TEMA 2: EL DIODO

2.1.- Introduccin 2.1.- Introduccin

2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
MATERIAL MATERIAL
ESTRUCTURA
EL DIODO DE UNIN PN
Componente electrnico formado por la
unin de dos materiales semiconductores
de tipo P y de tipo N
MATERIAL
TIPO P
MATERIAL
TIPO N
nodo Ctodo
v
D
ESTRUCTURA
FSICA:
de tipo P y de tipo N.
Permite el paso de la corriente elctrica
en un nico sentido y se opone al paso de
la corriente en el otro sentido. De forma
i
D
nodo Ctodo
+ -
SMBOLO
ELCTRICO:
COMPONENTE
simplificada, la curva caracterstica de un
diodo (I-V) consta de dos regiones (similar a
un interruptor):
i
D
Por debajo de cierta
diferencia de potencial
Dispositivo de 2 terminales: nodo (+) y ctodo (-).
COMPONENTE
REAL:
i
D
diferencia de potencial
(v
D
<V), se comporta
como un circuito abierto
(no conduce, i
D
=0).
Por encima de ella
p ( ) y ( )
Smbolo elctrico: una flecha indicando el flujo
principal de corriente.
v
D
: cada de tensin en el diodo (v
D
= v
nodo
v
ctodo
= v
P
v
N
) (es positiva en el sentido que se indica en
la figura)
Por tanto, su respuesta corriente-tensin
V

v
D
(v
D
>V), se comporta
aproximadamente como
un cortocircuito.
la figura).
i
D
: corriente que circula a travs del diodo (es
positiva en el sentido que se indica en la figura).
(I-V) es NO LINEAL!!!! (en el anlisis de
circuitos con diodos se pueden realizar
aproximaciones que faciliten su resolucin).
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Recta de carga
2.5.- Modelos aproximados del diodo
2.6.- Circuitos rectificadores de onda
2.7.- Circuitos conformadores de onda
2.8.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
2.9.- Otros diodos
TEMA 2: EL DIODO
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
En general, la caracterstica I-V posee tres regiones de funcionamiento:
Polarizacin directa: v
D
>V, i
D
positiva y elevada (D ON).
Polarizacin inversa: v
D
<V, i
D
0 o negativa y reducida (D OFF).
Ruptura inversa: v
D
<<0, i
D
negativa y muy elevada (puede destruir el dispositivo).
Ej.: Caracterstica I-V para un diodo de Si de pequea seal a 300K
Tensin umbral (V

)
Depende del material empleado.
Disminuye con la temperatura
Tensin de ruptura
(voltios-centenares de
Codo
Diferentes escalas !!
Disminuye con la temperatura
aproximadamente 2 mV/K.
(
voltios)
Regin de
polarizacin inversa
i
D
~ nA.
i
D
se duplica cada 10K.
Regin de
ruptura inversa
i
D
aumenta
rpidamente si se
i
D
~ mA.
Tensin umbral (V

