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Modelo de Transistores: Circuitos de Polarizacin

VAMOS A EXPLICAR EN ESTE ARTICULO LOS CIRCUITOS BASICOS DE POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES PARA CONDICIONES REALES. TENDREMOS EN CUENTA LOS DIFERENTES PARAMETROS INVOLUCRADOS Y DEJAREMOS EL "TERRENO SEMBRADO" PARA PODER AVANZAR EN LA EXPLICACION DE PARAMETROS HIBRIDOS, TEMA QUE ABORDAREMOS EN LA PROXIMA EDICION. Por Arnoldo Galetto
En la Fig. 1 podemos ver a un amplificador de emisor comn con polarizacin fija. Este es el mtodo ms simple para establecer el punto Q de operacin apropiado, pero tiene la desventaja de una estabilidad relativamente pobre para mantenerlo y adems requiere de dos fuentes de alimentacin. En el circuito de Fig. 1, IB se mantiene constante. Los resistores de emisor RE y base RB se usan primariamente para minimizar las variaciones en la resistencia de entrada del transistor. Las ecuaciones de este circuito son:
IC = IB + ( + 1)ICO IC = I E I B VBB = I E RE + IB RB

de ICO haciendo S = dIc/dIc obtendremos:

S= RE + RB R E + RB (1 )

[15]

Despejando tenemos:
IC =

VBB + I CO (RE + RB ) RE + RB (1 )

[14]

Si diferenciamos [14] respecto

S se llama factor de estabilidad de corriente. La ventaja de este factor radica en que con l es posible tener una medida de la estabilidad de distintos tipos de circuitos. Para ilustrar este punto, supongamos que tenemos un circuito sin estabilizar en el cual S = 50, de tal modo que una Ic de 20A. se transforma en el circuito de colector en una Ic de 1000A. Ahora supongamos que en el circuito de Fig. 7 tenemos RB = 1k, RE = 10k, y que = 0.98. Substituyendo estos valores en [15] tenemos:
S= 1000 + 10000 11 * 104 . = 9.2 1000 + 10000(0.02) 1.2 *103

1
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Ahora para una variacin de:

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MODELO
Ico = 20A; La variacin de Ic, ser: Ic = 184A

DE

TRANSISTORES

PA R A

BAJAS SEALES

La mejora ha sido notable. En cuanto menor es el valor de S, mayor es la estabilidad del punto de operacin; el valor ptimo es la unidad. Una vez que sabemos lo que podemos esperar de la variacin de Ic podremos determinar si esa variacin es permisi2 ble en una aplicacin dada. Examinando la ecuacin [15] vemos que podemos minimizar el efecto del trmino (1 - ) en el denominador de la misma y hacer a RB lo ms grande posible con respecto a RB.(1 - ) . De hecho si pudiramos hacer a RE lo bastante grande, el efecto de (1 - ) quedara prcticamente eliminado, pero en la prctica el valor de RB se encuentra limitado por el tipo de fuente de polarizacin utilizado. Si el circuito usa una fuente VBB separada, el valor de RB puede ser sustancialmente mayor que en aquellas aplicaciones donde slo se encuentra disponible una sola fuente para la base y el colector.

IC = I E I B IC = IB + ( + 1)I CO IB = I1 I2 VBB = I1 R1 + I2 R2 I2 R2 I E RE = 0

primero con la [17] y luego con la [18], as podremos apreciar la diferencia entre ambas que resulta de la simplificacin, y tambin en cunto ha mejorado S, respecto al circuito anterior. Por [17]

donde I1 es la corriente a travs de R1 e I2 es la corriente por R2. Despejando Ic en estas ecuaciones, obtenemos:

S=

21 * 107 . 18 . 112 107 . 2 *103 1.9 1.02 *103

IC =

RVBB + ICO [RE ( R1 + R2 ) + R1R2 ] 2 RE (R1 + R2 ) + (1 ) R1R2

Por [18] S =

[16] Hasta ahora hemos aprendido a calcular el factor de estabilidad para algunos circuitos. Vamos a ver el circuito de emisor comn desde un punto de vista algo distinto y a calcular los valores del divisor de tensin que alimenta la base y veremos luego un ejemplo que nos ayude a fijar los conceptos aprendidos. En la Fig. 9 vemos un circuito de polarizacin bsico. Recordemos que:
IB = IE hFE + 1

de [16] derivamos S, como hicimos antes:

S=

Polarizacin con una sola fuente

Tenemos el circuito en la Fig. 8, se ha eliminado a la fuente VBB y la base se alimenta desde un divisor de tensin de la fuente de colector. Las ecuaciones necesarias para describir la accin de este circuito son:

RE (R1 + R2 ) + RR2 ! RE (R1 + R2 ) + (1 )R1R2

[17]

Si asumimos queR1>>R2 como suele suceder en la prctica, la [17] puede simplificarse, y nos queda:
S= RE + R2 RE + R2 (1 )

[18]

