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CAP ITULO

Estabilidad de la polarizacin

i"l,,u-1 ,,,1,"!o ^;r"' 7 t''


ilfTRODUCCtOt{
En la pctica, en el diseo de circuitos con tmnsistoes se stablece cuidadosamere ej punto de reposo (C) para que el transistor funcioe en un margen determinado pa:a I aseguar que se cumpla la linealidad (y a veces una excursin lineal maxrmal ! nc _-

sobrepase la potencia Pc, -,. Diseado l cicr_rito, es necesaaio comprobar las "u.r"a,on.: del punto de reposo debidas a oscilaciones de tempeatura y de los parmetros de ,r: tansistor a otro. Estas variaciones deben mantenerse denrro de limites acptables ::r como determinan Ias nomas o especilicaciooes_ Entre los parmetros independientes que pueden producir un desplazamrenro :=. punto 0 9ri un tnnsisto de unin estn los siguientes:

l. 2. 3. 4. 5.

La amplia variacin de la amplificacin de coriente p (5 a I o ms) en un :::: parlicular de rransistor. Variacin de la coriente de corte de colector Icro debida a su dependeni: :: :
(emperatura.

Variaciones de Ia tensin base-emisc en reposo I/rrn debicias a su d:per,d::: la tcmperatura. Variacion3s d las tensiones de alimentaci debidas a una !mpie: ::s__., : Varacin Je las rcsistencjas del circulto debida\ a l toleraera r ... ,.r1..: _. la temperatura.

Alguno de estos parmetros, po ejemplo, los efectos de la tmperatura.

numero de amplifi cadores idnticos. En un FET. la tensin umbral y el parmeto de coriente 'sc.n:-:-:: ::, :: : temperatura. Estos parmetros iambin varan aigo entre una v otra uijf,: : _ t::: _:: : , de las difeencias de fabricacin. En este capjtulo estudiaemos todos estos factocs, asi como -r. -a:.:-. I_,_ neutralizar el efecto de sus cambios sobre el punto de recoso.

para todos los diseos mientras otros, por ejemplo, la tolerancia de las ::::t:::- -. variacin de p, son ms impotantes cuando se tata de una producci e:. ::::- :: ::-

!, :-:. -:,

.
-

188
l

crRculrosELECTRoNrcos

4.I.- DESPLAZAMIEIITO DEL PUIITO DE REPOSO " DEBIDO A LA IIUCERTIDUMBRE DE P


Cuando aparecieron los tansistores, los diseadores usaban las caractersticas de emisor comn, como las representadas en la Figura 4.1-1, para fijar el punto de reposo 0 de un amplificador. Tal como se indica, se trazaba una recta de carga de corriente continua adecuada y el punto de reposo se establecia para una coriente de base determinada /o.. El circuito de entrada se diseaba paa manteer la coriente de reposo de base eo eiie valor. Sin embargo, surgi un problema cuando los amplificadores empezaron a producirse en grandes seies. Como los factores de distintos tmnsistores del mismo tipo pueden estar sometidos a una vaiacin de 5 a l, la coriente de reposo dl colector est sujeta a la misma variacin (si Iso se mantiene constante). Esto tiene como resultado el cambio de c de modo que el punto de reposo, con un valor 1so hjo, puede encontrarse en la regin de saturacin d un cicuito en et cual P tiene un valor elevado, o en la regin de corte en otro, en el cual p tiene uo valor bajo. Cuando estudiamos el amplificador en emisor comn en la Seccin 2-3, encontramos que la corriente de reposo del colecto podia estabilizarse, contra las variaciones de, de uno a otro transistor, utilizado una esistencia de emiso y manteniendo una cieta relacin entre las esistencias de los circuitos de base y de emisor. Esta relaci viene dada

por la desigualdad
Ro

4 AR.

(4.1- 1)

'

Veemos ahoa que cuando esta dsigualdad se satisface, el punto de reposo es prcticamente independiente de las caactesticas del transisto. El circuito empleado se ha rcpresentado en la Figura 4.1-2. Obsrvese que la Figura 4.1-2 puedg representar un circuito de emisor comn, y tambin el circuito equivalente en continua de la conliguracin de base comn, y si hacemos R. igual a cero, el circuito epresenta la configuracin en seguidor de emisor. As la Figura 4.i-2 y todos los resultados que siguen pueden aplicarse igualmente a las tres formas de conexin. Utilizando los resultados obtenidos en la Seccin 2.3, tenemos: Paa la corriente de colector.

E--y:!v^
'-f.

I,

-)\

804
60

40

2O

Iaa

Flgura 4.1-1.

Caracterisricas en

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION

r89

Flgula 4.1-2.

Circuito en emiror cornn

Paa el circuito de colector utilizando la ley de KirchhofJ de tensioDes:

V: IrR"

+
+

IER"

VcE

(4.l-3)

Para el circuito de base utilizando la ley de Kirchhofl de tensiones:

V"u:
De (2.1-3)

I3R6

VBE

IER.

t.1. l

-4)

l'u:n*t-',"o
Combinando (4.1-4, y (4.1-5). se obriene:

I ,

IE

rJ.l-5)

vsn Utilizando ahora

vss

IcBoRb

+G f^" - r+) \P-rr,/

,": uh4+
En (4.1-6), la coiente de colector en leposo
es:

rcso

-_l

(ll , t,a: atvuu t/N) | lr& tl.Bo(R. I rp I L?b

R.,

La tensin esttica colctor-emisor t/cro s puede obterer de (.{ l-31 r: ecuaciones se pueden simplilicar considerablemente admitiendo tes suposici(1---

l-. : '-,
:r::'-::.:

B 4:^LxI Ii+

yaquep) 1

_--, s:::::-, -,:

y como 1c8o
(4.1-7)
es

es muy pequea en Ios transistoes de siiicio, tambin

t t f 'c - n , r'

-r 'a -

Adems supongamos que en el numeador de (4.1_g)

Icso(R"

+ R) n
se

(1{r*

- r*,

V""

V""

{4.1-9cl

Con estos supuestos (4.1-3)

convrene en

Vcc

- lcr + /c(4 + ") _ vsa

y (4.1-8)

(4.1-t0l

en

r 'co

4*1@fi
Vaa

I/,.

(4.1-l1a)

se cumple la desigualdad (4.1-l)t4 es rgual a 0,7 v paa rransisroes

;; fi:f)'"

simplifica y puesto que se supone que

rr

R"

0,7

(4.r-11)

cuando

t'l1b) v vemos que es independienre i:;;:,r;"il"T -se Ahora podemos p-*1ir'"" :,1? )pot pi""ii.iento de diseo:
sajsface

La sjtuacin dei punto

viene da

(4

de

'
2.

.::f

"tJl1;"H.il:..ii"i.: Ht:,1:,;: :^o::lt"' ,::l;;:*1{:11.;i,.#:

asi como un punro

baie

de

Habra que,lerermina,

j:f j

1"T,":';.,,#.ff

Tt',J;,;:.:l:,Jm":l:
con el cje u,,
:1,

ju;. j.Ji Tili

;:::l

:il' ili ff

'

:"T, ?j..:*, Tl :i$"^ ;l

i:,ff iL :it "#" y,,;f l: n i: ;; i:r*irui :t lll* ;i i :f,l:;lti


7* jyi
1

i),,'^""

i'-'
[:

^^;ttj.-nteseccin 13,

irja

(..

;,#; jx ;i:l: [:i:

o::

:'.'

;i" "" " " "


14.1-12a)

de donde

;
prac,,co de porarizzc ^-.-ror.),o
,1 fir" R.

&.4 \
]:ff1!il;);rminar
er

14

l-J:r

. pJ:,r.

qL( t,"'ril.l"lil,j;:: ".',,

circuio

ESTABILIDAD DE LA
EJEMPIO

POLARIZACION.

I9I

4.I.I

;f*;frt*;?.";*ffi rj*trxi*:d"*tT,si
ff i"",,#s:#-t**",Xr*t**":""r,,=,.fi
Solucln

,i-,i;]i:l*i

:ff"".':::Ti:l.l* dan sufi ciente inli -'ls4 cr punro g epesenrado

," itlr?"irlr1t"

detemina la ecta de caga y

SYjifl (a)
Po la ecta d caga

i i.,

Rectas de ca'8a para

-lY como

10

10_3

500

400 e,

(b)

n. = l00o
Pot (4.t_I2b)

r, que

{u,4: (grfg = oooo


ej punto O utiiizmos (4.1-l Ia) y suponemos

(cJ Para calcular eJ efecto "' B sf p ! p * r. ri.""", '" de /' suoe

t"=vss-0'7 -- R. + Rhlp
Cuando

p=

40,

, - V^- - 0.7 "o Ioo-;-4oo/40 -

to

mA

N(2

t92

CIRCUITOS ELECTRONICOS

Cuando

I :

120,

^ce

vBB

100

0,7

400/120

l0 mA

Alco

Despejando Vss y LIca se Lieen


Vss

- l,'76V

Alco

0,33 mA

As pues, una variacin 3:l de p produce una desviacin despreciable del punto C.