) 0,6 V.
Regin de
polarizacin directa
D
p p
supera la tensin
de ruptura.
(

) ,
i
D
muy pequea para v
D
< V

.
i
D
aumenta rpidamente para v
D
> V

.
TEMA 2: EL DIODO
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
Ejemplo: Especificaciones (datasheet) del diodo 1N4148
Valores mnimos,
tpicos y mximos
Condiciones de
las medidas
Temperatura de las medidas
(tensin directa)
las medidas
(corriente de inversa)
(tensin de ruptura)
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
N
D
-N
A
Una unin pn consiste en un cristal semiconductor al cual se le han aadido impurezas
de manera que se obtiene una zona P y otra N:
LA UNIN PN EN EQUILIBRIO (SIN POLARIZACIN)
MATERIAL
TIPO P
MATERIAL
TIPO N
P N
N
D
-N
A
x
nodo Ctodo
p
p=N
A
[10
16
]
n
n=N
D
[10
15
]
Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar fsicamente
la unin, se tendra una distribucin de portadores del tipo:
N
p=n
i
2
/N
D
x
P
[10
5
]
N
n=n
i
2
/N
A
x
P
[ ]
[10
4
]
El elevado gradiente de concentracin hueco electrn a lo largo de la unin inicia un
p n
p
El elevado gradiente de concentracin hueco-electrn a lo largo de la unin, inicia un
proceso de difusin, creando una zona de carga espacial (Z.C.E.) en la zona de unin:
N
x
P N
x
P
Regin P Regin N Z.C.E.
n
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
P N Z.C.E.
Cuando los huecos (mayoritarios) abandonan la regin P dejan tras
de s las impurezas aceptadoras (N
A
) ionizadas no compensadas que
fijas a la red cristalina no pueden abandonar su posicin ( ).
+
+
+
+
(x)
Cuando los electrones (mayoritarios) abandonan la regin N dejan
tras de s las impurezas donadoras (N
D
) ionizadas que fijas a la red
cristalina no pueden abandonar su posicin ( ).
El resultado neto es que la unin metalrgica se rodea de dos
+
+
+
+
E (campo elctrico) +
qN
D
-qN
A
x
+
-
El resultado neto es que la unin metalrgica se rodea de dos
capas con cargas elctricas fijas de distinto signo, dando lugar a una
densidad de carga neta en el lado P igual a qN
A
y a una densidad de
carga neta en el lado N igual a qN
D
.
Este dipolo origina un campo elctrico (E) dirigido desde la zona N
a la zona P que, a su vez, da lugar a componentes de arrastre de
electrones y de huecos que se oponen a los flujos por difusin de
portadores mayoritarios. Se llegar, entonces, a una situacin de
equilibrio cuando las componentes de arrastre y de difusin se
E(x)
x
equilibrio cuando las componentes de arrastre y de difusin se
compensan en cada punto.
El campo elctrico determina un potencial electrstatico
interno variable (denominado potencial interno o built-in potencial,
t d V ) d d l i P l i N t d l
(x)
y representado por V
bi
) desde la regin P a la regin N, estando la
regin N a mayor potencial. Este potencial supone una barrera para
la difusin de portadores mayoritarios.
x
V
bi
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
La carga neta y el campo elctrico confinados en la
Z C E
LA UNIN PN EN EQUILIBRIO (SIN POLARIZACIN V=0)
BC
J
d,n
J
a,n
Z.C.E.
El cristal es elctricamente nulo.
Los portadores mayoritarios son frenados en la
Z.C.E. por el campo elctrico.
qV
bi
BV
p p
Existe una barrera de potencial en la unin para los
portadores mayoritarios: da lugar a una curvatura de
bandas en el diagrama de energas P.E. (Energa
potencial) = qV
J
a,p
J
d,p
qV
bi
potencial) = -qV
bi
.
Sin polarizacin el flujo total de corriente es
nulo:
Regin P Regin N Z.C.E. Existen dos corrientes de signos opuestos que se
compensan:
Portadores mayoritarios que atraviesan la Z.C.E
por difusin (flechas slidas).
Portadores minoritarios que entran en la Z C E y
Ejemplo: Para Si a T=300K, N
A
=10
15
cm
-3
en el lado P y N
D
=10
15
cm
-3
en el lado N:
Portadores minoritarios que entran en la Z.C.E. y
son arrastrados por el campo elctrico (flechas
punteadas).
en el lado P y N
D
10 cm en el lado N:
V
bi
= 0.599 V
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
