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Imprimir Archivo: Introduccin a las celdas solares fotovoltaicas Las celdas solares son los elementos constitutivos bsicos de una planta solar fotovoltaica al permitir la conversin de la radiacin solar incidente en energa elctrica. Para facilitar su instalacin, en el caso de plantas solares fotovoltaicas, se agrupan formando paneles/mdulos solares fotovoltaicos que, a su vez, se interconectan para formar los string fotovoltaicos que constituyen este tipo de sistemas de generacin. Sucesivas agrupaciones de celdas solares fotovoltaicas, interconectadas en serie y paralelo, dan lugar a la planta completa. La figura 1 muestra a) una celda solar fotovoltaica de silicio monocristalino, b) un panel fotovoltaico, c) un string fotovoltaico y d) una planta solar fotovoltaica.

Figura 1. a) Celda solar fotovoltaica, b) panel solar fotovoltaico, c) string fotovoltaico y d) planta fotovoltaica. A nivel de investigacin, y aun en proceso de desarrollo, existe una gran variedad de tecnologas de celdas solares. La figura 2 muestra las mejores eficiencias alcanzadas, en el verano de 2007, a nivel de investigacin y considerando diferentes tipos de tecnologas de fabricacin. En la figura se muestran las principales tecnologas de fabricacin que, en orden descendente de eficiencia son: Celdas multiunin con concentrador (eficiencias de hasta el 40.7%), celdas de Arseniuro de Galio (GaAs) (en torno al 28%), celdas de silicio monocristalino (entre 24.7% y 27.6%), celdas de silicio policristalino (20.3%), tecnologa de capa delgada (entre 12.1% y 19.9%) y otras tecnologas, como la de celdas orgnicas, con eficiencias entre el 5.4% y 11.1%.

Figura 2. Celdas solares con mayor eficiencia en la conversin de la radiacin solar incidente en energa elctrica (fuente: NREL, datos de Julio de 2007). Desde un punto de vista comercial, en general, las celdas de mayor eficiencia, y aquellas con tecnologas de fabricacin aun en proceso de estandarizacin, dan lugar a precios finales elevados, reduciendo su competitividad en el mercado. La figura 3 muestra los costes de fabricacin por unidad de potencia de varios tipos de tecnologas. Como puede apreciarse, la tecnologa ms costosa es la de concentradores, debido a las caractersticas especiales de la cobertura de la celda que, mediante lentes, debe concentrar la radiacin incidente sobre la propia celda. A continuacin aparecen las dos variantes principales de celdas de silicio cristalino, monocristalino y policristalino. La segunda variante presenta un coste ligeramente inferior. Una alternativa para reducir costes es la reciente tecnologa de fabricacin Ribbon c-Si que, mediante la utilizacin de lminas de silicio cristalino, permite reducir el coste de fabricacin hasta 1.58 ?/W (desde los 1.97 ?/W y 1.9 ?/W correspondientes a monocristalino y policristalino respectivamente). En cualquier caso, las tecnologas con menor coste de fabricacin son las de silicio amorfo y capa delgada (CIS y CdTe), con costes entorno a 1.18 ?/W.

Figura 3. Coste de fabricacin de celdas fotovoltaicas empleando diferentes tecnologas (2006).

En cuanto a la fabricacin de celdas solares fotovoltaicas, la figura 4 muestra la distribucin mundial de pases productores en 2006. Como puede observarse, la produccin se concentra en Japn (36.4%), Alemania (20%), China (15.1%), resto de Europa (8.2%), USA y Taiwn (6.9% y 6.7% respectivamente).

Figura 4. Pases productores de celdas solares fotovoltaicas (2006). La figura 5 muestra la distribucin de la produccin mundial de celdas solares fotovoltaicas en funcin de las tecnologas de fabricacin empleadas. Como se puede apreciar, las tecnologas de silicio monocristalino y policristalino suman un 89.9% de la produccin mundial durante el ao 2006, lo que se debe a que esta tecnologa permite construir celdas fiables con duraciones de ms de 20 aos. Las celdas de silicio amorfo (a-Si) alcanzan un 4.7% de la produccin mundial mientras que otras tecnologas de fabricacin se reparten el restante 5.5%.

Figura 5. Tecnologas de fabricacin (2006).

Archivo: Principios de operacin de las celdas solares fotovoltaicas Una buena parte de las caractersticas elctricas de las celdas solares fotovoltaicas dependen de las propiedades fsicas de los materiales semiconductores empleados en su fabricacin as como de los procesos industriales aplicados. A lo largo de esta seccin se revisan los conceptos bsicos de la fsica de los semiconductores, as como la estructura bsica y las caractersticas fundamentales de operacin de las celdas solares fotovoltaicas Archivo: Teora de Bandas El tomo independiente de silicio es inestable y puede encontrarse en la naturaleza en forma de red cristalina. En la figura 1 se muestra la estructura de la red. En azul se representan los ncleos de Si y los orbitales internos del tomo, en verde los enlaces covalentes formados que mantienen en posicin de los ncleos en la red cristalina. Los 4 electrones libres en la capa de valencia del silicio permite la formacin de 4 enlaces covalentes con tomos adyacentes de la red cristalina. Las propiedades pticas y electrnicas del semiconductor dependen de las caractersticas de la red cristalina.

