Mémoire de SLAMA Fateh

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
- -
UNIVERSITE FERHAT ABBAS - SETIF-
UFAS (ALGERIE)
Facult de Technologie

Mmoire de Magister

Prsent au dpartement dlectrotechnique
Pour obtenir le diplme

De Magister En Electrotechnique
Option :
Rseaux Electriques
Par :
M. SLAMA Fateh

Thme
Modlisation dun systme multi gnrateurs photovoltaques
interconnects au rseau lectrique

Soutenu le 24/06/2012 devant la commission dexamen compose de :
Dr. MOHAMMED MOSTEFAI Prof. Universit Ferhat Abbas de Stif Prsident
Dr. HAMMOUD RADJEAI M.C.A Universit Ferhat Abbas de Stif Rapporteur
Dr. LAZHAR RAHMANI Prof. Universit Ferhat Abbas de Stif Examinateur
Dr. AHMED GHERBI Prof. Universit Ferhat Abbas de Stif Examinateur
Dr. AISSA CHOUDER M.C CDER, Bouzarah Invit
Ddicaces

A mes chers parents
A mon cher frre, mes surs,
Et tous mes amis.

Remerciements
.
Je remercie vivement Monsieur Dr. HAMMOUD RADJEAI, pour Lhonneur
quil me fait en encadrement, et son entire disponibilit durant toutes les tapes de
mon projet.
Je tiens remercier aussi lquipe de recherche dans le laboratoire photovoltaque
au CDER, dont fait partie Monsieur Dr. AISSA CHOUDER qui ma fait lhonneur de
prsider et dexaminer ce travail. Pour toute sa gnrosit, sa prsence morale et
physique, sans oublier sa qualit humaine, et son aide dans llaboration de ce travail.
Jexprime mes remerciements Pr. MOHAMMED MOSTEFAI de mavoir
fait lhonneur de prsider le jury de ce mmoire.
Mes remerciements vont aussi Messieurs Pr. LAZHAR RAHMANI et Pr.
AHMED GHERBI, membres de jury, pour leurs disponibilits et leurs gentillesses.
Mes remerciements vont galement tous les enseignants du dpartement
dlectrotechnique pour leurs conseils.
Je noublierai pas de remercier aussi mon pre, ma mre, mon frre et mes
surs pour leurs soutiens.
Stif, le 24 /06/2012
SLAMA FATEH

SOMMAIRE
Sommaire
Introduction gnrale

Chapitre 01 ......................................................................................................................................... 1
Les systmes photovoltaques

1.1. Introduction ................................................................................................................................... 1
1.2. Potentiel solaire ............................................................................................................................. 2
1.2.1. Potentiel solaire extraterrestre .......................................................................................... 2
1.2.1.1. Rayonnement solaire extraterrestre ......................................................................... 2
1.2.1.2. Temps solaire vrai (TSV) ........................................................................................ 3
1.2.1.3. Position du soleil ..................................................................................................... 4
1.2.1.4. Gomtrie dorientation : collecteur- faisceau du soleil ......................................... 5
1.2.2. Rayonnement solaire ........................................................................................................ 5
1.2.2.1. Spectre solaire ......................................................................................................... 5
1.3. Masse dair .................................................................................................................................... 7
1.4. Semi conducteur ............................................................................................................................ 8
1.4.1. Formation de la jonction PN ............................................................................................. 8
1.4.2. Principe de fonctionnement de la cellule photovoltaque ................................................. 9
3.4.1 . Type et rendement des cellules photovoltaques .............................................................. 9
1.5. Protections classiques dun gnrateur photovoltaque ............................................................. 11
1.6. Les systmes photovoltaques : ................................................................................................... 11
1.6.1. Les systmes photovoltaques avec stockage lectrique : .............................................. 12
1.6.2. Les systmes couplage direct sans batterie : ................................................................ 12
1.7. Secteurs dapplication : ............................................................................................................... 13
1.8. Avantages et inconvnients de lnergie photovoltaque ............................................................ 14
1.8.1. Inconvnients : ................................................................................................................ 14
1.8.2. Avantages ............................................................................................................................................................. 14
Conclusion ..15

SOMMAIRE
Chapitre 02 ....................................................................................................................................... 16
Modlisation dun systme photovoltaque

2.1. Introduction ................................................................................................................................. 16
2.2. Circuit quivalent dune cellule solaire....................................................................................... 16
2.2.1. Cas dune cellule idale .................................................................................................. 16
2.2.2. Cas dune cellule relle ................................................................................................... 17
2.3. Constitution dun gnrateur photovoltaque (GPV) .................................................................. 20
2.3.1. Association des Cellules Photovoltaques en Parallle .................................................. 20
2.3.2. Association des Cellules Photovoltaques en Srie ........................................................ 21
2.4. Influence de lclairement .......................................................................................................... 23
2.5. Influence de la Temprature........................................................................................................ 24
2.6. Influence de la rsistance srie .................................................................................................... 25
Conclusion...25
Chapitre 03 ....................................................................................................................................... 26
tage dadaptation dun gnrateur
photovoltaque la charge

3.1. Introduction ................................................................................................................................. 26
3.2. Connexion directe source-charge ................................................................................................ 26
3.3. tage dadaptation entre un Gnrateur PV et une charge ......................................................... 27
3.3.1. Convertisseurs DC/DC ................................................................................................... 28
3.3.1.1. Le hacheur survolteur (Boost) :............................................................................. 28
3.3.1.2. Le hacheur dvolteur (Buck) ................................................................................. 34
3.3.1.3. Le convertisseur Buck-Boost ................................................................................ 36
3.3.2. Adaptateur continu/alternatif DC/AC. ............................................................................ 37
Conclusion...39

SOMMAIRE
Chapitre 04 ....................................................................................................................................... 40
Techniques de poursuite du point de
puissance maximale MPPT

4.1. Introduction ................................................................................................................................. 40
4.2. Suivi de la puissance maximale du gnrateur photovoltaque .................................................. 40
4.3. Principe du MPPT ............................................................................................................................................. 40
4.3.1. Adaptation manuelle de la charge au gnrateur photovoltaque: ............................................. 41
4.3.2. Mthodes contre raction de tension : ......................................................................... 42
4.3.2.1. Rfrence fixe ....................................................................................................... 42
4.3.2.2. Rfrence en fonction de Voc ............................................................................... 43
4.3.2.3. Tension de rfrence externe (Cellule pilote) ....................................................... 44
4.3.3. Mthodes contre raction de courant ........................................................................... 44
4.3.3.1. Rfrence en fonction du courant de court-circuit I
CC
.......................................... 45
4.3.3.2. Rfrence externe (Cellule pilote) ........................................................................ 45
4.3.4. Mthodes contre raction de puissance........................................................................ 45
4.3.4.1. Technique de lincrmentation de la conductibilit .............................................. 45
4.3.4.2. Algorithme perturbation et observation ............................................................... 48
4.4. Rsultats de la mthode de perturbation puis observation .......................................................... 51
Chapitre 05 ....................................................................................................................................... 55
Systme photovoltaque connect au rseau
lectrique
5.1. Introduction ................................................................................................................................. 55
5.2. Le premier modle dun systme PV connect au rseau ........................................................... 56
5.3. Deuxime modle dun systme PV connect au rseau ............................................................ 60
5.3.1. Convertisseurs Continus-Alternatifs ............................................................................... 60
5.3.2. Les filtres. ....................................................................................................................... 61
5.3.3. La charge ........................................................................................................................ 61
5.3.4. Le rseau lectrique ........................................................................................................ 61
5.3.5. Modle du dispositif de conditionnement de puissance ................................................. 61
5.3.5.1. Modle de la puissance maximale inject ............................................................. 62
SOMMAIRE
5.3.6. Modlisation de londuleur ............................................................................................. 65
5.4. Simulation dun systme PV connect au rseau travers un onduleur ..................................... 66
5.4.1. Les rsultats de simulation et interprtation. ................................................................. 68
5.4.2. Interprtation................................................................................................................... 71
Conclusion74
Conclusion gnrale

SOMMAIRE
Liste des figures
Figure 1-1.Gomtrie schmatique des rapports terre-soleil . 3
Figure 1-2. La position du soleil observe daprs l'origine O. ......................................................... 4
Figure 1-3.Position du soleil observe daprs l'origine O. ............................................................... 5
Figure 1-4. Types de rayonnement solaire reus au sol. ..................................................................... 6
Figure 1-5. Rayonnement solaire capt par un plan horizontal et inclin. ......................................... 7
Figure 1-6. Intensit de lensoleillement reu sur un plan horizontal et inclin. ............................... 7
Figure 1-7. Description du nombre de masse dair. ........................................................................... 7
Figure 1-8. Gnration de la paire lectron-trou. .............................................................................. 8
Figure 1-9. La jonction PN. ................................................................................................................. 8
Figure 1-10. Structure dune cellule photovoltaque. ......................................................................... 9
Figure 1-11. Les images de diffrents types de la cellule photovoltaque......................................... 10
Figure 1-12. Schmatisation dun GPV lmentaire avec diodes by-pass et diode anti-retour . .... 11
Figure 1-13. Schma synoptique dun systme photovoltaque avec stockage. ................................ 12
Figure 1-14. Schma synoptique dun systme photovoltaque couplage direct. ........................... 12
Figure 1-15. Schma synoptique dun systme photovoltaque......................................................... 13
Figure 2-1. Schma quivalent dune cellule idale. ........................................................................ 16
Figure 2-2. Schma quivalent dune cellule photovoltaque relle. ............................................... 17
Figure 2-3. Schma de simulation dune cellule photovoltaque relle. ......................................... 19
Figure 2-4. Caractristique P-V dune cellule PV. ........................................................................... 19
Figure 2-5. Caractristique I-V dune cellule PV. ............................................................................ 19
Figure 2-6. Schma de 3 cellules photovoltaques associes en parallle. ....................................... 20
Figure 2-7. Caractristique P-V des cellules PV raccordes en parallle. .................................... 20
Figure 2-8. Caractristique I-V des cellules ..................................................................................... 20
Figure 2-9. Schma de 3 cellules photovoltaques associes en srie. ............................................ 21
Figure 2-10. Caractristique P-V des cellules photovoltaques raccordes en srie. ..................... 21
Figure 2-11. Caractristique I-V des cellules photovoltaques raccordes en srie. ....................... 21
Figure 2-12. Schma dune partie de la centrale de production dlectricit dun systme
photovoltaque install au CDER. .............................................................................................. 22
Figure 2-13. Caractristique P-V dun gnrateur photovoltaque. ................................................. 23
Figure 2-14. Caractristique I-V dun gnrateur photovoltaque. .................................................. 23
Figure 2-15. Caractristique P-V du module PV selon lclairement. ............................................ 24
Figure 2-16. Caractristique I-V du module PV selon lclairement. .............................................. 24
Figure 2-17.Caractristique P-V du module PV selon la temprature. ........................................... 24
SOMMAIRE
Figure 2-18.La caractristique I-V du module PV selon la temprature. ........................................ 24
Figure 2-19. Caractristique I-V de module PV selon la temprature. ........................................... 25
Figure 3-1. Connexion directe source-charge................................................................................... 26
Figure 3-2. tage dadaptation entre un GPV et une charge. .......................................................... 27
Figure 3-3. Circuit lectrique de base du hacheur survolteur. ......................................................... 28
Figure 3-4. Allure des variables dynamiques I
L
. ............................................................................... 30
Figure 3-5. Caractristique de la tension et du courant du hacheur survolteur. .............................. 32
Figure 3-6. Circuit lectrique de base du hacheur survolteur. ......................................................... 33
Figure 3-7. Modle de simulation du hacheur survolteur. ................................................................ 33
Figure 3-8.a : La tension Vc. ............................................................................................................. 33
Figure 3-9. Circuit lectrique de base du hacheur dvolteur. .......................................................... 34
Figure 3-10. Caractristique de la tension et des courants .............................................................. 35
Figure 3-11.Variation de la tension de charge avec le courant de charge ....................................... 35
Figure 3-12.Circuit lectrique de base du hacheur survolteur/dvolteur. ........................................ 36
Figure 3-13.Caractristique de la tension et du courant du Buck-Boost. ......................................... 36
Figure 3-14.Circuit lectrique de base dun onduleur. ..................................................................... 37
Figure 3-15.Schma de bloc par simulink dun onduleur. ................................................................ 38
Figure 3-16. Diffrentes courbes des grandeurs transfres par londuleur. ................................... 38
Figure 4-1.Chane de conversion dnergie solaire comprenant une commande MPPT. ............... 41
Figure 4-2. Principe de la mthode contre raction de tension avec tension de rfrence. .......... 42
Figure 4-3.Principe de la mthode contre raction de tension avec tension de rfrence. .......... 43
Figure 4-4.Principe de la mthode MPPT courant de rfrence en fonction de I
sc
. ...................... 44
Figure 4-5.Caractristiques de fonctionnement de la mthode par incrmentation de conductibilit
.................................................................................................................................................... 46
Figure 4-6. Organigramme de l'algorithme INC. ............................................................................. 48
Figure 4-7.Caractristiques de fonctionnement de la mthode de P&O. ......................................... 50
Figure 4-8. Effet dune augmentation soudaine de lensoleillement sur la poursuite du PPM. ....... 50
Figure 4-9.Organigramme de lalgorithme perturbation et observation. ........................................ 50
Figure 4-10.Modle de simulation pour lalgorithme perturbation et observation. ...................... 51
Figure 4-11.Variation de la tension .................................................................................................. 51
Figure 4-12.Variation de courant...................................................................................................... 51
Figure 4-13.Caractristique P-V. ...................................................................................................... 52
Figure 4-14.Caractristique I-V. ....................................................................................................... 52
Figure 4-15.Organigramme de lalgorithme perturbation et observation. ....................................... 52
Figure 4-16.Modle de la simulation pour lalgorithme P&O. ........................................................ 53
Figure 4-17.Caractristique P-V ....................................................................................................... 53
SOMMAIRE
Figure 5-1.Systme PV connect au rseau lectrique. .................................................................... 55
Figure 5-2.Systme PV connect au rseau lectrique. .................................................................... 56
Figure 5-3. Tension Vdc. ................................................................................................................... 57
Figure 5-4.Schma reprsente le bloc de simulation dun systme PV connect au rseau. ............ 59
Figure 5-5.Tension V
dc
pour diffrent valeurs du courant I
rmsref
. ..................................................... 59
Figure 5-6. Grandeurs de sortie de londuleur. ................................................................................ 59
Figure 5-7.Onduleur de courant........................................................................................................ 60
Figure 5-8.Onduleur de tension. ....................................................................................................... 60
Figure 5-9.Onduleur de tension avec filtre L. ................................................................................... 61
Figure 5-10.Profile de lclairement en fonction du temps pour 3 journes. ................................... 63
Figure 5-11. Profile de la temprature en fonction du temps pour 3 journes. ................................ 63
Figure 5-12.Schma bloc de simulation de MPP. ............................................................................ 64
Figure 5-13.Courant optimal simul, I
mpp.
........................................................................................ 64
Figure 5-14.Tension optimale simule, V
mpp
. .................................................................................... 64
Figure 5-15.Puissance optimale simule, P
mpp
. ................................................................................. 65
Figure 5-16. Position dun onduleur en pont-H dans la chane PV connecte au rseau. ............... 65
Figure 5-17.Diagramme de phase. .................................................................................................... 66
Figure 5-18.Schma de bloc du systme de commande. ................................................................... 67
Figure 5-19.Modle dun onduleur connect au rseau. .................................................................. 67
Figure 5-20.Forme du courant inverti par londuleur. ..................................................................... 68
Figure 5-21.Forme du courant gnr .............................................................................................. 68
Figure 1-1.Forme dnergie produite par le gnrateur photovoltaque.68

Figure 1-2. Forme dnergie invertie par londuleur..68

Figure 1-3 .Comparaison dnergie produite par le gnrateur PV et celle invertie par londuleur
pour les journes 1,2, et 369
Figure 1-4 .Comparaison du courant photovoltaque simul et mesur au point de puissance
maximale pour les deux journes 1 & 3.69
Figure 5-26.Comparaison de la puissance dentr de londuleur simule et mesure pour les deux
journes 1 & 3 ............................................................................................................................ 69
Figure 5-27.Schma bloc de calcule de la puissance moyenne. ....................................................... 70
Figure 5-28.Comparaison de la puissance Pmpp et la puissance moyenne ..................................... 71
SOMMAIRE
Figure 5-29.Tension de rseau avec la tension et courant inverti. ................................................... 71
Figure 5-30.Absence du courant I inverti.......................................................................................... 72
Figure 5-31.Courant I inverti infrieur celui demand par la charge. .......................................... 72
Figure 5-32.I inverti satisfait le courant demand par la charge. ................................................... 73
Figure 5-33.Courant I inverti suprieur celui demand par la charge. ......................................... 73

SOMMAIRE

Liste des tableaux
Tableau 1-1.Les diffrents types des cellules avec leur rendement. ................................................. 10
Tableau 2-1.Valeurs des paramtres de simulation. ......................................................................... 19
Tableau 2-2. Valeurs des paramtres de simulation. ........................................................................ 22
Tableau 3-1. Paramtres de simulation. .......................................................................................... 33
Tableau 3-2. Paramtres de simulation. .......................................................................................... 38
Tableau 4-1.Table de vrit de lalgorithme perturbation et observation ...................................... 49
Tableau 5-1.Paramtres de simulation. ........................................................................................... 63
Tableau 5-2. Paramtres de simulation. ........................................................................................... 70

ACRONYMES ET SYMBOLES

Listes des Acronymes et Symboles

Acronymes
CDER : Centre de Dveloppement des nergies Renouvelable.
PV : Photovoltaque.
GPV : Gnrateur photovoltaque.
KWc : Kilo-Watt crte.
E : Distribution du rayonnement de corps noirs.
E : Emittance nergtique (clairement ou ensoleillement).
AM : Masse dair.
TSL : Temps Standard Local.
TSV : Temps Solaire Vrai.
DC= CC : Courant Continu.
AC=CA : Courant alternatif.
STC : Conditions de tests standard Standard Test Conditions.
MPP : Point de fonctionnement optimal Maximum Power Point.
MPPT : Suiveur/Algorithme du Point de fonctionnement optimal.
CMM : Comportement moyen modelant.


