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Informe # 1

Parmetros de radiacin de las antenas y oscilador Gunn


RANDY DAVID PAEZ CARDOZO 2007166180
MICHAEL JAVIER DUSAN MUOZ 2006262239
EDNA CAROLINA MENDEZ 2004100927
LISMAR TOBIAS CORDOBA 2007165138
JORGE YESID RIOS 2007269703
Universidad Surcolombiana
Facultad de ingeniera
Ingeniera electrnica
28 de marzo de 2012
1. INTRODUCCION:
- Esta prctica se realiza con el fin de analizar y describir el
comportamiento de un oscilador Gunn, y como a partir de este es posible
simular la caracterstica de voltaje corriente de un diodo Gunn,
describiendo brevemente el montaje realizado y como este describe o
afecta el comportamiento del oscilador Gunn, y de esta manera se
identifican con mayor facilidad los parmetros fundamentales que
caracterizan al diodo Gunn, y finalmente se realiza una comparacin entre
la grafica obtenida experimentalmente y la grafica ideal del diodo Gunn
para comprobar la veracidad y exactitud del montaje y las mediciones
realizadas.
En esta practica tambin se identificaran y analizaran los parmetros
fundamentales de radiacin contenidos en el diagrama de radiacin para 5
tipos diferentes de antenas (Lambda medios, Lambda, 3 Lambda medio,
Yagi y parablica), describiendo brevemente como se identifican cada uno
en el diagrama de radiacin y como pueden ser calculados o estimados
visualmente, y se realizaran comparaciones con los valores caractersticos
nominales de cada una de la antenas para determinar la eficiencia tanto de
los montajes realizados como de las antenas empleadas.

2. OBJETIVOS:
2.1 Objetivo general:
Visualizar y describir el comportamiento del oscilador Gunn y a travs
de la caracterstica voltaje corriente compararlo con la de un diodo
Gunn.
Obtener los parmetros de radiacin de distintos tipos de antenas y a
partir de estos describir el comportamiento de cada una de las
antenas.
2.2 Objetivos especficos:
Realizar y describir el montaje del oscilador Gunn como diodo Gunn.
Obtener la grafica de voltaje corriente del oscilador Gunn y
compararla con una grafica nominal de voltaje corriente de un diodo
Gunn.
Identificar los principales parmetros de radiacin de cada uno de los
diagramas de radiacin y compararlos con los valores nominales de
cada uno de lo tipos de antenas.
A partir del patrn de radiacin calcular el ancho de haz (HPBW) y
compararlo con el valor terico establecido.
3. METODOLOGIA:
3.1 PARAMETROS DE RADIACIN DE LAS ANTENAS
3.1.1 Descripcin de la prctica:
Se procedi a obtener de manera experimental el parmetro de radiacin para 5 tipos
diferentes de antenas, que fueron, lambda medios, lambda, 3 lambda medios, antena
yagi y antena parablica, emitiendo ondas electromagnticas con una trayectoria
constante hacia la antena, mientras que la antena se ubico sobre una plataforma
giratoria que permita irradiar las ondas en todas las direcciones hacia la antena, y
mediante un sistema de adquisicin de datos con interfaz grafica se monitoreaba
continuamente y visualizaba la densidad de potencia radiada, describiendo de esta
manera el diagrama de radiacin.
3.1.2 Marco terico:
Para poder identificar y analizar los parmetros que se describen en un diagrama de
radiacin, se har una pequea descripcin de estos:
Qu es un patrn de radiacin?
- Est definido como una funcin matemtica o una representacin grafica de las
propiedades de radiacin de una antena como una funcin de coordenadas de espacio.
En la mayora de los casos el patrn de radiacin es determinado en la regin de
campos lejanos y es representado como una funcin de coordenadas direccionales.
Los parmetros ms importantes del diagrama de radiacin son:
1. Direccin de apuntamiento: Es la direccin de mxima radiacin, directividad y
ganancia.
2. Lbulo principal: Es el margen angular en torno a la direccin de mxima
radiacin.
3. Lbulos secundarios: Son el resto de mximos relativos, de valor inferior al
principal.
4. Ancho de haz: Es el margen angular en el que la densidad de potencia radiada
es igual a la mitad de la potencia mxima.
5. Relacin de lbulo principal a secundario (SLL): Es el cociente en dB entre
el valor mximo del lbulo principal y el valor mximo del lbulo secundario.
6. Relacin delante atrs (FBR): Es el cociente en dB entre el valor de mxima
radiacin y el de la misma direccin y sentido opuesto.
3.1.3 Desarrollo de la prctica:
- A continuacin se muestran los grficos de los diagramas de radiacin
obtenidos, es importante observar que la magnitud de la potencia radiada
(A) se encuentra en valores de amplitud en relacin con la intensidad de
campo radiado y la tensin en milivoltios, en base a esto se procede a
interpretar los diagramas de radiacin y realizar los respectivos clculos:
- Antena lambda medios:
FIGURA 1: Patrn de radiacin de la antena lambda medios
a. Direccin de apuntamiento: 0
b. HPBW:
80 40 40
26 . 0
22 . 0
26 . 0
22 . 0
tan tan
1 1
+
1
]
1