Figura 1. Estructura de la red cristalina de silicio. En base a consideraciones cunticas, los orbitales atmicos del silicio, que presentan unos determinados niveles de energa a cierta temperatura, al solaparse debido a la estructura cristalina, forman orbitales moleculares con energas muy prximas entre si. Este fenmeno, que puede observarse en la figura 2, se debe a la interaccin entre cada uno de los electrones de la red y cada una de las cargas de la red cristalina, el resultado son pequeas variaciones de la energa del orbital molecular que, para una alta densidad de tomos, da lugar a bandas de energa. La anchura, posicin y densidad de estados de cada una de las bandas de energa depende, por lo tanto, de la estructura del cristal.

Figura 2. Niveles de energa de los electrones. A medida que aumenta la densidad de tomos en la red cristalina aparecen las bandas de energa correspondientes a los orbitales moleculares. La estructura de las bandas de energa en el cero absoluto se muestra en la figura 3. Los electrones ocupan los orbitales moleculares de menor energa cumpliendo el principio de exclusin de Pauli (Dos electrones no pueden encontrarse en el mismo estado). En la figura se muestra el nivel de Fermi, correspondiente al orbital molecular ocupado con mayor energa. La banda de valencia corresponde a la banda de mayor energa totalmente ocupada con electrones. La banda de conduccin corresponde a la banda vaca, o parcialmente ocupada, de menor energa.

Figura 3. Estructura de bandas en el cero absoluto. Atendiendo a la configuracin de las bandas de energa se pueden explicar las caractersticas elctricas de los materiales. As, teniendo en cuenta que la conductividad del material depender de la movilidad y disponibilidad de los portadores, en el caso de los metales, su gran conductividad es debida al solape de las bandas de valencia y conduccin, lo que hace posible que los electrones de la banda de valencia se desplacen libremente. En el caso de los materiales semiconductores, el bandgap es pequeo y a temperaturas por encima del cero absoluto, algunos de los electrones en la capa de valencia son capaces de alcanzar la banda de conduccin. Finalmente, en los materiales aislantes, el bandgap es tan grande que no se producen saltos de e- entre las bandas de valencia y conduccin. La figura 4 muestra las diferencias de las estructuras de bandas de los distintos tipos de materiales.

Figura 4. Estructura de bandas de energa de los materiales a) metlicos, b) semiconductores y c) aislantes. A medida que la temperatura aumenta por encima del cero absoluto el nmero de electrones que saltan a la banda de conduccin, electrones libres, aumentar debido al fenmeno de ionizacin trmica. Al producirse este salto, se generaran huecos en la red cristalina, la carga asociada a estos huecos debe ser la misma que la de los electrones pero de signo contrario. Debido al fenmeno de recombinacin, cuando un electrn libre cae en un hueco de la red cristalina, uno de los enlaces covalentes rotos por efecto de la temperatura vuelve a formarse. En el equilibrio, el material semiconductor presenta velocidades iguales de ionizacin y recombinacin. La animacin de la figura 5 muestra los dos procesos.

Figura 5. Material semiconductor en equilibrio. Fenmenos de ionizacin trmica y recombinacin Las densidades de huecos en la banda de valencia y de electrones en la banda de conduccin puede aumentarse introduciendo impurezas en la red cristalina del material semiconductor, en este caso se habla de materiales semiconductores extrnsecos. Estos tomos presentan un volumen fsico similar al del silicio, lo que permite incluirlos en la red cristalina sin deformarla. Si la red no contiene impurezas se habla de materiales intrnsecos. Los semiconductores extrnsecos de tipo n contienen impurezas donadoras en la red cristalina (tomos pentavalentes, capaces de ceder electrones a la banda de conduccin). En este tipo de materiales la densidad de electrones libres es mayor que la de huecos, de forma que los electrones se convierten en los portadores mayoritarios. La densidad de portadores depende de la densidad de impurezas presentes en la red. Un ejemplo de este tipo de impurezas son los tomos de fsforo (P). La figura 6 muestra la estructura de este tipo de materiales.

Figura 6. Material semiconductor de tipo n.

En los materiales de tipo p, las impurezas que se incluyen en la red son tomos trivalentes que dejan incompleta la banda de valencia de la red, de modo que la densidad de huecos es mayor que la densidad de electrones libres. Los huecos se convierten por tanto en los portadores mayoritarios. Un ejemplo de este tipo de impurezas es el Aluminio (Al). La estructura de este tipo de materiales se presenta en la figura 7.

Figura 7. Material semiconductor de tipo p. Archivo: Uniones semiconductoras El funcionamiento de las celdas solares fotovoltaicas se basa en la utilizacin de uniones semiconductoras que permiten el trnsito de corrientes elctricas. Existen diferentes posibilidades de unin, tal y como muestra la figura 8, sin embargo, la ms utilizada en la fabricacin de celdas solares fotovoltaicas es la unin pn, en la que el bandgap (Eg) de los dos materiales semiconductores es igual. En las uniones pin se incluye una capa de material semiconductor intrnseco (sin impurezas) que permite obtener una zona de transicin ms ancha. Ambos casos son ejemplos de homouniones. Si seleccionan materiales semiconductores con bandgaps diferentes, estaremos ante heterouniones. Otro tipo de unin, un tanto particular, es la barrera Schottky, formada en la unin entre un material metlico de determinadas caractersticas y otro semiconductor. En este tipo de uniones permiten extraer la corriente elctrica desde los dispositivos semiconductores.