EFECTO DE

tA

TEMPERATURA SOBRE EL PUT{TO DE REPOSO

En la seccin anteior se analiz el desplazamiento del punto p debido a variaciones de p otro y una disposicin del circuito de polarizacin que m;nimizaba cstas vaiaciones. Ota causa important de la vaiacin del punto 0 es la temperatura de trabajo del transistor. En esta seccin estudiaremos la vaiacin del punto e debida a que IcBo y VEs'depende de la temperatu.a. Comenearemos el anlisis con la expresin exacta de ia corricnte de reposo de coector [Ec. (4.1-8)]. Esta expesin puede simplillcarse teiendo en cuenta que normalmente /R" > Ru, de forma que R" + Rbl$ + I) - ,R,,, ya que el circuito ha sido esrabilizado contra las variaciones de p como se ve en la Seccin 4_1. Luego la expresin (4.1-8) se convierte en
de un transistor a
(4.2- r

Esta es la elacin deseada entre la corrient d colector y las dos variables dependientes de la temperatura lco I Vso. En la seccin anterior desprecibamos lcso y urilizbamos (4.1-11) para hallar la corriente de reposo del colector. Las suposiciones que conducen a la expesjn (4.l,lll son vlidas para temperatura ambiente. Para ver la validez de (4.1-ll) a elcvadas temperatuas utilizaemos 1a ccuacin (4.2,1). La iensin base,emisor /r. disminue lia,elmente con Ia tenpcratua dc acuerrlo rn la elacin

donde

LVu.-!-':-14o,: k(T, Jit l; =- 2 mV/'C I len "C


se

T)

La corriente invesa de satuacin 1.ro


lCBO: -

duplica aproximadamente para cada

de aumento de la tempeatura. Este hecho est comprendido en la frmula


taROtc

l0

donde, puesto que eo,r

2,

,( :

0.07

'C

en 'C

ESTABILIDAD DE LA

PoLARIZACIoN I93

El valor tipico de 1.ro para tasistores de baja potencia a tempratura ambiente es


meDos.

I t/A

La vaiacin de /.0 con Ia temperatua pued determioarse a partir de (4.2-l).


Suponiendo que slo varian ,/s e /cso, tenemos

alrn

^r De la expresin (4.2-2), con L.T


y de (4.2-3)

- _lLVs+1, , 4r) ^1.r, R" ^r I R"/ ^r


=
Tz

(4.2-4\

Tt,

LV"t
AT

Llcso lctoz AT AT
Sustituyendo

Icot

Ir"otG*o'AT

l)
11.l-6)

(4.2-\ y

@.2-6) en (4.2-4), obtendemos (-1.l-7)

de donde

r r-8)
En el ejemplo siguiente, s-cTllei-lEuis-t-alores tipicos.
EJEtVPt0

4.2

Considerar

1.o

temperatura aumcnt a 55 'C.

el circuito de la Figura 4.1-2, con R : 400 Q, R.. : lO l0 mA, a tempeatura ambiente (25 'C). Calcular la r,ariacin de i.

ll .

:
-

solucn
Sustituyendo ios valores dados en la Ecuacin (4.2-8) con AT

,10

'C.

Llco

t2

l0 ritlol tl iOO: r

4trl.sottt'1.2t

= t0.b t0 3, :..
es

Un valor tipico paa un transisto de silicio de baja potencia

Po consiguiente Alco :

Ivq : 0,1 yA (0,6 + 0,0036) x 10 3 :

0,6 mA

194

CIRCUTTOS ELECTRONICOS

Mediante este ejemplos vemos que la variacin de /.o en cl trasistor de sib: rg_ despreciable en la mayoria de aplicaciones. Obsrvese tamlbit que la mayor coc::--r:r::c al cambio de coriete viene de la variacin de la tensin base-emiso ,/dE. Esto + : .:_ suele ocurrir, y en consecuencia se tiende a despreciar el efecto de ias va-riaciooes -"_,

4j3j

AlIAtlSlS DEL FACTOR DE ESTABil.|DAD


Este mtodo se utiliza a menudo en ingeniera. El problema es el siguiente: dt-: ::ai variable fisica (en nuestro caso /.o). qu cambio sufri cuando las va'riables de - :- qepende {en nuestro caso. Icuo. Vac. f. Vc., etc.l vaien en cantidades deterr:-,_,. {generarmente pequeas)? Este mtodo recibe varios nombes: anlisis de sensibrii:: anlisis de variabilidad y anlisis del factor de estabilidad, por ejemplo. Todos :s::: mtodo-s se basan en el supuesto de que, para variaciones pequedas, la variable consiri_-.:-: es una funcin lineal de las otras variables y puede exprisarse en forma dilerencial ::-:En nuestro caso, podemos escribir:

.
La difeencial total
es

Lo :

Icaqcao, V66, f'

-\

dlra

._

1.^ , t-^ t - ;i" dlcso + a,,',v dvBr 1 :+ yt er.ao Op


alto

dB

...

Delinamos ahora los factores de estabilidad

.s, s-.

(4.-'i--r

a/.o
LVor

(4.i'::
('1.t-i:

"p:

Si los cambios de las vaiables independientes lruo, V"u, lJ, etc., son pequeos

^i

t,-* s,-n
y
Por lalto

to-W
dyBE LB x dp
Lp + ...
(4._1r
SE

LIco

= dlca

LIcBo

- dlcBo

LV,E N

O&" t,

AIcBo

Sv LViE

Podemos deducir fcilmenre de esta relacin A1.o para variaciones de cualquiera de l.t variables independientes si esras va.iaciones son sulicientmente pequeas para que _= cumpla nuest.a suposicin de que el incremento Al sea aproximadamen igual al diferenc:-

ESTABILIDAD DE LA

POLARIZACIO]I I95

d,ll si esta suposicin no es vrid4 habr que calcula el icemento real. (Este es usuarmente el caso cuando se considean las variaciones de p*.) La Ecuacitr (4.1-8) es la relacin completa enire'/"o y las variablss que interesao e el amplifi cador convencional con conlie

p",i"e lir""1.

""i;r.;;;H,*.fffi#;ffiff-#,r,p |1;ndo

tu' a';uua",

(4.3-6a)

(4.3-6b)

"",li'"#x'

fi Y"#'""1:",:lT""i'T;trii"#J:":i:::iiH,iril:: ;:;?1:
(4.3-7)

Ahola supongamos que 0t y fz representa[ los rmites superior e inferior, respectiva_ - mente. de P, siendo rr.o, e,rcor ras respectivas corientes a -'cotrnuacron fomamos la relacin "or"",oa.

Lq:pLfn, * i/, + Un.l Ire, /, LRu + p, + tla.l


Se esta Ia unidad de ambos miembros de (4.3_g)

(1.3-81

se opea paa obtener

donde

I,o l,q, _ AI:9 _ ABt Ro t R"l tcet [ro, PtlRb + tp, - ItR"] AIcp: Iror - Iro, y Lll =Fr-0,
,s.

(4.3-e)

Por consiguiente

'

41.,c

{e1 [ L,t : n. l,(, ,

n, +
ttz

.-

n.. -l ttR"]

r+

l-i,

Finalmete (4.3-5) se convierte en

"''fn-55*.1^''
(puesto que r3 pendienre de un recra es conslanre).sin embargo, ir /.0 no es ina funcrn linear de repesenra la pndieie de ta crrva excepro en el lmile dond; _" tr

(4.3-lla)

.'Si/cosuoafuncintineatdeunavariable.\,entonces^/cold(=d/cal.rnclusocunooarseaSrande

i, ar.o/at

no

^.

