou elle
redevient plate (1/gm.Rs)
z Effet hautes frquences de toutes les capacits
z Il faut introduire les 3 effets dans les quations, ce qui est
difficile la main ( hand calculation )
15
Remarque : Mod Remarque : Mod le le quivalent en T quivalent en T
z Ce dveloppement est illustr sur la figure suivante :
z A) circuit sans rds B) Ajout dune deuxime source (le schma reste
quivalent) C) Jonction entre X et G, le courant de Grille reste 0, on
peut remplacer la source gm.vgs entre G et S par une rsistance sous
rserve que le courant reste le mme (donc vgs/gm.vgs=1/gm), le
modle final est donc en D). Notez que la rsistance vue de la grille
reste infinie (ig=0).
A)
B)
C)
D)
vgs vgs
vgs
vgs
ig=0
id
id
ig=0
Ig=0
ig=0
id
is=id
id
z Si lon dsire inclure rds dans le modle quivalent en T, cela conduit au
schma quivalent suivant :
z Un autre exemple est donn dans lequel la source de courant contrle (en
tension) est remplace par une source de courant contrle par le courant i.
vgs
i
16
Fr Fr quence de transition ( quence de transition (f f
T T
) )
Un paramtre du MOS en haute frquence correspond la frquence laquelle
le gain en courant de court-circuit est gal 1. La figure montre le modle
utilis, lentre est alimente par I
i
et la sortie est en court-circuit. On a les
relations suivantes :
( ) ( )
( )
( )
gd gs
m
T
gd gs
m
T
gd gs
m
i
o
gd gs
i
gs
gs m o gd gs gd gs m o
C C 2
g
f donc est unit gain de frquence La
C C
g
pour 1 gal est gain le , j p Pour
C C p
g
I
I
donc ,
C C p
I
V
V g I faible C , V pC V g I
+
=
+
= =
+
=
+
=
=> =
On court-circuite gnralement Drain-Source-Substrat pour utiliser le
transistor comme capacit (C
sb
et C
db
sont ngligeables).
OX
OV
gd gs C WL C C =
=
Mod Mod lisation petits signaux : lisation petits signaux :
r r gime bloqu gime bloqu
17
Principalement deux sources de bruit dans un MOS :
- le bruit thermique, associ aux porteurs du canal,
- le bruit de "flicker", li aux lectrons pigs dans linterface entre loxyde
et le semi-conducteur.
Peuvent tre modlises par des sources de courant (modles larges et
petits signaux) ou de tension (modle petits signaux).
Mod Mod lisation des sources de bruit lisation des sources de bruit
I
N
G
S
D
V
N+
G
S
D
Ces sources de bruit entranent des modifications de la
valeur du courant de drain
Le bruit thermique est un bruit blanc (donc constant quelle que soit la
frquence). Sa densit spectrale (en A
2
/Hz) est donne par la relation
suivante :
Densit Densit spectrale du bruit thermique spectrale du bruit thermique
m
4
8kT.g
saturation
3
IW
kT
Rgime ohmique
R
S

k, constante de Boltzman,
T, temprature en Kelvin,
R, rsistance du canal en rgime ohmique,
g
m
, transconductance du MOS.
18
Ce bruit volue en 1/f. Son expression ne change pas, que lon soit
en rgime ohmique ou en saturation. Sa densit spectrale est
donne par la relation suivante :
Densit Densit spectrale du bruit de " spectrale du bruit de "flicker flicker" "
K
f
, constante de flicker (donne technologique),
I
D
, courant de polarisation.
2
2 . .
.
f p D
If
ox
K K I
S
C L f
=
Les bruits tant d-corrls, la densit spectrale totale sexprime par
la relation suivante :
Densit Densit spectrale totale spectrale totale - - Courant associ Courant associ
Le courant correspondant cette densit spectrale est dans la bande
de frquences [f
1
,f
2
] est donne par :
IN If IW
S S S = +
2
1
.
f
N IN
f
I S df =