Figura 8. Tipos de uniones semiconductoras. Volviendo a la unin pn, representada en la figura 9, al unir ambos tipos de materiales la difusin de electrones en la zona p provocar la recombinacin de electrones y huecos, ocasionando la aparicin de iones con carga elctrica negativa en esta zona. La prdida de carga ngativa (electrones) en el material de tipo n, cerca de la zona de la unin, generar iones positivos. Ambos tipos de iones, fijados a la red cristalina (inmviles), forman una barrera de potencial elctrico que dificulta la difusin de ms electrnes a la zona p. La zona de agotamiento, ocupada por los iones con carga elctrica pero sin portadores libres, aparece marcada en gris.

Figura 9. Unin pn. Creacin de la capa de agotamiento por difusin de los electrones libres. La estructura de bandas resultante de la unin pn se muestra en la figura 10. El primer diagrama corresponde a la situacin de equilibrio (figura 9) sin aplicar ninguna cada de tensin externa a la unin (sin polarizacin). Al polarizar directamente (aplicar una cada de tensin positiva entre las zonas p y n de la unin) la barrera de potencial (Eg) disminuye, incrementndose la corriente que atraviesa la unin. Sucede lo contrario al polarizar inversamente la unin (la cada de tensin aplicada entre las zonas p y n es negativa)

Figura 10. Unin pn a) sin polarizacin, b) directamente polarizada y c) inversamente polarizada. El comportamiento de la figura 10 corresponde al de un diodo, cuyo comportamiento, de acuerdo a la ecuacin de Schockley, puede describirse como:
V

I Donde VT
kT q

Io e VT

mV a T

Archivo: Prdidas en celdas solares fotovoltaicas La conversin de la radiacin luminosa en energa elctrica mediante el efecto fotovoltaico se basa en el carcter corpuscular de la luz. La energa que porta un fotn viene dada por la expresin: hc Eph (1) Donde h es la constante de Plank, c es la velocidad de la luz y es la longitud de onda de la luz. Cuando los fotones inciden sobre una unin pn, si la energa del fotn es mayor que el bandgap, el fotn excitar un electrn de la banda de valencia que, debido a la energa del fotn, podr pasar a la banda de conduccin. Asimismo, el paso del electrn a la banda de conduccin dejar un hueco en la capa de valencia. La profundidad que alcanzan el electrn y el hueco en sus respectivas bandas depender de la energa del fotn. Inmediatamente despus de crearse el par electrnhueco, ambos perdern energa (el exceso de energa del fotn respecto a Eg ), que se disipar en forma de calor, y alcanzarn los bordes de la bandas de valencia y conduccin. Los fotones con energa inferior a Eg atravesarn el material semiconductor sin contribuir al proceso de conversin en energa elctrica. En consecuencia, solo los fotones con energa ligeramente superior a Eg contribuirn a una conversin eficiente de la radiacin incidente. Considerando que cada uno de los fotones incidentes crean un electrn libre, capaz de contribuir a la corriente de la celda, y que las prdidas son nulas en la unin, la corriente potencial (ficticia) que puede ser generada por la unin semiconductora, en trminos de fotones, ser: Il qNA A (2) Donde N es el nmero de fotones en la zona sombreada del espectro de la figura 11, A es el rea superficial del semiconductor expuesta a la luz. Por otro lado, la tensin mxima de la celda fotovoltaica coincide con Eg en electrn voltios:

Figura 11. Espectro de la radiacin empleado por una celda solar fotovoltaica de silicio. En la prctica, tanto la corriente como la tensin mximas suministradas por las celdas es menor que estos valores tericos. En parte, esta diferencia es debida al elevado ndice de refraccin del Silicio ( ) que hace que el de la radiacin incidente sea reflejada. Estas prdidas pueden reducirse al mediante la aplicacin de una capa delgada antireflejante de dixido de titanio. Debido a la radiacin incidente, la concentracin de los portadores de carga durante los perodos diurnos ser mayor que durante los perodos nocturnos. La reduccin de la concentracin de portadores debida a la recombinacin de electrones y huecos se produce incluso durante la generacin. La distancia que recorren los portadores de carga desde que son generados hasta que se produce su recombinacin se denomina longitud de difusin y depende del coeficiente de difusin del material y el tiempo de vida del portador. La longitud de difusin permite caracterizar el funcionamiento de la celda solar fotovoltaica. La figura 12 muestra una celda solar fotovoltaica sencilla bajo el efecto de la radiacin solar. La celda est constituida por una unin pn donde la zona n se encuentra fuertemente dopada.