Si R1 = 5.R2, o mayor, el error que se produce en S es despreciable. Calculemos ahora a S dos veces,

I C = hFE I B + (hFE + 1) I CBO

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MODELO
I E = IC + I B

DE

TRANSISTORES
VB = (

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sature en condiciones de seal de entrada mxima. Tenemos: IEmx. = 2,2mA; IEmn. = 1,8mA; 1) Determinamos los valores de e hFE m. y hFEmx.. Por el manual sabemos que hFE vara de 150 a 300 para una temperatura de 25C, cuando Ic = 2mA y VCE = 5V. De las curvas del transistor sacamos la variacin de hFE, a 0C debemos multiplicarlo por el coeficiente 0.8 y para 50C es de 1.2. Luego el hFEmn = 0.8*150 = 120 a 0C y hFEmx. = 1.2*300 = 360 a 50C. 2) La variacin de VBE con la temperatura puede obtenerse directamente de las curvas, o si se conoce el coeficiente de variacin de VBE con la temperatura puede calcularse con facilidad. Supongamos que el coeficiente es de 1.3 mV/C, para una variacin de temperatura de 50 C tenemos:
BE

Reemplazando en esta ltima a Ic por su igual, nos da para IB:

I E = ( hFE + 1)( I B + ICBO )

RB + RE ) IE max + VBE min [24] hFE max + 1

[19] [20]

VB = (

RB + R )I + V I R hFE + 1 E E BE CBO B

De [10] y [11] podemos deducir el valor apropiado de RB: (I max I E )RE + VBE min VBE max RB = E I min I max [25] ( E + 1) ( E + 1) hFE min hFE max Veamos ahora con un ejemplo la utilidad de la [25]. Supongamos que deseamos disear una etapa a emisor comn, para que funcione dentro de un rango de temperaturas que va de 0C a 50C, y que la corriente de emisor sea de 2mA y no vare mas all de un 10%. El transistor tiene un hFE = 150 300, para VCE = 5V, Ic = 2mA a 25C. Nos guiaremos por el circuito de la Fig. 8.
R1 = RB = R1 VCC VB

En los transistores de silicio el trmino ICBO es tan pequeo que normalmente puede despreciarse, as podemos simplificar a la [19] y [20] y obtenemos:

I E = (hFE + 1) I B
VB = ( RB + R )I + V hFE + 1 E E BE

[21] [22]

Para que este anlisis tenga mayor utilidad prctica es necesario tener en cuenta las variaciones de temperatura y tambin la dispersin que existe en el valor de hfe entre transistores del mismo tipo. Para ello se acostumbra a hacer los clculos para el caso de que las desviaciones se sumen, es lo que se llama ponerse en el peor caso. Para el caso de temperatura baja, la corriente IE ser mnima, hfe = hfemin. y VBE = VBemx., entonces la [22] para el caso de baja temperatura es:

VB VCC V B

max VBE min = 50 C *13mV / C = 0.065V .

I E = 2 mA 10%

3) Calculamos el valor de RB usando la ecuacin [25]:

VB = (

RB + R ) I min + VBE max [23] hFE min + 1 E E

En el caso de la temperatura ms alta a que vaya a operar la etapa es IE tendr su valor mximo, hFE = hFEmx y VBE = VBEmn, luego, cuando la temperatura es alta, la [22] es:

La corriente de polarizacin debe ser lo bastante grande como para que la corriente ICBO sea despreciable, asimismo el punto de trabajo debe elegirse de modo que en los extremos de hFE y temperatura, el transistor no vaya al corte (IE = 0) o se

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TRANSISTORES

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6) Ahora calculamos R1 y R2
R1 = 285 *103 . 28 = 420k 19 .

( 04 * 103) RE + 0065 04 RE + 65 . . . RE = = = 45RE + 7300 149 * 106 6 * 106 89 * 103 . .

4) Con los resultados del paso 3 elegimos un valor apropiado para la resistencia de emisor y as determinamos RB. Si hacemos RE = 470 y RB = 28,5k, podremos calcular la polarizacin. Antes de seguir adelante conviene en este punto considerar si la tensin colector-emisor es compatible con la resistencia de carga seleccionada y la tensin de alimentacin

disponible. Supongamos que RL = 10k y que Vcc = 28 =V. La VCEmn. es 28 - (10471*0.0022) = 5V. Si la fuente tiene una tolerancia de 5%, VCEmn puede descender hasta 3.6V. 5) Se calcula VB usando a la ecuacin [23]. Si VBE = 0,6V cuando IE = 2mA a 25C, entonces a 0C:
0.6 + (1 3 *103 * 25 = 0.63 . V

R2 = 420k

19 . = 30k 28 19 .

VB = (

285 *103 . + 470)18 *103 + 0.63 = 19V . . 121

De esta manera culminamos con este anlisis, teniendo entonces, las herramientas suficientes para encarar el estudio de los parmetros hbridos que identifican a los transistores, tema que trataremos en profundidad a partir de la prxima edicin.

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