Symboles
: longueur donde en mtre.
T : la temprature absolue en K.
: La constante de Stefan-Boltzmann.
ES : clairement de la surface du soleil.
E0 : clairement en dehors de latmosphre terrestre, appele constante solaire.
AS : Surface du soleil.
A0T : Surface de la sphre dont le rayon est lorbite de la terre/soleil.
: Longitude gographique du site ;
ref
: Longitude de rfrence du TSL
: Laltitude.
: lazimut.
: longitude.
: latitude.
STC
q : Le rendement de la cellule photovoltaque.
P
m
: La puissance produite par le gnrateur PV.
STC
E : Lclairement absorb par la cellule.
S
cellule
: La surface de la cellule [m].
E : Lclairement absorb par la cellule.
E
rf
: Lclairement de rfrence (1000 w/m2).
Vth: La tension thermique.
N : Le facteur didalit de la photopile.
K : constant de Boltzmann (1,38.10-23J/K).
q : La charge de llectron (1,6.10-19 C).
Ipv : Courant gnr par la cellule photovoltaque.
Iph : Courant de la cellule PV (Photo-Courant).
d
I : Le courant circulant dans la diode.
I
0
: Le courant de saturation inverse de la diode.
T : Temprature de la jonction des cellules PV [K].
Tn

: Temprature de rfrence des cellules PV [K].
B ou A : facteur d'idalit de la jonction.
E
g
: nergie de Gap du matriel de la cellule PV en [ev] .

pv
V
: La tension de sortie dun panneau photovoltaque.
p
I : Le courant circulant dans la rsistance R
P
.
R
P
: Rsistance shunt de la cellule PV.
R
S
: Rsistance srie de la cellule PV.
V
OC
=V
CO
:

Tension du circuit ouvert.
I
SC
=I
CC
: Courant de court circuit.
N
S
: Nombres des cellules en srier.
N
P
: Nombres des cellules en parallle.
: Rendement.
K
t
: Coefficient de variation de courant I
cc
selon la temprature.
K: Constante de Boltzmann [1,381.10
-23
J/K].
A : Facteur didalit de la jonction (cellule PV) p-n
V
mpp
= V
m
: Tension d'un module PV au point de puissance maximale [V].
I
mpp
= I
m
: Courant d'un module PV au point de puissance maximale [A].
I
mr
: Courant de rfrence d'un module PV au point de puissance maximale.
E : Ensoleillement [W/m].
E
ref
: Ensoleillement de rfrence.
T

: Temprature de la jonction des cellules PV [K].
T
ref
: Temprature de rfrence des cellules PV [K].
I
CC
: Courant de court-circuit d'une cellule ou d'un module solaire [A].
V
CO
: Tension en circuit ouvert dun module solaire [V].
R
L
: Rsistance de filtres.
L : Inductance de filtres.
FP : Facteur de puissance.

Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En effet, les
besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par ailleurs, les pays en
voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour mener bien leur
dveloppement. De nos jours, une grande partie de la production mondiale dnergie est assure
partir de sources fossiles. La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz effet
de serre et donc une augmentation de la pollution. Le danger supplmentaire est quune
consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit les rserves de ce type dnergie
de faon dangereuse pour les gnrations futures [1].
Pousse par un contexte favorable (volont politique, intrt conomique...), la production
dcentralise se dveloppe dans de nombreux pays. L'observation des programmes de recherche et
du dveloppement, des oprations du dmonstration actuellement en cours mettent en vidence un
dveloppement commercial dans les prochaines annes de petits moyens de production infrieurs
100 kW comme les systmes photovoltaques, les micro turbines gaz associes diffrents
systmes de stockage tels que les batteries d'accumulateurs, les supercondensateurs ou le stockage
inertiel. Un dveloppement significatif de ce type de production entranerait un foisonnement
important du point d'injection de puissance sur les rseaux basse tension de nature y gnrer des
difficults d'exploitation [2].

Le soleil fournit une nergie lumineuse immense la Terre. Mais le problme rside dans le
fait que la forme sous laquelle nous recevons lnergie nest pas ncessairement celle sous laquelle
cette nergie est utilisable. Cest pourquoi, nous devons utiliser des processus de conversion de
lnergie. Par exemple, les cellules solaires photovoltaques permettent de convertir lnergie
lumineuse du soleil en nergie lectrique [3].
La diminution des sources nergtiques traditionnelles comme (ptrole, gaze..) due une
utilisation croissante [4], fait que ltude des nergies renouvelables prend une importance cruciale
pour les annes venir. Les nergies renouvelables dactualit sont de plusieurs types tels que :
Hydraulique, chauffage solaire actif, olienne, gothermique, photovoltaque, biomasse ...etc.
Dans ce contexte gnral, notre tude sintresse la filire photovoltaque et consiste
essentiellement la modlisation et linterconnexion du systme photovoltaque au rseau
lectrique dans le site exprimental du laboratoire CDER (Centre de Dveloppement des nergies
INTRODUCTION GENERALE

Renouvelables) Bouzarah, Alger est quip dun ensemble dacquisition automatique de
mesures permettant de faire des estimations comparatives selon les tudes effectuer.
Le mmoire prsent est organis en cinq chapitres.
Au premier chapitre, on sintresse la description gnrale et le principe de fonctionnement
des systmes photovoltaques avec le rseau lectrique.
Le second chapitre prsente la modlisation du systme photovoltaque et ses caractristiques.
Le troisime chapitre, est consacr aux techniques de couplage du gnrateur photovoltaque
au rseau lectrique.
Dans le quatrime chapitre, nous prsentons quelques mthodes de poursuite du point de
puissance maximale (MPPT) des panneaux solaires.
Dans le dernier chapitre, on analyse lchange dnergie entre le panneau photovoltaque et le
rseau lectrique grce ltude comportementale dun onduleur et grce une boite dacquisition
des donnes. On va faire une comparaison entre les grandeurs mesures et les grandeurs simules
pour des profiles dclairement et de tempratures journalires rels mesurs au toit du laboratoire
CDER. Enfin, nous terminons cette tude par une conclusion gnrale qui rsume les travaux
raliss.

Chapitre 01
Les systmes photovoltaques
1.1. Introduction
Le soleil est une source nergtique quasiment illimite, il pourrait couvrir plusieurs milliers
de fois notre consommation globale d'nergie [5]. C'est pourquoi, l'homme cherche depuis
longtemps mettre profit cette nergie importante diffuse sur l'ensemble de la plante, il a pu
arriver raliser ce but par le moyen dit cellule photovoltaque.
Le nom Photovoltaque vient du Grec est compos de deux parties:
Photos : Lumire.
Volt : Unit de tension lectrique, du nom Alessandro Volta.
Ce phnomne fut dcouvert au 19
me
sicle par le physicien Alexandre Edmond Becquerel.
La premire cellule photovoltaque fut dveloppe dbut 1954 pour lalimentation en nergie des
satellites. Depuis 1958, les cellules photovoltaques alimentent seulement le systme nergtique
des satellites jusqu ses premires applications terrestres au dbut des annes 70. Le
photovoltaque fut utiliser pour lalimentation en nergie de petites maisons isoles et
dquipements de tlcommunications. [6]
Aujourdhui, grce sa fiabilit et son concept respectueux de lenvironnement, le
photovoltaque prend une place prpondrante.
Pour comprendre ce phnomne, nous avons rappel dans ce chapitre quelques notions de
base sur le rayonnement solaire et les proprits des semi-conducteurs ; matriaux de base des
cellules photovoltaques.
Une fois ces rappels thoriques sont faits, il nous sera facile dexpliquer le principe de
fonctionnement de la cellule photovoltaque en passant au systme photovoltaque complet et ses
trois types savoir [7]:
Les systmes autonomes,
Les systmes connects au rseau,
Les systmes fonctionnant au fil du soleil (Pompage PV).

p. 1

CHAPITRE 01 Gnralits sur les systmes photovoltaques

p. 2

1.2. Potentiel solaire
1.2.1. Potentiel solaire extraterrestre
1.2.1.1. Rayonnement solaire extraterrestre
Pour comprendre le comportement du rayonnement solaire, les caractristiques du corps noir
devrait tre vues brivement. Le " corps noir " est la fois un absorbeur et un metteur de
rayonnement lectromagntique avec 100 % d'efficacit toutes les longueurs d'ondes. La
distribution thorique des longueurs d'onde du rayonnement du corps noir est mathmatiquement
dcrite par l'quation de Planck comme suite : [8]
1
T
exp
A
E
5
|
.
|
\
|
=

( 1.1)
Avec,
A = 3.74x10
-16
W/m
2
;
B = 14.39x 10
-3
m.K ;
: Longueur donde en mtre ;
T : Temprature absolue en K.
Lensoleillement, qui reprsente le flux dnergie mis par unit de temps et par unit de
surface du soleil, exprime en W/m
2
est donn par la loi de Stefan-Boltzmann [9] :
4
S
T E o =

(1.2)
O =5.67x 10
-8
W/m
2
.K
4
est la constante de Stefan-Boltzmann ;
T est la temprature absolue du corps noir.
Lensoleillement reu en dehors de l'atmosphre terrestre, nomme la constante solaire, peut
tre approximativement drive selon lexpression (1.3), si on suppose que le soleil est un corps
noir [8] :
T 0 0 S S
A E A E =

(1.3)
Avec
E
S
: Eclairement de la surface du soleil ;
E
0
: Eclairement en dehors de latmosphre terrestre, appel constante solaire ;
A
S
: Surface du soleil ;
A
0T
: Surface de la sphre dont le rayon est lorbite de la terre/soleil ;
La figure (1.1) montre la gomtrie schmatique des rapports terre-soleil. En substituant E
S
par

p. 3

lquation (1.2) et T par 5762K, on obtient : E
0
=1360 W/m
2

Puisque l'orbite de la terre R
OT
n'est pas entirement constant, E
0
change lgrement tout au
long de lanne, on peut dduire que 1300 W/m
2
<E
0
< 1390 W/m.
Les mesures, par satellite, indiquent que la valeur moyenne de lanne E
0
est de 1367W/m
2
; qui est
dans la gamme prcdente.
En raison de l'orbite elliptique de la terre, lensoleillement extraterrestre E
0
sur une surface
perpendiculaire au faisceau du soleil dans le jour n de l'anne est donn (n variant de 1 365 et ce
du 01/01 au 31/12 de lanne) par lquation suivante [10]:
0 0
E )
365
n 2
033 . 0 1 ( ) n ( E
t
+ =

(1.4)

Figure 1-1.Gomtrie schmatique des rapports terre-soleil [8].
1.2.1.2. Temps solaire vrai (TSV)
Le temps, en heures, appliqu dans les calcules d'nergie solaire est nomm : le temps solaires
vrai, l o le soleil croise le mridien de l'observateur 12:00. La conversion du temps standard
local (TSL) au TSV est faite par lquation (1.5) :
) n ( B ) (
h 12
T T
t ref TSL TSV
+ + = A A
t

(1.5)
Avec :
est longitude gographique du site ;
ref
est longitude de rfrence du TSL ;
B
t
(n), en heures, est un facteur additionnel qui compte pour les perturbations de rotation de la terre,
(on peut ajouter jusqu1H) ; il est donn par lquation (1.6): [11]

p. 4

|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
=
364
) 81 n ( 2
sin 025 . 0
364
) 81 n ( 2
cos 1255
364
) 81 n ( 2
sin 1645 . 0 ) n ( B
t
t t t

(1.6)
1.2.1.3. Position du soleil
La position du soleil sur la sphre cleste est donne par l'angle d'altitude et l'angle d'azimut
figure (1.2). Elle dpend de la date, la priode du jour, et de la position gographique de
l'observateur [10].
La date, en nombre de jours n, dtermine l'angle solaire de dclinaison de la terre, qui est au
point O en radian. Elle est exprime par lquation suivante :
|
.
|
\
| +
=
365
n 284
2 sin
180
45 . 23 t
t
o

(1.7)
Le temps de la journe, en heures, est le reflet dun angle nomm angle horaire du soleil, en
radian quivalant lheure, qui est donn par lquation suivante :
h 12
) h 12 TSV (
t
e =

(1.8)
L'altitude et l'azimut un certain temps et date, longitude et latitude , sont alors calculs
partir des quations (1.9) et (1.10) [10]:
) cos( ) cos( ) cos( ) sin( ) sin( ) sin( e o o + =

(1.9)

) cos( ) cos(
) sin( ) sin( ) sin(
) cos(

o

=

(1.10)

On note que l'azimut solaire est ngatif le matin et positif l'aprs-midi. Pour des positions
sur l'hmisphre nordique, l'angle d'altitude est positif entre le lever et le coucher du soleil ; tandis
que sur l'hmisphre mridional, il est ngatif. L'angle de dclinaison est dfini positif pendant
l't sur l'hmisphre nordique. L'angle de latitude gographique est positif sur l'hmisphre nord
et ngatif sur l'hmisphre sud.

Figure 1-2. La position du soleil observe daprs l'origine O.

p. 5

1.2.1.4. Gomtrie dorientation : collecteur- faisceau du soleil
La position du soleil vis--vis dun collecteur orient arbitrairement est dtermine par l'angle
d'incidence i du rayon du soleil figure (1.3). Pour le plan d'horizon, l'angle d'incidence est gal
l'angle znith, quation (1.11) :
) sin( ) i cos( u =

(1.11)
Pour un collecteur inclin avec l'angle et l'azimut , l'angle d'incidence i est calcul partir
de:
) cos( ) sin( ) cos( ) cos( ) sin( ) i cos( o | | u + =

(1.12)
L o l'angle d'azimut erre d'est-ouest et zro pour l'orientation sud. L'ensoleillement
extraterrestre E0 reue par un collecteur arbitrairement orient est donne par lquation (1.13) :
) i cos( E E
0 0
u
o|
=

(1.13)

Normale du plant du rcepteur
Plant horizontale
Projection de la normale du plan
Faisceau du soleil
W
S
N
E
I
<0

Figure 1-3.Position du soleil observe daprs l'origine O.
1.2.2. Rayonnement solaire
1.2.2.1. Spectre solaire
Afin de quantifier lnergie dveloppe par le gnrateur photovoltaque dans une application
donne, il est ncessaire de connatre le spectre du rayonnement solaire reu sur sol. En effet, quatre
types de rayonnement ont t rpertoris dans la littrature:
Le rayonnement direct
La conversion du rayonnement direct E
D
est une question trigonomtrique. Le rayonnement
direct, sur le plan horizontal, est la diffrence entre le rayonnement global et le rayonnement diffus.

p. 6

Le rayonnement direct est converti pour un plan avec un angle d'azimut et d'inclinaison selon
lquation suivante :
) sin(
) cos(
E E
i
D D
u
o|
=

(1.14)

Avec et
i
sont donns selon les quations (1.9) et (1.12).
On note que le paramtre E
D
peut tre mesur par un instrument nomm Pyroheliometer [8],
qui doit tre mont sur la monture du gnrateur PV.
Le rayonnement diffus : cest d labsorption et la diffusion dune partie du rayonnement
solaire global par latmosphre et sa rflexion par les nuages et les arosols.
Le rayonnement rflchi ou lalbdo du sol : cest le rayonnement qui est rflchi par le sol ou
par des objets se trouvant sa surface. Cet albdo peut tre important lorsque le sol est
particulirement rflchissant (eau, neige, etc.).
Le rayonnement global : le rayonnement global est subdivis en rayonnements directs, diffus et
reflt par le sol) [10]. Dans la figure ci-dessous figure (1.4) est schmatis lensemble des
rayonnements solaires reu sur une surface terrestre.

Figure 1-4. Types de rayonnement solaire reus au sol.
Lintensit du rayonnement solaire reu sur un plan quelconque un moment donn est
appele irradiation ou clairement (not gnralement par la lettre G), il sexprime en watts par
mtre carr (W/m).
La valeur du rayonnement reu par la surface du module photovoltaque varie selon la
position de ce dernier. Le rayonnement solaire atteint son intensit maximale lorsque le plan du
module photovoltaque est perpendiculaire aux rayons [7]:.
Dans la figure (1.6) ci-aprs est illustr leffet de linclinaison des modules photovoltaques
sur lintensit de lclairement reu sur leurs surfaces du lev au couch du soleil.

p. 7

Figure 1-5. Rayonnement solaire capt par
un plan horizontal et inclin.

Figure 1-6. Intensit de lensoleillement reu
sur un plan horizontal et inclin.
1.3. Masse dair
On appelle masse dair AM, la perte de lnergie solaire par labsorption atmosphrique.
Elle est donne en fonction de langle entre le soleil et le znith [12].

u sin
1
AM ~

(1.15)
O :
: reprsente langle entre la position du soleil et le znith exprime en (Deg).
Le spectre solaire AM0 correspond une masse dair nulle pour un rayonnement arrivant au
dessus de la couche atmosphrique incidence normale, AM1 pour un soleil vertical la terre (le
soleil est au znith), et AM1.5 pour un rayonnement solaire correspondant une inclinaison du
soleil de 45 par rapport au znith.
Le nombre "1.5" indique que le parcours de la lumire dans l'atmosphre est 1.5 fois suprieur
au parcours le plus court du soleil, c'est--dire lorsquil est au znith [10] .

Figure 1-7. Description du nombre de masse dair.

p. 8

1.4. Semi conducteur
La filire la plus avance sur le plan technologique et industrielle est la ralisation de cellules
base de silicium. Ce dernier est l'lment semi-conducteur le plus utilis car il est peu coteux et il
se trouve en trs grande quantit sur terre : il constitue 28% de l'corce terrestre, sous forme de
silice, parfaitement stable et non toxique [13].
1.4.1. Formation de la jonction PN
Le silicium, comme tous les semi-conducteurs, a une bande de valence pleine et une bande de
conduction vide. Mais grce un apport nergtique suffisant, il est possible de faire passer des
lectrons de la bande de valence (BV) la bande de conduction (BC), do la gnration dlectrons
libres, figure (1.8).

Figure 1-8. Gnration de la paire lectron-trou.
La prsence d'lectrons libres dans la bande de conduction d'un matriau n'est pas suffisante
pour gnrer un courant : il est ncessaire de crer une diffrence de potentiel aux bornes du photo-
gnrateur afin d'entraner les charges positives d'un ct et les charges ngatives de l'autre. Cette
opration est possible par dopage du Silicium. Une jonction PN est cre par l'assemblage de deux
barreaux de Silicium de type N et P. Le composant ainsi cr est appel diode.

Figure 1-9. La jonction PN.

p. 9

1.4.2. Principe de fonctionnement de la cellule photovoltaque
Une cellule photovoltaque est un dispositif semi-conducteur gnralement a base silicium.
Elle est ralise partir de deux couches, une dope P et lautre dope N crant ainsi une jonction
PN avec une barrire de potentiel. Lorsque les photons sont absorbs par le semi-conducteur, ils
transmettent leur nergie aux atomes de la jonction PN de telle sorte que les lectrons de ces atomes
se librent et crent des lectrons (charges N) et des trous (charges P). Ceci cre alors une
diffrence de potentiel entre les deux couches. Cette diffrence de potentiel est mesurable entre les
connexions des bornes positives et ngatives de la cellule [7].
La structure dune cellule photovoltaque est illustre dans la figure (1-10) ci-dessous.