Figura 12. Principios de operacin de las celdas solares fotovoltaicas. Si incide un fotn con: energa elevada, atravesar la zona n (emisor) y la zona de agotamiento de carga siendo absorbido en la zona p (base). Como consecuencia se genera un par electrn-hueco. El electrn, en la zona p, se convierte en un portador minoritario (en esta regin, los portadores mayoritarios son los huecos) que se difunde hacia la zona de carga espacial que, debido a su campo elctrico, acelera el electron hacia la zona n. La zona de carga espacial opera como un separador de los pares electrn-hueco, efecto necesario para poder aprovechar la energa del fotn. Si la longitud de difusin es pequea se producir la recombinacin antes de que el electrn alcance la zona de carga espacial, no pudindose aprovechar la energa del fotn. energa menor, el fotn se absorber en el emisor, generndose de nuevo un par electrn hueco. Los huecos son los portadores minoritarios en la zona n fuertemente dopada y, con una longitud de difusin suficiente, alcanzarn la zona de carga espacial. sta, a su vez, acelerar los huecos hacia la zona p. En el caso lmite la absorcin se produce en la zona de carga espacial, separndose el par electrn-hueco de forma inmediata debido al intenso campo elctrico en la zona.

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Eg q

 

 

(1)

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(3)

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Archivo: Principios de operacin de las celdas solares fotovoltaicas Por lo tanto, al incidir la radiacin solar en la celda fotovoltaica aumentar la concentracin de electrones libres en la zona n y de huecos en la zona p, apareciendo una cada de tensin entre ambas zonas. Al conectar las dos regiones semiconductores a una carga elctrica fluir una corriente elctrica de modo que los electrones acabarn recombinndose con los huecos en la zona p. La corriente fluir mientras se mantenga la radiacin incidente. A la vista de las consideraciones realizadas, en una primera aproximacin, una celda solar fotovoltaica podra modelarse mediante el circuito de la figura 13. En ella se aprecia que la corriente generada por los fotones incidentes Il puede representarse mediante un fuente de corriente y que la unin pn se modela mediante un diodo. En consecuencia, la corriente de salida de la celda podr expresarse como la diferencia entre la corriente generada por la radiacin incidente menos la corriente en el diodo:

Figura 13. Primer circuito equivalente de una celda solar fotovoltaica.


qV

Il

I e kT

En consecuencia, con la celda solar fotovoltaica en circuito abierto (sin carga, I ), toda la corriente elctrica generada por la radiacin incidente circular por el diodo mientras que en cortocircuito (V ) la corriente elctrica generada circular hacia la carga. Tambin en la figura 13 se muestra la caracterstica I-V de la celda solar fotovoltaica que, en caso de no estar iluminada, coincide con la caracterstica de un diodo. Los dos puntos clave de la caracterstica corresponden a la corriente de cortocircuito Isc y la tensin en circuito abierto Voc : V Isc Il A , Vsc (5) Ioc

A , Voc

kT q

Il Io

En el caso de Voc , Il y I dependen de la estructura de la celda sin embargo, en dispositivos reales, la tensin en circuito abierto depende, fundamentalmente, de I .

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Otra consideracin que debe realizarse es que, en circuito abierto o cortocircuito no se genera potencia elctrica ya que, en ambos casos, se verifica: P V I W (7) La potencia mxima de salida de la celda solar fotovoltaica se obtendr en el punto de mxima potencia Pmpp , que corresponde al punto de la caracterstica IV que maximiza el rea de la figura 14. La eficiencia de la celda se define como:

Figura 14. Caracterstica I-V de una celda solar fotovoltaica y el punto de mxima potencia. Archivo: Celdas solares fotovoltaicas La figura 15 muestra la estructura de una celda solar fotovoltaica de silicio. Los contactos metlicos en la parte superior e inferior de la celda permiten extraer la corriente elctrica generada. El contacto metlico superior, sobre la zona n muy dopada, debe permitir el paso de la luz para su posterior conversin. Por este motivo se construye mediante tiras delgadas de metal ampliamente distanciadas, denominadas dedos que recogen la corriente dirigindola hacia un contacto mayor (bus bar). La zona n expuesta se cubre con una fina capa de material dielctrico antireflejante (Antireflection coating, ARC) para minimizar la luz reflejada por la superficie semiconductora de silicio.

Figura 15. Celda solar fotovoltaica de silicio. Archivo: Prdidas en celdas solares fotovoltaicas De acuerdo con las consideraciones previamente expuestas, hay dos mecanismos fundamentales que contribuyen a la reduccin de la eficiencia de las celdas solares fotovoltaicas: Calor debido a la diferencia de energa del fotn incidente y Eg . Incapacidad de la celda de absorber fotones de energa menor que Eg . Estas prdidas pueden reducirse empleando celdas solares fotovoltaicas multicapa, con varias

Pmpp Potenciadelaradiaci nincidente

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uniones pn con bandgaps apropiadamente diseados. La figura 16 muestra la estructura bsica y la porcin de espectro aprovechado por una celda de este tipo. La celda superior debe presentar un bandgap mayor que la celda inferior para permitir el paso de fotones hacia esta ltima.

Figura 16. Estructura bsica de una celda multicapa. Tambin el fenmeno de recombinacin contribuye a la prdida de eficiencia de la celda en la conversin a energa elctrica de la radiacin solar incidente. Este fenmeno se produce con mayor intensidad cerca de: Las impurezas o defectos en la red cristalina del material semiconductor, En su superficie, debido a la aparicin de orbitales moleculares con energa dentro del bandgap que facilitan el trnsito de electrones libres hacia la banda de valencia, donde se recombinarn con los huecos, Los contactos metal-semiconductor. Las prdidas asociadas a la recombinacin pueden reducirse, tal y como se muestra en la figura 17: Cubriendo las superficies semiconductoras mediante xido de silicio, que reduce el efecto de la recombinacin superficial. Rodeando los contactos metlicos por regiones semiconductoras fuertemente dopadas, lo que impide a los portadores minoritarios alcanzar los contactos y recombinarse.