19
Le bruit en tension ramen en entre est souvent utilis pour la
modlisation petits signaux. On exprime sa densit spectrale et la
tension quivalente laide des relations suivantes :
D D termination du bruit en tension termination du bruit en tension
2
IN
VN
m
S
S
g
=
N
N
m
I
V
g
=
Densit spectrale
Tension associe
Modle SPICE niveau 1 : ne tient pas compte de la faible inversion et
de la temprature
Modle SPICE niveau 2 : Prend en compte la temprature et les effets
des capacits parasites.
Modle SPICE niveau 3 : Prend en compte leffet de modulation de
canal court.
Modle SPICE niveau 4 (BSIM) : employ lorsque la caractrisation
des paramtres de la technologie utilise est disponible.
Modle SPICE niveau 6 (BSIM 3 V.2) : modle physique (mobilit non
uniforme, rduction de la tension d seuil, )
Modle SPICE niveau 7 (BSIM 3 V.3) : modle sub-micronique
Niveau de mod Niveau de mod lisation lisation
20
Calcul des capacit Calcul des capacit s dans s dans Spice Spice
AD et AS sont les surfaces respectives Drain et Source, PD et PS les primtres.
Ces valeurs doivent tre donnes par lutilisateur en fonction des dimensions
du circuit sinon ces valeurs sont mises 0. Pour les estimer il faut avoir le
layout du circuit (ou lextraire), on peut supposer quun contact mtallique
est fait sur chaque Drain et Source et donc que ces rgions doivent stendre
de 2,75.Lmin au moins. Ainsi les valeurs minimum peuvent tre dfinies
comme tant, en premire approximation :
AD=AS=2,75. L
min
.W et PD=PS=2.2,75.L
min
+ W
PS .
PB
V
1
CJSW
AS .
PB
V
1
CJ
C
PD .
PB
V
1
CJSW
AD .
PB
V
1
CJ
C
MJSW
SB
MJ
SB
sb
MJSW
DB
MJ
DB
db
|
.
|