LA UNIN PN EN POLARIZACIN DIRECTA (V>0)
La tensin externa aplicada, V>0, aparece en la
unin, y reduce la barrera de potencial existente
t l i P N ( t t l
nodo Ctodo
+ -
P N
+ -
entre las regiones P y N (y por tanto, el campo
elctrico y la anchura de ZCE tambin se reducen).
Esta reduccin produce una descompensacin
entre las corrientes de arrastre y difusin existentes
q(V V)
BC
J
d,n J
a,n
V>0
y
en el equilibrio:
La barrera reducida para la difusin de huecos
(electrones) del lado P al N (del N al P) produce
un aumento en la componente de difusin de
qV
q(V
bi
-V)
BV
(V V)
Equilibrio
Con V>0
un aumento en la componente de difusin de
huecos (electrones) sobre el valor de equilibrio.
La componente de arrastre de huecos
(electrones) prcticamente no cambia respecto
al equilibrio.
qV
q(V
bi
-V)
J
a,p
J
d,p
El efecto neto de la polarizacin directa es un
gran incremento de la componente de difusin
de la corriente de portadores mayoritarios (de P
a N) mientras que las componentes de arrastre
Regin P Regin N Z.C.E.
a N), mientras que las componentes de arrastre
permanecen fijas, cerca de sus valores de
equilibrio trmico.
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
LA UNIN PN EN POLARIZACIN INVERSA (V<0)
La tensin externa aplicada, V>0, aparece en la
unin, y aumenta la barrera de potencial existente
t l i P N ( t t l
nodo Ctodo
+ -
P N
+ -
entre las regiones P y N (y por tanto, el campo
elctrico y la anchura de la ZCE tambin aumentan).
Este aumento produce una descompensacin entre
las corrientes de arrastre y difusin existentes en el
BC
J
d,n
J
a,n
V<0
y
equilibrio:
La mayor barrera para la difusin de huecos
(electrones) del lado P al N (del N al P) produce
una reduccin en la componente de difusin de
q(V
bi
-V)
BV
Equilibrio
qV
una reduccin en la componente de difusin de
huecos (electrones) sobre el valor de equilibrio.
La componente de arrastre de huecos
(electrones) prcticamente no cambia respecto al
equilibrio.
qV
q(V
bi
-V)
Con V<0
J
a,p
J
El efecto neto de la polarizacin inversa es una
corriente (de N a P) debida a la componente de
arrastre de portadores minoritarios, cuyo valor es
muy pequeo pues viene limitado por la pequea
Regin P Regin N Z.C.E.
J
d,p
muy pequeo pues viene limitado por la pequea
cantidad de portadores minoritarios generados
trmicamente: la corriente de saturacin (I
s
).
TEMA 2: EL DIODO
2.3.- Fsica del diodo de unin
LA UNIN PN EN POLARIZACIN INVERSA (V<0)
La polarizacin inversa provoca que los portadores mayoritarios se
alejen de la unin dejando descubiertas ms cargas inmviles De ah alejen de la unin, dejando descubiertas ms cargas inmviles. De ah
que el espesor de la ZCE aumente con la tensin inversa. Esta
variacin de carga con la tensin aplicada puede considerarse como un
efecto de capacidad.
Dicha capacidad se puede definir como:
W
1
Dicha capacidad se puede definir como:
C
j
se denomina capacidad de vaciamiento o de la regin de carga
espacial, y representa la variacin de la carga almacenada en la regin
de carga respecto a la variacin de la tensin en la unin.
W
2
>W
1
La carga en la ZCE es similar a la carga almacenada en un
condensador de placas paralelas, pero a diferencia de la capacidad de
la placa metlica paralela, que es constante, la capacidad de
vaciamiento de la unin vara con el voltaje de inversa aplicado (la
id d di i d V li d h ti ) capacidad disminuye cuando V aplicada se hace ms negativa).
Diodo
1N4148
Dielctrico
Placas metlicas
(A: rea de cada placa)
d
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.4.- Otros diodos
Diodo Zener
Diseados para trabajar en la Formados por la unin de un
Diodo Schottky Diodo Varactor
Conocidos como diodos de Diseados para trabajar en la
zona de ruptura.
Caracterstica prcticamente
vertical en la zona de ruptura.
Usados como referencia de
t i (t l i 5%
Formados por la unin de un
metal y un semiconductor.
Tensin umbral menor que en
el diodo standard: V