Figure 1-10. Structure dune cellule photovoltaque.
1.4.3. Type et rendement des cellules photovoltaques
Il existe diffrents types de cellules solaires (ou cellules photovoltaques), et chaque type de
cellules a un rendement et un cot qui lui est propre. Cependant, quel que soit leur type, leur
rendement reste assez faible: de 8 23% de lnergie quelles reoivent. Il existe trois principaux
types de cellules l'heure actuelle [10].
- Les cellules monocristallines: Ce sont celles qui ont le meilleur rendement mais aussi celle
qui ont le cout le plus lev, du fait d'une fabrication complique.
- Les cellules polycristallines: Leur conception tant plus facile, leur cot de fabrication st
moins important, cependant leur rendement est plus faible.

p. 10

- Les cellules amorphes: Elles ont un faible rendement, mais ne ncessitent que de trs
faibles paisseurs de silicium et ont un cot peu lev. Elles sont utilises couramment dans de
petits produits de consommation telle que des calculatrices solaires ou encore des montres.
- Rendement dune cellule :
Le tableau suivant (1-1) prsente les diffrents types des cellules avec leur rendement.
Tableau 1-1.Les diffrents types des cellules avec leur rendement.
Technologie de cellules Rendement en
laboratoire
Rendement production
Silicium amorphe (a-Si) 13% 5-9%
Silicium polycristallin (p-Si) 19,8% 11 15 %
Silicium monocristallin (m-Si) 24,7% 13 17%

Figure 1-11. Les images de diffrents types de la cellule photovoltaque.

cellule STC
m
STC
S E
P
= q

(1.16)
STC
q
: Le rendement de la cellule photovoltaque ;
P
m
: La puissance produite par le gnrateur PV ;
STC
E
: Lclairement absorb par la cellule ;
S
cellule
: La surface de la cellule [m].
Ce rendement dpend de plusieurs facteurs [14]:
- Rflexion la surface.
- Temprature de jonction des cellules.
- Type de matriau utilis et technique de fabrication.
- La rsistance srie et parallle responsables des pertes par effet Joule.

a-Si

m-Si p-Si

p. 11

- Absorption incomplte et excs dnergie des photons absorbs.
1.5. Protections classiques dun gnrateur photovoltaque
Lorsque nous concevons une installation photovoltaque, nous devons assurer la protection
lectrique de cette installation afin daugmenter sa dure de vie en vitant notamment des pannes
destructrices lies lassociation des cellules et de leur fonctionnement en cas dombrage.
Pour cela, deux types de protections sont classiquement utiliss dans les installations
actuelles [15] :
- la protection en cas de connexion en parallle de modules PV pour viter les courants ngatifs
dans les GPV (diode anti-retour).
- la protection lors de la mise en srie de modules PV permettant de ne pas perdre la totalit de la
chane (diode by-pass) et viter les points chauds.

Sous- rseau
A
Sous- rseau
B
Diode bypass
Diode anti-retour

Figure 1-12. Schmatisation dun GPV lmentaire avec diodes by-pass et diode anti-retour [15].
1.6. Les systmes photovoltaques :
Partie gnrale :
On ne peut pas considrer les modules photovoltaques comme simples gnrateurs dnergie
lectrique en remplacement dun rseau, mais associer troitement ces modules un systme
complet pour une application bien spcifique correspondant un besoin bien dfini.
Les systmes photovoltaques les plus couramment utilises sont de deux types :

p. 12

1.6.1. Les systmes photovoltaques avec stockage lectrique :
Batterie daccumulateurs lectrochimiques, ceux-ci alimentent des appareils dutilisation :
- soit directement en courant continu.
-soit en courant alternatif par lintermdiaire dun convertisseur continu- alternatif (onduleur).

Gnrateur
photovoltaque
Batterie Appareils courant continu
Onduleur
Appareils courant continu

Figure 1-13. Schma synoptique dun systme photovoltaque avec stockage.
1.6.2. Les systmes couplage direct sans batterie :
(Fonctionnement dit aussi < au fil du soleil>).
Les appareils dutilisation sont branchs soit directement sur le gnrateur solaire, soit,
ventuellement, par lintermdiaire dun convertisseur continu-continu, adaptateur dimpdance.

Gnrateur photovoltaque Appareils
Adaptateur
dimpdance

Figure 1-14. Schma synoptique dun systme photovoltaque couplage direct.

Pour les systmes sans batterie, il y a possibilit davoir recours un stockage mais qui ne
sera pas sous forme lectrochimique.
Exemple :
pompage stockage par rservoir deau.
Rfrigration stockage de froid.

Appareils courant alternatif

p. 13

Le choix de tel ou tel systme se fera en fonction de diffrents critres : simplicit,
application, environnement, etc.
Toutefois ltude de systmes photovoltaques se ramne ltude de ladaptation de la
charge constitue, soit dune batterie, dune charge quelconque par rapport lensemble des
modules solaires.
Comme il t vu prcdemment, on recherchera optimiser le systme pour avoir le
meilleur rendement dadaptation du systme (rapport de lnergie lectrique fournie lutilisation
lnergie lectrique quaurait pu fournir le gnrateur fonctionnant toujours son point de
puissance maximum).
Un systme photovoltaque est donc constitu du gnrateur, et des charges alimenter. Ces
charges sont de type courant continu ou courant alternatif.
Les diverses composantes dun systme photovoltaque sont reprsentes symboliquement sur
le schma gnralis dans la figure (1-15) ci-dessous.
Cette reprsentation synoptique recouvre peu prs tous les cas de figure (1-14) mais il est
bien certain quun systme photovoltaque ne comporte en gnral quun certain nombre des
lments reprsents ici.

Figure 1-15. Schma synoptique dun systme photovoltaque.

1.7. Secteurs dapplication :
Domaine spatial : cest de loin le secteur le plus ancien puisque les premires utilisations de
cellules solaires pour des engins spatiaux (satellites, navettes,...) remontent aux annes soixante.
Tlcommunications : Tlphonie rurale, radiotlphonie,...
Convertisseur
Convertisseur

Rseau
Charges
C.A
Gnrateur
C.A
C.C

C.A
Gnrateur
C.C
Charges
C.C
C.C

C.C
CC
Champ
Du
Module
PV

Batterie

p. 14

Sites isols : Parcs nationaux, service des eaux et forts, rgions isoles, pays en voie de
dveloppement. Pompage de leau, irrigation, domiciles, villages ...
Acquisition de donnes : Lnergie photovoltaque joue un rle trs important pour les
stations isoles dacquisition de donnes, vu la haute fiabilit de fonctionnement, lautonomie, la
moindre sensibilit la foudre, la rsistance extrme aux conditions naturelles, la maintenance
lgre et la longvit des quipements (25 ans).
Domaine du transport : Lampadaires, panneaux messages variables, clairage de
panneaux, signalisation lumineuse routire et ferroviaire.
1.8. Avantages et inconvnients de lnergie photovoltaque
1.8.1. Inconvnients :
La fabrication du module photovoltaque relve de la haute technologie et exig des
investissements dun cot lev.
Le rendement rel de conversion dun module est faible, de lordre de 10-15 % avec une
limite thorique pour une cellule de 28%. Les gnrateurs photovoltaques ne sont comptitifs par
rapport aux gnrateurs diesel que pour des faibles demandes dnergie en rgions isoles.
Lorsque le stockage de lnergie lectrique sous forme chimique (batterie) est ncessaire, le
cot du gnrateur est accru.
Le stockage de lnergie lectrique pose encore de nombreux problmes.
1.8.2. Avantages
Dabord une haute fiabilit. Linstallation ne comporte pas de pices mobiles qui la rend
particulirement approprie aux rgions isoles. Cest la raison de son utilisation sur les engins
spatiaux.
Ensuite le caractre modulaire des panneaux photovoltaques permet un montage simple et
adaptable des besoins nergtiques divers. Les systmes peuvent tre dimensionns pour des
applications de puissances allant du milliwatt au Mgawatt.
Le cot de fonctionnement est trs faible vu les entretiens rduits et il ne ncessite ni
combustible, ni transport, ni personnel hautement spcialis.
La technologie photovoltaque prsente des qualits sur le plan cologique car le produit fini
est non polluant, silencieux et nentrane aucune perturbation du milieu, si ce nest par loccupation
de lespace pour les installations de grandes dimensions.

p. 15

Conclusion:
Dans ce chapitre nous avons prsent le potentiel solaire, le principe de la conversion PV et
les cellules monocristallines qui ont le meilleur rendement dans les conditions relles dutilisation
des systmes photovoltaques et leurs secteurs dapplication.

p. 16

Chapitre 02
Modlisation dun systme photovoltaque
2.1. Introduction
Une cellule photovoltaque (ou photopile) est un dispositif qui transforme l'nergie lumineuse
en courant lectrique. La premire photopile a t dveloppe aux tats-Unis en 1954 par les
chercheurs de laboratoire Bell [16], qui ont dcouvert que la photosensibilit du silicium pouvait
tre augmente en ajoutant des "impurets". C'est une technique appele le "dopage" qui est utilise
pour tous les semi-conducteurs. Mais en dpit de l'intrt des scientifiques au cours des quelques
annes, ce n'est que lors de la course vers l'espace que les cellules ont quitts les laboratoires. En
effet, les photopiles reprsentent la solution idale pour satisfaire les besoins en lectricit bord
des satellites, ainsi que dans tout site isol. Actuellement, lobjectif essentiel est devenu la
production de l'lectricit, sans pollution, pour lalimentation des rseaux de distribution.
2.2. Circuit quivalent dune cellule solaire
2.2.1. Cas dune cellule idale
Dans le cas idal, la cellule dune jonction PN soumise lclairement photovoltaque
connecte une charge peut tre schmatise par un gnrateur de courant en parallle avec une
diode. Ce gnrateur est dlivrer un courant I
ph
selon la figure (2.1), qui reprsente le circuit
quivalent dune cellule solaire idale [17].
Vpv
Iph
Ipv
Vd

Figure 2-1. Schma quivalent dune cellule idale.
I
d
CHAPITRE 02 Modlisation dun systme photovoltaque

p. 17

Les quations retenues de ce modle sont:
d ph pv
I I I =

(2.1)
Le courant I
ph
est assimil au courant I
sc
avec V
pv
= 0, courant de court-circuit obtenu en court
circuitant la charge.
rf
sc ph
E
E
I I = =

(2.2)
E : Lclairement absorb par la cellule ;
rf
E : Lclairement de rfrence (1000 w/m
2
) ;
|
|
.
|
\
|
= 1 e I I
t
d
V
V
0 d
(2.3)
I
0
: Courant de saturation inverse de la diode ;
q
NkT
V
t
=

(2.4)
V
t
: Tension thermique ;
N : Facteur didalit de la photopile ;
K : Constant de Boltzmann (1,38.10
-23
J/K) ;
q : Charge de llectron (1,6.10
-19
C).
2.2.2. Cas dune cellule relle
Le schma quivalent de la cellule photovoltaque relle tient compte deffets rsistifs
parasites dues la fabrication et reprsent sur la figure (2.2).
Ce schma quivalent est constitu d'une diode (d) caractrisant la jonction, une source de
courant (I
ph
) caractrisant le photo-courant, une rsistance srie (R
s
) reprsentant les pertes par effet
Joule, et une rsistance shunte (R
sh
) caractrisant un courant de fuite entre la grille suprieure et le
contact arrire qui est gnralement trs suprieure (R
s
) [18].

Figure 2-2. Schma quivalent dune cellule photovoltaque relle.

p. 18

Dans notre travail, nous avons utilis le modle mathmatique du module solaire exponentiel
simple.
Le courant de sortie dune cellule photovoltaque se met sous la forme mathmatique suivante:
p d ph pv
I I I I =

(2.5)
I
pv
: Courant gnrer par la cellule photovoltaque ;
I
ph
: Photo courant cr par la cellule (proportionnel au rayonnement incident) ;
d
I : Le courant circulant dans la diode, quation (2.3).
|
|
|
.
|
\
|
= 1 e I I
t
V
d
V
0 d

(2.6)

(
(
=
)
T
1
n
T
1
(
BK
g
E
3
n
or 0
e )
T
T
( I I

(2.7)

I
or
: est le courant de court circuit de la cellule la temprature de rfrence T
n
et lclairement de
rfrence E
rf
;
T

: Temprature de la jonction des cellules PV [K] ;
T
n
: Temprature de rfrence des cellules PV [K] ;
B : facteur d'idalit de la jonction ;
E
g
: nergie de gap [ev] ;
pv s d
I R Vpv V + =
R
S
: rsistance srie symbolise la rsistance de masse du matriau semi conducteur, ainsi les
rsistances ohmiques et de contact au niveau des connexions des cellules ;
pv
V
: La tension de sortie ;
p
I : Le courant circulant dans la rsistance R
P
;
R
P
: Rsistance shunt reprsente les fuites autour de la jonction p-n dues aux impurets et sur les
coins de la cellule.
Les rsistances R
S
et R
P
sont calcules par une boucle de programmation voir lannexe (A.1)
En substituant les quations (2.6 ; 2.7) dans lquation (2.5) le courant
pv
I devient :
p
pv s pv
t
pv s pv
0 ph pv
R
I R V
1
V
I R V
e I I I
+
|
|
.
|
\
|
+
=

(2.8)

p. 19

Donc :

0 I
R
I R V
1
V
I R V
e I I
pv
p
pv s pv
t
pv s pv
0 ph
=
+
|
|
.
|
\
|

(2.9)
Pour rsoudre cette quation on utilise le block Algbriques Constraint qui est intgr dans
la bibliothque Simulink/Math Opration.
Solve
f(z) Z
f(z)=0
Vd
+/- +/- +/-
I0*exp{(U/Vt)-1} +/+
Eclairement

Courant Ipv
Vpv G
Rs
Rs

Figure 2-3. Schma de simulation dune cellule photovoltaque relle.
Les paramtres de simulation sont donns dans le tableau (2-1) et les autres paramtres sont
reports en dtails dans lannexe annexe (A.2):
Tableau 2-1.Valeurs des paramtres de simulation.
Les paramtres de module La valeur de chaque paramtre
Le nombre des cellules en srie Ns 1
La tension maximale Vr PPM (V) 0.4822
La tension en circuit ouvert Voc (V) 0.598
Le courant maximal Ir PPM (A) 3.04
Le courant de court-circuit Ir (A) 3.325

Figure 2-4. Caractristique P-V dune
cellule PV.

Figure 2-5. Caractristique I-V dune cellule
PV.

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
La tension Vpv (V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

p. 20

2.3. Constitution dun gnrateur photovoltaque (GPV)
Lassociation de plusieurs cellules photovoltaques en srie/parallle donne lieu un
gnrateur photovoltaque. Si les cellules se connectent en srie, les tensions de chaque cellule
sadditionnent, augmentant la tension totale du gnrateur. Dune autre part, si les cellules se
connectent en parallle, cest lamprage qui augmentera comme reprsents sur les figures
suivantes.
2.3.1. Association des Cellules Photovoltaques en Parallle
Les proprits du groupement en parallle des cellules sont duales de celles du groupement en
srie. Ainsi, dans un groupement des cellules connectes en parallle, les cellules sont soumises la
mme tension et la caractristique rsultante du groupement est obtenue par addition des courants
tension donne. Les figures (2. (7 ; 8)) montrent les caractristiques rsultantes (I
PCC
,V
PCO
) obtenues
en associant en parallle (indice p) N
p
cellules identiques:

CC P PCC
I N I = et
CO PCO
V V =
Ipv
Vpv

Figure 2-6. Schma de 3 cellules photovoltaques associes en parallle.

Figure 2-7. Caractristique P-V des cellules PV
raccordes en parallle.

Figure 2-8. Caractristique I-V des cellules
PV raccordes en parallle.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
1
2
3
4
5
6
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

1 Cellule
2 Cellules en parallle
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
2
4
6
8
10
12
La tension Vpv (V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

1 Cellule

p. 21

2.3.2. Association des Cellules Photovoltaques en Srie
Dans un groupement en srie, les cellules sont traverses par le mme courant et la
caractristique rsultante du groupement en srie est obtenue par addition des tensions courant
donn. Les figures (2. (10 ; 11)) montrent la caractristique rsultante (I
SCC
,V
SCO
) obtenue en
associant en srie (indice s) N
s
cellules identiques (I
CC
,V
CO
) :
CC SCC
I I = et
CO S SCO
V N V =
Vpv
Ipv

Figure 2-9. Schma de 3 cellules photovoltaques associes en srie.

Figure 2-10. Caractristique P-V des cellules
photovoltaques raccordes en srie.

Figure 2-11. Caractristique I-V des cellules
photovoltaques raccordes en srie.

La plupart des panneaux photovoltaques commerciaux sont constitus par des sous-rseaux
de cellules connectes en srie. Chacun de ces sous-rseaux est lui-mme constitu dun groupe de
cellules photovoltaque connects en srie. Le nombre de cellules par sous-rseaux est le fruit dun
compromis conomique entre protection et pertes dune partie importante du gnrateur
photovoltaque en cas de dfaut partiel.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0
1
2
3
4
5
6
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

1 Cellule
2 Cellules en srie
3 Cellules en srie
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
La tension Vpv (V)
l
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

1 Cellule
2 Cellules en srie
3 Cellules en srie

p. 22

Le site de dmonstration, CDER, est actuellement dot de 3 panneaux, (figure A.2, dans
lannexe), chacun deux est constitu de plusieurs modules connects entre eux en srie et en
parallle, rfrencs: ISOFOTON 106 W MONOCRISTALLIN, crtes et structurs comme montre
la figure (2.12).
Chaque module est caractris par des paramtres illustrs dans le tableau (2.2) donn par le
Constructeur voir lannexe (A.2).
Tableau 2-2. Valeurs des paramtres de simulation.
Les paramtres de module La valeur de chaque paramtre
Le nombre de cellules en srie Ns 36
Le nombre de cellules en parallle Np 2
La tension maximale Vr PPM (V) 17.36
La tension en circuit ouvert Voc (V) 21.54
Le courant maximal Ir PPM (A) 6.08
Le courant de court-circuit Icc (A) 6.65

36 cellules en
srie
Module de 72
cellules ( 36 en
parallle avec 36)
15 Modules
En srie
Vpv
Ipv

Figure 2-12. Schma dune partie de la centrale de production dlectricit dun systme
photovoltaque install au CDER.

p. 23

La puissance maximale dbite par le panneau photovoltaque donne par le produit entre la
tension V
op
et le courant I
op
comme reprsente la formule suivante :
op op max
I V P =

Figure 2-13. Caractristique P-V dun gnrateur photovoltaque.

Figure 2-14. Caractristique I-V dun gnrateur photovoltaque.

2.4. Influence de lclairement
En faisant varier lclairement entre 200 w/m et 1000 w/m avec un pas de 200, la
caractristique (I
pv
=f(V
pv
)) est donne par les figures (2. (15,16)). On remarque que la valeur du
courant de court-circuit est directement proportionnelle lintensit du rayonnement. Par contre, la
tension en circuit ouvert ne varie pas dans les mmes proportions, elle reste quasiment identique
mme faible clairement.
0 50 100 150 200 250 300 350
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
X: 259
Y: 3192
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)
0 50 100 150 200 250 300 350
0
2
4
6
8
10
12
14
La tension Vpv (V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

p. 24

Lirradiation standard, internationalement accepte, pour mesurer la rponse des panneaux
photovoltaques est une intensit rayonnante de 1000 W/m
2
et une temprature de 25 C.

Figure 2-15. Caractristique P-V du module
PV selon lclairement.

