CHAPITRE I

Notions fondamentales

CHAPITRE I : NOTIONS FONDAMENTALES.

I.1 Introduction :
Dans ce premier chapitre nous allons nous pencher sur quelques notions de base ainsi que les proprits des matriaux avec une attention particulire pour les semi-conducteurs.

I.2 Classification des matriaux :

Les matriaux ayant la plus faible rsistivit temprature ambiante sont les mtaux (cuivre, or, argent, aluminium ..), la conduction seffectue essentiellement par les lectrons libres dont la concentration diffre peu dun mtal lautre, et une augmentation de la temprature provoque une lgre augmentation de la rsistivit pouvant sexpliquer par le fait que les lectrons libres sont gns dans leur dplacement par les vibrations des atomes du mtal. Les matriaux dont la rsistivit est typiquement suprieure cm sont considrs comme isolants ; cest le cas pour le verre, le mica, la silice, le carbone. Cette fois laugmentation de la temprature peut provoquer la libration dlectrons ainsi que de trous qui peuvent participer la conduction lectrique, ce qui provoque une baisse de la rsistivit avec la temprature. Entre les conducteurs et les isolants se trouvent les semi-conducteurs dont la rsistivit varie de cm, la conduction lectrique se fait par les lectrons et les trous. Un semiconducteur peut tre soit pur, dans ce cas il est dit intrinsque , soit dop par des impurets et il est dit extrinsque .

I.3 Bandes dnergie :

Les lectrons dun atome isol prennent des niveaux discrets dnergie (figure), mais lorsque lon rapproche deux atomes identiques ces niveaux vont se ddoubler ; en entendant ce raisonnement N atomes, des bandes dnergie permises vont apparaitre, qui peuvent sinterpntrer et se sparer nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue, donnant naissance des bandes dnergie interdites de largeur Eg ( Gap ).

Figure I.1 Reprsentation de latome de Silicium faisant apparaitre .a. les niveaux dnergie et lectrons les occupant. b. le dernier niveau dnergie. c. les quatre liaisons covalentes possibles. Le tableau suivant donne quelques exemples de largeur de bande interdite ainsi que la distance inter-atomique: 2

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La figure ci-dessous illustre le cas des semi-conducteurs du groupe IV : la bande suprieure est appele Bande de Conduction et ne contient pas dlectron 0k contrairement la bande infrieure dite Bande de Valence qui contient 4N lectrons, entre ces deux bandes se trouve une zone de largeur Eg dserte dlectrons et appele Bande Interdite ; le fait que ces deux bandes soient pleines ou vides implique la conduction lectrique. Pour une temprature diffrente de 0K un lectron de la bande de la BV peut recevoir suffisamment dnergie (thermique ou lumineuse ou autre) pour transiter dans la BC (un trou apparait alors dans la BV) et rendre possible la conduction lectrique, le matriau nest plus isolant et devient conducteur.

Figure I.2 Energie des lectrons en fonction de la distance inter-atomique.

Gap direct et indirect :

La notion de gap direct et indirect est lie la reprsentation de la dispersion nergtique d'un semi-conducteur: Diagramme de lnergie(E) en fonction du vecteur d'onde(k). Ce diagramme permet de dfinir spatialement les extrema des bandes de conduction et de valence. Ces extrema reprsentent, dans un semi-conducteur l'quilibre, des domaines

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nergtiques o la densit de porteurs type p pour la bande de valence et type n pour la bande de conduction sont importantes. On parle de semi-conducteur gap direct lorsque le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de conduction se situent valeur voisine du vecteur d'onde k sur le diagramme E(k). Inversement, on parle de semi-conducteur gap indirect lorsque le maximum de bande de valence et le minimum de la bande de conduction se situent des valeurs distinctes du vecteur d'onde k sur le diagramme E(k).

Figure I.3

I.4 Semi-conducteur intrinsque :

Un semi-conducteur intrinsque est un semi-conducteur non dop, c'est dire qu'il contient peu d'impurets (atomes trangers) en comparaison avec la quantit de trous et d'lectrons gnrs thermiquement. Pour mieux apprhender le comportement des semi-conducteurs, nous devons tudier plus en dtail les populations d'lectrons et de trous dans chacune des bandes de conduction et de valence. Aussi, nous allons raliser un bilan lectronique des semi-conducteurs intrinsques. Pour ce faire, nous devons introduire la notion de densit d'tats nergtique N(E). Cette grandeur, dpendante de l'nergie lectronique E, correspond la place disponible pour les lectrons dans la bande de conduction (E) et la place disponible pour les trous dans la bande de valence (E). Cette valeur sobtient pour les lectrons dans la BC avec la formule suivante :

(E) =

Et de mme pour les trous dans la bande de valence, on obtient comme densit dtats :

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(E) = Ou

est la constante de Planck normalise (h=6.626.