0.2-0.3 V.
Son ms rpidos que los
di d t d d ti d
Conocidos como diodos de
capacidad variable.
Polarizados siempre en
inversa.
La capacidad que presentan
l t i i d tensin (tolerancia 5% en
tensin de ruptura).
diodos standard: tiempos de
conmutacin on/off y off/on muy
pequeos (~ps).
Usados en aplicaciones de
alta frecuencia (f>300 MHz).
vara con la tensin inversa de
polarizacin.
Usados en circuitos de control
de frecuencia para sintonizacin
en sistemas de comunicaciones. ( )
Anode Cathode
TEMA 2: EL DIODO
2.4.- Otros diodos
Diodo emisor de luz (LED)
LED: Light Emitting Diode.
Emiten luz cuando estn polarizados en directa (V

1,2 - 3,2 V).

L bi i d d d l l i i d f La recombinacin de portadores da lugar a la emisin de fotones.
Encapsulado
Material
La longitudes de onda de la luz emitida depende del material semiconductor (hv=E
G
).
semiconductor
nodo Ctodo
g p (
G
)
Pueden emitir en el espectro visible o en el infrarrojo.
TEMA 2: EL DIODO
2.4.- Otros diodos
Diodo emisor de luz (LED)
Para conseguir diferentes colores se combinan distintos materiales (Ga, As, P, Al, N, etc).
COMPUESTO COLOR (nm) V (V) ( ) ( )
Arseniuro de galio (GaAs)
Fosfuro de indio-galio-arsnico (InGaAsP)
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)
Fosfuro de indio-galio-aluminio (InGaAlP)
C b d ili i (SiC)
Infrarrojo
Infrarrojo
Rojo
Amarillo
Verde
A l
940
1300
750-850
590
560
480
1
1
1.5
1.6
2.7
3 Carburo de silicio (SiC) Azul 480 3
OLED (Organic-LED)
Formado por varias capas de materiales orgnicos (polmeros).
Rojo Verde Azul
Amarillo
El color de la luz depende del tipo de molcula orgnica.
Son ms brillantes, ms delgados, ms rpidos, ms ligeros que los LEDs convencionales.
Tcnicas de aplicacin ms sencillas.
TEMA 2: EL DIODO
2.4.- Otros diodos
Diodo emisor de luz (LED) Aplicaciones
Visualizadores.
Visualizador de 7 segmentos
Semforos.
Mandos a distancia (infrarrojo).
Pantallas LED.
Pixel bsico RGB
(red-green-blue)
Circuito de un pixel
bsico RGB
TEMA 2: EL DIODO
2.4.- Otros diodos
Fotodiodo
Opera siempre polarizado en inversa.
Posee una pequea ventana transparente que permite la entrada de luz. p q p q p
En ausencia de luz la corriente inversa es prcticamente nula (corriente de oscuridad).
Al incidir la luz se generan pares electrn-hueco, que hacen aumentar la corriente de
inversa (efecto fotovoltaico).
Anode Cathode
Clulas solares
Convierten la luz solar en corriente
elctrica mediante el efecto fotovoltaico.
No lleva polarizacin externa.
Se pueden alcanzar eficiencias de hasta Se pueden alcanzar eficiencias de hasta
el 30%, siendo Si y GaAs los materiales
ms adecuados.
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.5.- Recta de carga
El diodo debe cumplir al mismo tiempo su caracterstica tensin-corriente (I-V) y la ecuacin impuesta
por el circuito particular en el que se encuentra el diodo (recta de carga).
OBTENCIN DEL PUNTO DE TRABAJO (Q) DE UN DIODO EN UN CIRCUITO
Recta de carga:
1. Ley de tensiones de Kirchoff: V
SS
= Ri
D
+ v
D
i
D
= - v
D
/R + V
SS
/R (lnea recta)
2. Punto A: i
D
=0 v
D
= V
SS
3. Punto B: v
D
=0 i
D
= V
SS
/R
Punto B
D D SS
4. Conocidos V
SS
y R se representa la recta de carga en la caracterstica tensin-corriente del diodo.
5. La interseccin entre ambas curvas (Q) es el punto de trabajo del diodo.
Curva caracterstica I-V del diodo
Punto de trabajo (Q)
Lnea de carga
Punto A
I
DQ
V
DQ
TEMA 2: EL DIODO
2.5.- Recta de carga
Ejemplos:
Halle el punto de trabajo para el circuito si la curva caracterstica del diodo es la mostrada en la figura.
a) V
SS
= 2 V y R = 100 O.
b) V 15 V R 1 KO b) V
SS
= 15 V y R = 1 KO.
c) Determine cmo afecta a la recta de carga las variaciones
en R. Considere V
SS
= 2 V y R=(200 O, 500 O, 1 KO).
d) Determine cmo afecta a la recta de carga las variaciones
en V
SS
. Considere R= 200 O y V
SS
=(1 V, 2 V, 3 V).
SS
y
SS
( , , )
e) Obtenga el punto de trabajo para V
SS
= 2 V y R = 200 O
cambiando la polaridad del diodo en el circuito.
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
-3 -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.6.- Modelos aproximados del diodo
MODELOS EN GRAN SEAL POLARIZACIN CONTINUA
A - Diodo ideal
El diodo es un conductor perfecto con una cada de tensin cero en directa
i
D
El diodo es un conductor perfecto con una cada de tensin cero en directa.
Si v
D
> 0 el circuito equivalente es (c.c.):
Si v < 0 el circuito equivalente es (c a ):
+
-

+
-

v
D
-V
Z
Si v
D
< 0 el circuito equivalente es (c.a.):
Si v
D
< V
Z
el circuito equivalente es:

D
+
-

+
-
V
Z
Modelo vlido si la cada en
tensin en directa y la corriente
i
D
B - Diodo ideal con tensin umbral
En directa existe una cada de tensin en el diodo igual a la tensin umbral.
+
-
+
-
Z
en inversa son despreciables.
V

v
D
Si v
D
> V

el circuito equivalente es:

Si v
D
< V

el circuito equivalente es (c.a.):

+
-

-V
Z
Si v
D
< V
Z
el circuito equivalente es:
En el caso de diodos Zener
Modelo vlido si la corriente
en inversa es despreciable.
+
-

+
-
V
Z
TEMA 2: EL DIODO
2.6.- Modelos aproximados del diodo
Se divide la caracterstica en tramos que se aproximan mediante lneas rectas
C - Modelo de linealidad por tramos
MODELOS EN GRAN SEAL POLARIZACIN CONTINUA
Se divide la caracterstica en tramos que se aproximan mediante lneas rectas.
Cada tramo se caracteriza por una resistencia, que es el inverso de la pendiente (v
D
/i
D
).
Si v
D
> V

el circuito equivalente es:

+
-

+
-
i
D
Si v
D
< V

el circuito equivalente es:

R
D
+
-
V

V
v
1/R
D
El valor de R
D
es muy reducido mientras que R
I
es muy elevada.
Se puede utilizar un circuito equivalente genrico para directa e inversa utilizando un diodo ideal (DI):
+
-

R
I
V

v
D
1/R
I
Se puede utilizar un circuito equivalente genrico para directa e inversa utilizando un diodo ideal (DI):
+ -
R
D
DI V

DI
R
I
V

TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Convierten una seal alterna en una onda solamente positiva o negativa. Objetivo:
convertir una seal alterna (AC) en continua (DC).
S f Se utilizan en fuentes de alimentacin, cargadores de bateras y voltmetros electrnicos.
A) RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA:
Este tipo de circuitos generan una seal de DC a partir de una seal de AC truncando a
cero todos los semiciclos de una misma polaridad en la seal de AC y dejando igual los cero todos los semiciclos de una misma polaridad en la seal de AC y dejando igual los
semiciclos de polaridad contraria.
Ejemplo:
Durante el semiciclo positivo el diodo conduce y deja
pasar la seal (prcticamente la cada de tensin de la pasar la seal (prcticamente la cada de tensin de la
alimentacin est en bornes de la carga R
L
).
En el semiciclo negativo el diodo est en corte.
Diodo ideal
Diodo
real
Diagrama del circuito
real
Tensin de la fuente en
funcin del tiempo
Tensin de la carga R
L
en
funcin del tiempo
TEMA 2: EL DIODO
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA CON CONDENSADOR DE FILTRADO
Con el circuito anterior se obtiene una seal siempre positiva o siempre negativa, pero
no es continua. no es continua.
Para obtener una seal DC es necesario aadir un condensador de filtrado (C) de valor
elevado.
Formas de onda de la tensin
Diodo ON: C se carga hasta la
Formas de onda de la corriente
tensin de pico.
Diodo OFF: C se descarga
lentamente a travs de la carga (Load).
v
L
(t)
Descarga de un condensador:
V
L
= V
f
+ (V
i
- V
f
)e
-t/RC
La corriente i
D
fluye por el diodo en forma
de pulsos que recargan el condensador.
v
L
(t)
t
V
f
V
i
TEMA 2: EL DIODO
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
La tensin de la carga (v
L
) no es totalmente continua sino que tiene una pequea
componente de alterna, llamada rizado.
RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA CON CONDENSADOR DE FILTRADO
componente de alterna, llamada rizado.
Cuanto mayor sea el condensador menor ser el rizado.
Valor de la tensin de rizado (V
r
):
V
r
= Q/C I
L
T/C
Q: carga que desaparece del C durante
un ciclo de descarga
T: perodo de la tensin alterna
Formas de onda de la tensin
T: perodo de la tensin alterna
I
L
: corriente media en la carga
Tensin media proporcionada
la carga (V ):
Formas de onda de la corriente
la carga (V
L
):
V
L
V
m
- V
r
/2
Tensin inversa de pico:
La tensin de ruptura del diodo debe ser mayor que la mxima tensin inversa de pico
que soporte en el circuito rectificador.
TEMA 2: EL DIODO
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
B) RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA O DOBLE ONDA
Este tipo de circuitos generan una seal de DC a partir de una seal de AC invirtiendo todos
los semiciclos de una misma polaridad para convertirlos a la otra.
Consiste en dos rectificadores de media onda.
Cada uno de los diodos conduce en un semiciclo.
Transformador:
I) Circuito con transformador con toma intermedia
Transformador:
Asla a la carga de la seal de alterna.
Suministra tensiones de alterna desfasadas 180
gracias a la toma intermedia.
Permite ajustar el valor de V
m
modificando la relacin
Diagrama del circuito
de espiras.
Una tensin alterna en el primario induce un campo magntico
que da lugar a una tensin alterna en el secundario.
V / V = N / N = 1/n
La relacin entre el
nmero de espiras
determina la relacin
entre las tensiones.
R tifi
DA ON
(DB OFF)
DB ON
(DA OFF)
DA ON
(DB OFF)
Tensin de salida
V
S
/ V
P
= N
S
/ N
P
= 1/n
n= N
P
/ N
S
Rectifica
la seal
TEMA 2: EL DIODO
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
Circuito con 4 diodos en los que en cada semiciclo solo 2 de ellos conducen:
II) Circuito con puente de diodos
B) RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA O DOBLE ONDA
q
Ciclo positivo de la entrada: los diodos A y B conducen.
Ciclo negativo de la entrada: los diodos D y C conducen.
Filtrado: condensador en paralelo con R
L
de capacidad:
C I T / 2V
Camino de la corriente
en el semiciclo positivo
C I
L
T / 2V
R
(puesto que en un rectificador de onda completa C se descarga slo durante un semiciclo
T/2 antes de recargarse)
en el semiciclo positivo
El transformador asla de tierra la
entrada de alterna del puente
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
CIRCUITOS CONFORMADORES DE ONDA
Transforman una forma de onda en otra.
