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Estabilidad de la polarizacin
sobrepase la potencia Pc, -,. Diseado l cicr_rito, es necesaaio comprobar las "u.r"a,on.: del punto de reposo debidas a oscilaciones de tempeatura y de los parmetros de ,r: tansistor a otro. Estas variaciones deben mantenerse denrro de limites acptables ::r como determinan Ias nomas o especilicaciooes_ Entre los parmetros independientes que pueden producir un desplazamrenro :=. punto 0 9ri un tnnsisto de unin estn los siguientes:
l. 2. 3. 4. 5.
La amplia variacin de la amplificacin de coriente p (5 a I o ms) en un :::: parlicular de rransistor. Variacin de la coriente de corte de colector Icro debida a su dependeni: :: :
(emperatura.
Variaciones de Ia tensin base-emisc en reposo I/rrn debicias a su d:per,d::: la tcmperatura. Variacion3s d las tensiones de alimentaci debidas a una !mpie: ::s__., : Varacin Je las rcsistencjas del circulto debida\ a l toleraera r ... ,.r1..: _. la temperatura.
numero de amplifi cadores idnticos. En un FET. la tensin umbral y el parmeto de coriente 'sc.n:-:-:: ::, :: : temperatura. Estos parmetros iambin varan aigo entre una v otra uijf,: : _ t::: _:: : , de las difeencias de fabricacin. En este capjtulo estudiaemos todos estos factocs, asi como -r. -a:.:-. I_,_ neutralizar el efecto de sus cambios sobre el punto de recoso.
para todos los diseos mientras otros, por ejemplo, la tolerancia de las ::::t:::- -. variacin de p, son ms impotantes cuando se tata de una producci e:. ::::- :: ::-
!, :-:. -:,
.
-
188
l
crRculrosELECTRoNrcos
por la desigualdad
Ro
4 AR.
(4.1- 1)
'
Veemos ahoa que cuando esta dsigualdad se satisface, el punto de reposo es prcticamente independiente de las caactesticas del transisto. El circuito empleado se ha rcpresentado en la Figura 4.1-2. Obsrvese que la Figura 4.1-2 puedg representar un circuito de emisor comn, y tambin el circuito equivalente en continua de la conliguracin de base comn, y si hacemos R. igual a cero, el circuito epresenta la configuracin en seguidor de emisor. As la Figura 4.i-2 y todos los resultados que siguen pueden aplicarse igualmente a las tres formas de conexin. Utilizando los resultados obtenidos en la Seccin 2.3, tenemos: Paa la corriente de colector.
E--y:!v^
'-f.
I,
-)\
804
60
40
2O
Iaa
Flgura 4.1-1.
Caracterisricas en
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
r89
Flgula 4.1-2.
V: IrR"
+
+
IER"
VcE
(4.l-3)
V"u:
De (2.1-3)
I3R6
VBE
IER.
t.1. l
-4)
l'u:n*t-',"o
Combinando (4.1-4, y (4.1-5). se obriene:
I ,
IE
rJ.l-5)
vss
IcBoRb
,": uh4+
En (4.1-6), la coiente de colector en leposo
es:
rcso
-_l
R.,
La tensin esttica colctor-emisor t/cro s puede obterer de (.{ l-31 r: ecuaciones se pueden simplilicar considerablemente admitiendo tes suposici(1---
l-. : '-,
:r::'-::.:
B 4:^LxI Ii+
yaquep) 1
y como 1c8o
(4.1-7)
es
t t f 'c - n , r'
-r 'a -
Icso(R"
+ R) n
se
(1{r*
- r*,
V""
V""
{4.1-9cl
convrene en
Vcc
y (4.1-8)
(4.1-t0l
en
r 'co
4*1@fi
Vaa
I/,.
(4.1-l1a)
;; fi:f)'"
rr
R"
0,7
(4.r-11)
cuando
t'l1b) v vemos que es independienre i:;;:,r;"il"T -se Ahora podemos p-*1ir'"" :,1? )pot pi""ii.iento de diseo:
sajsface
viene da
(4
de
'
2.
.::f
baie
de
Habra que,lerermina,
j:f j
1"T,":';.,,#.ff
Tt',J;,;:.:l:,Jm":l:
con el cje u,,
:1,
;:::l
:il' ili ff
'
i),,'^""
i'-'
[:
^^;ttj.-nteseccin 13,
irja
(..
o::
:'.'
de donde
;
prac,,co de porarizzc ^-.-ror.),o
,1 fir" R.
&.4 \
]:ff1!il;);rminar
er
14
l-J:r
. pJ:,r.
circuio
ESTABILIDAD DE LA
EJEMPIO
POLARIZACION.
I9I
4.I.I
;f*;frt*;?.";*ffi rj*trxi*:d"*tT,si
ff i"",,#s:#-t**",Xr*t**":""r,,=,.fi
Solucln
,i-,i;]i:l*i
," itlr?"irlr1t"
SYjifl (a)
Po la ecta d caga
i i.,
-lY como
10
10_3
500
400 e,
(b)
n. = l00o
Pot (4.t_I2b)
r, que
t"=vss-0'7 -- R. + Rhlp
Cuando
p=
40,
to
mA
N(2
t92
CIRCUITOS ELECTRONICOS
Cuando
I :
120,
^ce
vBB
100
0,7
400/120
l0 mA
Alco
- l,'76V
Alco
0,33 mA
As pues, una variacin 3:l de p produce una desviacin despreciable del punto C.
EFECTO DE
tA
En la seccin anteior se analiz el desplazamiento del punto p debido a variaciones de p otro y una disposicin del circuito de polarizacin que m;nimizaba cstas vaiaciones. Ota causa important de la vaiacin del punto 0 es la temperatura de trabajo del transistor. En esta seccin estudiaremos la vaiacin del punto e debida a que IcBo y VEs'depende de la temperatu.a. Comenearemos el anlisis con la expresin exacta de ia corricnte de reposo de coector [Ec. (4.1-8)]. Esta expesin puede simplillcarse teiendo en cuenta que normalmente /R" > Ru, de forma que R" + Rbl$ + I) - ,R,,, ya que el circuito ha sido esrabilizado contra las variaciones de p como se ve en la Seccin 4_1. Luego la expresin (4.1-8) se convierte en
de un transistor a
(4.2- r
Esta es la elacin deseada entre la corrient d colector y las dos variables dependientes de la temperatura lco I Vso. En la seccin anterior desprecibamos lcso y urilizbamos (4.1-11) para hallar la corriente de reposo del colector. Las suposiciones que conducen a la expesjn (4.l,lll son vlidas para temperatura ambiente. Para ver la validez de (4.1-ll) a elcvadas temperatuas utilizaemos 1a ccuacin (4.2,1). La iensin base,emisor /r. disminue lia,elmente con Ia tenpcratua dc acuerrlo rn la elacin
donde
T)
l0
2,
,( :
0.07
'C
en 'C
ESTABILIDAD DE LA
PoLARIZACIoN I93
I t/A
alrn
(4.2-4\
Tt,
LV"t
AT
Llcso lctoz AT AT
Sustituyendo
Icot
Ir"otG*o'AT
l)
11.l-6)
(4.2-\ y
de donde
r r-8)
En el ejemplo siguiente, s-cTllei-lEuis-t-alores tipicos.