Figure 2-16. Caractristique I-V du module PV
selon lclairement.
2.5. Influence de la Temprature
En faisant varier la temprature de 25C jusqu 50C, la caractristique (Ipv=f(Vpv)) est
donne par les figures (2. (17,18)). On remarque que la temprature une influence ngligeable sur
la valeur du courant de court-circuit. Par contre, la tension en circuit ouvert baisse assez fortement
lorsque la temprature augmente, par consquent la puissance extractible diminue. Lors du
dimensionnement dune installation, la variation de la temprature du site sera imprativement pris
en compte.

Figure 2-17.Caractristique P-V du module
PV selon la temprature.

Figure 2-18.La caractristique I-V du module
PV selon la temprature.
0 50 100 150 200 250 300 350
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
400 W/m
200 W/m
0 50 100 150 200 250 300 350
0
2
4
6
8
10
12
14
La tension Vpv (V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
400 W/m
200 W/m
0 50 100 150 200 250 300 350
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

25 C
30 C
35 C
40 C
45 C
50 C
0 50 100 150 200 250 300 350
0
2
4
6
8
10
12
14
La tension Vpv (V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

25 C
30 C
35 C
40 C
45 C
50 C

p. 25

2.6. Influence de la rsistance srie
La figure (2.19) montre l'influence de la rsistance srie sur la caractristique I-V de la cellule
qui se traduit par une diminution de la pente de la courbe de puissance P-V dans la zone o la
cellule fonctionne comme gnrateur de tension constante .

Figure 2-19. Caractristique I-V de module PV selon la temprature.
Conclusion:
Dans ce chapitre nous avons prsent la modlisation dune cellule photovoltaque et dune
centrale photovoltaque, les caractristiques du gnrateur PV avec ses performances. Ainsi,
linfluence de quelques paramtres sur ses caractristiques.
Pour le fonctionnement optimal dun systme photovoltaque, il est ncessaire dutiliser un
tage dadaptation entre le gnrateur PV et la charge ou un autre systme que nous allons ltudier
dans le chapitre suivant.
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
2
4
6
8
10
12
14
La tension Vpv(V)
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

Rs
Rs/2
Rs/3
Rs/4

p. 26

Chapitre 03
tage dadaptation dun gnrateur
photovoltaque la charge
3.1. Introduction
La conception dun tage dadaptation permet aujourdhui de relier aisment un gnrateur
photovoltaque (GPV) une charge de type continue (DC), avec un rendement de conversion trs
lev. En fait, le concept de cet tage correspond la modlisation des fonctions basiques idalises
dun convertisseur dcoupage continu-continu (DC/DC). Ce concept est nomm ainsi cause des
liens que le convertisseur cre entre ses quatre grandeurs lectriques sur les ports dentre et de
sortie qui sont ses courants et ses tensions dentre et de sortie [6].
3.2. Connexion directe source-charge
Actuellement, il reste encore beaucoup dapplications o une connexion directe entre un
gnrateur photovoltaque et une charge est effectue. Ce choix est principalement li la simplicit
de lopration et le trs faible degr de fiabilit, d fondamentalement labsence dlectronique,
sans parler dun faible cot. La figure (3.1) montre ce cas de connexion. Si cette charge tait une
batterie, lorsque le module nest pas clair, celui-ci pourrait fonctionner en tant que rcepteur, la
batterie pourrait donc se dcharger sur le gnrateur photovoltaque et en plus lendommager
irrversiblement, Ainsi, pour viter cette situation, la connexion doit tre assure laide dune
diode anti-retour place entre le GPV et la charge. Cette configuration est illustre la figure (3.1).
Linconvnient de cette configuration, cest quelle noffre aucun type de limitation et/ou rglage de
la tension de la batterie. Le transfert de puissance maximale disponible aux bornes du gnrateur
photovoltaque vers la charge nest pas non plus garanti [15].
Charge
+
-

Figure 3-1. Connexion directe source-charge.
CHAPITRE 03 tage dadaptation dun systme photovoltaque la charge

p. 27

3.3. tage dadaptation entre un Gnrateur PV et une charge
Un gnrateur photovoltaque prsente des caractristiques I-V non linaires avec de point de
puissance maximum PPM. Ces caractristiques dpendent entre autre du niveau dclairement et de
la temprature de la cellule. De plus, selon les caractristiques de la charge sur laquelle le GPV
dbite, nous pouvons trouver un trs fort cart entre la puissance potentielle du gnrateur et celle
rellement transfre la charge en mode de connexion directe.
Afin dextraire chaque instant le maximum de puissance disponible aux bornes du
gnrateur photovoltaque et de la transfrer la charge, la technique utilise classiquement est
dutiliser un tage dadaptation entre le gnrateur photovoltaque et la charge comme dcrit dans la
figure (3.2).
Cet tage joue le rle dinterface entre les deux lments en assurant travers une action de
contrle, le transfert du maximum de puissance fournie par le gnrateur pour quelle soit la plus
proche possible de puissance maximale disponible [1].

V
I tage
dadaptation
Charge
+
-
+
-
I1
I2
V1 V2

Figure 3-2. tage dadaptation entre un GPV et une charge.

Ce dernier par le biais dune commande spcifique est alors susceptible de permettre au
gnrateur de dlivrer sa puissance maximale note ; P
max
(
opt opt max
I V P = , o V
opt
et I
opt

reprsentent respectivement les tensions et les courants optimaux du gnrateur photovoltaque,
pour une courbe I-V donne), tout en assurant que la tension ou bien le courant de la charge
correspond bien aux caractristiques de cette dernire.
Pour que le gnrateur PV fonctionne le plus souvent possible dans son rgime optimal, la
solution communment adopte est alors dintroduire un convertisseur statique qui joue le rle
dadaptateur source-charge.
Le rle du convertisseur DC-DC fait fonctionner les modules leur point de puissance
optimale, quelques soient lclairement et la temprature pour dlivrer cette puissance
lutilisation.

p. 28

3.3.1. Convertisseurs DC/DC
Pour la conversion de puissance, il est essentiel que le rendement soit maintenu lev pour
viter la dissipation de la puissance et pour viter les chauffements excessifs dans les composants
lectroniques. Pour cette raison toute la conversion de puissance change doit tre ralise autour
des composants de stockage d'nergie (inductance et condensateurs) et les commutateurs. Les
commutateurs de puissance utiliss dpendent du niveau de la puissance convertir ou
commander. Les MOSFETS (transistors effet de champ d'oxyde de mtal) sont habituellement
utiliss la puissance relativement basse (quelques kW) et les IGBTS (transistors bipolaires
gchette isole) des puissances plus leves. Les thyristors ont t gnralement utiliss et
accepts dans les plus hauts niveaux de puissance [1].
Trois topologies de base de circuit de conversion seront dcrites dans les paragraphes suivants
(DC-DC) : Dans cette partie nous prsentons le principe des trois types de convertisseurs DC/DC
(Buck, Boost et Buck-Boost), utiliss frquemment dans les systmes photovoltaques pour gnrer
les tensions et les courants souhaits. Ce type de convertisseurs n'est constitu que par des lments
ractifs (Selfs, Capacits) qui, dans le cas idal, ne consomment aucune nergie. Cest pour cette
raison qu'ils sont caractriss par un grand rendement [18].
Dans ces tudes, linterrupteur du convertisseur est attaqu par un signal MLI (modulation de
large dimpulsion), avec une frquence Fs fixe et un rapport cyclique D variable.
3.3.1.1. Le hacheur survolteur (Boost) :
Le convertisseur Boost est connu par le nom dlvateur de tension. Le schma de la figure
(3.3), reprsente le circuit lectrique du Boost. Au premier temps (T), le transistor (S) est ferm, le
courant dans linductance croit progressivement, et au fur et mesure, elle emmagasine de
lnergie, jusqu' la fin de la premire priode. Ensuite, le transistor (S) souvre et linductance (L)
sopposant la diminution de courant (I
L
), gnre une tension qui sajoute la tension de source,
qui sapplique sur la charge (R) travers la diode (D).[19]
Vg
S
IL
+
C2
IC
I0
VS
R
+
-
IS
L
-
VL
C1
Ig

Figure 3-3. Circuit lectrique de base du hacheur survolteur.


p. 29

3.3.1.1.1. Modle mathmatique quivalent
Lapplication des lois de Kirchhoff sur les deux circuits quivalents des deux phases de
fonctionnement donne :
Pour la premire priode Ts :
L g
g
1 1 C
I I
dt
dV
C I = =

(3.1)
0
0
2 2 C
I
dt
dV
C I = =

(3.2)
L L g
L
L
I R V
dt
dI
L V = =

(3.3)
Pour la deuxime priode (1-) TS
L g 1 1 C
I I
dt
dVg
C I = =

(3.4)
0 L
0
2 2 C
I I
dt
dV
C I = =

(3.5)
L L 0 g
L
L
I R V V
dt
dI
L V = =

(3.6)
3.3.1.1.2. Modle approxim du convertisseur Boost
Les systmes dquations de base (3. (4, 5,6)) et (3. (7, 8,9)) reprsentent le convertisseur
Boost pour une priode Ts et (1-) Ts respectivement. Le convertisseur oscillant entre ces deux
tats avec une frquence leve, nous devons trouver une reprsentation dynamique approxime
valable pour les deux intervalles de temps. Pour cela nous considrons que la variation des variables
dynamiques C
I
, V
L
est de forme linaire, en dautres termes nous pouvons faire une approche
dexponentielle par un segment ( c
c
+ ~ 1 e si <<1) et ainsi la drive de ces grandeurs sera
constante.
Cette approche nous permet de dcomposer lexpression de la valeur moyenne de la drive
de la variable dynamique x sur les deux laps de temps Ts et (1-) Ts :
s
)
s
T ) 1 ((
s
)
s
T (
s
T ) 1 (
dt
dx
T
dt
dx
T
dt
dx
o o
o o
+ = > <

(3.7)
Ou > <
dt
dx
est la valeur moyenne de la drive de x sur une priode Ts. Cette relation est valide si :
)
S
T (
dt
dx
o
et
)
S
T ) 1 ((
dt
dx
o
sont constants sur les priodes Ts et (1-) Ts respectivement en dautres

p. 30

termes cette approximation est valable si les priodes Ts et (1-) Ts sont trs faibles devant la
constante de temps du circuit C
1
Rg, C
2
Z, L/R
L
[20].
Dans ce cas la forme exponentielle du courant qui parcourt la self et la tension aux bornes de
la capacit est de forme linaire comme le montre la figure (3.4).

X
Xmax
Xmin
Ts
(1- )Ts
Temps
0

Figure 3-4. Allure des variables dynamiques I
L
.
En appliquant la relation (3.7) sur les systmes dquations (3. (1, 2,3)) et (3. (4, 5,6)) on
obtient les quations qui rgissent le systme sur une priode entire :
) I I ( T ) 1 ( T ) I I ( T
dt
dV
C I
L g S S L g S
g
1 1 C
+ = = o o o

(3.8)
) I I ( T ) 1 ( I T T
dt
dV
C I
0 L S 0 S S
0
2 2 C
+ = = o o o

(3.9)
) I R V V ( T ) 1 ( T ) I R Vg ( T
dt
dI
L V
L L 0 g S S L L S
L
L
+ = = o o o

(3.10)
En arrangeant les termes des quations prcdentes, (pour quon puisse interconnecter le
Boost avec les autres blocs de simulation), on obtient la modlisation dynamique du convertisseur
Boost
dt
dVg
C I I
1 g L
=

(3.11)
dt
dV
C I ) 1 ( I
0
2 L 0
= o

(3.12)
L L
L
0
I R
dt
dI
L V ) 1 ( Vg + + = o

(3.13)

3.3.1.1.3. Les ondulations des courants et des tensions
Pour le dimensionnement des diffrents composants du circuit afin de diminuer les
ondulations des courants et des tensions sans faire un surdimensionnement ce qui accrotrait le
poids et le prix des circuits, un calcul de ces composants en fonction des ondulations voulues est
ncessaire. Cette remarque est trs importante pour le dimensionnement de linductance L afin de

p. 31

respecter le courant admissible par le transistor MOSFET S, o dans le cas pratique les ondulations
du courant I
L
sont plus importantes par rapport aux autres ondulations.
En appliquant la relation
dt
dI
L V
L
L
= , et par lapproximation des segments dexponentielles
par des droites, la pente du courant I
L
pendant la premire priode de fonctionnement est donne par
:
L
I R V
L
V
dt
dI
L L g
L L

~ =

(3.14)
A partir de la relation (3.14), la valeur crte crte du courant I
L
est :
S
L L g
L LCC
T
L
I R V
I 2 I o A

~ =

(3.15)
La valeur de linductance L choisir pour certaine ondulation I
L
est :
S
L
L L 0 g
T
I 2
I R V V
L o
A

~

(3.16)
Pour le calcul des capacits C
1
et C
2
, on a :
1
L g
1
1 C
C
I I
C
I
dt
dVg

= =

(3.17)
2
0
2
2 C
C
I
C
I
dt
0 dV
== =

(3.18)
Les valeurs des ondulations crte crte des tensions dentres et de sorties sont :
S
1
L g
1 C CC
1
C
T
C
I I
V 2 V o A

= =

(3.19)
S
2
0
2
C CC
2
C
T
C
I
V 2 V o A

= =

(3.20)
Les valeurs des capacits C
1
et C
2
sont respectivement donnes par :
S
1
C
L g
1
T
V 2
I I
C o
A
=

(3.21)
S
2
C
0
2
T
V 2
I
C o
A
=

(3.22)
3.3.1.1.4. tude en rgime continu
Le rgime continu est obtenu en liminant les drives des variables dynamiques, et en
remplaant ces signaux par leurs valeurs moyennes.

p. 32

Le systme dquations (3. (11, 12,13)) donne :
g L
I I =

(3.23)
L 0
I ) 1 ( I o =

(3.24)
0
V ) 1 ( Vg o =

(3.25)

Comme prsente la figure (3.5), lorsque linterrupteur du transistor (S) est sur la position (on),
le courant de linductance du hacheur augmente linairement et cet instant la diode (D) est
bloque (off).
Et lorsque (S) se met sur la position (off), lnergie emmagasine par linductance est dissipe
dans le circuit (RC) bien que la diode (D) est passante. Les caractristiques de tension et du courant
de charge du convertisseur Boost dans le cas de la conduction continue sont dcrites par la figure
(3.5), comme suit :

VL
IL

IC
0

IS
t
t
t
t
0
DT 2T T
Vg
0
Vg-Vs
-I0

Figure 3-5. Caractristique de la tension et du courant du hacheur survolteur.

On utilise le systme dquations (3. (23,24 ,25)) pour implanter le modle du convertisseur
survolteur figure (3.6), sous lenvironnement MATLAB /SIMULINK on obtient le modle
reprsent par la figure (3.7).

p. 33

Vg S
Iref
+
D
C
IC
I0
VS
R
+
-
IS
L
-
VL
I

Figure 3-6. Circuit lectrique de base du hacheur survolteur.
Les paramtres de simulation dun convertisseur survolteur sont donns dans le tableau suivant.
Tableau 3-1. Paramtres de simulation. [21]
paramtres V
g
(V) I
ref
(A) I0 (A) Is (A) C (F) R
L
()
valeurs 100 6.25 3 0.03 10e-6 0.5

Figure 3-7. Modle de simulation du hacheur survolteur.
Les rsultats de simulation sont illustrs par les figures ci-dessous.

Figure 3-8.a : La tension Vc.

Figure 3.8. b: Le rendement du convertisseur.
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
199.6
199.65
199.7
199.75
199.8
199.85
199.9
199.95
200
Temps (s)
L
a

t
e
n
s
i
o
n

V
c

(
V
)
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
0.9591
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
0.9592
Temps (s)
r
e
n
d
e
m
e
n
t

(
1
0
0
%
)

p. 34

3.3.1.2. Hacheur dvolteur (Buck)
Le hacheur dvolteur, sous sa forme de base est prsent par la figure (3.9). Les composantes
cls sont l'inductance (L), le commutateur (Transistor) (S), la diode (D,) et le condensateur (C).
Celui-ci se charge par le commutateur (S) qui maintient la tension ces bornes jusqu' louverture
ce qui fait dcharger son nergie travers la diode sur la charge pour un cycle de priode de
fonctionnement.
Vi
S
L
IL
+
-
VL
D
C
IC
I0
VS
R
+
-
IS

Figure 3-9. Circuit lectrique de base du hacheur dvolteur.
Le commutateur peut tre un transistor MOSFET ou un IGBT qui peut se commuter sur deux
positions, marche ou arrt rapidement. La tension de la source doit tre plus grande que la tension
aux bornes de la charge. Lquation mathmatique caractrisant le courant de l'inductance est
donne par lquation suivante.
L
V V
t
I
s i

=
c
c

(3.26)
I
L
: Le courant dans linductance
Le processus de commutation est dcrit par la position de linterrupteur (S). Dans le premier
laps de temps (T) le transistor est dans un tat de saturation, alors linductance (L) se charge
dnergie avec augmentation du courant I
L
. Dans le deuxime laps de temps (-1) T, linductance
(L) libre cette nergie la charge avec une diminution de courant I
L
.
En ngligeant la chute de tension travers la diode, le taux de changement du courant est donn
par :
L
V
t
I
i
=
c
c

(3.27)
Lorsque le courant de linductance ne se dcroit pas vers zro avant la commutation du
transistor, le convertisseur fonctionne dans le mode de conduction continu, comme illustr sur la
figure (3.10), et dans ce cas, si la tension de charge dpend seulement de la tension de source et du
rapport cyclique T / T
on
= o , la tension aux bornes de la charge :
i s
V V o =

(3.28)

p. 35

Dans le mode de conduction discontinu le courant de l'inductance sannule dans un cycle de
commutation entre le transistor (S) et la diode. Dans ce cas, la tension de charge dpend d'une
manire plus complexe du rapport cyclique et le courant de la charge, la figure (3.11) montre
comment la tension de charge varie avec le courant de charge. Les caractristiques des courants et
la tension reprsentant le fonctionnement du hacheur dvolteur sont donnes par la figure (3.10) :

Vi-Vs
VL
IL
I0

IC
0

IS
t
t
t
t
0
DT T

Figure 3-10. Caractristique de la tension et des courants
dans le transistor et linductance dun convertisseur Buck.

Conduction
continue
Courant de charge
Conduction
discontinue
Tension
Vi

Figure 3-11.Variation de la tension de charge avec le courant de charge
pour un convertisseur Buck. [20]

p. 36

3.3.1.3. Le convertisseur Buck-Boost
La troisime topologie de base de ce convertisseur est donne par la figure (3.12). Dans ce
dispositif, la tension peut tre augmente ou diminue selon le mode de commutation. Cependant,
La tension de sortie est de signe oppos la tension d'entre.
Tandis que, lorsque le transistor est sur la position (on) le courant dans linductance
augmente, l'nergie est stocke ; et quand le commutateur se met sur la position (off). La tension
travers l'inductance est inverse et lnergie stocke se transfert vers la charge via la diode. Dans ce
cas, lquation de la tension aux bornes de la charge dcrivant le fonctionnement en conduction
continue est donne comme suit:
i s
V
1
V
o
o
=

(3.29)
Le circuit lectrique de base du hacheur dvolteur-survolteur, et les caractristiques du
courant et de la tension de charge sont donnes par la figure (3.12).
Vi
S
D
C
IC
I0
R
+
-
IS IL
+
-
VL L
Vs

Figure 3-12.Circuit lectrique de base du hacheur survolteur/dvolteur.