Se utilizan en generadores de funciones (normalmente para conformar una seal
2.8.1- Circuitos recortadores
Recortan (eliminan) una porcin de la seal de entrada.
Se sitan fuentes de tensin en serie con diodos para
triangular en una onda senoidal).
Se sitan fuentes de tensin en serie con diodos para
modificar la tensin a partir de la cual conducen.
Existen una serie de limitaciones en el valor de R:
R elevada para que la corriente de los diodos sea ~mA
en directa.
R suficientemente pequea para que V sea pequea en R suficientemente pequea para que V
R
sea pequea en
inversa (con corriente inversa de saturacin).
Porcin de v
in
recortada
por el diodo A
Ambos diodos en
Porcin de v
in
recortada
por el diodo B
corte
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
Un diodo Zener trabajando en la zona de ruptura mantiene una tensin de inversa casi
constante
Circuitos recortadores con diodos Zener
constante.
En los circuitos recortadores se pueden sustituir las fuentes de tensin por diodos Zener.
Un diodo Zener se identifica por su tensin de ruptura
Ejemplo: (Para analizar su funcionamiento consideramos una tensin umbral de 0 6 V En Ejemplo: (Para analizar su funcionamiento consideramos una tensin umbral de 0,6 V. En
esas condiciones el resultado es el mismo que el del circuito de la transparencia anterior.)
2 k 2 kO
5,4 V
8,4 V
2 kO
8,4 V
5,4 V
Se puede utilizar un circuito simplificado usando nicamente dos diodos Zener en
,
_
Circuito simplificado
,
_
Se puede utilizar un circuito simplificado usando nicamente dos diodos Zener en
oposicin: a travs de la rama con los diodos Zener no circula corriente (V
o
=V
in
) a no ser
que alguno est en la zona de ruptura.
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
Introducen un nivel de continua a una seal de entrada alterna.
De esta manera limitan el valor mximo o mnimo de la seal a un valor determinado, sin deformar la seal.
2.8.2- Circuitos limitadores (o fijadores de nivel)
Funcionamiento:
Si el recorrido positivo de la seal de entrada (v
in
) intenta forzar un valor de tensin superior a 5V
en la salida, el diodo entrar en conduccin: C se carga con la tensin mxima de la fuente,
incrementando la tensin en el condensador.
S f Si v
in
disminuye de tal forma que el diodo entra en corte:
C y R elevados para una descarga lenta del condensador (t=RC>>>). Esto hace que se pueda
considerar la tensin del C aproximadamente constante (V
C
), es decir, que se comporta
aproximadamente como una fuente de tensin continua de valor V
C
.
La tensin de salida ser la suma (o resta) de la tensin de entrada y V
C
: v
0
(t) = v
in
(t) - V
C
Picos positivos fijados a -5 V
La tensin de salida ser la suma (o resta) de la tensin de entrada y V
C
: v
0
(t) v
in
(t) V
C
Ejemplo:
Circuito que limita los picos positivos a 5V
Diagrama del circuito
Forma de onda de salida para u
in
= 5 sen(et )
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
Consideraciones para el diseo:
Si se consideran diodos reales hay que ajustar el valor de la fuente continua para tener
en cuenta la cada de tensin en el diodo.
E l i d ili di d Z d l f d i En algunas ocasiones se puede utilizar un diodo Zener en vez de la fuente de tensin.
Compromiso en los valores de R y C:
R debe ser elevada para limitar la corriente de los diodos.
C conviene que sea grande para que presente una impedancia baja para la seal de
lt alterna.
RC deber ser elevada para una descarga lenta de C, pero no demasiado para que el
circuito se adapte a reducciones en v
in
. Normalmente RC un orden de magnitud
mayor que el periodo de V
in
.
Variantes de los circuitos limitadores:
Para limitar el pico negativo hay que cambiar la direccin del diodo.
Si para conseguir la tensin de limitacin deseada el diodo est en inversa hay que Si para conseguir la tensin de limitacin deseada el diodo est en inversa hay que
conectar una fuente de tensin de valor adecuado en serie con R, para que el diodo
conduzca y realice su funcin limitadora.
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.8.3- Circuitos reguladores de tensin
Proporcionan una tensin continua constante a la carga, aunque flucte la tensin de
alimentacin (V
SS
) alimentacin (V
SS
).
Regulacin de fuente (o de entrada): medida del cambio en la tensin de carga al
cambiar la tensin de fuente:
Regulacin a plena carga: medida del cambio en la tensin de carga al cambiar la
corriente de carga :
V
sin carga
: tensin en la carga para corriente nula en la carga
V
plena carga
: tensin en la carga para la corriente de carga nominal
Idealmente ambas regulaciones deberan ser cero.
I
carga
V
Regulador
de tensin
Carga
V
carga
Fuente variable
de tensin
g
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
Circuitos reguladores de tensin con diodos Zener