EJEtVPt0
4.2
Considerar
1.o
el circuito de la Figura 4.1-2, con R : 400 Q, R.. : lO l0 mA, a tempeatura ambiente (25 'C). Calcular la r,ariacin de i.
ll .
:
-
solucn
Sustituyendo ios valores dados en la Ecuacin (4.2-8) con AT
,10
'C.
Llco
t2
l0 ritlol tl iOO: r
4trl.sottt'1.2t
= t0.b t0 3, :..
es
Po consiguiente Alco :
0,6 mA
194
CIRCUTTOS ELECTRONICOS
Mediante este ejemplos vemos que la variacin de /.o en cl trasistor de sib: rg_ despreciable en la mayoria de aplicaciones. Obsrvese tamlbit que la mayor coc::--r:r::c al cambio de coriete viene de la variacin de la tensin base-emiso ,/dE. Esto + : .:_ suele ocurrir, y en consecuencia se tiende a despreciar el efecto de ias va-riaciooes -"_,
4j3j
.
La difeencial total
es
Lo :
-\
dlra
._
dB
...
.s, s-.
(4.-'i--r
a/.o
LVor
(4.i'::
('1.t-i:
"p:
Si los cambios de las vaiables independientes lruo, V"u, lJ, etc., son pequeos
^i
t,-* s,-n
y
Por lalto
to-W
dyBE LB x dp
Lp + ...
(4._1r
SE
LIco
= dlca
LIcBo
- dlcBo
LV,E N
O&" t,
AIcBo
Sv LViE
Podemos deducir fcilmenre de esta relacin A1.o para variaciones de cualquiera de l.t variables independientes si esras va.iaciones son sulicientmente pequeas para que _= cumpla nuest.a suposicin de que el incremento Al sea aproximadamen igual al diferenc:-
ESTABILIDAD DE LA
POLARIZACIO]I I95
d,ll si esta suposicin no es vrid4 habr que calcula el icemento real. (Este es usuarmente el caso cuando se considean las variaciones de p*.) La Ecuacitr (4.1-8) es la relacin completa enire'/"o y las variablss que interesao e el amplifi cador convencional con conlie
p",i"e lir""1.
""i;r.;;;H,*.fffi#;ffiff-#,r,p |1;ndo
tu' a';uua",
(4.3-6a)
(4.3-6b)
"",li'"#x'
fi Y"#'""1:",:lT""i'T;trii"#J:":i:::iiH,iril:: ;:;?1:
(4.3-7)
Ahola supongamos que 0t y fz representa[ los rmites superior e inferior, respectiva_ - mente. de P, siendo rr.o, e,rcor ras respectivas corientes a -'cotrnuacron fomamos la relacin "or"",oa.
(1.3-81
donde
I,o l,q, _ AI:9 _ ABt Ro t R"l tcet [ro, PtlRb + tp, - ItR"] AIcp: Iror - Iro, y Lll =Fr-0,
,s.
(4.3-e)
Por consiguiente
'
41.,c
n, +
ttz
.-
n.. -l ttR"]
r+
l-i,
"''fn-55*.1^''
(puesto que r3 pendienre de un recra es conslanre).sin embargo, ir /.0 no es ina funcrn linear de repesenra la pndieie de ta crrva excepro en el lmile dond; _" tr
(4.3-lla)
.'Si/cosuoafuncintineatdeunavariable.\,entonces^/cold(=d/cal.rnclusocunooarseaSrande
i, ar.o/at
no
^.
!
T
t96
CIRCUITOS ELECRONICOS Se obseva que como la variacin de p es grandg la vaiaci tofal LIco en lca siempre se puede determinar como en (4.3-lla)."r, fi"."",", ros esrabitidad " ,tr no contienen po tanto, (4.3_ll)""r" ;;;;;;;. Sin ractors de ^S, J embago, si 'contendran tenemos, por ejemplo, rR, : 0, & f Sa dados por (4.:_6) ". p qglrq p iue; f9:^:'r..#alg,sj-va-lsr-4!sd! lasre d,, qq pqdemos Jber c;;l-l;;;'se er varor de p nctutoo en tos tactores de estabilidad. En tal caso se debe obtener diectamente la laricin total de /"-. es deci:
f 4
LIca
Isp(Icnot, Va, ll t)
(4.3-11)
f
I
:"Tffi""ii:nft
i I
{
I
Llcao=lctorG(or-1)
: - 67
)-)r
(4 ) -1\
Obsrvese que es relativamente fcil tener en cueta otros factores que podian alectar a lco. por ejemplo, si tambin hay que haliar l";;";;;;;.'; .I.o debidas a vaiaciones de
Ot:
t,
Llcso
Sv LVB
S, Lp
Sy,, Lycc
oonde
SR.
AR"
(4.3-12)
s,,
=;'i", y
?J-^
s,.
\ #:
i
Al
{43_nl
.",-^l t""J^-i",^:;;;;;:::" g*''*"J,";1,;""".."ilffil'*:.",:T,iiiJiff ff :iiXli';i;1"?,:;":1",iH#: 100 o ms) y para apiicar un criterio p;;;;; il;;;;;;"tacin de tos 9l-1i9::,20.p". re\uttados. Los ejemplos
quc siguen dan rdenes tipicas ae
EJEMPI-O 4.3.1
PgA-Pq-qlgas variaciones de 1"^. La ecuacin (4.3-12) indica q-ue la variacin total de la coriente de eposo, es proporcronal a las variaciones de cada una de las variables io"p"nJ"n,". u .u, ^Ico, iu"ror". de estabilidad. Luego, al disear para pequeos A1.n, o;"r""". ."".i; al minimo los lactores de eslabilidad. En la aolicacin ,1"
esias;";;;;",
::;,?.il0'0"
sotucn
n,I n" amplificador representado en la Figura 4.3_1 de modo que !^!1^u1-l*, "2el c tenga una excursin minima a" 15.1A.. p varia de'lO u tZOl'i"rn uta entre
0.6 y 0.8 V. L3 tensin de saruracin
"ol*,o._"iir",
lr.r,
"",
Para tener una excursin de cresta de + 5 mA se necesita que la corriente d reposo s-e^::::n:re liiniradl gor.rco, e /caz como se indica en Ia Figura 4.3_2. El punto ko
gr
asegurx que
podr
".n"]
.i""ir".