VL
IL

IC
0

IS
t
t
t
0
DT 2T T
Vi
0
-I0
Vs
t

Figure 3-13.Caractristique de la tension et du courant du Buck-Boost.

p. 37

3.3.2. Adaptateur continu/alternatif DC/AC.
Ce type dadaptation, bien connu galement, fait appel des structures de convertisseurs
continu/alternatif de type onduleur. On peut distinguer aujourdhui trois grands types de structures
utilises en milieu industriel [22] :
les onduleurs source de courant.
les onduleurs source de tension et modulation de largeur dimpulsion.
les onduleurs rsonance.
Le principe de conversion dun onduleur est schmatis sur la figure (3.14) ci-aprs.

VL
L
IL
Vac
1
2
2 1
Iin
+ -
-
+
Iac

Figure 3-14.Circuit lectrique de base dun onduleur.
Pour le premier cas position (1)
ac dc L
V V V =

(3.30)
ac L
I I =

(3.31)
L in
I I =

(3.32)
Pour le deuxime cas la position (2)
ac dc L
V V V =

(3.33)
ac L
I I =

(3.34)
L in
I I =

(3.35)
s s
s s +
=
) Ts t T .( V V
) T t 0 ( ; V V
V
S ac dc
s ac dc
L
o
o

(3.36)
0 V V ) 1 2 ( ) V V ( ) 1 ( ) V V ( dt ) t ( V V
ac dc
s
T
0
ac dc ac dc L
s
T
1
L
= = + = =
}
o o o

(3.37)
dc ac L
V ) 1 2 ( V V = + o

(3.38)

Limplantation de ces quations dans lenvironnement MATLAB/SIMULINK on obtient le
modle reprsent dans la figure (3.15):

p. 38

Les paramtres de simulation dun onduleur sont donns dans le tableau suivant :
Tableau 3-2. Paramtres de simulation. [21]
paramtres V
dc
(V) I
ref
(A) I
S
(A) R
L
() V
rms
(V)
valeurs 391 13.67 0.8 0.05 220

Figure 3-15.Schma de bloc par simulink dun onduleur.

Figure 3-16. Diffrentes courbes des grandeurs transfres par londuleur.
-500
0
500

-20
0
20

0
10
20

0
0.5
1

0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
0
2000
4000
temps(s)

Vac
Iac
Iin
Alpha
Pin
Pout

p. 39

Conclusion
Le fonctionnement du gnrateur photovoltaque un rendement optimal ncessite l'insertion
des convertisseurs statiques (hacheur) entre le gnrateur et le rcepteur (charge) une tension
constante peut tre optimis en ajustant le rapport cyclique afin que le gnrateur puisse
fonctionner R
opt
. Mais pour la connexion avec le rseau ncessite un convertisseur de type
onduleur.

p. 40

Chapitre 04
Techniques de poursuite du point de
puissance maximale MPPT
4.1. Introduction
Le branchement dune charge un gnrateur photovoltaque est le mode de couplage le plus
simple. Le point de fonctionnement dans ce cas se situe lintersection de la droite de charge et de
la caractristique I-V du gnrateur. Ce point ne concide pas avec le point de puissance maximale,
il sensuit une perte de puissance maximale du systme.
Ce problme peut tre rsolu soit par le changement de configuration du gnrateur
photovoltaque, soit par ladjonction dun dispositif de recherche de point de puissance maximale
plac entre le gnrateur et la charge pour assurer ladaptation dimpdance.
Lexploitation optimale de lnergie lectrique disponible aux bornes du gnrateur
photovoltaque peut contribuer la rduction du cot global du systme. Il existe plusieurs
techniques pour satisfaire ce but.
Dans ce chapitre nous allons citer et expliquer diffrentes mthodes de poursuite du point de
puissance maximale et en terminant par notre mthode qui est choisie parmi les prcdent sappelle
perturbation et observation, (P&O : Perturb-and-Observe).
4.2. Suivi de la puissance maximale du gnrateur photovoltaque
La poursuite du point maximum de la puissance (MPPT) est une partie essentielle dans les
systmes photovoltaque. Plusieurs techniques sont dveloppes depuis 1968 dates de publication
de la premire loi de commande de ce type adaptes une source dnergie renouvelable de type
PV. Ces techniques se diffrent entre eux par leur complexit, nombre de capteurs requis, la vitesse
de convergence, cot, rendement et domaine dapplication. [23]
4.3. Principe du MPPT
Par dfinition, une commande MPPT, associe un tage intermdiaire dadaptation, permet
de faire fonctionner un gnrateur PV de faon produire en permanence le maximum de sa
puissance. Ainsi, quels que soient les conditions mtorologiques (temprature et clairement), la
CHAPITRE 04 Technique de poursuite de MPPT

p. 41

commande du convertisseur place le systme au point de fonctionnement maximum (V
mpp
, I
mpp
). [6]
Ladaptation dimpdance est souvent sous forme dun convertisseur DC DC comme
reprsent sur la figure (4.1).
Panneau
photovoltaque
Convertisseur
DC-DC
Charge
Commande MPPT
Pmax
I
Pe Ps
Alpha rapport cyclique

Figure 4-1.Chane de conversion dnergie solaire comprenant une commande MPPT.
4.3.1. Adaptation manuelle de la charge au gnrateur photovoltaque:
Dans cette mthode, le MPP du panneau solaire est dtermin par une srie de mesures ou
thoriquement, dans les conditions normales de fonctionnement. Ensuite les mesures, des valeurs du
courant et de la tension correspondants cette puissance, sont releves. Par la suite la valeur de la
charge correspondante ces valeurs est fixe. [24]
L'avantage de cette mthode est quelle est trs simple. Car aucun circuit additionnel n'est
employ, et la perte de puissance entre le panneau et les batteries est rduite aux pertes dans les
conducteurs. Linconvnient de ce systme est quil ne prend en compte aucun changement
d'insolation ou de temprature qui provoquent bien sr le changement du point de fonctionnement
correspondant la puissance maximale ( V
mpp
et I
mpp
), sans tenir compte des angles d'incidence sur
les panneaux qui sont ngligs. Les effets comme le vieillissement des cellules photovoltaques ou
d'une surface poussireuse du panneau peuvent galement causer une variation du point de
fonctionnement correspondant la puissance maximale.
Par consquent, une mthode plus sophistique pour ladaptation panneau-charge doit tre
trouve si on veut avoir un rendement de puissance plus lev.
Un certain nombre de batteries contrlables sont connectes en srie. Selon la tension
d'opration dsire des modules photovoltaque, le nombre de cellules de batterie en srie peut tre
modifi. On peut aussi en rarrangeant la disposition en srie et parallles des diffrents panneaux
entres eux, l'assortiment entre la charge et les panneaux photovoltaques est amlior. Ceci permet
au systme de ragir aux changements des conditions environnementales telles que la temprature

p. 42

et linsolation et donc de fonctionner plus prs du MPP rel.
Cette approche exige du cblage et des circuits supplmentaires. En plus, l'augmentation ou la
diminution par tapes de la tension de fonctionnement ne permet pas la poursuite prcise du MPP.
Cette approche dans le long terme dgrade la vie des batteries [20]. Ces mthodes pourraient tre
rentables pour des usages avec cellules photovoltaques stationnaires condition de trouver des
systmes ingnieux et conomiques de commande.
4.3.2. Mthodes contre raction de tension :
Dans ce cas on se repose sur la commande de la tension de fonctionnement des panneaux, par
la comparaison de cette tension avec une tension de rfrence. Cela gnre une tension derreur qui
fait varier le rapport cyclique de la commande PWM afin dannuler cette erreur. [20]
Panneau
photovoltaque
Convertisseur
DC-DC
Charge
Gnrateur
PWM
Vref
+/- +/- Rgulateur
Vpanneau

Figure 4-2. Principe de la mthode contre raction de tension avec tension de rfrence.

On a trois types de cette mthode selon la nature de la tension de rfrence (fixe ou variable,
interne ou externe).
4.3.2.1. Rfrence fixe
A cause de la dpendance de la tension du panneau avec lensoleillement et la temprature, la
tension de puissance maximale est dvie, alors la tension de rfrence doit tre corrige pour
diffrents ensoleillements et tempratures au long des priodes de lanne.
Dans cette mthode la tension de rfrence est prdfinie figure (4.2). Elle correspond la tension
moyenne de lintervalle des points des puissances maximales releves par des tests sous diffrentes
conditions densoleillement et de temprature.
Afin de gnrer le maximum de puissance on fait varier simplement les diffrents facteurs de
pondration lors de la mise au point.

p. 43

4.3.2.2. Rfrence en fonction de V
oc

Pour un ensoleillement et une temprature donns la tension qui correspond la puissance
maximale du panneau est exprime comme une fonction linaire de la tension en circuit ouvert du
panneau.
Panneau
photovoltaque
Convertisseur
DC-DC
Charge
Gnrateur
PWM
+/- Rgulateur
Vpanneau
Systme de
dcoupage
Vrf

K
K

Figure 4-3.Principe de la mthode contre raction de tension avec tension de rfrence. [20]
La fonction (V
mpp
=f(V
oc
)) est pratiquement linaire et elle est de forme V
mpp
=K*V
oc
.
Pour cela la tension en circuit ouvert du panneau est prleve rgulirement par le dbranchement
du panneau pour une courte dure pour ajuster la tension de rfrence prcdente par une certaine
proportionnalit gnralement gale 0.77 figure (4.3).
En exploitant cette proprit, on peut traquer en permanence le point de puissance maximale.
Lavantage est que la commande de la tension de fonctionnement du panneau photovoltaque prend
en considration linsolation et la temprature, le vieillissement et l'accumulation de la poussire sur
la surface de cellules.
Linconvnient cest que l'ajustement de la tension de rfrence 77% de la tension vide du
panneau est toujours une fraction fixe, cette mthode ne peut pas tre considre comme un vrai
moyen de poursuite de MPP. L'exactitude de l'ajustement de la tension de fonctionnement la
tension maximum V
mpp
de puissance dpend du choix de cette fraction compare au vrai rapport
V
mpp
/V
oc
.
Un autre dfaut est que l'interruption du fonctionnement du systme avec une certaine
frquence engendre des pertes qui sont estimes par Sullivan et Powers 0,05% de la puissance
maximale disponible. [20]


p. 44

4.3.2.3. Tension de rfrence externe (Cellule pilote)
Pour viter les problmes de la mthode prcdente une cellule pilote est ajoute au panneau
solaire (C'est une cellule photovoltaque simple qui est lectriquement indpendante du reste de la
range). La tension circuit ouvert de cette cellule mesure continuellement va nous donner une
information implicite de la tension en circuit ouvert de lensemble des panneaux solaires, en
multipliant cette tension avec le nombre de cellules en srie. [20]
Cette mthode vite linterruption du systme mais il existe des problmes, car la cellule
pilote utilis comme rfrence pour le comportement de la range n'est pas facile mettre en
application. La superficie des modules photovoltaques et lemplacement de la cellule, font que la
celle ci ne soit pas toujours fidle ce qui est ressentie par le panneau.
Pour limiter cet inconvnient, on place une cellule pilote individuelle pour chaque petit
groupe de panneaux afin de pouvoir estimer le facteur de fonctionnement optimal.
Et comme pour les mthodes prcdentes, celle ci utilise un facteur fixe pour estimer la tension V
mpp

partir de la tension V
oc
ce qui fait que le MPP (Maximum Power Point) nest pas suivi
correctement.
4.3.3. Mthodes contre raction de courant
Par analogie avec les mthodes de contre raction de tension nous avons le schma dcrit par
la figure (4.4). [25]
Panneau
photovoltaque
Convertisseur
DC-DC
Charge
Gnrateur
PWM
+/- Rgulateur
Ipanneau
Systme de
dcoupage
Isc
D
K
K
Rsh1 Rsh2
err

Figure 4-4.Principe de la mthode MPPT courant de rfrence en fonction de I
sc
.


p. 45

Ainsi nous avons les mthodes suivantes :
4.3.3.1. Rfrence en fonction du courant de court-circuit I
CC

Le courant de court-circuit du panneau solaire permet de savoir la valeur du courant optimal
dans lequel doit fonctionner le panneau. Le courant optimal est proportionnel au courant de court
circuit, cette proportionnalit est presque constante en fonction des conditions densoleillement et
de temprature.
La fonction ) I ( f I
CC mpp
= est pratiquement linaire et elle est de forme
CC mpp
I K I = . [25]
Mais gnralement cette mthode tension de rfrence fixe nest pas applicable dans le cas de la
contre raction de courant cause de la grande dviation du courant optimal pour diffrents
ensoleillements et tempratures.
4.3.3.2. Rfrence externe (Cellule pilote)
Dans cette mthode lutilisation dune cellule pilote comme source dinformation de courant
de court-circuit de lensemble des panneaux est impossible par le fait que court-circuiter en
permanence cette cellule cause un chauffement supplmentaire qui va fausser linformation
gnre par cette cellule et emmens sa destruction rapide.
4.3.4. Mthodes contre raction de puissance
Les mthodes contre raction de puissance se bases sur des algorithmes de recherche
itrative pour trouver le point de fonctionnement du panneau afin que la puissance gnre soit
maximale sans interruption de fonctionnement du systme.
La puissance extraite du panneau est calcule partir des mesures de courant I et de tension V du
panneau et la multiplication de ces deux grandeurs I V P =
.

4.3.4.1. Technique de lincrmentation de la conductibilit
Cette mthode sintresse directement aux variations de la puissance en fonction de la tension.
La conductance est une grandeur physique relativement connue : il sagit du quotient de lintensit
par la tension (G=I/V) La conductance incrmentielle est beaucoup plus rarement dfinie, il sagit
du quotient de la variation, entre deux instants, de lintensit par celle de la tension (G = dI / dV).En
comparant la conductance G la conductance incrmentielle G, nous allons chercher le maximum
de la courbe figure (4.5) en cherchant le point dannulation de la drive de la puissance. [26]
Prcisment la puissance en sortie de la source peut scrire :

p. 46

I V P = (4.1)
Dou en crivant la drive :
I
dV
dV
dV
dI
V
dV
dP
+ =

(4.2)
I
dV
dI
V
dV
dP
+ =

I
V
I
V
dV
dP
+ ~
A
A

(4.3)
Donc
Ou
=
V
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
I
A
A
A
A
A
A

(4.4)

Figure 4-5.Caractristiques de fonctionnement de la mthode par incrmentation de conductibilit

Les quations (4.4.b) et (4.4.c) sont employes pour dterminer la direction dans laquelle une
perturbation doit se produire pour dplacer le point de fonctionnement vers le MPP. Cette
perturbation est rpte jusqu' ce que l'quation (4.4.a) soit satisfaite. Une fois le MPP est atteint,
le MPPT continue fonctionner avec cette valeur jusqu' ce qu'un changement de la valeur du
courant soit dtect ; ce dernier rsulte d'un changement au niveau de l'clairement. Quand
l'clairement augmente, le MPP se dplace vers la droite de la tension de fonctionnement. Pour
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)
Vpv Vpv
dP/dV =0
dP/dV >0
dP/dV <0
G<DG
G>DG
=
0
dV
dP
0
dV
dP
0
dV
dP
(a) Au point MPP

(b) A gauche du MPP
(c) A droite du MPP

p. 47

compenser ce mouvement du MPP, le MPPT doit augmenter la tension de fonctionnement. La
mme chose pour le cas contraire, quand l'clairement diminue, le MPPT doit diminuer cette
dernire.
Les valeurs actuelles et prcdentes de la tension et du courant sont utilises pour calculer
(V) et (I). Si V=0 et I=0, alors les conditions atmosphriques n'ont pas chang et le MPPT
fonctionne toujours au MPP. Si V=0 et I>0, alors l'clairement a augment. Ceci exige
lalgorithme d'augmenter la tension de fonctionnement pour retrouver de nouveau le MPP.
Contrairement si I<0, l'clairement a diminu tout en exigeant lalgorithme de diminuer la tension
de fonctionnement. Si le changement de la tension n'est pas nul, les rapports dans les quations
(4.4.b) et (4.4.c) peuvent tre employs pour dterminer la direction dans laquelle la tension doit
tre change afin d'atteindre le MPP.
Si
V
I
dV
dI
(c'est--dire le rapport 0
dV
dP
donc le point de fonctionnement est gauche du MPP.
Ainsi, la tension de fonctionnement doit tre augmente pour atteindre le MPP. De mme, si
V
I
dV
dI
(c'est--dire le rapport 0
dV
dP
le point de fonctionnement se trouve droite du MPP
tout en signifiant que la tension doit tre rduite pour atteindre le MPP. [27]Le schma de la figure
(4.6) montre l'organigramme de l'algorithme INC.

En ralit, cet algorithme est une correction de l'algorithme "P&O" puisqu'il est capable de
calculer la direction dans laquelle la perturbation du point de fonctionnement devrait tre pour
atteindre le MPP, et il peut aussi dterminer l'atteinte du MPP. De plus, dans les conditions de
changement rapide de l'ensoleillement, l'algorithme ne devrait pas prendre la mauvaise direction
comme c'est le cas avec l'algorithme "P&O", et d'ailleurs, il n'oscille pas autour du MPP une fois
qu'il l'atteint. [28]

p. 48

Oui Oui
No
No Oui
Dbut INCCON
Calcule de V(k),I(k)
d V(k)=V(k)-V(k-1)
d I(k)=I(k)-I(k-1)
d V(k)=0
d I(k)=0
d I(k)>0
Vref(k+1)=V(k)+D
Vref(k+1)=V(k)-D
dI/dV=-I/V
dI/dV>-I/V
Vref(k+1)=V(k)-D Vref(k+1)=V(k)+D
Oui
No
No
No
Oui

Figure 4-6. Organigramme de l'algorithme INC.
4.3.4.2. Algorithme perturbation et observation (P&O)
Cest lalgorithme de poursuite du PPM le plus utilis. [20] Comme son nom lindique il est
bas sur la perturbation du systme travers laugmentation ou la diminution de V
ref
ou en agissant
directement sur le rapport cyclique du convertisseur DC-DC, puis par lobservation des effets de ces
perturbations sur la puissance de sortie du panneau. Si la valeur de la puissance actuelle P(k) du
panneau est suprieure la valeur prcdente P (k-1) alors en garde la mme direction de
perturbation prcdente sinon on inverse la perturbation du cycle prcdent. La figure (4.9) montre
l'organigramme de l'algorithme de P&O tel qu'il doit tre implment dans le microprocesseur de
contrle.
Avec cet algorithme la tension de fonctionnement V est perturbe chaque cycle du MPPT.
Ds que le MPP sera atteint, V oscillera autour de la tension idale V
mp
de fonctionnement Ceci
cause une perte de puissance qui dpend de la largeur du pas d'une perturbation simple.
Si la largeur du pas est grande, l'algorithme du MPPT rpondra rapidement aux changements
soudains des conditions de fonctionnement, mais les pertes seront accrues relativement aux
Fin

p. 49

conditions stables ou lentement changeantes.
Si la largeur du pas est trs petite les pertes dans les conditions de stabilit ou lentement
changeantes seront rduites, mais le systme ne pourra plus suivre les changements rapides de la
temprature ou de l'insolation. La valeur pour la largeur idale du pas D dpend du systme, elle
doit tre dtermine exprimentalement.
Un inconvnient de la mthode de P&O est dcrit par Hussein et al. [20].Si une augmentation
brutale de lensoleillement est produite on aura une augmentation de la puissance du panneau,
lalgorithme prcdent ragit comme si cette augmentation est produite par leffet de perturbation
prcdente, alors il continue dans la mme direction qui est une mauvaise direction, ce qui fait quil
sloigne du vrai point de puissance maximale. Ce processus continue jusqu la stabilit de
lensoleillement, moment o il revient vers le vrai point de puissance maximale.
Ceci cause un retard de rponse lors des changements soudains des conditions de fonctionnement et
des pertes de puissance, figure (4.8).
Ces changements atmosphriques sont souvent produits dans les vhicules solaires lors de
leurs passages dans une zone dombre tels que vgtation ou btiments ainsi que le changement de
langle dincidence pour des vhicules en mouvement.