!
T

t96

CIRCUITOS ELECRONICOS Se obseva que como la variacin de p es grandg la vaiaci tofal LIco en lca siempre se puede determinar como en (4.3-lla)."r, fi"."",", ros esrabitidad " ,tr no contienen po tanto, (4.3_ll)""r" ;;;;;;;. Sin ractors de ^S, J embago, si 'contendran tenemos, por ejemplo, rR, : 0, & f Sa dados por (4.:_6) ". p qglrq p iue; f9:^:'r..#alg,sj-va-lsr-4!sd! lasre d,, qq pqdemos Jber c;;l-l;;;'se er varor de p nctutoo en tos tactores de estabilidad. En tal caso se debe obtener diectamente la laricin total de /"-. es deci:

f 4

LIca

Iq(I"or, Vurr, Ar)

Isp(Icnot, Va, ll t)

(4.3-11)

f
I

:"Tffi""ii:nft

variables independientes para maximizar a1.o en previsin de la peo f4.2-2)


(4.2_3). Asi

...--t:: ll",:."n,or.dede.Ic_so yy l/BE pueden,estar diectamente tura hacendo uso


L,Vu"

elacionados con la tempera-

i I
{
I

Llcao=lctorG(or-1)

: - 67

)-)r
(4 ) -1\

Obsrvese que es relativamente fcil tener en cueta otros factores que podian alectar a lco. por ejemplo, si tambin hay que haliar l";;";;;;;.'; .I.o debidas a vaiaciones de

Vr" y R", escibiremos

Ot:

t,

Llcso

Sv LVB

S, Lp

Sy,, Lycc

oonde

SR.

AR"

(4.3-12)

s,,

=;'i", y

?J-^

s,.

\ #:
i

Al

{43_nl

.",-^l t""J^-i",^:;;;;;:::" g*''*"J,";1,;""".."ilffil'*:.",:T,iiiJiff ff :iiXli';i;1"?,:;":1",iH#: 100 o ms) y para apiicar un criterio p;;;;; il;;;;;;"tacin de tos 9l-1i9::,20.p". re\uttados. Los ejemplos
quc siguen dan rdenes tipicas ae
EJEMPI-O 4.3.1

PgA-Pq-qlgas variaciones de 1"^. La ecuacin (4.3-12) indica q-ue la variacin total de la coriente de eposo, es proporcronal a las variaciones de cada una de las variables io"p"nJ"n,". u .u, ^Ico, iu"ror". de estabilidad. Luego, al disear para pequeos A1.n, o;"r""". ."".i; al minimo los lactores de eslabilidad. En la aolicacin ,1"

esias;";;;;",

::;,?.il0'0"
sotucn

n,I n" amplificador representado en la Figura 4.3_1 de modo que !^!1^u1-l*, "2el c tenga una excursin minima a" 15.1A.. p varia de'lO u tZOl'i"rn uta entre
0.6 y 0.8 V. L3 tensin de saruracin

"ol*,o._"iir",

lr.r,

"",

Para tener una excursin de cresta de + 5 mA se necesita que la corriente d reposo s-e^::::n:re liiniradl gor.rco, e /caz como se indica en Ia Figura 4.3_2. El punto ko

gr

asegurx que

podr

vari..t- 5 mA antes del

".n"]

.i""ir".

'q*

O,

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION

197

asegura que L podr vaiar +5 mA antes de la satuacin. Suponiendo que el corte se,presenta para L 0. 1.o, = 5 mA. En la Figura a.:_2, Z.o, uiene oo po. tu nterseccin de las rectas de carga dc c.c. y

c.a.

Recta de carga de corriente continua: Vcc

Vcez

Ico2(R,

R.)

Recta de caga de coriente altema:

Vctpz

Vs,*,

R"(Ip2

* 5 x l0-3 _

lcar)

Elimiriado Z"ro, obtenemos:

lco2-vcc -5> -

\"

R.+x. t5 _ 5 _ 0.t to _ 'oooTp

lo'3R, -

vcE.."

'

15

4=

rko

Flgufa 4.3.1. Circuito

para el Ejempl

l.:

f(
r)0

de c.a.;

pndienre= -1

l0lr:

L_
I I

!'

Recta ae carg:

:: ::

lc.-, =

V-0.1

= t.
_l

Flgg,fa

43-2.

Recras de carga paa el L.Jemplo

:,:

La corriente de eposo de colector debe satisfacer, pues, la desigualdad

Icat4lco4lcaz
o bien
Resolviendo esta 5 mA

<

1.o

< rooo$

.e
y

adecuada

desigualdad, encontr o'. 1 ko oara j *"eJ::j,"j.:lqi"to,a" ,"po*^oto'illl;Hf; ---- lT ;.''""o' r '.2' A continuaci, veamos el efecto '\ I de

gs

las variacioDes de p

Vu|. La claciD

v"" vr) -^ = lll -" R, * \f- + l)R"


De (4.3-lla)

(4.3-'r)

ar.o

-*.1 or",

Rb+\pl +

Ro+4
1lR.

Lp

EI caso ms desfavorable se presentar cu ando L4BE

O,2y y 4p

120

a0

gO.

Luego

ar,o

xT - *",-j#

-n;:-*('H
'20R.>Rh
Es evidente que existe una amplja gan punto Q entie ros

iimr;;a"; o,::l:rff R":500O R:20000


-'" :
(40)(3,7

valores de R' R'

v /,

qr.re

mantienen el

Vua:3,7y =
O,

el lmite infeio de 1co se pesentar cuawlo t/"u

Vy

40.

De (4.3-./)

'co

0.3)

2ooo +-(4ox5ooi

5'l ItA

^co
Luego

J00

0.2 5.J rY
0

,/ -#/:o.smA i0'(r I 2000\

Ico.-,. = 5,3 + 0,8 =

6,1 mA

excusin

flfrlT;:':,,Tiil,'ill"*il,:i3.1'::l',1 l 1''o:":' q.sibre desprazamiento o"*" ,** is .a """ "_i" e",'" d:$.r"x"" i:""Ti:::l i"f,,;?.

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION

l9

R.ta de crrga de

c a.

01 (Punro 0 mrimo permisibte pafa una excursin de 5 mA)


de los puntos

eales

O, (Punto O mnimo para una excursin d 5 mA)


R.ta de carga de
c.c.

,l
@

Variacin del punro

en

el Ejemplo 4.j_1

EJEMPT-o 4.3.2

Utjlizndo los valores nominales dado. en la Frgurd4 1.4. hallar /.0 a renperarura amorente. l) Haliar A_f.o para las toiel de 1'' R. v /-La temperatura amblente
est comprend-ida

lal

"n,..

,,

,ul!'il3o'cadas

sotucn

(a)
I tn

De (4.1-8), la coriette nominal de reposo, sr se desprecia 1cso,

es

:'

I ttn'

ffl : c.ts

.-: '-

- l/"ral l)R" + R p[[R.,/(F, + R,t]t/,c


uJ +

0(v"u

l/
_
voEal

{/+t)R.+,RA
7s[(0,5/5,5)20
(76)(100)

0,7]

t55

500o

4e<l <99; ,"".,.., = 75 Ictu : 0,1 rA a 25 'C


V*a=O"7Ya25'C
R.

100

1l0O
Flgura 4.3.4. Circuiro
Ejemplo.1.3,2.
Da.a el

i00

CIRCUf TOS ELECTRONICOS

son

() Para hallar hacemos uso de (4.3-5). Los factoes y S*.. , S/, Sr, Sr-^Ico Por (4.3-6a)

de estabilidad necesaros

s,: = R. RJ(f +t) * Ie11lJ : "' &+ =+,,^R, - loo


y como p,R"

5.5

mA/mA

R6, se pueden utilizar las aproximaciones en (4.3-6). Por (4.3-6)

^l Sn
Con Pl

- -

R,

-0,01 A/V

10

mA/V por (4.3-10)

49,la IcaL correspodiente es lcat

10,2 mA. Luego

^ tu

x lO,2 .^_. x l0-r +9

455

+ 100 * r

Q01 mA por unidad de cambio en

/i

Para halla Sr- nos referimos a la parte (). Entonces -_:

-dt.^8/R,\R. t'' : li;= rf + ttn. , R, [& 500 : ro'9 mA/v = tssooilool


Para hallar S. aplicamos la denicin a (4.1-8)

r' n,/

'

,n, T-n,rn.

s".:k:*^ffi!=#
r - l0
^Icrc, r"orrxtr " A/O

= -0,1 mA/A
^X-..