,
_


+
,
_


abs HPBW
c. SLL:
1 . 1
27875 . 20
3263 . 22
max
max


LS P
LP P
SLL
d. FBR:
1 . 1
27875 . 20
3263 . 22
max
max


Back P
P
FBR
- Antena lambda:
FIGURA 2: Patrn de radiacin de la antena lambda
a. Direccin de apuntamiento: 0
b. HPBW:
64 32 32
32 . 0
2 . 0
32 . 0
2 . 0
tan tan
1 1
+
1
]
1

,
_


+
,
_


abs HPBW
c. SLL:
2714 . 1
33904 . 18
317 . 23
max
max


LS P
LP P
SLL
d. FBR:
2714 . 1
33904 . 18
317 . 23
max
max


Back P
P
FBR
- Antena 3 lambda medios:
FIGURA 3: Patrn de radiacin de la antena de 3 lambda medios
a. Direccin de apuntamiento: 55, 145, 235, 325
b. HPBW:
33 3 . 18 7 . 38 90
8 . 1
6 . 0
5 . 1
2 . 1
tan tan 90
1 1

1
]
1

,
_


,
_

cm
cm
abs
cm
cm
HPBW
c. SLL:
66667 . 1
4 . 2
4
max
max

cm
cm
LS P
LP P
SLL
d. FBR:
1
max
max

Back P
P
FBR
- Antena Yagi:
FIGURA 4: Patrn de radiacin de la antena yagi
a. Direccin de apuntamiento: 180
b. HPBW:
65 . 62 3 . 31 3 . 31
3 . 2
4 . 1
3 . 2
4 . 1
tan tan
1 1
+
1
]
1

,
_


+
,
_


abs HPBW
c. SLL:
8 . 4
1
8 . 4
max
max

cm
cm
LS P
LP P
SLL
d. FBR:
8 . 4
1
8 . 4
max
max

cm
cm
Back P
P
FBR
- Antena Parablica:
FIGURA 5: Patrn de radiacin de la antena parablica
a. Direccin de apuntamiento: 180
b. HPBW:
+
1
]
1