'q*
O,
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
197
asegura que L podr vaiar +5 mA antes de la satuacin. Suponiendo que el corte se,presenta para L 0. 1.o, = 5 mA. En la Figura a.:_2, Z.o, uiene oo po. tu nterseccin de las rectas de carga dc c.c. y
c.a.
Vcez
Ico2(R,
R.)
Vctpz
Vs,*,
R"(Ip2
* 5 x l0-3 _
lcar)
lco2-vcc -5> -
\"
lo'3R, -
vcE.."
'
15
4=
rko
para el Ejempl
l.:
f(
r)0
de c.a.;
pndienre= -1
l0lr:
L_
I I
!'
Recta ae carg:
:: ::
lc.-, =
V-0.1
= t.
_l
Flgg,fa
43-2.
:,:
Icat4lco4lcaz
o bien
Resolviendo esta 5 mA
<
1.o
< rooo$
.e
y
adecuada
desigualdad, encontr o'. 1 ko oara j *"eJ::j,"j.:lqi"to,a" ,"po*^oto'illl;Hf; ---- lT ;.''""o' r '.2' A continuaci, veamos el efecto '\ I de
gs
las variacioDes de p
Vu|. La claciD
(4.3-'r)
ar.o
-*.1 or",
Rb+\pl +
Ro+4
1lR.
Lp
O,2y y 4p
120
a0
gO.
Luego
ar,o
xT - *",-j#
-n;:-*('H
'20R.>Rh
Es evidente que existe una amplja gan punto Q entie ros
v /,
qr.re
mantienen el
Vua:3,7y =
O,
Vy
40.
De (4.3-./)
'co
0.3)
2ooo +-(4ox5ooi
5'l ItA
^co
Luego
J00
0.2 5.J rY
0
6,1 mA
excusin
flfrlT;:':,,Tiil,'ill"*il,:i3.1'::l',1 l 1''o:":' q.sibre desprazamiento o"*" ,** is .a """ "_i" e",'" d:$.r"x"" i:""Ti:::l i"f,,;?.
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
l9
R.ta de crrga de
c a.
eales
,l
@
en
el Ejemplo 4.j_1
EJEMPT-o 4.3.2
Utjlizndo los valores nominales dado. en la Frgurd4 1.4. hallar /.0 a renperarura amorente. l) Haliar A_f.o para las toiel de 1'' R. v /-La temperatura amblente
est comprend-ida
lal
"n,..
,,
,ul!'il3o'cadas
sotucn
(a)
I tn
es
:'
I ttn'
ffl : c.ts
.-: '-
0(v"u
l/
_
voEal
{/+t)R.+,RA
7s[(0,5/5,5)20
(76)(100)
0,7]
t55
500o
100
1l0O
Flgura 4.3.4. Circuiro
Ejemplo.1.3,2.
Da.a el
i00
son
() Para hallar hacemos uso de (4.3-5). Los factoes y S*.. , S/, Sr, Sr-^Ico Por (4.3-6a)
de estabilidad necesaros
5.5
mA/mA
^l Sn
Con Pl
- -
R,
-0,01 A/V
10
^ tu
455
+ 100 * r
/i
r' n,/
'
,n, T-n,rn.
s".:k:*^ffi!=#
r - l0
^Icrc, r"orrxtr " A/O
= -0,1 mA/A
^X-..
Asi quedan determinados toCos los factores de estabilidad. El paso siguiente en la soiucin se hallar LV,L, LB, LVcc y Usando (4.2-.1), teer,ros
A.lruo
- l) :
LT
0,1
x l0 6((0.011100) - l) *
10 rxl00)
0,1 mA
y por
(4.2-2)
avuu
: -
= _(2 x
_2) mV
Lp:50
LVrr:4 V
0
^R.:20O
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
201
^1"a
: l& LIcBol + lsy LV"rl + lsf + lS/- t/ccl + iS, ^pl : (5,5X0,1) + (10X0,2) + (0,01X50) + (0,9X4) ^+ (0,1X20) ^"1
:0,55 + 2 +
0,5
3,6
La mxima vaiacin posible con rspecto al valo nominal de 10,6 mA ser entonces aproximadamente la mitad de este valor, o : f 4,3 mA. Se nos pregunta cmo puede reducime esta gran variacin de corriente. La gran vafiacin con la temperatura, debida principalmente a vaiaciones de [rr, origin - aproximadamente 2,55 mA de la variaci total de 8,65 mA de la corriente eo eposo. En la Seccin 4.4 se preseritarn algunas tcnicas para minimizar las variaciones de f/r, debidas a Ia temperatura. Para reduci las variaciones debidas a I/.. y R" se utiiiz una fuente regulada tal qve AVcc : 0,1 V en lugar de 4 V y se emple una resrstencia con tolerancia dl I por 100 e vez de un l0 po 100, para que : t 1 f As se modifican os clculos anteriores para obtener ^R,
^1ca
^Ico
<
11,67 mA
es
srgnicativa. Este pocedimiento de anlisis es. pues. e\tremadamente irporranre. a que la informacin capacita al diseado para deteminar si puede ser obtenida Ia nma excusin de la cordente de colector. De lo contrario ser necesario un nuevo diseo
"/
4t+,
producir una variacin importante en la coriente de reposo de colector. Est: r:::_- .- :s debida principalmente a la tensin base-emisor tr/ru, que es funcin de la rem::.::::. :_
efccto de lcso es generalmente despreciable). Un mtodo para reducir esta variacin dc coriente resulta ob!io .1, :::.::::: fac'io de estabilidd S, de (4.3-5b).lji R. aumenla. S. disinurc e l/:,, ;,.::':.:::, er(lbargo, se cduce iambi la aorrirntc an il cqutlibrr(,. -\s'. cn c.r r l, ::.,. .:.: - : Sn no se colsiguc dcmasiado.
En las secciones anteriores hemos visto que los cambios de temperatuaa amt
ie.:. :\:ji3n
l:
-:.
4!!r AT: AT
++
va
Flgufa 4.4.1.
circuito simplificado.