Figura 17. Estructura de celdas solares de silicio de alta eficiencia. Otras prdidas en la celda pueden estar ocasionadas por: La reflexin de la luz en la capa superior de la celda, El sombreado de la celda por los contactos metlicos superiores, Una absorcin incompleta de la luz incidente, especialmente en las celdas de silicio cristalino debido a las deficientes caractersticas del silicio. En el caso de celdas con una sola capa de material ARC puede llegar a reflejarse, en la capa superior de la celda, hasta aproximadamente un de la radiacin incidente. Este efecto puede reducirse aplicando una o dos capas ms de este material. Otra posibilidad es dar una

textura a la superficie, creando pequeas pirmides, que aumenten la posibilidad de absorber la radiacin reflejada. Esta tcnica, unida a la utilizacin de una capa de ARC, puede hacer que la radiacin reflejada no supere el . El sombreado debido a los contactos metlicos superiores ocasiona una reduccin importante de la eficiencia de la celda sobre todo en el caso de luz solar concentrada y de alta intensidad. En estos casos se puden mover ambos contactos a la parte posterior de la celda solar fotovoltaica. Una tcnica que permite aumentar la capacidad de absorcin de la radiacin incidente de las celdas de silicio cristalino es la utilizacin de un contacto posterior con caractersticas pticas reflejantes. Combinando este tipo de contactos con una capa superior con textura, se puede compensar este bajo rendimiento del silicio, tal y como ocurre en las celdas fotovoltaicas de capa delgada. Otro aspecto que debe tenerse en cuenta a la hora de analizar las prdidas de energa en las celdas solares fotovoltaicas son las prdidas hmicas. Se pueden considerar de forma conjunta y, a la hora de analizar su impacto, incluir, en el modelo circuital de la celda solar fotovoltaica, una resistencia serie, tal y como muestra la figura 18. La introduccin de esta resistencia modifica la ecuacin caracterstica de la celda a:

Figura 18. Modelo de celda solar fotovoltaica considerando el efecto de las prdidas hmicas. Impacto de estas prdidas en la caracterstica I-V de la celda. I Il I e
qV IRs mKT

Donde Rs modela las prdidas hmicas y m es un factor de no idealidad determinado experimentalmente (suele emplearse m ). Archivo: Efecto de la temperatura y la irradiancia en las caractersticas elctricas de la celda Las variaciones de temperatura e irradiancia afectan al comportamiento elctrico de las celdas solares fotovoltaicas. En el caso de la temperatura, sus variaciones afectan, fundamentalmente, a la tensin de salida de la celda que, al aumentar la temperatura, disminuye. Los fabricantes de celdas solares fotovoltaicas dan cuenta de esta dependencia mediante el coeficiente de temperatura de la celda, de signo negativo. En una celda de silicio, la reduccin tpica es de mV C. Este efecto se muestra en la figura 19. El efecto en la corriente y en el factor de relleno es menos pronunciado y suele despreciarse durante el proceso de diseo del sistema de generacin fotovoltaico.

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Figura 19. Efecto de la temperatura en la caracterstica I-V de una celda solar fotovoltaica. Por su parte, las variaciones de la irradiancia ocasionan variaciones proporcionales del flujo de fotones hacia la celda. Al aumentar la irradiancia, un mayor nmero de fotones con energa mayor que Eg alcanzarn la celda, pudiendo ser transformados en corriente elctrica. En consecuencia, las variaciones de la irradiancia afectan, fundamentalmente, a la corriente de salida de la celda solar fotovoltaica. Estas variaciones apenas ocasionan cambios en la tensin de salida de la celda, tal y como se muestra en la figura 20, debido a la dependencia logartmica de la tensin respecto a la irradiancia.

Figura 20. Efecto de la irradiancia en la caracterstica I-V de una celda solar fotovoltaica. La figura 21 muestra la potencia de salida de una celda solar fotovoltaica en funcin de la tensin de salida de la propia celda. La figura contiene la caracterstica en condiciones estndar de operacin (G W m ,T C) y para una irradiacin menor y una temperatura mayor. Como puede observarse, no es sencillo forzar la operacin de la celda, ya sea controlando su corriente o su tensin de salida, para que sta se mantenga en el punto de mxima potencia para condiciones de operacin reales (con variaciones diurnas de la irradiacin y de la temperatura).