Tableau 4-1.Table de vrit de lalgorithme perturbation et observation.

Perturbation de la tension Observation de la puissance Prochaine Perturbation
Positive (+)
Positive (+)

Positive (+)

Positive (+)

Ngative (-)

Ngative (-)

Ngative (-)

Positive (+)
Ngative (-)

Ngative (-)

Ngative (-)

Positive (+)


p. 50

Figure 4-7.Caractristiques de fonctionnement de la
mthode de P&O.

Figure 4-8. Effet dune augmentation soudaine
de lensoleillement sur la poursuite du PPM.

Dbut
Mesure de V(k),I(k)
Mesure de V(k),I(k)
P(k)=V(k)*I(k)
P(k)=V(k)*I(k)
P(k)=P(k)-P(k-1)
P(k)=P(k)-P(k-1)
P(k)>0
P(k)>0
D(k-1)<D(k)
D(k-1)<D(k)
D(k-1)>D(k)
D(k-1)>D(k)
D(k+1)=D(k)- D
D(k+1)=D(k)- D
D(k+1)=D(k)+D
D(k+1)=D(k)+D
D(k+1)=D(k)- D
D(k+1)=D(k)- D
D(k+1)=D(k)+ D
D(k+1)=D(k)+ D
Oui
Oui
No
No

Figure 4-9.Organigramme de lalgorithme perturbation et observation. [29] [30]
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)
dP/dV <0
dP/dV =0
dP/dV >0
Vpv Vpv
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)
Vpv Vpv
dP/dV =0
dP/dV <0
dP/dV >0
1000 W/m
500 W/m
Fin

p. 51

- Limplantation de cet algorithme sur lenvironnement MATLAB/SIMULINK.

Figure 4-10.Modle de simulation pour lalgorithme perturbation et observation.
4.4. Rsultats de la mthode de perturbation et observation
Cette mthode a la particularit davoir une structure de rgulation simple, et peu de
paramtres de mesure. Il opre en perturbant priodiquement la tension du panneau, et en
comparant lnergie prcdemment dlivre avec la nouvelle aprs perturbation, en suivant
lorganigramme figure (4.5), les rsultats de simulation sont les suivants:

Figure 4-11.Variation de la tension
en fonction du temps.
Figure 4-12.Variation de courant
en fonction du temps.
Dref
1
Al pha
Zero-Order
Hol d2
Zero-Order
Hol d1
Zero-Order
Hol d
Swi tch2
Swi tch1
Swi tch
Memory8
Memory7
Memory6
Memory5
Memory4
Memory3
Memory2
Memory1
Memory
[Dnmoi nDo]
[Dnpl usDo]
[I]
[V]
[dV]
[dP]
[Dnmoi nDo]
[Dnpl usDo]
[Dnmoi nDo]
[Dnpl usDo]
[dV]
[dV]
[dP]
[V]
[I]
[V]
1
-C-
Add
2
I
1
V
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
0
50
100
150
200
250
300
La tension Vpv (V)
Le temps
L
a

t
e
n
s
i
o
n

V
p
v

(
V
)
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
12
12.5
13
13.5
Le temps
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

(
A
)

p. 52

Figure 4-13.Caractristique P-V.

Figure 4-14.Caractristique I-V.

Dans notre travail nous avons dvelopp un algorithme qui rpond notre modle de
simulation, ce dernier est bas sur I
ref
comme un courant de retour. Pour cette raison et avec
initialisation des donnes du modle quil peut fonctionner sans convertisseur de puissance et on
peut trouver les point de puissance maximale selon diffrentes valeurs dclairements.
Dbut
Initialise de
P(k),I(k),,DeltaI=D
Initialise de
P(k),I(k),,DeltaI=D
P(k)=V(k)*I(k) P(k)=V(k)*I(k)
P(k)=P(k)-P(k-1) P(k)=P(k)-P(k-1)
P(k)>0 P(k)>0
I(k-1)<I(k) I(k-1)<I(k)
I(k-1)>I(k) I(k-1)>I(k)
I(k+1)=I(k)- D/2 I(k+1)=I(k)- D/2
I(k+1)=I(k)+D I(k+1)=I(k)+D I(k+1)=I(k)-D/2 I(k+1)=I(k)-D/2 D(k+1)=D(k)+ D D(k+1)=D(k)+ D
Oui
Oui
No
No

Figure 4-15.Organigramme de lalgorithme perturbation et observation.
0 50 100 150 200 250 300
0
2
4
6
8
10
12
X: 260.8
Y: 12.14
La tension Vpv (V) du panneau PV
L
e

c
o
u
r
a
n
t

I
p
v

d
u

p
a
n
n
e
a
u

P
V
0 50 100 150 200 250 300
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500

X: 259.5
Y: 3166
La tension Vpv (V)du panneau PV
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

d
u

p
a
n
n
e
a
u

P
V
Fin

p. 53

- Limplantation de cet algorithme sur lenvironnement MATLAB/SIMULINK est
reprsente par la figure (4.16).

Figure 4-16.Modle de simulation pour lalgorithme P&O.

Les rsultats de simulation obtenus pour Delta I=D = (0.2, 0.02, 0.002) sont :

Figure 4-17.Caractristique P-V
pour D=0.2

pour D=0.02

0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

Oscillation
600 W/m
800 W/m
200 W/m
400 W/m
1000 W/m
Delta I =0.2
0 50 100 150 200 250 300 350
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
La tension Vpv (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
p
v

(
W
)

600 W/m
400 W/m
800 W/m
1000 W/m
D=0.02
200 W/m

p. 54

pour D=0.002.

pour D=0.002.

On constate que lalgorithme P&O rattrape le point optimal pour diffrentes valeurs
dclairement avec une oscillation autour du point de puissance maximale, tel que le pas delta I
gal 0.2. Par contre si on diminue le delta I des valeurs 0.02 et 0 .002 on aura labsence des
oscillations, cest--dire avec une prcision, mais le temps dexcution est long par rapport la
premire valeur de delta I , pour moins des pertes de puissance et avec un temps dexcution
acceptable, on a choisi la valeur 0 .02 qui reprsente le pas de delta I.

0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
L atension V (V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
(
W
)

P = F(V)
200 W/m
400 W/m
600 W/m
800 W/m
1000 W/m
Delta I = 0.002
0 50 100 150 200 250 300
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
La tension V(V)
L
a

p
u
i
s
s
a
n
c
e

P
(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
400 W/m

p. 55
Chapitre 05
Systme photovoltaque connect au
rseau lectrique
5.1. Introduction
Dans ce chapitre nous prsentons deux modles pour un systme photovoltaque connect au
rseau lectrique qui est reprsent sur la figure (5.1) :
Le premier modle montre un systme photovoltaque connect au rseau lectrique travers des
convertisseurs de puissance survolteur DC/DC et dun onduleur DC/AC, dans ce modle on a fix
les conditions mtorologiques tel que (lclairement solaire incident et la temprature), ainsi les
variables de rfrence I
pvref
au cot DC/DC et I
rmsref
au cot DC/AC sont fixs. Le modle est
schmatis sur la figure (5.2).
Le deuxime, cest un modle global ou comportemental, dans ce cas on a utilis le logiciel
MATLAB pour la modlisation des diffrents composants dune centrale photovoltaque connecte
au rseau lectrique ( savoir le modle du gnrateur photovoltaque PV), partir du systme des
quations simules sur lenvironnement MATLAB, on peut dduire les points de puissances
maximales. La rponse dun tel systme dpend dans une grande mesure du lieu gographique, o
linstallation sera ralise et des facteurs alatoires, tels que des conditions atmosphriques
variables (clairement solaire incident, temprature), donnera directement lnergie lectrique
produite par la centrale photovoltaque connecte au rseau lectrique. Le but de la modlisation et
la simulation des composants de la centrale grce au logiciel MATLAB est daider comprendre
les critres de conception et de dimensionnement des systmes PV connects au rseau. Ces
critres permettent de dduire et destimer lnergie lectrique injecte au rseau.

Panneau
PV
Convertisseurs
De Puissance

Rseau
=
=
=
Ipv
Vpv
+
-
Iac
+
-
Vac

Figure 5-1.Systme PV connect au rseau lectrique.
CHAPITRE 05 Systme photovoltaque connect au rseau lectrique

p. 56

5.2. Le premier modle dun systme PV connect au rseau
Les convertisseurs de puissance hacheur et onduleur sont implants pour ces raisons :
Forcer le gnrateur photovoltaque fonctionner au point de puissance maximale.
Produire le courant de sortie I
ac
sinusodale et en phase avec la tension du rseau.
Conversion de puissance avec un rendement plus proche de 100%.
Fournir lnergie stocke pour quilibrer la diffrence entre P
ac
=P
PV
et P
ac
(t).

Panneau
PV
Rseau
Ipv
Vpv
+
-
Iac
+
-
Vac
Hacheur
survolteur
DC/DC
MPPT
=
=
VDC
C
+
-
Onduleur
DC/AC
=

Pac Pac(t)

Figure 5-2.Systme PV connect au rseau lectrique.

Si le systme perd son nergie, il sera dconnect du rseau.
Les quations de la premire partie DC/DC:
pv pv pv
I V P =

(5.1)
I
pvref
=I
mpp
( des conditions mtorologiques donnes)
Le convertisseur hacheur survolteur place le point de fonctionnement du gnrateur
photovoltaque au point maximum MPP, ainsi il augmentera la tension dentre la valeur dsire,
cette dernire chargera le condensateur (C).
Les quations de la deuxime partie DC/AC :
) t sin( V 2 ) t ( V
rms ac
e =

(5.2)
) t sin( I 2 ) t ( I
rms ac
e =

(5.3)
rms rms ac
I V P =

(5.4)
)) t 2 cos( 1 ( I V I V ) t ( P
rms rms ac ac ac
e =
=

(5.5)
pv pv
rms rms
pv
ac
I V
I V
P
) t ( P
= = q

(5.6)
Le courant de rfrence I
rmsref
reprsente la variable de la commande donduleur donn par
lquation (5.7) suivante:

p. 57

ac dc dc dc
rms
pv pv
rmsref
V
I V
I

= q q

(5.7)
Le convertisseur onduleur assure linjection dun courant I
ac
sinusodale en phase avec la
tension du rseau V
ac
, et qui a une amplitude correspondante la valeur du courant I
mpp
au point de
puissance maximale. Ainsi il quilibre la puissance moyenne produite par le panneau
photovoltaque et linjecte dans le rseau travers une loi de commande qui est reprsente par
lquation (5.8) ci-dessous.
ac dc
dc dc
dc ac
P P

= q q

(5.8)
Condensateur de stockage dnergie (C).
Le condensateur quilibre la diffrence entre la puissance moyenne P
dc
et la puissance
instantane P
ac
(t). La frquence de l'ondulation rsultante de tension V
dc
gale deux fois la
frquence de rseau (2 x 50 = 100 hertz), cette dernire dpende de la puissance P
ac
(t) et de la
capacit moyenne C.
Pour calculer la valeur du condensateur (C) on utilise les quations suivantes:
) t 2 cos( P )) t 2 cos( 1 )( t ( P P ) t ( P ) P P (
ac ac ac ac ac pv
e e = = =

(5.9)
Lnergie assure au condensateur pendant le moment o la puissance P
ac
est suprieure de la
puissance P
ac
(t), cest-a-dire le condensateur sera charger partir de la valeur V
dcmin
jusqu' V
dcmax

est reprsente dans la figure (5.3).
Figure 5-3. Tension Vdc.
} }

= = =
2 /
2 /
ac
8 /
ac
T
8 /
ac
T
ac
ac
p
d ) cos(
2
P
) t 2 cos( P E
t
t
e
u u
e
e A

(5.10)
Cette nergie recouvre le changement de l'nergie stocke dans le condensateur :
0 10 20 30 40 50 60
340
360
380
400
420
440
Temps (S)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
d
c
)
DVdc
Pac < Pac (t) capacit (C) est dcharg
Pac > Pac (t) capacit (C) est charg

p. 58

min dc
2
max dc
2
CV
2
1
CV
2
1
E = A

(5.11)
dc dc
min dc max dc
min dc max dc
V CV
2
) V V (
) V V ( C E A A ~
+
=

(5.12)
A partir des quations (5.10, 5.12), on trouve:
On a :
e
A
ac
dc dc
P
V CV = Donc
dc
ac
dc
CV
P
V
e
A =

(5.13)
En fixant la variation de tension V
C
= 10V afin que la tension de sortie soit la moins
ondulatoire possible. On obtient la valeur de la capacit correspondante donne par lquation
(5.14) ci-dessous.
dc dc
ac
V V
P
C
A e
=

(5.14)
On utilise lalgorithme qui est prsent dans le chapitre (4) prcdent, pour calculer les
coordonns des points maximums V
mpp
et I
mpp
selon lclairement donn qui est gale 950 W/m,
pour une tension dentre londuleur gale 391.05 V, qui correspond la valeur du rapport
cyclique gale 0.5. Une puissance moyenne fournit vers le rseau gale (106x30) W et pour une
variation de tension V
dc
=78.91 V on a :
F e 2803 . 3
50 2 05 . 391 91 . 78
3180
C
4
=

=
t

(5.15)

A 6749 . 13
220
54 . 11 7 . 260
I
rmsref
=
=

(5.16)

Pour comprendre la relation entre les puissances (P
ac
, P
ac
(t)) et la tension V
dc
nous avons
simul pour trois valeurs de I
rmsref
diffrentes, on constate que la tension V
dc
est plus stable cest--
dire quelle oscille autour dune valeur bien dfinie, si le courant de rfrence est ajust une
valeur o les puissances sont gales, comme montre la figure (5.4).


p. 59

Figure 5-4.Schma reprsente le bloc de simulation dun systme PV connect au rseau.

Figure 5-5.Tension V
dc
pour diffrent valeurs du courant I
rmsref
.

Figure 5-6. Grandeurs de sortie de londuleur.

0 10 20 30 40 50 60
350
400
450
500
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
0 10 20 30 40 50 60
350
400
450
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
0 10 20 30 40 50 60
300
350
400
450
Temps (s)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
Irmsref=12 A est plus petit , Ppv > Ppc ,Vdc augmente
Irmsref =13.6749 A est ajust Ppv = Ppc Vdc oscille autour de 391 V
Irmsref=15 A est plus grandPpv > Ppc Vdc diminue
0 10 20 30 40 50 60
-500
0
500

0 10 20 30 40 50 60
-20
0
20

0 10 20 30 40 50 60
0
10
20

0 10 20 30 40 50 60
0
0.5
1

0 10 20 30 40 50 60
0
2000
4000
Temps (s)

Vac
Iac
Iin
D
Pso
Pen

p. 60

Si les valeurs dclairement et de temprature sont constantes, lalgorithme MPPT donne un
courant I
pvmpp
, ce dernier force le panneau photovoltaque gnrer une tension V
pvmpp
, cest--dire
le gnrateur photovoltaque fonctionne au point de puissance maximale, la valeur de tension
V
pvmpp
joue le rle dune source dalimentation de convertisseur survolteur, qui augmente cette
tension la valeur V
dc
grce son rapport cyclique.
La commande de londuleur se base sur le courant I
rmsref
x 2 qui reprsente la valeur
maximale du courant sinusodal I
ac
(figure 5-6), qui donnera un courant I
in
grce un rapport
cyclique donduleur. Le courant dentre de londuleur I
in
est celui qui ajuste la valeur de tension
dentr V
dc
. La figure (5-6) illustre les courbes des grandeurs dentres et de sorties de londuleur.
5.3. Deuxime modle dun systme PV connect au rseau
5.3.1. Convertisseurs Continus-Alternatifs
Les convertisseurs Continu-Alternatif se distinguent principalement par la nature de ltage
continu et par le nombre de phases de la source alternative. Si ltage continu est vu comme tant
une source de courant, les convertisseurs continu-alternatif associs sont des onduleurs de courant.
Si ltage continu est vu comme tant une source de tension, les convertisseurs continu-alternatif
associs sont des onduleurs de tension.
Le plus souvent, on utilise deux ou trois phases. Ces convertisseurs continu-alternatif sont
des convertisseurs directs, ils ne sont composs que dinterrupteurs semi-conducteurs, et la nature
de la source continue impose la nature de la source alternative : Les commutateurs du courant sont
connects une source de tension alternative (Figure 5.7) : Les onduleurs de tension sont connects
une source de courant alternative (Figure 5.8).