Ie
t
es
lsa
tD
+p3,
"on.,un,"
(4
4-:
(1..+-l
es
Luego, utilizando las expresiones (4.4-2) y (4.4-3\,la coriente de reposo del emrsor
'Ee
I
vD- v,.^
R.+
+ IuuRo Rdl(p + t)
L+:-:
LT
Por io tanto,
1Ea es insensible a las variaciones de temperatura. Obsrvese tambin en la expresin (4.4-4) que la corriente de emisor 1,^ es
si
relativamer::
^'"#
Es evidente que ei
1-1
:-.
grado de estabilizacin con Ia temperatua depende dc la adaptacrr: se us::componentes discretos debe tenerse cuidado en Ia eleccin del diodo. Si -h","^ -cicuitos integrados (CI) los diodos estn formados por transistoes _ -"*";;;;;';; colecto, como muestra la Figura 4.4-2. Habitualmente, cstos transistores integado5 .:: muy similaes (curvas adaptadas) a causa de la naturaleza del proceso <le fabjcaciei. po. tnto, la compensacin en temperatura es bastante buena_ Obsrvese que como (,1.4-5) es independiente del valor de R, se puede obte_-.:: . teorcamentc una perlecta compensacin si Rd : 0 Sin embargo, en talcs circu::-, lto 2 I'"r. por lo que la corriente suministrada al circuito de polarizacion exceo: :: i coriente del t-dn5i.Lor F\lo d Iugdr d malor di.ipacin dc potencia.
ESTABILIDAD DE LA
POLARIZACIOI.i N3
n"
1"ol
Hguta 4.4-2. polarizacin por diodo: con u transistor conectado como diodo.
EiEMPr.o 4.4-1
La Figura 4.4-3 muestra un circuito de polarizacin por diodo en que la fuente de la connte de polarizcin 1r, ha sido reemplazada por una fuente '" i.sil s"e con una resistencia. Determinar el efecto e las variaciones "n a" t"_p".uilr""'.ou." tn coriente de emiso! en leposo.
,: v.
IDI iR"
Circuiro prcico de
C,o,melzamos por obtener. el equivalente Thvenin de Ia red de polaizaci_ paa ello .representamos el diodo por una fuente de tensin l,r. El circuiro equivalenre esultante est entonces epresentado en la Figura 4.4-4. Ailicrra. l" ."g"id" by a. Kirchhofl (de rensiones) al tazo base-ernisorl ob."r"u"d;;;; (p ,,r. hallamos la coriente de emisor en eDoso
;-iiri) :
!,^-ttt^
1 YpKbtlKh t
Rl -
Vst
YqR
ypR6
Flguf 4.4"4-
Circuiro
/
204
CIRCUITOS ELECTRONICOS
donde hemos supuesto R" > (Rb lRd)/ff 1). Esta coriente se pude hjar en el valor deseado ajustando -R, y R . La variacin de 1o debida a un cambio de temperatura es
LI,^ LT
LVo
|
R.R6
X. LV^ + Rd LT
^V,"^ LT
AT -
LV"ta
AT
- _,
+
R..
dondek::2mVl'C
-LI"^kl Lueso -
r: LT
I +
k
R.
-R/R ,fuo
LI.^ AT
Asi, la compensacin del diodo, cuando se emplea como antes, reduce la sensibilidad a a temperatura; por ejemplo, si lq : 2,5 kO y lR, : 250 O, se tiene
LI," k LT llR"
y los efectos de tempeatua se reducen a la onceava parte, comparados con los de una etapa de amplicador sin estabilizacin por diodo.
El Ejemplo 4.4-1 ilustra el hecho de que utiliza[do un cicuito de polarizacin con un solo
ro:(v""Ro
Puesto que
2vrR)L(!o
! RoJ
v"'
(4.4 1)
4VDILT
es independiente de las
2Rb/(Rb
+ R) LV,IAT R"
LVpILT
(4.4-8)
ESTABILDAD DE LA POLARIZACION
{'zosr,
l-_/'
vs
rD+
VBBR
2yDRb
R,+Rd
(b)
Queda, pues, demostado que en el circuito de Ia Figura 4.4-5 con R : R la c!1'----'= -emisor es independiente de Ia temperatura. El ejemplo siguiente explica el di:.i. :: -. clrcuto con un transistor polaizado por dos diodos.
EJEMPT-0 4.4.2
El cicuito de polarizacin por dos diodos de la Figura 4.4-5 se emplea pa:: ,:::::: compensacin de tempeatura de la coriente de emisor 1,. Si 1.R. = I \. -. -, VBB. Si It - I mA. delerminar un vaor adecuado puru o = i,
Solucln
Despreciando la corriete de base 1, en comparacin con D, se observa que la tensin en el punto P es igal a V"Jl fuuesto que & = r} Ur".u"-o, t"rn que la tensin en P es igual a la tensin de emisor si ia cocnte de diodo : Por tanto.
+:
De aqui- que Vas
= r,n.
= 4V.
IRo
Adems tensmos
V,
Vo,
: ? _ q7 : l,3V
Con
Io=Is=lmA
&:R=l,3kO
(Un.valor estndar seria 1,2 kO). Si para ahorar potencia, decidimos hace. ID mucho.meno que 1, ya no sera vlido este procedi;iento " qu" Zo, sera menor que Zrr. Un procedimiento adicuado en este "af"uiolu"*o c".o ." A" el Problema 4.4-6. ", "iq'u" "n
,.,"^:::H'.l;:f j.ilJ,llT".i.i.,liililxill
r.." er* i.l_ii
45.
ello, debemos polarizar el JFET con el lin de que la vanacr:: oe la corn^ente er eposo drenaje-fuente no exceda de los limites, ya que las vanaoone. :: ,1Dsa- se reflejan directmenle en /Dso. ts caracteristicas de ranserenci de la Figura 4.5_2 muestral la variacin en er pe..: :: los casos de la coienre denaje-fuente en funn de r","rrlo" f"".i"_i""ni" ou.u un,,-,
se llll: g -" la variacin de los pafmetros tlei FET "n ""rnunGi". urrrLci uerermnados. para
Deseamos polarizar esta etapa para .r: drenaje-fuente ,"ioro, ZDsq. La vanacln c:
dcnto oe u-:,
ESTABTLIDAD DE LA POLARIZACION
I'
,"jfr
Yrc
f"
Flguftt 4.5.1.
Ampificador JFET.
_5:
_ zpo..e
_4_3:
y,r,._t^_2 _r
de transcor)ductailcia e el casc ms desfavorabl3.
particular de FET. Las cuvas de transfeencia estn dibr_rjadas suponiendo que ei'FET funciona en Ia regin de satuacin, por lo que se aplica lj.2-3):
tDs:
y
/ t,o\l
,. \,
n)
(3.2-3)
Hay dibujadas dos cuvas que representan los valores correspondientes alcaso peor de 1eo ,/ro; e.tos valores los proporciona el fabricante para cada tipo " Fpi iui'"".a"r"..ti"u, de,cualquier.FET de este tipo estarn, pues, comprendidas elte estas dos curvas, con los valoes nominaies aproximadamente en el cento de la egin_
208
CIRCUITOS ELECTRONICOS
Las curvas se utilizan para deteminar Vcc y R" en el circuito de la Figula 4 5-1, de la manera siguiente: primero, se elige una corrionte nominal en reposo y en la mxima desviacin permisible cor respecto al valo nominal. Tpicamente podemos prmitir una : O,9 lp5e. variacin de 110 por 100 en lDso. Por tanto, loso,-o* = l,l le"pe lpso, ^tn estn indicados en ls dos cuvas de trarsconductancia en los puntos 0.4' y Estos valores de la Figura 4.5-2, y los valores correspondientes de f/cso estn tambin indicados en
Q..
esas curvas.