Figura 21. Potencia de salida de una celda solar fotovoltaica ante diferentes condiciones de operacin. Archivo: Tcnicas de fabricacin de celdas de silicio cristalino Las celdas fotovoltaicas de silicio cristalino, en sus variantes monocristalina y policristalina, son, en la actualidad, los elementos constitutivos bsicos de una buena parte de los sistemas de generacin fotovoltaicos. Su tecnologa de fabricacin, apoyada por los avances de la tecnologa de fabricacin de componentes microelectrnicos, ha derivado hacia procesos de fabricacin de mayor simplicidad y menos costosos. Estos procesos implican la realizacin de pasos sucesivos, cada uno de los cuales puede variar dependiendo de las caractersticas de la celda que se pretende fabricar y de las posibilidades de ahorro energtico que presenta cada uno de ellos. En general los pasos que deben realizarse, hasta la obtencin de los mdulos solares fotovoltaicos empleados en la construccin de sistemas de generacin de energa elctrica, son: Conversin de la cuarcita en silicio de elevada pureza, Obtencin de obleas de silicio, Fabricacin de las celdas solares fotovoltaicas, Fabricacin de los mdulos. Cada uno de estos subprocesos se describe con mayor detalle a lo largo de esta seccin. Archivo: Proceso de purificacin del silicio El grado de pureza del silicio, a la vista de los principios de operacin de las celdas revisados en el apartado 2 de este tema, es un factor crucial a la hora de obtener celdas fotovoltaicas con una buena eficiencia. No obstante, debe tenerse en cuenta que no es necesario alcanzar los estndares de pureza del silicio empleado en la industria microelectrnica, del orden de . En general, y referido a la industria solar fotovoltaica, se habla de silicio puro (Solar-grade Silicon) para valores entorno a . Como se ver posteriormente, esta pureza menor permite optar por procesos de fabricacin ms econmicos y que requieren una energa menor. Aproximadamente el de la corteza terrestre es arena, en su mayor parte, cuarcita o dioxido de silicio. Este material debe ser tratado para obtener silicio de purezas entorno al , el silicio de tipo metalrgico (Metallurgical-Grade Silicon, MG-Si). El MG-Si no puede emplearse en aplicaciones electrnicas pero permite la obtencin de acero especial y aleaciones. Este tipo de silicio se obtiene reduciendo la cuarcita con carbn en un horno de arco elctrico, tal y como muestra la figura 22. El proceso es relativamente econmico, aproximadamente kg, y la energa necesaria es relativamente pequea kWh kg. El resultado del proceso, MG-Si, se muestra en la figura 23.

Figura 22. Proceso de obtencin de silicio metalrgico mediante un horno elctrico de arco sumergido.

Figura 23. MG-Si. En este punto, la pureza del silicio aun no es suficiente para aplicaciones solares y el MG-Si debe ser refinado. Existen varias posibilidades: El mtodo Siemens, empleado en la fabricacin de componentes electrnicos, consume una energa en el rango de kWh K g con un coste de unos K g. La pureza del silicio obtenido es del orden de . La figura 24 muestra los pasos de este mtodo. Tras una primera etapa de cloracin, la destilacin permite ajustar la pureza del silicio al grado deseado. Finalmente, mediante la reduccin con hidrgeno, se obtiene el silicio puro en estado slido. El material obtenido, un agregado de cristales de silicio, es el silicio policristalino. Deposicin en cama fluida, el consumo de energa es del orden de kWh K g y el resultado es silicio con un grado de pureza entorno a Solar Grade Silicon, SoG-Si. Refinamiento metalrgico, el consumo de energa es del orden de kWh K g, con un coste inferior a los K g.

Figura 24. Pasos en el mtodo Siemens. Archivo: Produccin de obleas de silicio cristalino La obtencin de obleas de silicio a partir del silicio puro, en sus dos posibles grados de pureza para el caso de aplicaciones fotovoltaicas, conlleva un mximo de dos pasos: 1. Creacin de un lingote de silicio con estructura cristalina 2. Corte del lingote para generar las obleas. En el caso de celdas de tipo c-Si Ribbon, este segundo paso se puede evitar ya que, en el primero, se obtienen directamente las obleas de silicio. Durante el proceso de purificacin del silicio no se presta atencin a la estructura cristalina del silicio, sin embargo, esta estructura es fundamental a la hora establecer las propiedades del material semiconductor. Existen diferentes tcnicas a la hora de generar lingotes de silicio cristalino con unas determinadas propiedades, sin embargo, una de las ms utilizadas es el mtodo Czochralski, empleado tambin en la industria microelectrnica. La figura 1 muestra el proceso este proceso de cristalizacin (puede verse una animacin del proceso, comentada en ingls, en este enlace). El silicio puro se funde en un crisol de grafito con revestimiento de cuarzo de elevada pureza a una temperatura de unos C. Una vez fundido, se introduce en el crisol una gua de silicio cristalino que permite iniciar el proceso de cristalizacin del silicio puro fundido. Esta gua se pone en contacto con el silicio fundido para, a continuacin, tirar de ella lentamente (tpicamente, cm h) para arrastrar fuera del crisol el silicio fundido. A medida que el silicio fundido sale del crisol, arrastrado por la gua de silicio cristalino, el silicio fundido se enfra tomando la estructura cristalina de la gua. La gua, girando en sentido contrario respecto al silicio fundido, ir aumentado su longitud y seccin a medida que cristaliza nuevo silicio fundido. El resultado del proceso suele ser un lingote de silicio cristalino de m de largo por cm de dimetro y unos K g de peso.