Asi quedan determinados toCos los factores de estabilidad. El paso siguiente en la soiucin se hallar LV,L, LB, LVcc y Usando (4.2-.1), teer,ros
A.lruo

- l) :
LT

0,1

x l0 6((0.011100) - l) *
10 rxl00)

0,1 mA

y por

(4.2-2)

avuu

: -

= _(2 x

_2) mV

Por las especificaciones

Lp:50

LVrr:4 V
0

^R.:20O

La peor desviacin posible del punto

con respecto al valo mnimo se:

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION

201

^1"a

: l& LIcBol + lsy LV"rl + lsf + lS/- t/ccl + iS, ^pl : (5,5X0,1) + (10X0,2) + (0,01X50) + (0,9X4) ^+ (0,1X20) ^"1
:0,55 + 2 +
0,5

3,6

La mxima vaiacin posible con rspecto al valo nominal de 10,6 mA ser entonces aproximadamente la mitad de este valor, o : f 4,3 mA. Se nos pregunta cmo puede reducime esta gran variacin de corriente. La gran vafiacin con la temperatura, debida principalmente a vaiaciones de [rr, origin - aproximadamente 2,55 mA de la variaci total de 8,65 mA de la corriente eo eposo. En la Seccin 4.4 se preseritarn algunas tcnicas para minimizar las variaciones de f/r, debidas a Ia temperatura. Para reduci las variaciones debidas a I/.. y R" se utiiiz una fuente regulada tal qve AVcc : 0,1 V en lugar de 4 V y se emple una resrstencia con tolerancia dl I por 100 e vez de un l0 po 100, para que : t 1 f As se modifican os clculos anteriores para obtener ^R,

^1ca

+ 2mA < 8,65 mA

Incluso esta variacin, de aproximadamente 20

^Ico

<

11,67 mA

por l0O de Ia 1. nominal.

es

srgnicativa. Este pocedimiento de anlisis es. pues. e\tremadamente irporranre. a que la informacin capacita al diseado para deteminar si puede ser obtenida Ia nma excusin de la cordente de colector. De lo contrario ser necesario un nuevo diseo

"/

4t+,

tAS VARIACIOTIIES DE TEMPERATURA MEDIAITITE LA POTARIZACION POR DIODO


COMPEITISACIOITI DE

producir una variacin importante en la coriente de reposo de colector. Est: r:::_- .- :s debida principalmente a la tensin base-emisor tr/ru, que es funcin de la rem::.::::. :_
efccto de lcso es generalmente despreciable). Un mtodo para reducir esta variacin dc coriente resulta ob!io .1, :::.::::: fac'io de estabilidd S, de (4.3-5b).lji R. aumenla. S. disinurc e l/:,, ;,.::':.:::, er(lbargo, se cduce iambi la aorrirntc an il cqutlibrr(,. -\s'. cn c.r r l, ::.,. .:.: - : Sn no se colsiguc dcmasiado.

En las secciones anteriores hemos visto que los cambios de temperatuaa amt

ie.:. :\:ji3n

l:
-:.

4.4-1. Compensacn con un solo dodo


Otro mtodo para reducir las variacioes de la tensin base-emisor consis:i :.-. ,: -' : compensacin por diodo. Para comprenderlo consideraremos el circuirr. d i. I -, -. - En cste circuito, lapolarizacinseefectaporunafuentedecorrienrer,:,:..,. : se elige el diodo de modo que se adapte a la caacteristica de la uni.n ::::-:- : ' :: transistor, para que sus dependencias de la tomperatura sean las mis:.. ::.-::.-: LVo

4!!r AT: AT

++
va

Flgufa 4.4.1.

Potarizacin por diodo:

circuito simplificado.

La coriente de la fuente de polarizacin es constante de modo que Iuu

Ie

t
es

lsa

tD

+p3,

"on.,un,"

(4

4-:

La tensin de base del cicuito

Va= Vol IoRo: V"rp I Ir}R"

(1..+-l
es

Luego, utilizando las expresiones (4.4-2) y (4.4-3\,la coriente de reposo del emrsor

'Ee
I

vD- v,.^

R.+

+ IuuRo Rdl(p + t)

L+:-:

Ya que 1r, es constante aIEo

LT
Por io tanto,

_ LV,ILT AV,EILT _ R. + Rlg + 1)

independiente de la< rariaciones de ,4,

1Ea es insensible a las variaciones de temperatura. Obsrvese tambin en la expresin (4.4-4) que la corriente de emisor 1,^ es
si

relativamer::

^'"#
Es evidente que ei

1-1

:-.

grado de estabilizacin con Ia temperatua depende dc la adaptacrr: se us::componentes discretos debe tenerse cuidado en Ia eleccin del diodo. Si -h","^ -cicuitos integrados (CI) los diodos estn formados por transistoes _ -"*";;;;;';; colecto, como muestra la Figura 4.4-2. Habitualmente, cstos transistores integado5 .:: muy similaes (curvas adaptadas) a causa de la naturaleza del proceso <le fabjcaciei. po. tnto, la compensacin en temperatura es bastante buena_ Obsrvese que como (,1.4-5) es independiente del valor de R, se puede obte_-.:: . teorcamentc una perlecta compensacin si Rd : 0 Sin embargo, en talcs circu::-, lto 2 I'"r. por lo que la corriente suministrada al circuito de polarizacion exceo: :: i coriente del t-dn5i.Lor F\lo d Iugdr d malor di.ipacin dc potencia.

o igualdad ente el diodo exterior y el diodo base-emisor del transistor. Cuando

ESTABILIDAD DE LA

POLARIZACIOI.i N3

n"

1"ol

Hguta 4.4-2. polarizacin por diodo: con u transistor conectado como diodo.

EiEMPr.o 4.4-1

La Figura 4.4-3 muestra un circuito de polarizacin por diodo en que la fuente de la connte de polarizcin 1r, ha sido reemplazada por una fuente '" i.sil s"e con una resistencia. Determinar el efecto e las variaciones "n a" t"_p".uilr""'.ou." tn coriente de emiso! en leposo.

,: v.
IDI iR"

Flgufa 4-4-5. Solucn

polarizacin por diodo.

Circuiro prcico de

C,o,melzamos por obtener. el equivalente Thvenin de Ia red de polaizaci_ paa ello .representamos el diodo por una fuente de tensin l,r. El circuiro equivalenre esultante est entonces epresentado en la Figura 4.4-4. Ailicrra. l" ."g"id" by a. Kirchhofl (de rensiones) al tazo base-ernisorl ob."r"u"d;;;; (p ,,r. hallamos la coriente de emisor en eDoso

;-iiri) :

!,^-ttt^

1 YpKbtlKh t

Rl -

Vst

YqR

ypR6

Flguf 4.4"4-

Circuiro

/
204
CIRCUITOS ELECTRONICOS

donde hemos supuesto R" > (Rb lRd)/ff 1). Esta coriente se pude hjar en el valor deseado ajustando -R, y R . La variacin de 1o debida a un cambio de temperatura es

LI,^ LT
LVo

|
R.R6

X. LV^ + Rd LT

^V,"^ LT

AT -

LV"ta
AT

- _,
+
R..

dondek::2mVl'C

-LI"^kl Lueso -

r: LT

I +
k
R.

-R/R ,fuo

En Ia Seccin 4.3 vimos que sin compensacin del diod y si se desprecia

LI.^ AT

Asi, la compensacin del diodo, cuando se emplea como antes, reduce la sensibilidad a a temperatura; por ejemplo, si lq : 2,5 kO y lR, : 250 O, se tiene

LI," k LT llR"
y los efectos de tempeatua se reducen a la onceava parte, comparados con los de una etapa de amplicador sin estabilizacin por diodo.

4.4-2. Compensacln por dos dodos


diodo no se puede obtener una perfecta compensacin de temperatua. Sin embargo, cuando se emplean dos o ms diodos, como en la Figura 4.4-5, LIrolL,T se puede hacer igual a cero para obtener una perfecta compensacin. Para algunas aplicacioncs es conveiente dar un valor positivo o negativo determinado a AIo.lA,T. Tal ajuste de la
variaci de temperatura de 1rn es posible utilizando el cicuito dc la Figura 4.4 5a. Con el fin de determinar las cordiciones neccsalias para hacer AIE.,IAT : 0 pirneo
obtenemos el cicuito equivalente de la red de polarizacin, como muestia la Figura 4.4,5. Luego, aplicando la ley de tensiones de Kichhoff al bucle base-emisor y suponiendo que R. > (Ru li R)l(p + l), hallamos 1ro

El Ejemplo 4.4-1 ilustra el hecho de que utiliza[do un cicuito de polarizacin con un solo

ro:(v""Ro
Puesto que

2vrR)L(!o

! RoJ

v"'

(4.4 1)

vanaclones de temperatura si LJe AR

4VDILT

AV"rlLT, la corriente de emiso en reposo

es independiente de las

2Rb/(Rb

+ R) LV,IAT R"

LVpILT

(4.4-8)

ESTABILDAD DE LA POLARIZACION

{'zosr,

l-_/'

vs

rD+

VBBR

2yDRb

R,+Rd

(b)

FlgUfa 4.4-5Esto se cumple cuando

Potarizacin con dos diodos: (a) circuiro; () circuio equivaleni:

Queda, pues, demostado que en el circuito de Ia Figura 4.4-5 con R : R la c!1'----'= -emisor es independiente de Ia temperatura. El ejemplo siguiente explica el di:.i. :: -. clrcuto con un transistor polaizado por dos diodos.