Voo=l/o"o+Io"oR"
(4.5-r)
La ecta que representa esta cuacin debe pasar por los puntos Q-' y Q.'., como en la Figura 4.5-2. La interseccin de esta recta con el eje Das da Vco y la pendiente de la recta
es Paa conclui el clculo del circuito de polarizacin, cuando t/Dso y t/DD son conocidas la resistencia de carga -R, se puede calcular fcilmente. El Ejemplo 4.5-l ilustra el orocedimiento de diseo.
EJEMPI.O
l/R".
4.5{
Disear el circuito de polarizacin para el amplificador JFET represetado en la Figua 4.5-1 hallando l/oo y R". Voo,-t* : 5 \, Vee.^n: 3 V, Ipo,.' : 9 mA, Ipo.^n : 7 mA. IDso, no. : 5 mA y se permite una variaci de f.10 -por 100' Siendo el valor nominal de I/5e = 6 Y ! Voo : 15 V, hallar la vaiacin de VDso y determinar R.
solucln
En la Figura 4.5-2 se dan las curvas de transconductancia colrespodientes al caso V. 1Dso, -t' corta peor. 1Dso, o,. cota a la cuva de arriba en Q*., donde Vas v (0-d. En la Figura 4 5-2 est repesentada la Ecua0,6 Ia curva inferior a uo" cin (4.5-1) que pasa por los puntos 0., y 0.r.. La esistencia de fuente R" hallada es
: -I,l
soo
p ""
LVo"
/258,
-r' -
/o"o
-t
- |'.1 >
:
l0-' =
0.1
1,65
Y. Con Voo
15
Yy
Vusa
R, + R. :
Como R"
voP'lDso
500 O, R
"-
l8oo
1,3
ko (un valor
vemos que
Aluo'o: -AIP"P(R' +
Puesto que Alorn
LVDsa !0,9 V (115 por 100 dei valor nominal comparado con especificado para lDso).
es
l 15 por
100
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
2W
Vos
t s-)\
Este circuito de polarizacin es igual que el utilizado paa polaiza el JFET en cuanto a lo siguiente: En el circuito JFET de la Figura 4.5-1, cualquier aumento de la corente de
drenaje produce un aumento de la tensi de fuente y por consiguiente la tensin puertafuente se hace ms negativa. Esto tiende a reducir la coriente, reduciendo po talto el aumento de corrierite que inici el ciclo. Esta secuencia de eventos es lo que se llama rcalektacin negatiua (vase Seccin 10.1). En el cicuito MOSFET representado en la Figura 4.5-3, un aumento de /Ds hace que ZDs disminuya. Como t/s Zcs, la tensin de pu.ta tambin disminuye, lo que tiende a reducir el aumento o.iginal de la coriente. El Ejemplo 4.5-2 ilustra cuantitativamente la influencia estabilizadora del circuito de polari-
zaci.
Flgura 4.5-3.
Polarizacin C.l
\lasaiT
EJEMPT.o 4.5-2
) :-::::: ::.-- :.-::: utilizando l circuito representado en la Figua 4.5-3. Como /s = I c.. e. Fil :-: funcionando e la regin de saturacin por lo que la cotiente iDs ej ii:::.::::: de la tensin drenaje-fuente y varia con el cuadrado de la tensin Pj.::.- r- : como en (3.3-2). Las ecuaciones correspondientes al caso ms desla\oia:.: .::
La Figura 4.5-4 muestra las ca.acteristicas de tansferencia
ti
mxima
t-n.(uo' k-1luo, -
Vr,
^'"f
I/r..")'?
210
cIRcuITosELEcrRoNfcos
tDs: t0 \vcs -
sF
o.,,
t Ds
l/DD
IDR.
45
Caracteristicas
r0
,l
15
ls desfavorable.
uo",V
Flgufa 4-5.4.
La ecuacin (4.5-3tz) da el mayor valor de Ls pa.a un valor dado de I/"r, mientras (4.5-3) produce la iDs ms pequea. La caracteistica dibujada con linea de trazos tiene los parmetos Vr: 4Y y k,:2 x l0-3 A/V'?, y la dibujada con linea continua tiene los pametros Vr : 5 V y t" : l0' ANt, Voo R : 1,5 kO. Hallar las mximas variaciones pcsibles de losa! Vosa.
15
50lucn
La ecuacin de la recta de caga
Voo:l/or1,IsR"
est dibujlCa en los misilos eJes de coordenadas que la5 caaacteristicas de transfe, rencia r, como muestra la Figura 4-5-4. Los puntos de Iuncionamiento o de reposo 0-, y 0.r. estn er la interseccin de las dos cuvas u y la recta de carga. En este ejemplo p.r, I 0.," estn repesentados en el grfico por
Q^t.:
Iotn
8-r.:
: : Iotn
rn{ 5,3 mA
6,2
: VDso :
VDso
5.'l V
7.1 Y
Asr pues. el punto 0 nominal coresponde a los valors medios 15q - 5,7 mA ! I/Dso : 6.5 V. La mrima variacin de lDsc es, pues, A1r"o : :10,5 mA. o aproxlmadamene el l0 por 100 del valor nominal de 1r"0, mientras A Zosp : 10.8 \'. que es apro\imadamenie el 1l por 100 dei valor nominal de /Dso.
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\
:ll
EI ejemplo atrterio demustla que la polarizacin con rcalimentacin produce u!. punto O que se establece a pesar de las grands variaciones de los parmctos. Sc deja como ejercicio demostmr que si oo se cmplease realimentacin y el FET estues polarizado como en la Figura 4,5-5, las variaciones de la magnitud reprcsentada en la Figura 4.5-4 produciran variaciones sustaDcialmente mayoes en la posicin del punto Q.