Figura 1. Mtodo Czochralski de cristalizacin. Si bien el proceso contribuye a aumentar la pureza del silicio inicial, ya que las impurezas presentes tras el proceso de purificacin inicial tienden a permanecer en el silicio en fase lquida, el progresivo deterioro del crisol puede contribuir a aumentar el grado de impurezas del silicio cristalino obtenido. Los tomos de carbono y oxgeno que aparecen en las celdas solares fotovoltaicas fabricadas mediante este proceso, como consecuencia de la degradacin del crisol, son las responsables de la prdida de eficiencia inicial de estas celdas al ser expuestas, por primera vez, a la radiacin solar (la eficiencia puede reducirse entorno al 1% durante las primeras horas de operacin). Los lingotes de silicio cristalino de seccin circular, antes de ser troceados para generar las obleas de silicio cristalino, se rebajan hasta obtener una seccin prcticamente cuadrada. En el proceso puede perderse hasta un 25% del silicio cristalino. La figura 2 muestra los lingotes despus de ser preparados para ser cortados en obleas. La seccin tpica de los lingotes, una vez rebajados, pasa a ser de 10 x 10 cm

Figura 2. Lingote de silicio cristalino antes y despus de ser rebajado.

A continuacin, el lingote se trocea, generando lingotes ms pequeos (figura 3.a), que son posteriormente cortados mediante una sierra de mltiples hilos (figura 3.b). El resultado final del proceso son obleas de silicio cristalino, con una superficie de 10 x 10 cm , y un espesor de unos m. Durante el proceso de cortado, que dura unas ocho horas para una seccin de 10 x 10 cm , para la produccin de las obleas de silicio se pierde, en forma de polvo, aproximadamente un 30% del silicio cristalino del lingote original. Esta prdida de silicio en el proceso de cortado de los lingotes contribuye en buena medida al encarecimiento del precio final de las celdas solares fotovoltaicas de silicio cristalino.

Figura 3. Proceso de cortado de los lingotes de silicio cristalino. Es por este motivo que la industria fotovoltaica desarrolla mtodos alternativos para la construccin de celdas solares, como el mtodo EFG (Edge-defined Film-fed Growth) . En este caso, el silicio fundido asciende por capilaridad entre dos capas de grafito muy prximas (figura 4). La cristalizacin se inicia a medida que el silicio fundido abandona el crisol al tirar de la fina capa que se va formando. La capa, que puede llegar a alcanzar longitudes de casi 5 m con espesores rondando m, es cortada, posteriormente, mediante lser. Otra ventaja de este mtodo es su mayor capacidad de produccin que, tpicamente, ronda cm min. Como contrapartida, las celdas comerciales producidas suelen presentar eficiencias en el rango

Figura 4. Mtodo EFG. Archivo: Fabricacin de celdas solares fotovoltaicas Las obleas de silicio, antes de convertirse en celdas solares comerciales, deben pasar por los siguientes procesos: 1. 2. 3. 4. Limpieza de la superficie y grabado (texturizado) Formacin de la unin pn mediante la difusin de fsforo Creacin de los contactos metlicos superior e inferior Deposicin de la capa antirreflejante

Las obleas de silicio, una vez cortadas del lingote, presentan una superficie con imperfecciones y sucia. Se aplican pasos sucesivos de limpieza hmeda y grabado qumico que eliminan unas micras de silicio, dejando la oblea preparada para la difusin del fsforo. Debido a que el silicio es un material duro y qumicamente resistente, se emplean hidrxidos de potasio o sodio en soluciones calientes muy concentradas. En el caso del silicio monocristalino, la solucin produce un efecto de texturizado, como el que se muestra en la figura 1, que contribuye a reducir el porcentaje de la radiacin incidente reflejada por la superficie (el coeficiente de reflexin se reduce de 0.35, para una superficie lisa, a 0.12 para la superficie con textura). En el caso de silicio policristalino puede recurrirse a medios mecnicos para generar esta textura.

Figura 1. Superficie de la oblea de silicio una vez se ha completado el proceso de grabado. Teniendo en cuenta que, generalmente, las obleas de silicio son de tipo p tras ser dopadas con boro antes del proceso de cristalizacin, la unin pn se forma mediante la difusin de fsforo, una impureza de tipo n, desde la superficie superior de la oblea. A temperaturas suficientemente elevadas (uno 870C) los tomos de fsforo se difunden en la oblea de silicio. Para la correcta operacin de la celda, los tomos de fsforo deben alcanzar una profundidad de unos m, lo que puede requerir tiempos de difusin de entre 15 y 30 minutos. Este proceso suele llevarse a cabo en un horno de difusin de cuarzo que, tpicamente, es capaz de procesar unas 1200 obleas a la hora. La difusin de fsforo se produce tambin en los bordes de la oblea generando regiones n no deseadas que deben ser eliminadas. A tal efecto, las obleas de silicio se agrupan e introducen en una mquina de plasma que elimina estas zonas de las obleas. Finalmente, la eficiencia de la celda puede mejorarse incluyendo una zona p fuertemente dopada en la parte trasera de la oblea (en la zona p ya existente). Esta nueva regin reduce la probabilidad de recombinacin de portadores en la zona p y elimina impurezas como el cromo. La zona p fuertemente dopada (p ) se construye mediante la deposicin de aluminio en la parte trasera de la oblea. Los contactos elctricos de la celda se crean mediante la tcnica de impresin de pantalla. La pantalla consiste en una rejilla de cables introducida en una emulsin fotosensible. La emulsin, mediante tcnicas fotogrficas, se retira de aquellos puntos en los que se deben fijar los contactos. Sobre la pantalla de se deposita una pasta que contiene el metal que formar los contactos, que suele ser plata para los contactos de la superfice superior de la celda y una mezcla de aluminio y plata para la superficie inferior. Al calentar la oblea, la pantalla y la pasta, el metal se fija a la superficie de la oblea formando los contactos por los que fluir la corriente elctrica. Una vez formados los contactos metlicos, suele aplicarse una capa delgada antirreflejante que aumenta la eficiencia de la celda fotovoltaica. El mtodo habitual para la creacin de esta capa es la deposicin mediante vapor qumico de un compuesto de xido de titanio orgnico en un reactor a la presin atmosfrica. El proceso completo de fabricacin de las celdas a partir de los lingotes de silicio cristalino puede verse en este enlace. Se trata del proceso de fabricacin seguido por la empresa Q.cells. Archivo: Fabricacin de paneles fotovoltaicos Los paneles solares fotovoltaicos suelen construirse conectando, en serie, varias celdas solares fotovoltaicas. Las caractersticas elctricas de las celdas solares empleadas en la fabricacin de un nico panel solar deben ser similares (en caso de conectar una celda muy eficiente a otra muy poco eficiente, la corriente elctrica total generada por el mdulo correspondera a la corriente generada por la celda fotovoltaica de menor eficiencia). Las dimensiones de los paneles solares fotovoltaicos varan dependiendo de la aplicacin del panel. As, en el caso de plantas solares fotovoltaicas conectadas a redes elctricas, los tamaos pueden alcanzar los m . La duracin de los mdulos fotovoltaicos debe ser, al menos, de 20 aos. En consecuencia, los materiales empleados en su fabricacin deben tener una calidad suficiente. Un mdulo solar fotovoltaico est compuesto por: 1. Cobertura frontal. Se emplea cristal templado que incorpora xido de cerio para bloquear la radiacin ultravioleta. Este tipo de radiacin podra degradar los elementos que