Js) et

(ou

) la masse

effective de densit d'tats dans la bande de conduction (ou dans la bande de valence). Le concept de masse effective introduit dans les expressions prcdentes permet de traiter les lectrons (et les trous) qui sont dans le cristal des particules quasi-libres, comme des quasiparticules libres. Afin d'obtenir le nombre d'lectrons et de trous dans chacune des bandes, la densit d'tat ne suffit pas, il faut aussi connatre la probabilit de prsence d'un lectron sur un niveau d'nergie E. Cette probabilit est donne par la fonction de Fermi-Dirac : f(E) = [( ) ]

O k=1,38. est la constante de Boltzmann, T la temprature et l'nergie de Fermi. Il va de soit que la probabilit d'occupation d'un niveau d'nergie E par un trou est 1f(E) car l'absence d'un lectron implique la prsence d'un trou et vice versa. La densit d'lectrons n dans la bande de conduction est alors obtenue en sommant sur toute la plage d'nergie couverte par cette bande, la place disponible pour les lectrons l'nergie E pondre par la probabilit de trouver un lectron ce mme niveau d'nergie : n= ( ) ( )

De mme pour la densit des trous p dans la bande de valence: p= ( ) ( ( ))

La fonction de Fermi peut se simplifier sous une forme exponentielle et on obtient pour criture des densits de porteurs :

O Nc et Nv sont les densits quivalentes (ou effectives) d'tats. Elles reprsentent en quelque sorte le nombre d'tats utiles, la temprature T, dans leur bande d'nergie respective.

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Remarquons que la relation donne par le produit des densits de porteurs est indpendante du niveau de Fermi. Elle est donc valable pour les semi-conducteurs intrinsques mais aussi extrinsques.

sera la densit de porteurs intrinsques.

Figure I.4

La figure ci-dessus montre que pour un semi-conducteur intrinsque (sans impurets), chaque lectron de la bande de conduction correspond un trou dans la bande de valence. De cette constatation, nous dduisons que les densits d'lectrons et de trous sont identiques pour ce type de semi-conducteur.

En remplaant les densits de porteurs par leurs expressions respectives, l'galit prcdente nous permet de dfinir le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsque . Sachant qu' temprature ambiante kT, ce niveau se trouve trs proche du milieu de la bande interdite :

La figure suivante donne graphiquement le bilan lectronique pour un semi-conducteur intrinsque :

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Figure I.5 a) diagramme des bandes dnergie, b) densits dtats nergtiques,

c) distribution de Fermi-Dirac, d) densits des porteurs de charge

I.5 Semi-conducteur extrinsque :

Un semi-conducteur extrinsque est un semi-conducteur intrinsque dop par des impurets spcifiques lui confrant des proprits lectriques adaptes aux applications lectroniques (diodes, transistors, etc...) et optolectroniques (metteurs et rcepteurs de lumire, etc...).

Semi-conducteurs de type P
Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on a introduit des impurets trivalentes de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impurets sont ainsi appeles parce qu'elles acceptent un lectron de la bande de conduction pour raliser une liaison avec le cristal semi-conducteur.

Figure I.6 Reprsentation schmatique du S/C extrinsque type P La figure ci-dessus met en vidence qu'un semi-conducteur dop P a une densit d'lectrons n plus faible et une densit de trous p plus leve que le mme semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsque. On dit alors que les lectrons sont les porteurs minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires. Pour les semi-conducteurs extrinsques, la densit de dopant est toujours trs suprieure la densit de porteurs intrinsques >> . Dans le cas d'un type P, la densit de trous est donc 7

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Notions fondamentales . La relation tant toujours vrifie, nous obtenons pour

proche de celle du dopant accepteur les densits de porteurs :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :

Ainsi plus la densit d'accepteurs est leve plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de valence. A la limite si = le niveau de Fermi entre dans la bande de valence, on dit alors que le semi-conducteur est dgnr. La figure suivante donne graphiquement le bilan lectronique pour un semi-conducteur dop P.

Figure I.7 Bilan lectronique dun S/C extrinsque type P

Semi-conducteurs de type N
Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on a introduit des impurets pentavalentes de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impurets sont ainsi appeles parce qu'elles donnent un lectron la bande de conduction pour raliser une liaison avec le cristal semi-conducteur.

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Figure I.8 Reprsentation schmatique d4un S/C extrinsque type N

Cette figure met en vidence qu'un semi-conducteur dop N a une densit d'lectrons n plus leve et une densit de trous p plus faible que le mme semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsque. On dit alors que les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires. Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant ND la densit de donneurs, les densits de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type N est alors :

Ainsi plus la densit d'accepteurs est leve plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de conduction. A la limite si = le niveau de Fermi entre dans la bande de conduction, on dit alors que le semi-conducteur est dgnr.

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Figure I.9 Bilan lectronique dun S/C extrinsque type N

I.6 Semi-conducteur compens :

Dans ce cas de figure les impurets dopantes de type diffrent peuvent se compenser partiellement ou totalement, le semi-conducteur aura le type de limpuret dominante, mais si on arrive compenser parfaitement ( = ) on obtient alors un semi-conducteur intrinsque par compensation .

I.7 Conclusion :
A la fin de ce chapitre nous pouvons distinguer les diffrents types de matriaux : conducteurs, isolants et semi-conducteurs ainsi grce un bilan lectronique complet nous avons galement dcouvert les proprits des semi-conducteurs intrinsques et extrinsques.

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