EJEMPT-0 4.4.2

El cicuito de polarizacin por dos diodos de la Figura 4.4-5 se emplea pa:: ,:::::: compensacin de tempeatura de la coriente de emisor 1,. Si 1.R. = I \. -. -, VBB. Si It - I mA. delerminar un vaor adecuado puru o = i,

Solucln
Despreciando la corriete de base 1, en comparacin con D, se observa que la tensin en el punto P es igal a V"Jl fuuesto que & = r} Ur".u"-o, t"rn que la tensin en P es igual a la tensin de emisor si ia cocnte de diodo : Por tanto.

+:
De aqui- que Vas

= r,n.

= 4V.
IRo

Adems tensmos

V,

Vo,

: ? _ q7 : l,3V

Con

Io=Is=lmA

&:R=l,3kO

(Un.valor estndar seria 1,2 kO). Si para ahorar potencia, decidimos hace. ID mucho.meno que 1, ya no sera vlido este procedi;iento " qu" Zo, sera menor que Zrr. Un procedimiento adicuado en este "af"uiolu"*o c".o ." A" el Problema 4.4-6. ", "iq'u" "n

",.'"1,1"''.10",,?j;l,tl'lln:: red resistiva como divisi de rensin

,.,"^:::H'.l;:f j.ilJ,llT".i.i.,liililxill
r.." er* i.l_ii

45.

ESTABILIDAD DE LA POTARIZACIOil EIT EL FET


Las caractesticas ,l del FET_ cambian con la temperatula, lo mtsmo que las del BJT. Sin embargo, las caracteristicas d los FET del mismo tipo o vanan, contrariamente a la gran variacin de p en los. BJT del nismo tipo. En esta ieccin estudiaremos diversos tipos de de polarizacin que controlan ia uuriu"iOn ae poiaiizacin en el fnef I ei ei -circuitos MOSFET. Aunque aqu se usan dispositivos cle canal a, se fueaen utilizar las mismas tecrrcas parn polarizar los FET de canal D_

4.5.1. Potartzecln det JFET


La Figura 4.5-1, muestra un amplificado JFET.

lalo nominal dete.minado de tensin

ello, debemos polarizar el JFET con el lin de que la vanacr:: oe la corn^ente er eposo drenaje-fuente no exceda de los limites, ya que las vanaoone. :: ,1Dsa- se reflejan directmenle en /Dso. ts caracteristicas de ranserenci de la Figura 4.5_2 muestral la variacin en er pe..: :: los casos de la coienre denaje-fuente en funn de r","rrlo" f"".i"_i""ni" ou.u un,,-,

se llll: g -" la variacin de los pafmetros tlei FET "n ""rnunGi". urrrLci uerermnados. para

Deseamos polarizar esta etapa para .r: drenaje-fuente ,"ioro, ZDsq. La vanacln c:

dcnto oe u-:,

ESTABTLIDAD DE LA POLARIZACION

I'

,"jfr
Yrc

f"
Flguftt 4.5.1.
Ampificador JFET.

_5:

_ zpo..e

_4_3:

y,r,._t^_2 _r
de transcor)ductailcia e el casc ms desfavorabl3.

Flgura 4.5-2. Caracteiiticas

particular de FET. Las cuvas de transfeencia estn dibr_rjadas suponiendo que ei'FET funciona en Ia regin de satuacin, por lo que se aplica lj.2-3):

tDs:
y

/ t,o\l

,. \,
n)
(3.2-3)

Hay dibujadas dos cuvas que representan los valores correspondientes alcaso peor de 1eo ,/ro; e.tos valores los proporciona el fabricante para cada tipo " Fpi iui'"".a"r"..ti"u, de,cualquier.FET de este tipo estarn, pues, comprendidas elte estas dos curvas, con los valoes nominaies aproximadamente en el cento de la egin_

208

CIRCUITOS ELECTRONICOS

Las curvas se utilizan para deteminar Vcc y R" en el circuito de la Figula 4 5-1, de la manera siguiente: primero, se elige una corrionte nominal en reposo y en la mxima desviacin permisible cor respecto al valo nominal. Tpicamente podemos prmitir una : O,9 lp5e. variacin de 110 por 100 en lDso. Por tanto, loso,-o* = l,l le"pe lpso, ^tn estn indicados en ls dos cuvas de trarsconductancia en los puntos 0.4' y Estos valores de la Figura 4.5-2, y los valores correspondientes de f/cso estn tambin indicados en

Q..

esas curvas.

De la Figura 4,5-1, tenemos

Voo=l/o"o+Io"oR"

(4.5-r)

La ecta que representa esta cuacin debe pasar por los puntos Q-' y Q.'., como en la Figura 4.5-2. La interseccin de esta recta con el eje Das da Vco y la pendiente de la recta
es Paa conclui el clculo del circuito de polarizacin, cuando t/Dso y t/DD son conocidas la resistencia de carga -R, se puede calcular fcilmente. El Ejemplo 4.5-l ilustra el orocedimiento de diseo.
EJEMPI.O

l/R".

4.5{

Disear el circuito de polarizacin para el amplificador JFET represetado en la Figua 4.5-1 hallando l/oo y R". Voo,-t* : 5 \, Vee.^n: 3 V, Ipo,.' : 9 mA, Ipo.^n : 7 mA. IDso, no. : 5 mA y se permite una variaci de f.10 -por 100' Siendo el valor nominal de I/5e = 6 Y ! Voo : 15 V, hallar la vaiacin de VDso y determinar R.

solucln
En la Figura 4.5-2 se dan las curvas de transconductancia colrespodientes al caso V. 1Dso, -t' corta peor. 1Dso, o,. cota a la cuva de arriba en Q*., donde Vas v (0-d. En la Figura 4 5-2 est repesentada la Ecua0,6 Ia curva inferior a uo" cin (4.5-1) que pasa por los puntos 0., y 0.r.. La esistencia de fuente R" hallada es

: -I,l
soo

p ""

LVo"
/258,

-r' -

/o"o

-t

- |'.1 >
:

l0-' =

0.1

La tensit de polarizacin Vcc hlla'ia es V"" ajustada nomiain,eote err 6 V, tencmos

1,65

Y. Con Voo

15

Yy

Vusa

R, + R. :
Como R"

voP'lDso

500 O, R

"-

!e!o: -[-^:, 5 / lO-'


R")

l8oo

1,3

ko (un valor

estndar sera 1,2 kO) En la Figura 4 5-l

vemos que

Aluo'o: -AIP"P(R' +
Puesto que Alorn

LVDsa !0,9 V (115 por 100 dei valor nominal comparado con especificado para lDso).

:L0,5 mA, la variacin de la tensin drenaje-fuente

es

l 15 por

100

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION

2W

4.5-2. Polarlzacln del MOSFET


En la Figura 4.5-3 esi repesentado un amplificador NMOSFET. La polarizacin de la puerta est lada por la tensin de drenaje a travs de la resistncia R Como por la puerta del MOSFET no puede circular ninguna coriente continua, tampoco circula en R, y la tensin c.c- en la puerta es igual a la tesi c.c. en el drenaje, es decir.
Ves

Vos

t s-)\

Este circuito de polarizacin es igual que el utilizado paa polaiza el JFET en cuanto a lo siguiente: En el circuito JFET de la Figura 4.5-1, cualquier aumento de la corente de

drenaje produce un aumento de la tensi de fuente y por consiguiente la tensin puertafuente se hace ms negativa. Esto tiende a reducir la coriente, reduciendo po talto el aumento de corrierite que inici el ciclo. Esta secuencia de eventos es lo que se llama rcalektacin negatiua (vase Seccin 10.1). En el cicuito MOSFET representado en la Figura 4.5-3, un aumento de /Ds hace que ZDs disminuya. Como t/s Zcs, la tensin de pu.ta tambin disminuye, lo que tiende a reducir el aumento o.iginal de la coriente. El Ejemplo 4.5-2 ilustra cuantitativamente la influencia estabilizadora del circuito de polari-

zaci.

Flgura 4.5-3.

Polarizacin C.l

\lasaiT

EJEMPT.o 4.5-2

) :-::::: ::.-- :.-::: utilizando l circuito representado en la Figua 4.5-3. Como /s = I c.. e. Fil :-: funcionando e la regin de saturacin por lo que la cotiente iDs ej ii:::.::::: de la tensin drenaje-fuente y varia con el cuadrado de la tensin Pj.::.- r- : como en (3.3-2). Las ecuaciones correspondientes al caso ms desla\oia:.: .::
La Figura 4.5-4 muestra las ca.acteristicas de tansferencia

ti

mxima

el caso ms desfavorable para un determinado NMOSFET que esl;

t-n.(uo' k-1luo, -

Vr,

^'"f

I/r..")'?