,
_

,
_


tan tan
1 1
abs HPBW
c. SLL:
ALTA MUY
LS P
LP P
SLL _
max
max

d. FBR:
ALTA MUY
Back P
P
FBR _
max
max

3.2 OSCILADOR GUNN:
3.2.1 Descripcin de la prctica:
3.2.2 Marco terico:
3.2.3 Montaje de la plataforma:
FIGURA 6: Montaje y conexiones del oscilador Gunn para obtener la caracterstica V-I
3.2.4 Desarrollo y funcionamiento de la prctica:
El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro de Galio (Ga As) que tiene
caractersticas de resistencia negativa en la zona de trabajo, unida sta a la presencia
de ruido aleatorio y un medio externo, como ser una cavidad resonante, sin usar
contactos de tipo ohmicos con el principio de funcionamiento del denominado efecto
gunn para que se d este efecto, el material semiconductor debe de tener dos bandas
de energa muy cercanas en la banda de conduccin.
permitiendo la generacin de potencia en frecuencias de microondas desde 4 GHz. a
ms de 100 GHz en potencias que van desde milivatios a vatios.
Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden funcionar con bajas
tensiones, entre 3 y 15 voltios, segn diseo. Normalmente son usados para generar
frecuencias de microondas en modos Transversal Elctrico, TE.
El circuito equivalente de un diodo Gunn es el de un capacitor en paralelo con una
resistencia negativa. Para el funcionamiento del oscilador gunn se requiere de tensin
continua, la cual se ajusta en el punto ptimo de operacin del elemento gunn. La
unidad de alimentacin gunn est protegida contra cortocircuitos permanentes y puede
ser regulada. El oscilador gunn se puede modular directamente mediante su tensin de
alimentacin. Para ello el equipo est provisto de una entrada de modulacin externa.
Por medio de esta entrada es posible controlar directamente al oscilador gunn con la
seal de pulsos de reloj del modulador
El funcionamiento del diodo gunn se hace por medio de la tensin, al modo que se
incrementa la tensin en el compuesto antes dicho esto produce transferencia de
electrones hacia la banda de conduccin, al mnimo ms fuerte de la banda con el valle
de mayor energa
A la falta de voltaje aplicado en el semiconductor este empieza oscilar en el dominio del
dipolo o dominio gunn hasta alcanzar un dominio del gunn estable , la mayora de los
electrones ocupan una posicin en el valle de menor energia y los electrones deben de
adquirir la energa faltante por medio de la aplicacin de tensin para pasar del valle de
menor energa (valle central) al de mayor energa (valle satelite) en nuestro caso el
limite entre los valles es de 3.665 voltios con una corriente de 195.15 mA, siendo el
mismo voltaje umbral con una mxima velocidad de electrones y corriente ,despus de
este umbral la corriente y la velocidad de los electrones se decrementa pero con un
incremento de voltaje a esta zona se le llama regin de resistencia diferencial para
voltajes mayores de 3.665 voltios, es importante que el voltaje aplicado al cristal debe
ser el apropiado para permanecer en la regin Resistencia Diferencial Negativa y
poder formar un dominio Gunn estable esta zona es conocida por que el dominio ha
crecido lo suficiente para que tanto los electrones que viajan en uno como en otro
sentido lo hagan a la misma velocidad
Esta zona de resistencia negativa es aprovechada en microondas para
generar oscilaciones autosostenidas Para lograr este objetivo, el diodo es
polarizado con una tensin continua menor pero cercana al umbral inferior
de voltaje de la zona de resistencia dinmica negativa.
Despus de esta regin de resistencia diferencial existe una zona de incremento de
corriente aunque en nuestra grafica le hizo falta datos observables por la falta de poco
muestreo, siendo una zona inestable.
Es importante notar por tanto que la frecuencia de operacin depender de la longitud
de la muestra del cristal que estemos usando y de la cantidad de voltaje aplicado al
cristal, que ser la que afecte la velocidad del dominio.
Esta zona de resistencia negativa es aprovechada en microondas para
generar oscilaciones autosostenidas Para lograr este objetivo, el diodo es
polarizado con una tensin continua menor pero cercana al umbral inferior
de voltaje de la zona de resistencia dinmica negativa.
FIGURA 7: Caracterstica de corriente voltaje del oscilador Gunn
Si en esas condiciones de voltaje constante se produce una pequea
perturbacin al interior del semiconductor tal que altera ligeramente el
campo elctrico, esa diferencial de campo ser suficiente para generar una
resistencia local negativa en una zona del semiconductor. Esta diferencia
espacial de resistencias genera un dipolo al interior del material, el cual
aumenta progresivamente de tamao mientras viaja en forma de onda desde
ctodo a nodo. Dado que el dipolo se orienta paralelamente al campo
externo aplicado, y que ste es forzado a ser constante, la magnitud de
campo fuera del dipolo necesariamente debe decaer, llevando a las
porciones del material situadas fuera del dipolo a valores donde la resistencia
es positiva. Este dipolo, conocido como dominio Gunn, al alcanzar el nodo,
generan un peak de corriente a travs del diodo que eleva
momentneamente el campo, creando con esto un nuevo dipolo en el ctodo
que se comienza a propagar, generando con esto una oscilacin
autosostenida
4. CONCLUSIONES:
- El diagrama de radiacin obtenido para la antena de lambda medios en
comparacin con los dems patrones de radiacin corresponde con la
teora de antenas vista a lo largo de la asignatura, puesto que se puede
observar que sus propiedades de radiacin son las peores de las 5 antenas
analizadas, empezando por una baja directividad que se hace evidente al
calcular la relacin de lbulo principal a secundario (SLL) muy cercana a la
unidad, siendo vagamente superior a la de un radiador isotropito (cuyo
valor es 1), y tambin posee la peor relacin delante atrs (FBR).
- Evidentemente y en correspondencia con la teora de antena, los
diagramas de radiacin analizados demuestran que la antena parablica
posee por un margen amplio la mejor directividad, ganancia y relacin
delante atrs de todas las antenas analizadas, y por lo tanto esta es ideal
para aplicaciones en donde la interferencia hacia atrs es crtica en la
eleccin de la antena.
- Los valores del ancho de haz para cada uno de lo tipos de antenas
corresponden con los valores nominales establecidos, demostrando la
veracidad de lo experimentos realizados y el correcto funcionamiento de
las antenas y del software de adquisicin de datos.
- La corriente de oscilacin generada por los electrones es amplificada, hasta
llegar a un estado e la energa dentro de la NDR sea igual a la disipada por la
resistencia, esto se puede entender mediante el concepto de resistencia
negativa.

- No existe el concepto de resistencia negativa, debido a que la resistencia esttica es
siempre positiva, lo que existe es la resistencia diferencial negativa.