I _,
I
4.16.'' CONSIDERACIOilES TERMICAS AMBIE]ITALES EIf LOS AMPLIFICADORES COIT TRAiISISTORES En esta seccin consideaemos el efecto de la disipacin de potencia y de la temperatura ambiente sobe el funcioramiento de los cicritos con transistores. Como en la mayora de los circuitos amplilicadoes de potencia se mplea el BJT, nos referiremos a este dispositivo. Los amplilicadores FET de potencia se estudian en la Seccin 4.6-1. El diseo prctico de los cicuitos con transistores casi siempre implica consideraciones trmicas y tambin elctricas a causa de que la mxima potencia media que puede disipar el transistor est limitada por la temperatura d la unin colcctor-base. Asi, el diseo del circuito debe incluir el clculo de las cc,ndiciones 1:rmicas para que no sea excdida la mxima tempeatua permisible de la unin- Esta temperatura est comprendida en el margen de 150 a 200 'C para el silicio; a tempratuas ms altas se deterioa el transistor. La potericia media disipada en el colector P" es igual a la media del producto de la corriente de colecto y la tensin colector-base, y la nima potencia media de colector permisible es especificada por el fabricante. Se puede exceder momentneamente este valo
nominal siempre que el transistor rlo tenga suficiente tiempo para calentarse hasta el purito de quemarse. El anlisis de la situacin trmica en un tansistor es el mismo que para el diodo de unin considerado en la Seccin 1-11. La configuracin fisica representada en la Figura 4.6-l est descita exactamente por (1.11-7) y lo dicho acerca de esta ecuacin es
directamente aplicable. La informacin sobre la resistencia trmica 0,r y 4o la da usualmete
212
Uin Tj
Flgufa 4.6.1.
EJEMPI.O
4.6I
4... =
150
'C
0"
0,7 "ClW
Hallar: (a) la potencia que este transisto podria disipar si la cpsula pudiera mantenerse a 50 'C, independientemente de la temperatura de la unin; () la potencia que podra disipar con una temratura ambiente de 50 'C y un radiado de calr con una resistencia trmica 0"" = I "C,,'W. Soluin
(a)
P -'
()
I50 --^0"7
--rl4lW
5n
Utilizado la expresin
(1.11-6), obtenemos
po
().
Curvas de degradacin o educcin de los valores nominales. La variacin de la disipacin mxima de colector con la temperatura de la cpsula es una caacteristica importante que
suminista el fabricalte del transistor. La Figura 4.6-2 ilustra una cuva tpica. paa temperaturas de la cpsula inleriores a 7.,, el transistor puede disipar su potencia mxima admisible. Para temperaturas superiores a {, la disipacin mxima admisible del colector decrece, tal como se indica en la figura. La disipacin admitida de colecto en esta regin viene dada por la ecuacin
T-
_T p^p
_T
(4.6-1)
FSTABILTDAD
Dt LA POLARIZACIOT
,&
Flgufa 4.6-2.
Como
Curva de degradacin.
C.
_T
r
(4.6-3)
eJEMPL0 4.6.2
Un transisto de silicio de elevada potencia puede disipar 150 W mientas temperatura de la cpsula sea menor de 45 'C. Por encima de sta temperlura
la
la
potencia de colctsr decrece linealmente, como indica la Figura 4 6-2. La temperatura mxima de la unin es de 120 'C. El amplificador debe ser capaz de tabajai a tempraturas ambientes muy elevadas, de hasta 80 'C. Determinar la potencia mxima que este transisto puede disipar y la resislencia trmica necesaria del radiador de calor y del aislante paa evitar que Ia tempcratura de la unin supere su
Solucn T,
T,
^e,
l2O'C y
120
45
0,5
'c/w
Asi
La seleccin debe hacese siguiendo criterios de ingenieria Es evidenle \l-' : : -: diador de calor infinito. Pc - 80 W Sin embargo. como eslo no e) p'i' : ' '--que conformarse con un buen radiador (con aislante)' el cuaL podi3 :3:'r -:' resistencia trmica de 0,5 "CAv. Asi
Pc
d.,)
Pc(0'5
B.'i
-' = 40W
::-
Obsrvese que el transistor de 150 W slo puede disipar 40 W a caus d:de alta temperatua ambiente.
FET
de lrotencta
de las caracteristicas oe esta seccin consid"."-o. el -algunas ;:::'-::'::'.:Tu"ut. de un_FET dc poteocia- EE rs electo del aumento de temperatua sobre el funcionamieDro de este "i
dispositivo.
d;;;:r
liJ,lff.
t
s;
!
?:,.
;;;;:"
(4.*)
po Io que
o,oo,trz - r
' ff"fttry
La poiencia'r,
ntT"':,T:::ffi:::
dr"il ,j.i'""ii.iliiiiij"t"d:
Ter'
{obsrvese qs 60.ooz
o; rc'
1,007,
too.l
ll*:*:il"ti:::i*T#:d*#1",."1...;Jl*',",:i"ff
LT = 7r _
Sustituyendo (4.6-5) en (4.6_a) se tienc
i:lj{"lT;:,':,':',j:.'i'il}'J,J;;";;ijfil*,,'r=r*,r.,.","..".,,.,,'"0"1','
[Tn:i,",;tff
i*
T":
0,p,
(4.6-6aJ
AT=7.
(4.4-6) 14.4-6) se riene
\=grF5Rp(T)
(4.6-6b)
en
tiene
''"-' : QconRotrlTr: =
?
0
A,j-F-0,$i^r
"IzosRrrtl:1,)
(4.6-7)
ur i riza
l0
20
10
tjo
^l
en luncin de
^t
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACI' ].
E EMP|.o 4.6.3
menos, calcular (a) la esjstencia trmica necesaria a.f ,"", " .f.. A.,, fl fu resistencia del FET cuando L = 125 "C y la por"n.i" O"ip"a" ." a :t; = ZS y.125'C suponiendo que IDs se mantenga en I A. (c) En qu condiciones "se puede suponer que 1o" se mantiene constante auque cambie
Un FET de potenci admite una mxima tempratua en la unio de l?5 .C y tiene una resistencia trmica d,, = 4 .Cly. Cuando el transi.tor ia drenaje-fuente es I A y ta isisrencia d"l FET "oduce, ,".nli.i"r" "o..,"nt" .C) de 25 "C es RFE25 ", ";;;;;;;; " = l0 e. Si la temperatura de ia unin ha de ser ".0,""," t25 ,C o
lei
Roir?
50luctn
()
rir.=a,
Utilizando la Figura 4.6-3 con
10,"=L:++ ro)
r Dsr FEft
AI :
125
_
!
25
100
,C, hallamos
50
de donde
u,"
^50 !