\
|
+
+
|
.
|

\
|
+
=
|
.
|

\
|
+
+
|
.
|

\
|
+
=
Capacit Capacit s li s li es es la grille dans la grille dans Spice Spice et dimensions et dimensions
Leff est toujours dactualit (<L). Les paramtres spice donnent LD (LOV) et
WD et :
Leff= L 2LD; Weff = W 2WD
Les capacits de chevauchement, qui sajoutent Cgs et Cgd, sont donc
calcules comme :
C
gs
,
OV
= W. CGSO (avec CGSO en F/m, reprsente C
OV
/W)
C
gd
,
OV
=W. CGDO (avec CGDO en F/m, reprsente C
OV
/W)
De manire similaire, Cgb doit tre augmente de :
C
gb
,
OV
=L. CGBO (avec CGBO en F/m)
21
MOSFET MODEL PARAMETERS MOSFET MODEL PARAMETERS
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Exemples Exemples
* Level-1 Model for PMOS in model 5um CMOS Technology
* (created by Anas Hamoui & Olivier Trescases)
.model PMOS5P0 PMOS(Level=1 VTO=-1 GAMMA=0.65 PHI=0.65
+ LD=0.6E-06 WD=0 UO=250 LAMBDA=0.03 TOX=85E-9 PB=0.7 CJ=0.18E-3
+ CJSW=0.6E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5 CGDO=0.4E-9 JS=1E-6 CGBO=0.2E-9
+ CGSO=0.4E-9)
Level-1 Model for NMOS in model 5um CMOS Technology
* (created by Anas Hamoui & Olivier Trescases)
.model NMOS5P0 NMOS(Level=1 VTO=1 GAMMA=1.4 PHI=0.7
+ LD=0.7E-06 WD=0 UO=750 LAMBDA=0.01 TOX=85E-9 PB=0.7 CJ=0.4E-3
+ CJSW=0.8E-9 MJ=0.5 MJSW=0.5 CGDO=0.4E-9 JS=1E-6 CGBO=0.2E-9
+ CGSO=0.4E-9)
Level-1 Model for PMOS in model 0.5um CMOS Technology
* (created by Anas Hamoui & Olivier Trescases)
.model PMOS0P5 PMOS(Level=1 VTO=-0.8 GAMMA=0.45 PHI=0.8
+ LD=0.09E-06 WD=0 UO=115 LAMBDA=0.2 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.93E-3
+ CJSW=170E-12 MJ=0.5 MJSW=0.35 CGDO=0.35E-9 JS=5E-9 CGBO=0.38E-9
+ CGSO=0.35E-9)
Level-1 Model for NMOS in model 0.5um CMOS Technology
* (created by Anas Hamoui & Olivier Trescases)
.model NMOS0P5 NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+ LD=0.08E-06 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.001 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3
+ CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+ CGSO=0.4E-9)
22
Application 1 : Amplificateur Application 1 : Amplificateur
Paramtres
Technologie : 0.8 m
Vdd = 15V
Vss = 0V
Kn = 103,6 A/V
Kp = 34,53 A/V
Vthn = 0.8 V
Vthp =- 0.8 V
K =
n
Cox
Vdd
vout
vin
Vss
N
i
D
R
1) Trouvez le rapport W/L pour avoir :
I
D
=1mA, pour V
GS
=3,9V
2) Proposez une valeur
3) Pour cette valeur, calculez R pour avoir
V
out
=V
ds
=9V
4) Donnez le gain petits signaux (modle simplifi)
5) Faire une vrification SPICE
Application 2 : Amplificateur polaris Application 2 : Amplificateur polaris
Paramtres
Technologie : 0.8 m
Vdd = 15V
Vss = 0V
Kn = 103,6 A/V
Kp = 34,53 A/V
Vthn = 0.8 V
Vthp =- 0.8 V
K =
n
Cox
Vdd
vout
vin
Vss
N
i
D
R
1) Prendre les rsultats de polarisation prcdents et
proposer 2 rsistances de polarisation de la grille
pour avoir une alimentation possible en petits
signaux par un gnrateur Vin de rsistance de sortie
Rs.
2) Donner le schma quivalent avec les capacits
(Cdg, Cgs, Cds)
3) Donner la valeur du Gain AC en basse frquence
23
Application 2 : suite Application 2 : suite
1) Reprendre le calcul du gain AC en tenant compte
du paramtre LAMBDA () valant 0,0257
2) Reprendre en prenant en compte la rsistance de
sortie du gnrateur AC de 5k
3) Expliquer ce qui se passe si lon tient compte de
la capacit Cgs et donner les nouvelles valeurs et
courbes
Application : mod Application : mod le petits signaux le petits signaux
Dterminer pour un transistor NMOS, les
paramtres suivant du modle petits
signaux :
- Le gain en courant gm
- L effet de substrat gmb
- La rsistance de sortie r
ds
- La capacit Cgs
Paramtres
U
T
= 26 mv
Id = 100 A
Vbs = 2V
W = 30 m
L = 10 m
= 0.5 V
1/2
= 0.02 V
-1

f
= 0.3V
Kn = 16 A/V
N = 650 cm/v.s
24
Solution Solution
3,87 .R -g G simplifi quivalent schma le aprs ' D
645 , 0
) 8 , 0 9 , 3 (
10 . 2
g
k 6
1.10
9 - 15
R a on 9V, VDS Pour
m 10 L et m 20 W prend On
2 W/L Donne
) 8 , 0 9 , 3 (
L
W
2
10 . 6 , 103
0 1 : Soit
) V V (
L
W
2
C
I
m
3
m
3 -
2
6
3 -
2
th GS
OX n
D
= =
=

=
= = =
= =
=
=

Fichier microwind_ampli_res.sch
Solution application 2 (1) Solution application 2 (1)
z On a VGS=3,9, VDD valant 15V, le ratio pour R1(haut)
et R2 (bas) du pont diviseur (R2/(R1+R2)) est donc
3,9/15, en se fixant que le I dans le pont est infrieur
10% de Id soit 0,1mA, cela donne R2=3,9/0,1=39k et
R1=11,1/0,1= 111 k
z Si on prend LAMBDA on introduit en // sur R
rds=1/(.ID) = 38,91 k et donc la rsistance de charge
devient 6//38,91=5,5 k, la nouvelle valeur du gain est
3,354
z Si le gnrateur a une rsistance de sortie de 5 k, on
introduit en entre une attnuation de 0,852 le gain
devient donc gal 3,3 dans le premier cas, et 2,86 dans
le deuxime cas.