210

cIRcuITosELEcrRoNfcos

tDs: t0 \vcs -

sF

o.,,

Rtrra de carga c.c.. vcs

t Ds

l/DD

IDR.

45
Caracteristicas

r0
,l

15
ls desfavorable.

uo",V

Flgufa 4-5.4.

de un MOSFET para variaciones de los parmetros en el

La ecuacin (4.5-3tz) da el mayor valor de Ls pa.a un valor dado de I/"r, mientras (4.5-3) produce la iDs ms pequea. La caracteistica dibujada con linea de trazos tiene los parmetos Vr: 4Y y k,:2 x l0-3 A/V'?, y la dibujada con linea continua tiene los pametros Vr : 5 V y t" : l0' ANt, Voo R : 1,5 kO. Hallar las mximas variaciones pcsibles de losa! Vosa.

15

50lucn
La ecuacin de la recta de caga

Voo:l/or1,IsR"
est dibujlCa en los misilos eJes de coordenadas que la5 caaacteristicas de transfe, rencia r, como muestra la Figura 4-5-4. Los puntos de Iuncionamiento o de reposo 0-, y 0.r. estn er la interseccin de las dos cuvas u y la recta de carga. En este ejemplo p.r, I 0.," estn repesentados en el grfico por

Q^t.:

Iotn

8-r.:

: : Iotn

rn{ 5,3 mA
6,2

: VDso :
VDso

5.'l V
7.1 Y

Asr pues. el punto 0 nominal coresponde a los valors medios 15q - 5,7 mA ! I/Dso : 6.5 V. La mrima variacin de lDsc es, pues, A1r"o : :10,5 mA. o aproxlmadamene el l0 por 100 del valor nominal de 1r"0, mientras A Zosp : 10.8 \'. que es apro\imadamenie el 1l por 100 dei valor nominal de /Dso.

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\

:ll

EI ejemplo atrterio demustla que la polarizacin con rcalimentacin produce u!. punto O que se establece a pesar de las grands variaciones de los parmctos. Sc deja como ejercicio demostmr que si oo se cmplease realimentacin y el FET estues polarizado como en la Figura 4,5-5, las variaciones de la magnitud reprcsentada en la Figura 4.5-4 produciran variaciones sustaDcialmente mayoes en la posicin del punto Q.

Flgufa 4-5-5. PET polrizado sin realimentacin.

I _,
I

4.16.'' CONSIDERACIOilES TERMICAS AMBIE]ITALES EIf LOS AMPLIFICADORES COIT TRAiISISTORES En esta seccin consideaemos el efecto de la disipacin de potencia y de la temperatura ambiente sobe el funcioramiento de los cicritos con transistores. Como en la mayora de los circuitos amplilicadoes de potencia se mplea el BJT, nos referiremos a este dispositivo. Los amplilicadores FET de potencia se estudian en la Seccin 4.6-1. El diseo prctico de los cicuitos con transistores casi siempre implica consideraciones trmicas y tambin elctricas a causa de que la mxima potencia media que puede disipar el transistor est limitada por la temperatura d la unin colcctor-base. Asi, el diseo del circuito debe incluir el clculo de las cc,ndiciones 1:rmicas para que no sea excdida la mxima tempeatua permisible de la unin- Esta temperatura est comprendida en el margen de 150 a 200 'C para el silicio; a tempratuas ms altas se deterioa el transistor. La potericia media disipada en el colector P" es igual a la media del producto de la corriente de colecto y la tensin colector-base, y la nima potencia media de colector permisible es especificada por el fabricante. Se puede exceder momentneamente este valo

nominal siempre que el transistor rlo tenga suficiente tiempo para calentarse hasta el purito de quemarse. El anlisis de la situacin trmica en un tansistor es el mismo que para el diodo de unin considerado en la Seccin 1-11. La configuracin fisica representada en la Figura 4.6-l est descita exactamente por (1.11-7) y lo dicho acerca de esta ecuacin es
directamente aplicable. La informacin sobre la resistencia trmica 0,r y 4o la da usualmete

el fabricante dei transistor.

212

CIRCUITOS ELECTRONf COS


Ambiente

Uin Tj

Flgufa 4.6.1.
EJEMPI.O

Transistor y radiador de clor.

4.6I

Un tralsistor de silicio tiene las siguientes caractesticas tmicas:

4... =

150

'C

0"

0,7 "ClW

Hallar: (a) la potencia que este transisto podria disipar si la cpsula pudiera mantenerse a 50 'C, independientemente de la temperatura de la unin; () la potencia que podra disipar con una temratura ambiente de 50 'C y un radiado de calr con una resistencia trmica 0"" = I "C,,'W. Soluin

(a)

Para esta condicin

P -'
()

T. --L T oi' '-

I50 --^0"7

--rl4lW
5n

Utilizado la expresin

(1.11-6), obtenemos

T. T t50 - Sn P--:)---------:#r59W t 0i+ 0," u./-l


Asi, un radiador <infinito) de calor como el del caso (a) permite al traNisto disipar ms del doble de la potencia admitida cuando se utiliza el radiador <<real> denido

po

().

Curvas de degradacin o educcin de los valores nominales. La variacin de la disipacin mxima de colector con la temperatura de la cpsula es una caacteristica importante que

suminista el fabricalte del transistor. La Figura 4.6-2 ilustra una cuva tpica. paa temperaturas de la cpsula inleriores a 7.,, el transistor puede disipar su potencia mxima admisible. Para temperaturas superiores a {, la disipacin mxima admisible del colector decrece, tal como se indica en la figura. La disipacin admitida de colecto en esta regin viene dada por la ecuacin

T-

_T p^p

_T
(4.6-1)

FSTABILTDAD

Dt LA POLARIZACIOT

,&

Flgufa 4.6-2.
Como

Curva de degradacin.

(4.6 2) vemos que

C.

_T
r

(4.6-3)

eJEMPL0 4.6.2

Un transisto de silicio de elevada potencia puede disipar 150 W mientas temperatura de la cpsula sea menor de 45 'C. Por encima de sta temperlura

la
la

potencia de colctsr decrece linealmente, como indica la Figura 4 6-2. La temperatura mxima de la unin es de 120 'C. El amplificador debe ser capaz de tabajai a tempraturas ambientes muy elevadas, de hasta 80 'C. Determinar la potencia mxima que este transisto puede disipar y la resislencia trmica necesaria del radiador de calor y del aislante paa evitar que Ia tempcratura de la unin supere su

valor mximo admitido.

Solucn T,

T,

^e,

l2O'C y

0. se puede hallar utilizando (4.6-3):

120

45

0,5

'c/w

Para no exceder el mxirno de tempeiatura d9 l1 uricn' rlccesltliros.

Asi

La seleccin debe hacese siguiendo criterios de ingenieria Es evidenle \l-' : : -: diador de calor infinito. Pc - 80 W Sin embargo. como eslo no e) p'i' : ' '--que conformarse con un buen radiador (con aislante)' el cuaL podi3 :3:'r -:' resistencia trmica de 0,5 "CAv. Asi
Pc

: T'.,a' * Ps9 Pc1.= Pc@,+ 120 - 80:40:


T,^*

d.,)

Pc(0'5

B.'i

-' = 40W
::-

Obsrvese que el transistor de 150 W slo puede disipar 40 W a caus d:de alta temperatua ambiente.

4.6-1. condlclones trmlcas para el uso del


En a Seccin 3.12 hemos visto

FET

de lrotencta

de las caracteristicas oe esta seccin consid"."-o. el -algunas ;:::'-::'::'.:Tu"ut. de un_FET dc poteocia- EE rs electo del aumento de temperatua sobre el funcionamieDro de este "i

dispositivo.

d;;;:r

eracin ente r"

..i*;H ^"':'#i1',:::i"t:; ;Ji::"-:-':::'"d" ;,j;ffi ;.|ff ;T:.r1*:


]Rr14) = RpBfT,)

o en.conducci!, riene una esistencia erectiva

liJ,lff.
t

s;
!

?:,.