^7_q007r
[10
"c/w
1
CoT? dj,.,- a "C/AV,la resistencia trmica del adiador debe ser menor que () Utilizando (4.6-4), tenernos
RFEI125 'C)
,C
\\
10(o'oo?)rroo)
?O
.- l0 W ) p{ t25 .Cr 20 W. que /Ds se mantiene constante mientras RtsLr aumenta de lJ a *.r f,-, la resistenca de carga excede :upol:fno: ru r sr "^ consideablemente " rr'..,irt.n"i" rr, que es 20 Q. Asi, si el conmutado FET est activando una ."."*'a. fUU ,, f" vaiacin de la coriente debida al aumento de -ft.r es desp..ciabl-e.
Por ranro. Pl25 "Cl
'
4.7. ESPECIFICACTONES DE tOS FABRCAI{TES PARA TRAI!SISTORES DE AITA POTEIICIA (Pq., > 1 W)
,.,".i,;";*
i;;;.;;",;;;;xfi
j::1"THT:H'j,fl::il,]::f
""'ffi
il::;::j :
B. C.
Tipo de transistor: 2N6277, srlicio npn A. Mxima resistencia trmtca 0": 0,7 .CAV.
Mxima disipacin de colectoi con adiador de calor infinilo a 25 -C. pc Mxima temperatua de unin T,..r, = 200 ,,C.
= l0
W.
l'
r
?rc
CIRCUITOS ELECTRONICOS
l. Ic = 50A 2. IE- = 20 A. 3, Tensin de ruptura. a. Colector-bas (BVCB; : l8O y. b. Emiso-base (BVEB,\ : 6 y. c. Colecto-emisor (BVcEo) : lSOy. E. Amplificacin de coriente fl en I, = 2g A: 30 < f <
D.
120.
Secciones l.l2 y 4.6, pueden ser resumidas utilizando Ia cliva de degra;acin dc poten;i; repesentada en la Figura 4.7-1. As, si se emplea un radiado de calor inlinito 0), se pueden disipar 250 W cuando la temperatura de Ia cpsula (que es igual a la temperaura amblente con adiado de calor infinito) es menor que ZS C. Si Ia temperatua de la cpsula aumenta por encima de este valor, la disipacin de potencia pe.mjsible en el tansisto dismiuye como se muestra.
Explicacin de los slmbolos, La mxima resistencia tmica dr", la mxima disipacin de colector Pc,nr y la mxima tempeatura de Ia unin f,.r,,'ie las que se lrata er las
(q,':
T"'"c
Flguta 4-7.L
Curva de degradacin.
Los mximos valoes nominales absolutos especificados indican cules so los limites de la coriente y tensin del transisto. As pu"s, nuncu se debe superar una corriente de colecto de 50 A. Tampoco se debe superar una coriente de base le 20 A (para lener la seguridad de que 1. < 50 A). Asimismo nunca se deben sobrepasar las tensiones colectorbase y colector-emisor de 180 150 v, respectivamente. Estai son las amadas tensrones de ruptura. Cuando se supera esta tensin,la unin entra en disruocin(como cn el diodo zener) y la multiplicacin de la coiente de avalancha produc unu u, la representada en la Figura l.l0-1. "u,o"t".,r,,"u "o,no Se \e que el factor de anaplilicacin de coriette ,, toma slo vaiores de l0 a 110. Est(. es debido a problernas de fabicaci. En un iansistor de aita polecia la egroD de base es ms ancha para aumentar la tensin de ruptura y en consecucncia p es menor. Sin embargo, el estado del ate de las tcnicas de fabricacin permite obtener mayores tensiones de ruptura con una regin de base ms estecha ando como resultado el mantenimiento de valores de altos.
PROBTEMAS
4.1-1. El transistor de silicio que se dsea utilizar en el cicuito dc la Figura p4.l,t tene una f que vara de 50 a 200. Si VaB:3yy R": 200 O, hallar ta varia"ia. a1i fr"to q p*u x" = I tO yR^:10kQ.
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
Ycc
217
= 20v
R": 1m
Yat
o'7 Y
Flgura P4.1-1.
4.1-2. Se desea utilizar el traistor del Problema 4.1-1 en el circuito de la Figura P4.1,2. Hallar la variacin de la corriente en reposo cuando p vara de 50 a 200.
gura P4.1-2.
4.1-3.
El amplificador representado en la Figura P4.{-3 debe ser calculado para que tenga la mxima excursin simtrica- Si B vara d 50 a 150 en este tipo de tansistor, halla. ;s. ,R. y la mxima excusin de u.
t5
lkl
Vd
o"7
Ffgura P4.l-3-
4.2-l.EelcircuitodelaFiguraP4.l-1,VBB:3y,IcBo:0,1pA,Ro=lkQrR.:lr--: ;la variacin dc la corriente en reposo cuando a temperatura vae de :5 3 4.2-2. En el circuito de la Figua P4.l-2, /cro : l0 pA y P : 100. Hallar la rariao:. en reposo cuando la temperatufa v^ri^ de 25 a 175 'C y de 25 a - 55 'C.
4.2-3. Caicular u. cuando la tempcratura varia de 25 a l00'C en la Figura I, son transistores de silicio idnticos, con Icao = 1 uA y ll )a
, -
l_j - : -:
100.
-: : - -r:
-
P_:
l0 ko
11-Ii*1" excurci simtric- El marge de_remperatura @, Arcp debe ser menor que inl. H"rrl. (r.)
15v
",
p4.24
de
_lJ-"
"-r--^"
lkQ
Ffgura p4-2.4-
431. 432.
d50a200.Laconienreen,"r..::nt"ni:l"j;ii#""r#""i:'{1"'"".f"?;.t
En el circuito de Ia Figura p4.3_2.
Urilizando el facto de estabiiidad ,S, en el circuito de la Figura p4.l_1. Hat valores tales que ia tensin entre lo
0,01 pA a 25 "C Halla. la corieir:e en reposo, todos los fa, v la vaiacin de Ia cornerle en feposc en el caso -a, "ri"r"jljil.l" "ttab;lidcipertinentes
25"c
rclo
<r<75.C
=
4:lko &=tka
va:1Y
Ya
:
=
o'7
,R.
100 O
Flgura P4.5.2.
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\
:19
par-
4.33. (c) EI circuito de la Figura P4.3-3 ilustra el uso de la ralimentacin de colector polarizar un transistor. Dmostraa que
, ,.o =
()
I.Bo
RtVc*)
Hallar
t,
S, y Sr.
= tA a.},.5. (ri Se aade una resistencia de emisor R. al circuito d la Figura p4.3-3. Deftosrrar que
4.3.4. Enfa Figura P4.3-3, Vcc - 20Vy &: 1 kQ. Hallar R, para que /co i 10 mA. Calcular Sr, S/ y Sr. Determiar la excursin delpunto p para 50 < , < 2y2a.C < I < 100 "C, con
p5 "C\
| _ 8(R" co:@ +
() Hallar
Rh
R")Icso
f(Vcc
VBEa)
&,
Sl/
y Sr.