Un diodo Zener trabajando en la zona de ruptura proporciona una tensin casi constante y por tanto
puede ser usado como regulador.
u
carga
La tensin de ruptura Zener debe coincidir con la
tensin de salida deseada.
Existen limitaciones en cuanto al valor de R (elevada
para mantener i
D
~mA) y al valor mnimo de la fuente
Fuente
variable
para mantener i
D
mA) y al valor mnimo de la fuente
variable (mayor que la tensin de salida deseada).
Anlisis del circuito: se utiliza la caracterstica del
diodo Zener y la recta de carga.
Ejemplo 1: Ejemplo 1:
R = 1 kO
Determinar la tensin de salida para
V
SS
= 15 V y V
SS
= 20 V
Recta de carga para
Recta de carga: V
SS
+i
D
R + v
D
= 0
Recta de carga para
V
SS
= 20 V
Recta de carga para
V
SS
= 15 V
v
0
-10 V para V
SS
= 15 V
v
0
-10.5 V para V
SS
= 20 V
Caracterstica del
diodo Zener
0
p
SS
Un cambio de 5 V en V
SS
produce un cambio de slo 0.5 V en v
0
.
Por tanto: Regulacin de entrada = (0.5/5)x100% = 10%
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
Ejemplo 2:
Hallar la tensin en la carga (v
L
) y la corriente de la fuente (I
s
) para V
SS
= 24 V, R = 1.2 kO y R
L
= 6 kO.
Recta de carga: V
SS
+i
D
R + v
D
= 0
SS D D
Circuito regulador con
Zener y carga
Circuito anterior redibujado Circuito con la seccin lineal reemplazada
por su equivalente de Thvenin
Anlisis con la lnea de carga de circuitos complejos con un solo elemento no lineal de 2 terminales:
Elemento
no lineal
1. Se halla el equivalente Thvenin de la parte lineal
del circuito.
Circuito lineal que
contiene fuentes de
Circuito
equivalente
2. En el equivalente Thvenin se usa la recta de
carga y la curva caracterstica del elemento no
lineal para hallar el punto de trabajo.
3. Conocido el punto de trabajo se calculan el resto
tensin, fuentes de
corriente y resistencias
equivalente
de Thvenin
Circuito original Circuito simplificado
3. Conocido el punto de trabajo se calculan el resto
de tensiones y/o corrientes del circuito.
TEMA 2: EL DIODO
2.8.- Circuitos conformadores de onda
1. Clculo del equivalente Thvenin de la parte lineal del circuito:
Circuito con la seccin lineal reemplazada
por su equivalente de Thvenin
2. En el equivalente Thvenin se usa la recta de carga y la curva caracterstica del elemento no lineal
para hallar el punto de trabajo:
Recta de carga: V
T
+i
D
R
T
+ v
D
= 0
3. Conocido el punto de trabajo se calculan el
resto de tensiones y/o corrientes del circuito:
Punto de trabajo:
v
L
= -v
D
= -10 V
I
s
= (V
SS
- v
L
)/R= 11.67 mA
TEMA 2: EL DIODO
2.1.- Introduccin
2.2.- Caracterstica I-V del diodo de unin
2.3.- Fsica del diodo de unin
2.4.- Otros diodos
2.5.- Recta de carga
2.6.- Modelos aproximados del diodo
2.7.- Circuitos rectificadores de onda
2.8.- Circuitos conformadores de onda
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
TEMA 2: EL DIODO
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
En general, el anlisis se divide en dos partes:
1) Anlisis en continua (DC): se determina el punto de trabajo o de operacin en continua (Q). Hay
t t l t NO LINEALES d l di iti
OBJETIVO: Analizar circuitos electrnicos con diodos (dispositivos con respuesta I-V NO LINEAL)
que tener en cuenta los aspectos NO LINEALES del dispositivo.
2) Anlisis en pequea seal de alterna (AC): se analiza la respuesta ante pequeas variaciones en
torno al punto de trabajo, de forma que estas pequeas variaciones garanticen regiones de trabajo lo
suficientemente reducidas como para que las caractersticas del dispositivo sean casi lineales. En
esas condiciones es posible hallar un circuito equivalente en pequea seal: esas condiciones es posible hallar un circuito equivalente en pequea seal:
CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEA SEAL:
Aproximacin analtica de un dispositivo no lineal para su anlisis en seal alterna.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO: RESISTENCIA DINMICA CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO: RESISTENCIA DINMICA
Para una seal alterna reducida en torno al punto de trabajo Q, la
caracterstica I-V es aproximadamente una lnea recta. Por tanto:
Ai
D
, Av
D
: pequeo cambio en i
D
, v
D
a partir de Q debido a la
D
,
D
p q
D
,
D
p
pequea seal de alterna.
(di
D
/dv
D
)
Q
: pendiente de la caracterstica I-V en el punto Q.
La inversa de la pendiente de su curva caracterstica, evaluada en Q, tiene dimensiones de resistencia:
la definimos como resistencia dinmica del diodo:
Y por tanto:
i
d
, v
d
: pequeos cambios de corriente y
tensin a partir de los valores del punto Q.
TEMA 2: EL DIODO
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
LA ECUACIN DE SHOCKLEY
Expresin analtica que relaciona (de forma aproximada) la corriente y la tensin de un diodo:
I
S
: corriente de saturacin (10
-14
A a temperatura T=300K)
(