V
I
ca
cc

Figure 5-7.Onduleur de courant.
V
I
ca
cc

Figure 5-8.Onduleur de tension.


p. 61

5.3.2. Les filtres.
Le filtre L limine les harmoniques de dcoupage presque parfaitement et son comportement
est quasiment idal, lorsquon travaille vide (courant de sortie nul) avec des signaux de
frquences voisines de la frquence fondamentale. [31] Pour pouvoir connecter londuleur de
tension en parallle avec le rseau et rendre son comportement similaire une source de courant, il
est ncessaire dutiliser un filtre de raccordement de la nature inductive (L ou LCL). La fonction de
ce filtre permet dune part de convertir le compensateur en un diple de courant du point de vue du
rseau, et dautre part de rduire la dynamique du courant de faon le rendre plus facile
contrler. Le filtre de type (L) permet de diminuer les harmoniques autour de la frquence de
commutation. Pour obtenir cela, la valeur de cette inductance doit tre relativement leve.
Vdc
ca
cc

Vreseau
L
Vg
I

Figure 5-9.Onduleur de tension avec filtre L.
Tel que R
L
=0.02 et L=0.02 H.
5.3.3. La charge
Nous avons choisi une charge quilibre (R) sur le ct alternatif (AC).
5.3.4. Le rseau lectrique
On reprsente le rseau lectrique de distribution publique damplitude V
rseau
=220 V et de
frquence f=50 HZ.
5.3.5. Modle du dispositif de conditionnement de puissance
Le modle de londuleur sera ralis en considrant les coordonnes du point de puissance
maximale (PPM). I
mpp
et V
mpp
seront considrs comme tant les entres de londuleur. Un modle
du rseau sera introduit pour en tirer la puissance injecte dans le rseau selon un certain profil rel
dclairement et de temprature.

p. 62

5.3.5.1. Modle de la puissance maximale injecte
Les quations (5.17) et (5.18) donnent les coordonnes du PPM nimporte quelle condition
dclairement et de temprature. [32]
( )
ref t
ref
mr mpp
T T K
E
E
I I + =

(5.17)

mpp s
t
V
co
V
cc
mpp cc
t mpp
I R 1 e
I
I I
1 ln V V
(
(
|
|
.
|
\
|
+ =

(5.18)

: Courant d'un module PV au point de puissance maximale [V] ;
: Courant de rfrence d'un module PV au point de puissance maximale [V] avec des conditions
mtorologique de rfrence (E
ref
=1000 W/m et T
C
=25C) ;
E : Ensoleillement [W/m] ;
E
ref
: Ensoleillement de rfrence [E
ref
=1000W/m] ;
K
t
: Coefficient de la variation du courant I
cc
selon la temprature ;
T

: Temprature de la jonction de la cellule [K] ;
T
ref
: Temprature de rfrence de la cellule [K] ;
V
mpp
: Tension d'un module PV au point de puissance maximale [V] ;
V
t
: Tension thermique [V] ;
I
CC
: Courant de court-circuit d'une cellule ou d'un module solaire [A] ;
V
CO
: Tension en circuit ouvert dun module solaire [V] ;
R
S
: Rsistance srie dune cellule ou dun module solaire [].
q
TKB
V
t
=

(5.19)

) 1
I
I
ln(
q
BK
V
0
CC
CO
+ =

(5.20)

(
(
=
)
T
1
n
T
1
(
BK
g
E
3
n
or 0
e )
T
T
( I I

(5.21)

I
or
: Courant de court circuit de la cellule la temprature de rfrence T
n
et lclairement de
rfrence E
ref
.
Les paramtres de simulation sont affichs dans le tableau (5-1) ci-dessous (voir lannexe
(A.2)).


p. 63

Tableau 5-1.Paramtres de simulation.
Paramtre I
mr
(A) K
t
(C/K) I
or
(A) B E
g
Valeur 3.0150 0.0012 7.029010
-008
1.3 1.12

Rsultats de simulation
Les rsultats de simulation pour des entres mtorologiques relles, (clairement et temprature)
sont capts chaque minute pendent une journe au toit de laboratoire de recherche CDER. On a
1440 valeurs dclairement et de temprature, chaque minute en temps rel correspond 0.02s au
cours de la simulation :

Figure 5-10.Profile de lclairement en fonction du temps pour 3 journes.

Figure 5-11. Profile de la temprature en fonction du temps pour 3 journes.
La figure (5-10) ci-dessus reprsente la variation de lclairement pendant toute la journe.
On constate que, il prend sa valeur maximum 1000 w/m autour de midi, nul pour le matin et le
soir, mais la temprature reprsente par la figure (5-11) est faiblement variable, atteint sa valeur
maximale au moment la o lclairement est maximal.
0 5 10 15 20 25 30
0
200
400
600
800
1000
1200
Temps (s)
E
c
l
a
i
r
e
m
e
n
t

W
/
m

journe 1
journe 2
journe 3
0 5 10 15 20 25 30
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
Temps (s)
T
e
m
p
r
a
t
u
r
e

(
C
)

journe 1
journe 2
journe 3

p. 64

Figure 5-12.Schma bloc de simulation de MPP.

Figure 5-13.Courant optimal simul, I
mpp.

Figure 5-14.Tension optimale simule, V
mpp
.
Allure du modle du PPM
En fonction du profil de lclairement pour les 3 journes, nous voyons la variation du
courant et de la tension du PPM. Nous remarquons que le courant du PPM suit le profil de
lclairement et que la tension du PPM varie trs lgrement, par rapport la variation de
lclairement dans les journes, comme montre respectivement les figures (5-13) et (5-14). La
puissance instantane maximale suit la variation du profil de lclairement dans chaque journe
comme montre en figure (5-15).
0 5 10 15 20 25 30
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
Temps (s)
c
o
u
r
a
n
t

I
m
p
p

(
A
)

Impp journe 1
Impp journe 2
Impp journe 3
0 5 10 15 20 25 30
220
240
260
280
300
320
340
Temps (s)
T
e
n
s
i
o
n

(
v
)

Vmpp journe 1
Vmpp journe 2
Vmpp journe 3

p. 65

Figure 5-15.Puissance optimale simule, P
mpp
.
5.3.6. Modlisation de londuleur
Londuleur connect au rseau est spcifi principalement par un courant inject dans le
rseau lectrique produit par le gnrateur photovoltaque caractris par un facteur de puissance
gal 1, cette modlisation est reprsente par la figure (5.16) suivante. [33]
- V
inv
: La composante fondamentale de la tension de sortie de londuleur.
- V
L
: Chute de tension travers linductance de la liaison.
- V
ac
: La tension de rseau.

M1 M3
M4 M2
Chrge
Rseau
Vac
RL
Lf
Vinv
VL
Ig
IL
Is
Vdc

Figure 5-16. Position dun onduleur en pont-H dans la chane PV connecte au rseau.
Supposant que les pertes sont ngligeables, on a :

L ac inv
V V V + =

(5.22)

Tel que toutes les variables sont des vecteurs de la forme:
u j
Ve V =
Donc:
g f ac inv
I jL V V e + =

(5.23)

0 5 10 15 20 25 30
-500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Temps (s)
P
u
i
s
s
a
n
c
e

P
m
p
p

(
w
)

Pmpp journe 1
Pmpp journe 2
Pmpp journe 3

p. 66

Lune des conditions pour laquelle linjection au rseau se fait avec un facteur dunit (FP=1) qui
peut tre dduit dans la figure (5.17), reprsente par lquation (5.24).
e
f
ac inv
g
jL
V V
I

=

(5.24)

Ig Vac

(a)
Ig Vac

VL
Vinv

(b)
Figure 5-17.Diagramme de phase.
La phase ci-dessus dans la figure (5.17 (b)) montre l'importance de la direction de l'coulement du
courant (flux de puissance) peut tre commande par langle de dphasage.
5.4. Simulation dun systme PV connect au rseau travers un onduleur
En raison des capacits informatiques de calcul limites, la commande MLI prend une
longue dure, pour cela on a simplifi le modle de londuleur. Londuleur de pont est modlis en
tant que source de tension commande en tension (figure (5-19)), o le contenu harmonique est
ignor. Dans ce cas l, une commande courante indirecte est employe pour tirer un courant de
rfrence donn par la puissance maximale du gnrateur PV. Ce courant qui doit tre inject dans
le rseau, il est modlis en tant que source de courant commande en courant.
L'importance du courant que londuleur doit imposer est indique par les principes
d'quilibrage de puissance : [33]
max
mpp mpp
g
V
V I 2
I
q
=

(5.25)

Tel que est le rendement dun onduleur considr comme constant.
Le diagramme de bloc de la commande de tension donduleur est donn par la figure (5.18)
ci-dessous :


p. 67

Figure 5-18.Schma de bloc du systme de commande.
Lapproche que nous avons dveloppe est lutilisation de logiciel MATLAB, o les
principales grandeurs mtorologiques telles que la temprature ambiante (Ta) et lclairement (E)
sont introduits comme paramtres dentres. En sortie, toutes les caractristiques lectriques de la
cellule, du module et du gnrateur.
La bibliothque SimPowerSystems du logiciel de simulation MATLAB sera utilise pour
raliser lanalyse comportementale de circuits lectriques correspondant aux modles
mathmatiques des diffrentes parties de la centrale. Ces expressions tant des quations
fonctions variables (tension, courant, temps de simulation) amnent utiliser des sources de
tension et de courant contrles. [34]

Figure 5-19.Modle dun onduleur connect au rseau.


p. 68

5.4.1. Les rsultats de simulation et interprtation.
Le bloc de simulation reprsent sur la figure (5.19) montre le comportement de londuleur
pour un systme photovoltaque connect au rseau lectrique. Celui-ci donne des rsultats des
courbes pour diffrents grandeurs sont illustrs sur les figures ci-aprs.

Figure 5-20.Forme du courant inverti par
londuleur.

Figure 5-21.Forme du courant gnr
par le rseau.
Dans le cas prcis de la centrale du CDER, chacun des trois gnrateurs est form dun
nombre de cellules en srie N
S
de 540 et de branches de modules en parallle N
P
de 4. En tenant
compte des caractristiques techniques de londuleur. La simulation sous MATLAB du modle de
lnergie injecte dans le rseau nous donne des valeurs dnergie de 23.4 kWh, 22 kWh, et 19 kWh
injects dans le rseau pour les trois journes, avec un champ PV de 30 modules de type Isofoton
de 106 WC (Figure. 5-23). Lnergie totale qui sera injecte par les trois gnrateurs au rseau
durant les trois journes sera donc 70.2 kWh, 66 KWh et 57 KWh, respectivement.

Figure 5-22.Forme dnergie produite par le
gnrateur photovoltaque.

Figure 5-23. Forme dnergie invertie par
londuleur.
0 5 10 15 20 25 30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
Temps (s)
c
o
u
r
a
n
t

(
A
)

journe 1
journe 2
journe 3
0 5 10 15 20 25 30
-80
-60
-40
-20
0
20
40
Temps (s)
C
o
u
r
a
n
t

I
r
s
e
a
u

(
A
)

journe 3
journe 2
journe1
00:00 02:30 05:00 07:30 10:00 12:30 15:00 17:30 20:00 22:30
0
5
10
15
20
25
Temps (h)
E
n
e
r
g
i
e

p
r
o
d
u
i
t
e

p
a
r

l
e

p
a
n
n
e
a
u

P
V

(
k
w
h
)

Journe 1
Journe 2
Journe 3
00:00 02:30 05:00 07:30 10:00 12:30 15:00 17:30 20:00 22:30
-5
0
5
10
15
20
25
Temps (h)
E
n
e
r
g
i
e

i
n
j
e
c
t
e

d
a
n
s

l
e

r
s
e
a
u

(
k
w
h
)

Journe 1
Journne 2
Journe 3

p. 69

Figure 5-24 .Comparaison dnergie produite par le gnrateur PV et celle invertie par londuleur
pour les journes 1,2, et 3.

Figure 5-25 .Comparaison du courant photovoltaque simul et mesur au point de puissance
maximale pour les deux journes 1 & 3.

Figure 5-26.Comparaison de la puissance dentre de londuleur simule et mesure pour les deux
journes 1 & 3.
00:00 02:30 05:00 07:30 10:00 12:30 15:00 17:30 20:00 22:30
0
5
10
15
20
25
Temps (h)
E
n
e
r
g
i
e

(
k
w
h
)

Energie invertie par L'onduleur, Journe 1
Energie produite par Le GPV, Journe 1
0 5 10 15 20 25 30
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
Temps (s)
c
o
u
r
a
n
t

I
m
p
p

(
A
)

Impp simul
Impp mesur
1 journe
0 5 10 15 20 25 30
-2
0
2
4
6
8
10
12
Temps (s)
c
o
u
r
a
n
t

(
A
)

Impp simul
Impp sesur
journe 3
0 5 10 15 20 25 30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Temps (s)
p
u
i
s
s
a
n
c
e

(
w
)

Pmpp simule
Pmpp mesure
journe 1
0 5 10 15 20 25 30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Temps (s)
p
u
i
s
s
a
n
c
e

(
w
)

Pmpp simule
Pmpp mesure
journe 3

p. 70

de mtorologiques des conditions rsultats de simulation sont obtenus partir Dans ce qui suit les
la journe 1.
Les compteurs rversibles monophass et triphass, ainsi que lacquisition de donnes
monte en sortie des onduleurs, ont permis de vrifier la valeur simule de lnergie injecte dans
le rseau. La simulation sous le logiciel MATLAB peut tre applique un clairement moyen
mensuel ou annuel pour prdire lnergie injecte mensuellement ou annuellement dans le rseau.
Ce type de prdiction est important lors de ltude de faisabilit dune Centrale Photovoltaque
Connecte au Rseau. Donc il est ncessaire de calculer la puissance moyenne partir de la
puissance instantane dlivre par londuleur comme reprsente la figure (5-27).
- Les paramtres de simulation pour calculer la puissance moyenne sont donns dans le
tableau (5.2) ci aprs :
- En utilisant le bloc d'intgrateur du Temps discret (Discret-Time) au lieu du bloc
d'intgrateur pour crer un systme purement discret.

Tableau 5-2. Paramtres de simulation.
V
max
rendement F D Ts
Valeur 2 *220 0.95 1/0.02 0.02 0.0002

Figure 5-27.Schma bloc du calcul de la puissance moyenne.

p. 71

Figure 5-28.Comparaison de la puissance Pmpp et la puissance moyenne.
( a)

( b)
Figure 5-29.Tension du rseau avec la tension et courant inverti.
La tension de rseau et le courant de londuleur sont prsents sur la mme figure (5-29 (a)).
La forme d'onde du courant inject avec une charge (RL), est clairement sinusodale et en phase
avec la tension du rseau.
5.4.2. Interprtation
Bas sur la considration de la demande quotidienne de charge rsistive gale 20.5 et des
conditions atmosphriques, cette simulation est focalise pour assumer quelques instants tandis que
le systme est prvu pour respecter les modes quotidiens d'opration. Pour raliser cela, et grce
0 5 10 15 20 25 30
-500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Temps (s)
P
u
i
s
s
a
n
c
e

P
m
p
p

(
w
)
,

P
m
o
y
e
n
n
e

(
w
)

Pmpp
Pmoyenne
journe 1
0 10 20 30
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Temps (s)
T
e
n
s
i
o
n

V
r
s
e
a
u

(
V
)

,

C
o
u
r
a
n
t

I
i
n
v
e
r
t
i

(
A
)
15.02 15.04 15.06 15.08
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Temps (s)
Vrseau Iinverti
zoom
0 10 20 30
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Temps (s)
T
e
n
s
i
o
n

V
r
s
e
a
u

(
v
)
,

V
i
n
v
e
r
t
i
e

(
V
)
15 15.02 15.04 15.06 15.08
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Temps (s)
Vinvertie Vrseau
ZOOM

p. 72

Aux profiles des conditions mtorologiques d'irradiation, qui a t augmente graduellement de
zro jusqu' sa valeur maximum dune part et de la temprature dautre part. Les rsultats
appropris sont donns dans les courbes comme montre les figures ci-dessous.

Figure 5-30.Absence du courant I inverti.
La figure (5-30) montre que l'nergie de panneau photovoltaque PV est nulle et le courant
de charge est assur compltement par le rseau. Cette condition se produit habituellement aux
nuits ou aux conditions atmosphriques spcifiques courtes o le panneau photovoltaque PV peut
tre couvert par un nuage.

Figure 5-31.Courant I inverti infrieur celui demand par la charge.
0 10 20 30
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
Temps (s)
C
o
u
r
a
t
s
,

I

r
s
e
a
u

(
A
)
,

I

i
n
v
e
r
t
i

(
A
)
,

I

c
h
a
r
g
e

(
A
)

6.48 6.5 6.52 6.54
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Temps (s)
I inverti
I charge
I rseau
zoom
0 10 20 30
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
Temps (s)
C
o
u
r
a
n
t

I
r
s
e
a
u

(
A
)
,

I

i
n
v
e
r
t
i

(
A
)

,

I

c
h
a
r
g
e

(
A
)
20.5 20.51 20.52 20.53
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Temps (s)

I inverti
I charge
I rseau
zoom

p. 73

La figure (5-31) indique qu'il y a une nergie insuffisante de panneau photovoltaque PV,
par lequel le rseau soit concern pour couvrir cette imperfection d'nergie. Cette condition se
produit habituellement des priodes de bas clairement, en matin tt ou soire en retard.

Figure 5-32.I inverti satisfait le courant demand par la charge.
Dans la figure (5-32) on constate que l'nergie fournie par le gnrateur photovoltaque est
satisfaite l'nergie demand par la charge. Ce cas est ralisable pendant une priode courte o
l'clairement est maximal.

Figure 5-33.Courant I inverti suprieur celui demand par la charge.

0 10 20 30
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
Temps (s)
C
o
u
r
a
n
t

I

r
s
e
a
u

(
A
)
,

I

i
n
v
e
r
t
i

(
A
)
,

I

c
h
a
r
g
e

(
A
)

13 13.02 13.04 13.06
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Temps (s)
I inverti
I charge
I rseau
zoom
0 10 20 30
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
Temps (s)
C
o
u
r
a
t
s
,

I

r
s
e
a
u

(
A
)
,

I

i
n
v
e
r
t
i

(
A
)
,

I

c
h
a
r
g
e

(
A
)

16 16.05 16.1
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Temps (s)
I inverti
I charge
I rseau
zoom

p. 74

La figure (5-33) illustre que l'nergie fournie par le gnrateur photovoltaque PV est plus
grande que celle demande par la charge ;l'nergie excessive est exporte vers le rseau. Les temps
appropris pour celui ont lieu habituellement de midi jusqu' quelques heures aprs.
Conclusion
Dans ce chapitre, les composants proposs de systme sont mis en application dans des
environnements de logiciel MATLAB/SIMULINK. Le comportement dynamique du systme est
tudi, l'aide des outils de ce logiciel, montrant l'interaction entre diffrents paramtres de
panneau photovoltaque PV connect au rseau lectrique. En plus de la recherche dynamique de
comportement, la simulation a montr l'change de flux de puissance entre diffrents composants
du systme pour diffrents modes dopration.

p. 1

Conclusion gnrale
Lamlioration de la tension au bout dun rseau lectrique est une proccupation du
distributeur dlectricit. Dans le rseau BT rural, la qualit de la tension sera inacceptable lorsque
la chute de tension excde 10 %. Parmi les moyens qui amliorent la qualit du rseau, nous citons
le renforcement des sections des conducteurs, linstallation de nouveaux postes MT/BT, etc. Le
raccordement des mini-centrales photovoltaques au rseau lectrique BT, est une solution trs
adopte pour rsoudre ce problme en produisant lnergie lectrique lendroit du dficit.
Ce travail a donc port sur la modlisation et la simulation dun systme : photovoltaque
connect au rseau lectrique au moyen du logiciel MATLAB (Simulink). Nous avons procd
cette tude en cinq tapes : tat de lart des nergies renouvelables appropries (photovoltaque),
la modlisation du systme photovoltaque, les convertisseurs statiques, la mthode de poursuite
de point de puissance maximale et systme photovoltaque connect au rseau lectrique enfin : la
simulation de tout lensemble.
Ltat de lart des nergies renouvelables (photovoltaque) joue un rle prpondrant dans
un tel travail. Nous avons commenc par une tude thorique des caractristiques dune source
primaire (ensoleillement), ensuite nous avons intress aux modes dintgration dun systme
photovoltaque au rseau lectrique.
La modlisation du systme PV consiste la mise en quations des diffrentes parties les
constituant : la source primaire (temprature et ensoleillement), les convertisseurs statiques :
lhacheur survolteur (Boost) et dvolteur (Buck), permettant la commande en tension du panneau
photovoltaque. Il sagit donc doptimiser le traitement global de lnergie lectrique au sein du
systme et en particulier au niveau du gnrateur, en plaant celui-ci chaque instant son point
optimal de fonctionnement grce un systme de poursuite de type MPPT.
De plus, en raison de leur fonctionnement en commutation, ces convertisseurs statiques
sont des gnrateurs de perturbations susceptibles de nuire au bon fonctionnement du gnrateur
tant sur le plan lectrique que nergtique. Sur le plan nergtique, les ondulations de la tension ou
du courant lentre de certains convertisseurs se traduisent par une oscillation du point de
fonctionnement sur la caractristique autour du point de puissance optimale, qui implique une
dgradation de la conversion photovoltaque.
Pour avoir lchange dnergie entre le gnrateur photovoltaque et le rseau lectrique
pendant une journe, il est prfrable de faire une comparaison entre les grandeurs simules et
celles mesures o les conditions mtorologiques (clairement et temprature) sont variables.
CONCLUSION GENERALE
p. 2

En raison des capacits de calcul informatique limit, la commande MLI prend une
longue dure dexcution, pour cela on a simplifi le modle de londuleur. Ce dernier est
modlis en tant que source de tension commande en tension, o le contenu harmonique est
ignor. Dans ce cas l, une commande courante indirecte est employe pour tirer un courant de
rfrence donn par la puissance maximale calcule partir dun systme dquations dpend
directement des profiles des conditions atmosphriques (clairement et temprature) sont capts
au toit du laboratoire de recherche CDER, la puissance cite prcdemment reprsente celle
fournie par le panneau photovoltaque PV.
La simulation sous le logiciel MATLAB peut tre applique un clairement moyen
mensuel ou annuel pour prdire lnergie injecte mensuellement ou annuellement dans le rseau.
Ce type de prdiction est important lors de ltude de faisabilit dune centrale photovoltaque
connecte au rseau. Comme perspective nous aurons tudi limpact de linjection de lnergie
lectrique photovoltaque sur la tension et le courant du rseau lectrique BT.