Flgura P4.3-5.
4.3. Utilizando los resultados del Problema 4.3-5, hallar el despazamiento del punro 0 crando 50 < B < 200, 25 "C < ? < 100 "C, e lcso = | FA a temperarufa ambiente. Haltar R" ral que /co : 10 mA cuando Vcc = 20 Y, Rc : 800 O y R. : 200 l.
4.3-?. El amoiificador representado en la Figura P4.3-7 debe funcionar en un margen de temperatura
25 a ?5
Ir"o:0,1 pAyla:O,1
'C. El margen
de p para el transistor utilizado es de 100 a 300. El lranstsror trene Y a fe|nperatura ambiente. Si RL ll Rz 1 ke, hallar la rxima
r, R: y R".
>
20v
R":l
R.>
Flgura P4.3-7.
7I
220
cIRcuITosELEcrRoNrcos
4.'ll.
amprificadores repesentados en ra Figura p4.4-r deben funcionar en el margen de tempetura de 25 a 90 .C. () Calcular la variacin de la corrir para los amplificadores no compensdos v compensados y compa.o. ,o, ."'rli;::J."o"to () Calcular Z,, para el amplificador de la Figura p4.4-l.
Los
5v
5v
)'t 1,5v
T -
,"*
I,c
i
|
2$A
(a) \b)
pa.a_2 para la.mxima excursi simetnca. suponer equivalente Tho"."l', .ut""l""aoy R, como en
l*
,:l
1100a
* c"_ o:)
Flgura P4-4.2.
a*t
fu'iu..^ f+.+,io."lru. .l .o"lo ib y d-em;strar qu. "n ,"rur,luao Esc'bir.D = i^.n, + i^,nj y h";;;;;;; ". "i "i."ii,o o" ,u n,ru., "r
es Ia reprer"n,uO^
""iJ.?1..,0",-.
ESTABILIDAD DE LA
POLARIZACION 221
l"
t+p
R2
":{
li
(b)
Flgura P4.l-3.
4.4-4. El circuito de la Figura 4.4-3 con & : & = 0 se utiliz a menudo en la polarizcin de circuitos integrados y se le denomina espeTb de co iente. Est dibujado de nuevo en la Fi, gura P4.44. Suponiendo que los transistores estn adaptados, demostrar que
Flgufa P4-4-4.
4,+5. InsertanCo una resislencla R., en el cir.uito de emisor de Zr en la Figura
o)tener pqueios vaioaes de Eo.
P4.4-.1. se
:i:.:.r.
>
1r@,
dmostrar que
D "'
Sugerencia.
r 'D
Vss
Rb
0.7
Utlhz r (L2-4d|
2 kQ, calcula R. para que 1o
: :
l0 pA.
Rr
4.ft.
vBsl2
- 25 l0 ln (//1D) R"+Rbl2(P+t)
() Lo mismo queeD el Ejemplo 4.+ sean IE - t mAy" = 2klSsupotep: lmysea ID = 0,01 rnA paa hoar potencia- Urilizr una regla cmpiric ,ieng , @:-li6- y calcular ,/r y R.
4.+7. En Ia Figura 4.4-3 utiliza diodos eri lugar de un nico diodo. Demosta que AIQA f _ 0 cando ]R = R./(n - l). 451. En el circuito de la Figura 4.5_l se utiliza un JFET c.acterizado por las curvas de la Fi_
(r) Calcular&y4.
4.$2. En el cicuito de la Figra 4.j_1 s utiliza un MOSFET caracterizado flor ls curyas de la Figura 3.2-5. Sean Voo = L2 V, Vcs = 4 y e /," : 0,5 rhA.
(a) H^llar
YDs.
gura_3.l-5.
Von
= -2\
/," = 2;A.
\b) Calcular
Vcc.
4.93. En el cicuito de ta Figura 4.5-3 se utila el MOSFET caracrerizdo o descnro por la FiBr_ ra 3.2-5. Sea .VDD : l2y,R, = I Mt Zcs = 4Vel5 = q5 mA- Halar liy n".' 45-4. El JFET 2N4223 (caracterizdo en el Andice C) utilizado en p4.54
est pofarizado con Ves
= 2yy
f/Ds
10V.Si
voo:
t6 !,hallar
el circuito de la Figura
(J
Rr, R"zy
@) ao.
Flgura P4.5-4.
1.'.;5.
a*
{*d7. E la,Figur
ei Ejemplo 4.5-i : 3 mA y se permite una variacin del l0 por L:f!: ..i.1,:g *ruponer un lalof nomjnel de trso = g V y yDD _ 20 V.
4.5-1,
() PoJ el resultado de la parre (a) calular Ia vu.l""ln a1'"1o", utilizando realimenacin como en el Ejemplo 4.5_2. '
E el circuito de la Figura
4.5_5 se utitiza
Sean
y'*.pararla
con ta variacin
100.
R,
illi,i:i-rri'
y {4.r-JDr
: I MO. R = 3.i ka y [o = I0 V EI MOSFET est caracre.izado \ era represenrado en la Frgua 4 5_4. Haffar las mxims variaciones
Pc.-,
2rlo
^.
: 175.c
or:0,7 "CNt
ESTABILIDAD DE LA
PoLAR,IZ{clo\
"l
() Hallar la potedcia que puede disipar este tansistor para que la cpsula se neL.lg tempratura ambiete (25 .C). () El transistor st montado directamente sobe un radiador de calor, de alumirio, qrc
0- =
permisible.
0,2
4.G2' (a) El radiador delalorde Ia parte () del probrema 4.6-1 se debe ut izar con el trsistor en cuestin, pero ste cst aislado elctric-amente del radiador por una arandela de mica, por lo que r- aumenta hasta 2 'C. Hallar la mxima disipacin perrnisible. _.. () Hallar ls temperaturas de Ia qpsula y del radiador de calor. 4.G3. (a) Se utiliza el tansistor del problema 4.6-l con un radiador de caror constrtuido po una aleta.grande, que tiene B- - 0,9 .C/AV. Hallar la mxima disipacin permisibe cuando el transistor est hontado directamenle y cuando st aislado elciicarnente por una aradela de mica, como en el Problema 4.6-2. () Haliar la temperatura de Ia cpsula y del radiador de calor. 4.G4' Repe^tir el Ejemplo 4.6-3 para un FET de porencia cuya marrima remperarura cre a unin es 160 "C y tiene ua resistencia trmica de 5 .C,AV.'Cuando et FEi esr concluciendo, la corrienle drenaje-fuente es 0,9 A y la resistencia en conduccin a temperatura ambente de 25 'C es RFEr (25'C) : 12 O. La remperatu de la unin debe ser 125 ,C o m"nor.