;;;;:"
(4.*)
po Io que

o,oo,trz - r

' ff"fttry

La poiencia'r,

ntT"':,T:::ffi:::

dr"il ,j.i'""ii.iliiiiij"t"d:

Ter'

{obsrvese qs 60.ooz

o; rc'

1,007,

too.l

ll*:*:il"ti:::i*T#:d*#1",."1...;Jl*',",:i"ff
LT = 7r _
Sustituyendo (4.6-5) en (4.6_a) se tienc

i:lj{"lT;:,':,':',j:.'i'il}'J,J;;";;ijfil*,,'r=r*,r.,.","..".,,.,,'"0"1','
[Tn:i,",;tff

i*

T":

0,p,

(4.6-6aJ

AT=7.
(4.4-6) 14.4-6) se riene

\=grF5Rp(T)

La Ecuacin (4.6-4) relaciona R..J -

(4.6-6b)
en

tiene

''"-' : QconRotrlTr: =
?
0

1). Haciendo la sustitucin

A,j-F-0,$i^r

"IzosRrrtl:1,)

(4.6-7)

ur i riza

'"f",i'."Jlii;',i'i: i::ijix,f l::T en ,uncin de ar r ia Fcuaci Jn, ;; ;l l#;,,.T:i ; :HTi:


60 50 40

caior se pueden _de "0,.J,,::o:;o;' tJemplo 4.6-3.

l0
20
10

90 tm ltO f20 de ^f-0.oorr

tjo

Flgura 4.6-3. crlico

^l

en luncin de

^t

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACI' ].
E EMP|.o 4.6.3

menos, calcular (a) la esjstencia trmica necesaria a.f ,"", " .f.. A.,, fl fu resistencia del FET cuando L = 125 "C y la por"n.i" O"ip"a" ." a :t; = ZS y.125'C suponiendo que IDs se mantenga en I A. (c) En qu condiciones "se puede suponer que 1o" se mantiene constante auque cambie

Un FET de potenci admite una mxima tempratua en la unio de l?5 .C y tiene una resistencia trmica d,, = 4 .Cly. Cuando el transi.tor ia drenaje-fuente es I A y ta isisrencia d"l FET "oduce, ,".nli.i"r" "o..,"nt" .C) de 25 "C es RFE25 ", ";;;;;;;; " = l0 e. Si la temperatura de ia unin ha de ser ".0,""," t25 ,C o

lei

Roir?

50luctn

()

Por (4.-7) tenemos

rir.=a,
Utilizando la Figura 4.6-3 con

10,"=L:++ ro)
r Dsr FEft

AI :

125

_
!

25

100

,C, hallamos

50

de donde

u,"

^50 !

^7_q007r

[10

"c/w
1

CoT? dj,.,- a "C/AV,la resistencia trmica del adiador debe ser menor que () Utilizando (4.6-4), tenernos
RFEI125 'C)

,C

\\

10(o'oo?)rroo)

?O

.- l0 W ) p{ t25 .Cr 20 W. que /Ds se mantiene constante mientras RtsLr aumenta de lJ a *.r f,-, la resistenca de carga excede :upol:fno: ru r sr "^ consideablemente " rr'..,irt.n"i" rr, que es 20 Q. Asi, si el conmutado FET est activando una ."."*'a. fUU ,, f" vaiacin de la coriente debida al aumento de -ft.r es desp..ciabl-e.
Por ranro. Pl25 "Cl

'

4.7. ESPECIFICACTONES DE tOS FABRCAI{TES PARA TRAI!SISTORES DE AITA POTEIICIA (Pq., > 1 W)

,.,".i,;";*

En esta seccin se describen algun

silicio /pr de unin difundida.

i;;;.;;",;;;;xfi

j::1"THT:H'j,fl::il,]::f
""'ffi

il::;::j :

B. C.

Tipo de transistor: 2N6277, srlicio npn A. Mxima resistencia trmtca 0": 0,7 .CAV.

Mxima disipacin de colectoi con adiador de calor infinilo a 25 -C. pc Mxima temperatua de unin T,..r, = 200 ,,C.

= l0

W.

l'
r

?rc

CIRCUITOS ELECTRONICOS

l. Ic = 50A 2. IE- = 20 A. 3, Tensin de ruptura. a. Colector-bas (BVCB; : l8O y. b. Emiso-base (BVEB,\ : 6 y. c. Colecto-emisor (BVcEo) : lSOy. E. Amplificacin de coriente fl en I, = 2g A: 30 < f <

D.

Mximos valores nominales absolutos a 25 .C:

120.

Secciones l.l2 y 4.6, pueden ser resumidas utilizando Ia cliva de degra;acin dc poten;i; repesentada en la Figura 4.7-1. As, si se emplea un radiado de calor inlinito 0), se pueden disipar 250 W cuando la temperatura de Ia cpsula (que es igual a la temperaura amblente con adiado de calor infinito) es menor que ZS C. Si Ia temperatua de la cpsula aumenta por encima de este valor, la disipacin de potencia pe.mjsible en el tansisto dismiuye como se muestra.

Explicacin de los slmbolos, La mxima resistencia tmica dr", la mxima disipacin de colector Pc,nr y la mxima tempeatura de Ia unin f,.r,,'ie las que se lrata er las

(q,':

T"'"c

Flguta 4-7.L

Curva de degradacin.

Los mximos valoes nominales absolutos especificados indican cules so los limites de la coriente y tensin del transisto. As pu"s, nuncu se debe superar una corriente de colecto de 50 A. Tampoco se debe superar una coriente de base le 20 A (para lener la seguridad de que 1. < 50 A). Asimismo nunca se deben sobrepasar las tensiones colectorbase y colector-emisor de 180 150 v, respectivamente. Estai son las amadas tensrones de ruptura. Cuando se supera esta tensin,la unin entra en disruocin(como cn el diodo zener) y la multiplicacin de la coiente de avalancha produc unu u, la representada en la Figura l.l0-1. "u,o"t".,r,,"u "o,no Se \e que el factor de anaplilicacin de coriette ,, toma slo vaiores de l0 a 110. Est(. es debido a problernas de fabicaci. En un iansistor de aita polecia la egroD de base es ms ancha para aumentar la tensin de ruptura y en consecucncia p es menor. Sin embargo, el estado del ate de las tcnicas de fabricacin permite obtener mayores tensiones de ruptura con una regin de base ms estecha ando como resultado el mantenimiento de valores de altos.

PROBTEMAS
4.1-1. El transistor de silicio que se dsea utilizar en el cicuito dc la Figura p4.l,t tene una f que vara de 50 a 200. Si VaB:3yy R": 200 O, hallar ta varia"ia. a1i fr"to q p*u x" = I tO yR^:10kQ.

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
Ycc

217

= 20v

R": 1m
Yat

o'7 Y

Flgura P4.1-1.
4.1-2. Se desea utilizar el traistor del Problema 4.1-1 en el circuito de la Figura P4.1,2. Hallar la variacin de la corriente en reposo cuando p vara de 50 a 200.

gura P4.1-2.
4.1-3.

El amplificador representado en la Figura P4.{-3 debe ser calculado para que tenga la mxima excursin simtrica- Si B vara d 50 a 150 en este tipo de tansistor, halla. ;s. ,R. y la mxima excusin de u.
t5

lkl
Vd

o"7

Ffgura P4.l-3-

4.2-l.EelcircuitodelaFiguraP4.l-1,VBB:3y,IcBo:0,1pA,Ro=lkQrR.:lr--: ;la variacin dc la corriente en reposo cuando a temperatura vae de :5 3 4.2-2. En el circuito de la Figua P4.l-2, /cro : l0 pA y P : 100. Hallar la rariao:. en reposo cuando la temperatufa v^ri^ de 25 a 175 'C y de 25 a - 55 'C.
4.2-3. Caicular u. cuando la tempcratura varia de 25 a l00'C en la Figura I, son transistores de silicio idnticos, con Icao = 1 uA y ll )a

, -

l_j - : -:

100.

-: : - -r:
-

P_:

l'l S-: _._ : -:

l0 ko

L5v Hgura P4.2.!.


42-4. El amplificador represenrado
mLrima

11-Ii*1" excurci simtric- El marge de_remperatura @, Arcp debe ser menor que inl. H"rrl. (r.)
15v

",

p4.24

debe ser calculado


qs

de

_lJ-"

"-r--^"

ijis:L .r, = o,r p ,"r;r;;;;a excrrsr.

para que renga la

lkQ

Ffgura p4-2.4-

431. 432.

d50a200.Laconienreen,"r..::nt"ni:l"j;ii#""r#""i:'{1"'"".f"?;.t
En el circuito de Ia Figura p4.3_2.

Urilizando el facto de estabiiidad ,S, en el circuito de la Figura p4.l_1. Hat valores tales que ia tensin entre lo

0,01 pA a 25 "C Halla. la corieir:e en reposo, todos los fa, v la vaiacin de Ia cornerle en feposc en el caso -a, "ri"r"jljil.l" "ttab;lidcipertinentes

50 <, < 26 vcc=6Yto,2v

25"c
rclo

<r<75.C
=

4:lko &=tka
va:1Y
Ya

:
=

o'7

,R.

100 O

Flgura P4.5.2.

ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\

:19
par-

4.33. (c) EI circuito de la Figura P4.3-3 ilustra el uso de la ralimentacin de colector polarizar un transistor. Dmostraa que

, ,.o =
()
I.Bo

ftv* - VBEa __ _lr_. + (R, + la. + R,

RtVc*)

Hallar

t,

S, y Sr.

= tA a.},.5. (ri Se aade una resistencia de emisor R. al circuito d la Figura p4.3-3. Deftosrrar que

4.3.4. Enfa Figura P4.3-3, Vcc - 20Vy &: 1 kQ. Hallar R, para que /co i 10 mA. Calcular Sr, S/ y Sr. Determiar la excursin delpunto p para 50 < , < 2y2a.C < I < 100 "C, con

p5 "C\

| _ 8(R" co:@ +
() Hallar

Rh

R")Icso

f(Vcc

VBEa)

&,

Sl/

y Sr.

Flgura P4.3-5.
4.3. Utilizando los resultados del Problema 4.3-5, hallar el despazamiento del punro 0 crando 50 < B < 200, 25 "C < ? < 100 "C, e lcso = | FA a temperarufa ambiente. Haltar R" ral que /co : 10 mA cuando Vcc = 20 Y, Rc : 800 O y R. : 200 l.
4.3-?. El amoiificador representado en la Figura P4.3-7 debe funcionar en un margen de temperatura

25 a ?5

Ir"o:0,1 pAyla:O,1

'C. El margen

de p para el transistor utilizado es de 100 a 300. El lranstsror trene Y a fe|nperatura ambiente. Si RL ll Rz 1 ke, hallar la rxima

er'cursin stmtrica posible. Especificar

r, R: y R".

>

20v

R":l

R.>
Flgura P4.3-7.

7I

220

cIRcuITosELEcrRoNrcos

4.'ll.

amprificadores repesentados en ra Figura p4.4-r deben funcionar en el margen de tempetura de 25 a 90 .C. () Calcular la variacin de la corrir para los amplificadores no compensdos v compensados y compa.o. ,o, ."'rli;::J."o"to () Calcular Z,, para el amplificador de la Figura p4.4-l.

Los

5v

5v

)'t 1,5v

T -

,"*

I,c

i
|

2$A

(a) \b)

Flgura P4.4-1 J.L2. Determrmr

I ^, en !a Utilizar ^r.^* suserenca fleu,,1 i: ;rir: I o-r:to

pa.a_2 para la.mxima excursi simetnca. suponer equivalente Tho"."l', .ut""l""aoy R, como en

l*

,:l
1100a

* c"_ o:)

Flgura P4-4.2.

a*t

oe lransrsror de ra Figura p4.4 p1.4.tc. srgercn(a.

circr.ito Y::_:1l"ll.lvarios diodosinregrado comnmenre ulilizada mefte como en serie


Oe

fu'iu..^ f+.+,io."lru. .l .o"lo ib y d-em;strar qu. "n ,"rur,luao Esc'bir.D = i^.n, + i^,nj y h";;;;;;; ". "i "i."ii,o o" ,u n,ru., "r

es Ia reprer"n,uO^

paa que se comporte aproximada

""iJ.?1..,0",-.

ESTABILIDAD DE LA

POLARIZACION 221

l"
t+p
R2

":{
li
(b)

o,rlr+("-:l/fl+ptllv -l1:'I taD t \l /J \^'/

Flgura P4.l-3.
4.4-4. El circuito de la Figura 4.4-3 con & : & = 0 se utiliz a menudo en la polarizcin de circuitos integrados y se le denomina espeTb de co iente. Est dibujado de nuevo en la Fi, gura P4.44. Suponiendo que los transistores estn adaptados, demostrar que

(vss - 0.1)lRb , 'ro: t + Ut + f)


Hallar
S.

Flgufa P4-4-4.
4,+5. InsertanCo una resislencla R., en el cir.uito de emisor de Zr en la Figura
o)tener pqueios vaioaes de Eo.
P4.4-.1. se

:i:.:.r.

(d) Suponiendo transislores adaptados D

>

1r@,

dmostrar que

D "'
Sugerencia.

25' I0rr-1p I'o "'t"o

r 'D

Vss

Rb

0.7

Utlhz r (L2-4d|
2 kQ, calcula R. para que 1o

(r) Dados t/s = 6 V y R, =

: :

l0 pA.
Rr

4.ft.

(a) Con referencia a la Figura 4.4 5, demostrar que cuando Rb

vBsl2

- 25 l0 ln (//1D) R"+Rbl2(P+t)

() Lo mismo queeD el Ejemplo 4.+ sean IE - t mAy" = 2klSsupotep: lmysea ID = 0,01 rnA paa hoar potencia- Urilizr una regla cmpiric ,ieng , @:-li6- y calcular ,/r y R.

4.+7. En Ia Figura 4.4-3 utiliza diodos eri lugar de un nico diodo. Demosta que AIQA f _ 0 cando ]R = R./(n - l). 451. En el circuito de la Figura 4.5_l se utiliza un JFET c.acterizado por las curvas de la Fi_

(r) Calcular&y4.
4.$2. En el cicuito de la Figra 4.j_1 s utiliza un MOSFET caracterizado flor ls curyas de la Figura 3.2-5. Sean Voo = L2 V, Vcs = 4 y e /," : 0,5 rhA.
(a) H^llar
YDs.

(a) Hallat _Sean VDs.

gura_3.l-5.

Von

16V, Vee = 0y, les

= -2\

/," = 2;A.

\b) Calcular

Vcc.

4.93. En el cicuito de ta Figura 4.5-3 se utila el MOSFET caracrerizdo o descnro por la FiBr_ ra 3.2-5. Sea .VDD : l2y,R, = I Mt Zcs = 4Vel5 = q5 mA- Halar liy n".' 45-4. El JFET 2N4223 (caracterizdo en el Andice C) utilizado en p4.54
est pofarizado con Ves

= 2yy

f/Ds

10V.Si

voo:

t6 !,hallar

el circuito de la Figura

(J

Rr, R"zy

@) ao.

Flgura P4.5-4.
1.'.;5.

a*

{*d7. E la,Figur

ei Ejemplo 4.5-i : 3 mA y se permite una variacin del l0 por L:f!: ..i.1,:g *ruponer un lalof nomjnel de trso = g V y yDD _ 20 V.
4.5-1,

() PoJ el resultado de la parre (a) calular Ia vu.l""ln a1'"1o", utilizando realimenacin como en el Ejemplo 4.5_2. '

lao=t5YynD=l,5ko (a) Sean Rr I R, : I MA. Hallar R, y rR2 para que l/cso :

E el circuito de la Figura

4.5_5 se utitiza

el MOSFET descriro cn la Figura 4.5_4.


5,8 V.

Sean

y'*.pararla

con ta variacin
100.

R,

illi,i:i-rri'

y {4.r-JDr

: I MO. R = 3.i ka y [o = I0 V EI MOSFET est caracre.izado \ era represenrado en la Frgua 4 5_4. Haffar las mxims variaciones

4.1. Un tansistor de poterci4 de silicio. tiene las siguientes especil.icaciones trmicas.

Pc.-,

2rlo

^.

: 175.c

or:0,7 "CNt

ESTABILIDAD DE LA

PoLAR,IZ{clo\

"l

() Hallar la potedcia que puede disipar este tansistor para que la cpsula se neL.lg tempratura ambiete (25 .C). () El transistor st montado directamente sobe un radiador de calor, de alumirio, qrc

0- =

permisible.

8 'CJV. El montaje diecto da 0.,

0,2

rer .C V. Hallar Ia hxrma drsipeqn


I

4.G2' (a) El radiador delalorde Ia parte () del probrema 4.6-1 se debe ut izar con el trsistor en cuestin, pero ste cst aislado elctric-amente del radiador por una arandela de mica, por lo que r- aumenta hasta 2 'C. Hallar la mxima disipacin perrnisible. _.. () Hallar ls temperaturas de Ia qpsula y del radiador de calor. 4.G3. (a) Se utiliza el tansistor del problema 4.6-l con un radiador de caror constrtuido po una aleta.grande, que tiene B- - 0,9 .C/AV. Hallar la mxima disipacin permisibe cuando el transistor est hontado directamenle y cuando st aislado elciicarnente por una aradela de mica, como en el Problema 4.6-2. () Haliar la temperatura de Ia cpsula y del radiador de calor. 4.G4' Repe^tir el Ejemplo 4.6-3 para un FET de porencia cuya marrima remperarura cre a unin es 160 "C y tiene ua resistencia trmica de 5 .C,AV.'Cuando et FEi esr concluciendo, la corrienle drenaje-fuente es 0,9 A y la resistencia en conduccin a temperatura ambente de 25 'C es RFEr (25'C) : 12 O. La remperatu de la unin debe ser 125 ,C o m"nor.