BIBLIOGRAPHIE

Bibliographie et Webographie
[1] A. Lyes, "Etude de la connexion au rseau lectrique dune centrale photovoltaque,"
UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI OUZOU Mmoire de Magister, 2011.
[2] M. LOPEZ, "CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN SYSTEME DE
CONVERSION," Ecole Doctorale Universit Paris-sud 11 THSE DE DOCTORAT.
[3] Y. PANKOW, "Etude de l'integration de la production dcentralise dans un rseau Basse
Tension.Application au gnrateur photovoltaique," Ecole Nationale Suprieure d'Arts et
Metiers Thse de Doctorat, 2004.
[4] (2006) www.iea.org/papers/2006/birol.pdf.
[5] (2010) http://www.solarserver.de/?gclid=CJWA1ruS-K4CFS4NtAodSzY7xw.
[6] BOUALEM, DENDIB, "Technique conventionnelles et avancce de poursuite MPPT
pour des application photovoltaique : tude compartive.," Universit Ferhat Abbes-Stif
Mmoire de Magister TS4/6338, 2007.
[7] S. NAOUAL, "Modlisation et Extraction Automatique des Paramtres dun Gnrateur,"
Universit Ferhat Abbas de Stif Mmoire de Magister, dpartement d'lectrotechnique,
2010.
[8] Uni. Kassel, Photovoltaic Systems Technology, Kassel, Germany, 2003, www.uni-
Kassel.de/re.
[9] al., S. Zheng , "Study on Improving Output Current Waveform of Photovoltaic Grid-
Connected system," IEEE, pp. 1-5, 2006.
[10] Djarallah, Mohamed, "CONTRIBUTION A LETUDE DES SYSTEMES
PHOTOVOLTAIQUES RESIDENTIELS COUPLES AU RESEAU ELECTRIQUE,"
UNIVERSITE DE BATNA Thse de Doctorat en Science, 2008.
[11] al, J.E. Cotter , "P-Type Versus n-Type Silicon Wafers: Prospects for High-Efficiency
commercial silicon solar cells," IEEE, vol. 53, no. 8, pp. 1893-1901, 2006.
[12] N. Oleksiy, "Simulation, fabrication et analyse de cellules photovoltaques contacts
arrires intrdigits," Ecole Doctorale Thse de Doctorat, 2005.
[13] F. HEROGUEL, "les cellules photovoltaques," Ecole Normale Suprieure, Lyon
Epreuve de projet, 2007.
[14] B. Mohammed, "Modlisation Dun Systme De Captage Photovoltaque autonome,"
Centre Universitaire De Bechar Mmoire de Magister,2008.
[15] A. C. Pastor, "Conception et ralisation de modules photovoltaques lectroniques ,"
Institit National de Science Applique de toulouse Thse de doctorat.
[16] http://wzeu.ask.com/r?t=p&d=eu&s=uk&c=a&app=a16&dqi=&askid=&l=dis&o=38302
770&oo=38302770&sv=0a65290d&ip=29621b59&id=B4011E3025F896AF23B4A41C3
E046CB0&q=Une+cellule+photovolta%C3%AFque+%28ou+photopile%29+est+un+dis
positif+qui+transforme+l%27%C3%A9nergie+lum.
[17] M. Z. F.Z. Zerhouni, "Optimisation dun systme nergie verte avec validation
pratique," Revue des Energies Renouvelables, vol. 11 , no. N1, p. 4149, 2008.
[18] A.Saadi, "Etude comparative entre les techniques doptimisation des systmes de
pompage photovoltaque," Universit de Biskra Mmoire de Magister, 2000.
[19] Mme.OBEIDI,"Commande des hacheurs MPPT par logique floue", Ecole Nationale
Polytechnique Mmoire de Magister, 2006.
[20] AIT-CHEIKH, SALAH MOHAMED, "Etude, Investigation et conception dalgorithmes
de commande appliqus aux systmes photovoltaques," Ecole Nationale Polytechnique
BIBLIOGRAPHIE

Mmoire de Magister, 2007.
[21] http://wzeu.ask.com/r?t=p&d=eu&s=uk&c=a&app=a16&dqi=&askid=&l=dis&o=38302
770&oo=38302770&sv=0a652912&ip=29627603&id=FA5A4B3687844347C8D322E9
D6C05CFD&q=Introduction+to+Power+Electronics+in+PV+Systems&p=1&qs=999&ac
=803&g=516ewZDmzjEtVQ&cu.wz=0&en=te&io=0&ep.
[22] Doncker, Prof. Rik W. , "Power Converter for PV-Systems," Institute for Power
Electronics and Electrical Drives (ISEA) ECPE Seminar: Renewable Energies.
[23] V. D. s. l. d. d. B. Gaiddon, "Les Onduleurs pour Systmes Photovoltaques
Fonctionnement, Etat de lArt et Etude des performances," site internet : www.hespul.org
Rapport , 2007.
[24] M. L. LOUAZENE, "Etude technico-conomique d'un systme de pompage
photovoltaque sur le site de ourgla," UNIVERSITE EL HADJ LAKHDAR - BATNA
Mmoire de Magister, 2008.
[25] T. S. a. K. U. Verachary, "Voltage-based maximum power point tracking control of PV
systems," IEEE Trans. Aerop.Electron, vol. 38, pp. 262-270, 2002.
[26] C. S. B. J. Surya Kumari, "COMPARISON OF MAXIMUM POWER POINT
TRACKING ALGORITHMS FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEM," International Journal
of Advances in Engineering & Technology (IJAET), vol. 1 , no. 5, pp. 133-148, 2011.
[27] R. K. N. G. A. Savita Nema, "Matlab / simulink based study of photovoltaic cells /
modules / array and their experimental verification," INTERNATIONAL JOURNAL OF
ENERGY AND ENVIRONMENT, vol. 1, no. 3, pp. 487-500, 2010.
[28] chihchiang hua, chihming shen, "Study of maximum power tracking techniques and
control of DC/DC converters for photovoltaic power system," Power Electronics
Specialists Conference,PESC 98 Record. 29th Annual IEEE, vol. 1, pp. 86-93, 2002.
[29] A. Oi, "DESIGN AND SIMULATION OF PHOTOVOLTAIC WATER PUMPING
SYSTEM," Mmoire de Master, Presented to the Faculty of California Polytechnic State
University, San Luis Obispo, California , 2005.
[30] F. L. M. S. Issam Houssamo, "Maximum power tracking for photovoltaic power system:
Development and experimental comparison of two algorithms," (elsevier) Contents lists
available at ScienceDirect , 2010.
[31] Zeidane, Bouna Ould, "Contribution to the Study of the Grid Connected Photovoltaic
System," universit de Batna Facult des Sciences de lIngnieur Mmoire de Magister,
2006.
[32] Silvestre, luis castaner and santiago" Modeling photovoltaic systems using Pspice".Book,
Universidad Politecnical Cataluna, Barcelona, Spain.
[33] A. Chouder, S. Silvestre and A. Malek , "Simulation of photovoltaic grid connected
inverter in case of grid-failure," Revue des Energies Renouvelables, vol. 9, no. 4, pp. 285-
296, 2006.
[34] F. Cherfa, A. Chouder, A. Hadj Arab, R. Oussad, F. Chenlo et S. Sylverter,
"Modlisation et simulation des composants de la mini-centrale photovoltaque connecte
au rseau du CDER," Revue des Energies Renouvelables ICRESD, pp. 29-34, 2007.

ANNEXE
p. 1
Annexes
A.1 : Programme pour calculer les rsistances Rs (rsistance srie) et Rp
(rsistance parallle).
for i=1:10

Idm = Isc - Ir - Vdm/Rp; % pn-junction (diode) current at MPP
Io = (Isc-Vocc/Rp)/(exp(Vocc/Vt)-1); % pn-junction reverse saturation
current
Vdm = Vt*log(Idm/Io+1); % pn-junction (diode) voltage at MPP
Rs = (Vdm-Vmpc)/Ir; % cell series resistance
Rd = (Rmpp - Rs)*Rp/(Rp-Rmpp+Rs); % diode incremental resistance at MPP
Idm = Vt/Rd; % diode current at MPP based on incremental resistance
Rp = Vdm/(Isc-Ir-Idm); % cell parallel resistance

end

A.2: Characteristics of a PV module

Manufacturer, model : Isofoton, I_ 106
Availability : Available until2005
Data source : Manufacturer
STC power (manufacturer) Pnom 106 Wp Technology Si-mono
Module size (W x L) 0.652 x 1.308 m Rough module area A module 0.85 m
Number of cells 2 x 36 Sensitive area (cells) A cells 0.75 m

Specifications for the model (manufacturer or measurement data)

Reference temperature TRef 25 C Reference irradiance GRef 1000 W/m
Open circuit voltage Voc 21.8 V Short-circuit current Isc 6.54 A
Max. Power point voltage Vmpp 17.4 V Max. power point current, Impp 6.10 A

ANNEXE
p. 2

One-diode model parameters
Shunt resistance Rshunt 200 Diode saturation current I0Ret 86 nA
Shunt resistance Rserie 0.15 Voc. Temp. Coefficient MuVoc -74 mV/C
Diode quality factor Gamma 1.30
Model results for standard conditions ( STC=25C , G=1000 W/m, AM= 1.5)
Max: power point voltage, Vmpp 17.6 V Max: power point current, Impp 6.03 A
Maximum power Pmpp 106.3 W Max: temper: coefficient, muPmpp -0.44 %/C
Efficiency (/module area) Eff-mod 12.5 fill factor FF 0.746
Efficiency (/cells area) Eff-mod 14.52

A.3 : Description de la centrale PV relle

La centrale photovoltaque connecte au rseau lectrique du Centre de dveloppement
des nergies renouvelables constitue le premier systme PV connect au rseau en
Algrie.
Ce projet est lune des tches raliser du projet de l'Agence Espagnole de Coopration
Internationale (AECI) intitul "centre dexprimentation photovoltaque pour lAlgrie ".

A.3.1 : Description des composants de la centrale PV connecte au rseau
Le synoptique de cette centrale est comme montre la figure (A-1) ci-dessous :

Figure A.1 : Le synoptique de la centrale:

ANNEXE
p. 3
A.3.2 : Gnrateur PV
Le gnrateur photovoltaque est form de 90 modules monocristallins. Ces
modules sont rpartis en trois champs de 30 modules orients de 10 sud ouest avec une
inclinaison de 25 par rapport au plan horizontal.
Chaque module est constitu de 36 cellules PV connectes en srie et deux branches
parallles.
Les caractristiques lectriques du module ISOFOTON 106/12 sont:
Puissance maximale installe 106Wc.
Tension nominale 12 V
La puissance de chaque champ de 30 modules est donc 3180 Wc et la puissance
maximale totale de la centrale sera gale 9540 Wc.
La photo ci-dessous montre le gnrateur PV rparti sur trois champs install sur le toit du
Centre de Dveloppement des Energies Renouvelables.

Figure A.2. Installation du gnrateur photovoltaque sur le toit de CDER.
A. 3.3 : Pyranomtre
Le Pyranomtre est un appareil qui mesure le rayonnement solaire sur le plan
horizontal. Cet appareil est fix proximit des modules PV comme le montre la photo
ci-dessous (Figure A.3) La cellule pilote permet de mesurer le rayonnement solaire sur
le plan des modules

ANNEXE
p. 4

Figure A.3 : Photo du Pyranomtre.

A.3.4 : Cellule pilote
Deux sondes de tempratures sont installes, une sous la cellule pilote pour la
mesure de la temprature de la cellule et lautre proximit du gnrateur PV pour
mesurer la temprature ambiante. La figure (Figure A.4) montre une photo de la cellule
pilote sur le plan des modules photovoltaques.

Figure A.4 : Photo de la cellule pilote

A.3.5 : Armoire de connexion DC
Cette armoire assure la protection entre le gnrateur PV et londuleur. De chacun des
trois champs partants trois cbles, le positif, le ngatif et le neutre qui arrivent dans le local
technique sur cette armoire DC. La figure (A.5) ci dessous est constitue de deux photo, une
montre la face avant de larmoire DC qui comprend deux afficheurs analogiques indiquant le

ANNEXE
p. 5
courant et la tension en sortie du gnrateur PV, et lautre montre le contenu de cette armoire
qui est constitu de fusibles, cblage et varistances.

Figure A.5 : Photo de larmoire DC

A.3.6 : Onduleur
Londuleur est le composant le plus important de la centrale PV connecte au
rseau car il transforme le courant continu issu des modules photovoltaques en courant
alternatif synchronis sur le rseau lectrique. Londuleur utilis est de marque
INGECON Sun 2.5 du fabriquant espagnol INGETEAM. Les caractristiques techniques
les plus importantes sont les suivantes:
Onduleur monophas
Puissance nominale 2500 W
Tension nominale 220V 230 V
Frquence 50Hz
Cos phi =1

Figure A.6 : Photo de la face avant de
londuleur.

ANNEXE
p. 6
A.3.7 : Armoire AC
Cette armoire est constitue de la partie protection, dun compteur dnergie et
dun transformateur de courant. La partie protection se compose de : Des fusibles
Un disjoncteur diffrentiel de type MERLIN GERIN K60NC16 / 400V qui sert la fois de
sectionneur, de disjoncteur (protection contre la surchauffe des circuits) et de
diffrentiel (dtection de courant de fuite).Un disjoncteur magntothermique MERLIN
GERIN 40A/230V.
Le compteur dnergie affiche lnergie cumule depuis la mise en service du
systme, la tension de sortie de londuleur, le courant de sortie de londuleur et la
puissance instantane. Sur la face avant de larmoire AC on dispose de deux afficheurs
analogiques donnant la tension et le courant de sortie de londuleur.
Chaque groupe de gnrateur PV (ensemble de 30 modules PV) est connect une
armoire DC puis londuleur et enfin une armoire AC. De chaque armoire AC nous
sortons avec une phase et un neutre comme le montre la photo ci-dessous (Figure A-7) :

Figure A.7 : Photo de larmoire AC
Les trois neutres sont connects entre eux en toile dans une armoire de
connexion au rseau. Cette armoire est constitue de trois disjoncteurs sur lesquels sont
branches les trois phases comme le montre la photo ci-dessous figure (A.8). la sortie
du disjoncteur les trois phases ainsi que le neutre vont vers trois transformateurs de courant
qui vont permettre de lire les courants de chaque phase grce un compteur dnergie
"SIMEAS".

ANNEXE
p. 7

Figure A.8 : Photo de larmoire de connexion.
A.3.8 : Acquisition de donnes AGILENT
Cet appareil sert mesurer et stocker les donnes suivantes :
- Flux de rayonnement solaire (Pyranomtre et cellule pilote)
- Temprature de la cellule (capteur de temprature)
- Courant et tension fournis par le gnrateur PV
- Courant et tension la sortie de londuleur.
A.3.9 : Local technique
Le gnrateur PV est install sur le toit du dpartement administratif du CDER, les autres
composants sont dans un local technique proximit de ce dernier. La figure ci-dessous
montre une photo du local technique qui comprend les composants dj dcrits ci-
dessus.

Figure A.10 : Locale technique de la centrale PV connecte au rseau de CDER...

:
:
:

:

Rsum
Dans ce mmoire nous avons comme objectif: dtudier, modliser et optimiser la puissance MPPT
exploite dun systme photovoltaque connect au rseau lectrique. Nous avons galement utilise deux modles
de linterconnexion, Le premier est modlis comme un systme photovoltaque connect au rseau lectrique
travers des convertisseurs de puissance survolteur DC/DC, et dun onduleur DC/AC. Le second, cest un modle
comportemental dun systme photovoltaque connect au rseau, qui a t prsent et simul. Le gnrateur
photovoltaque et londuleur monophas sont modliss respectivement, lun laide dun modle mathmatique
qui donne les valeurs de la puissance maximale selon la variation des conditions mtorologiques, et lautre laide
dune source de tension contrle en tension, afin dinjecter un courant sinusodal et destimer ou prdire
lnergie injecte mensuellement ou annuellement dans le rseau.
Ce type de prdiction est important lors de ltude de faisabilit dune Centrale Photovoltaque Connecte au
Rseau.
Mots cls : Modlisation, gnrateur photovoltaque, MPPT, connexion au rseau, hacheur, onduleur.

Abstract
Our objective in this work is: to study, model and optimize exploited power MPPT of photovoltaic system
connected to grid. We also used two models of the interconnection, first is modeled as photovoltaic system
connected to grid through power converters, boost DC/DC and an inverter DC/AC, the second, is a behavioural
model of a photovoltaic system connected to grid, this model is presented and simulated. The photovoltaic
generator and the inverter single-phase current are respectively modeled by using a mathematical model which
gives the values of maximum power according to the variation of the weather conditions, and by a voltage source
controlled in voltage in order to inject a sinusoidal current and to estimate or predict the energy injected monthly
or annually into the network.
This type of prediction is significant at the time of the feasibility study of a Photovoltaic Power station Connected
to the Network.
Key words: Modeling, photovoltaic generator, MPPT, grid connection, chopper, inverter.

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