|
|
.
|

\
|
= 1
nV
v
exp I i
T
D
S D
n: coeficiente de emisin (entre 1 y 2, dependiendo del proceso
de fabricacin del diodo)
V
T
: tensin trmica ( 26 mV a 300K)
T : Temperatura (Kelvin)
K = 1,3810
-23
J/K, constante de Boltzmann.
q = 1,610
-19
C, carga del electrn.
En base a esta ecuacin, podemos obtener la siguiente expresin para la resistencia dinmica de
pequea seal del diodo en el punto Q (V
DQ
, I
DQ
): pequea seal del diodo en el punto Q (V
DQ
, I
DQ
):
(solo vlida para condiciones de polarizacin directa (V
DQ
>>V
T
) )
v
D
, i
D
: tensin y corriente totales instantneas del diodo.
V I : tensin y corriente continua del diodo en el punto Q
NOTACIN:
V
DQ
, I
DQ
: tensin y corriente continua del diodo en el punto Q.
v
d
, i
d
: pequeas seales de tensin y corriente alterna.
TEMA 2: EL DIODO
2.9.- Circuito lineal equivalente de pequea seal
MTODOS DE RESOLUCIN DE PROBLEMAS CON DIODOS
PROBLEMAS CON FUENTES DE TENSIN O CORRIENTE DE CONTINUA
A Si l l d t d l f t d t i i t A. Si se conoce el valor de todas las fuentes de tensin o corriente:
Mtodo de suposicin del estado de conduccin de los diodos.
Suponer un estado de conduccin (ON/OFF) para cada diodo.
Sustituir los diodos por un modelo de gran seal.
Comprobar que la suposicin es correcta (I >0 en ON V <V en OFF ) Comprobar que la suposicin es correcta (I
D
>0 en ON, V
D
<V

en OFF,).
Analizar todas las posibles combinaciones de estados de conduccin de los diodos (2
n
combinaciones posibles, siendo n el nmero de diodos).
B. Si NO se conoce el valor de alguna fuente de tensin o corriente:
Mtodo del clculo de los puntos de transicin de los diodos.
Hallar el mapa de regiones de funcionamiento en funcin del valor de la fuente
desconocida (p. ej. haciendo barrido desde V
in
<<0 hasta v
in

), calculando los puntos de

transicin o de cambio de estado y el estado de cada diodo (ON, OFF, Zener) en cada zona,
y comprobando que las suposiciones realizadas para cada zona son correctas.
Para cada una de las zonas, sustituir los diodos por un modelo de gran seal y calcular la
expresin que se pida (p. ej. v
0
(v
in
),i
0
(v
in
)).
Representar grficamente el resultado.
PROBLEMAS CON FUENTES DE TENSIN O CORRIENTE DE ALTERNA DE PEQUEA AMPLITUD
Utilizar el circuito lineal equivalente en pequea seal del diodo.