constituyen el panel. 2. El material del encapsulado. Se trata de un polmero termoplstico, transparente y aislante elctrico. Suele emplearse EVA (ethylene vinyl acetate) y su grosor ronda mm. 3. Las celdas solares y las conexiones metlicas entre celdas. 4. Cobertura trasera. Suele ser una lmina de Tedlar, Tefzel o polister. Tambin puede incluirse una lmina de aluminio que actuar como barrera contra la humedad, que podra deteriorar los contactos metlicos entre celdas. Todos los componentes se laminan aplicando calor (unos 150C), que mejoran la unin de las diferentes capas, y presin en vacio. Los laterales se sellan con juntas de neopreno, que se protegen con un marco de aluminio. Una vez finalizada la construccin, los mdulos se prueban y clasifican considerando su potencia de salida. La eficiencia del mdulo es inferior a la eficiencia de las celdas empleadas en su construccin debido a las conexiones metlicas entre celdas. El proceso de fabricacin de un mdulo fotovoltaico se puede observar en este video. Archivo: Soportes para paneles solares fotovoltaicos Existen varias posibilidades a la hora de realizar la fijacin de los paneles solares fotovoltaicos que, dependern, de las caractersticas de la planta solar fotovoltaica en la que se empleen: eficiencia de la planta o posibilidad de integracin en edificios entre otras. Desde este enlace se puede acceder a un video comparando varios tipos de seguidores. Los tipos bsicos son: 1. Soporte fijo. Se trata de una estructura metlica, ajustable a varias dimensiones de paneles solares y que, antes de alojar los paneles, se ajustan a la inclinacin ptima anual del punto de ubicacin. Son las estructuras que suelen emplearse en plantas fotovoltaicas ubicadas en edificios. 2. Soporte con ajuste de inclinacin estacional. Es una variante del caso anterior, en este caso, el ngulo de inclinacin de la estructura puede ajustarse a dos posiciones, lo que permite ajustar la inclinacin vertical de los paneles en verano e invierno. 3. Seguidor de dos ejes. Este tipo de sistemas permite aumentar la eficiencia de la planta solar fotovoltaica hasta un 30% respecto a la primera variante fija. Se trata de una estructura motorizada que permite variar la inclinacin y orientacin de los paneles solares para mantenerlos perpendiculares a la radiacin solar incidente. El seguimiento de la posicin del Sol en el cielo diurno puede realizarse en base a los datos astronmicos almacenados en la unidad de control del seguidor (la precisin en la orientacin puede alcanzar 0.1 ) o mediante un sensor de radiacin que modifica la posicin del seguidor a medida que el Sol recorre el cielo diurno (hasta 0.01). La figura 1 muestra en detalle la mecnica del seguidor solar Feina SF20. 4. Seguidor de un eje. Existen tres variantes: Eje de rotacin polar. El eje de rotacin se orienta hacia el sur con una inclinacin igual a la latitud de la ubicacin, el movimiento del seguidor se ajusta para que el vector director de la superficie coincida en todo momento con la posicin del Sol en el cielo diurno. La velocidad de giro del panel es constante y permite alcanzar eficiencias casi tan grandes como las de los seguidores con motorizacin en dos ejes. Eje de rotacin vertical. El seguidor gira, a una velocidad variable, sobre este eje siguiendo la orientacin del Sol en el cielo diurno. Se trata de un tipo de estructura que puede alcanzar eficiencias elevadas en zonas de gran latitud, donde la curva descrita por el Sol en el cielo diurno alcanza poca altitud. Eje de rotacin horizontal. El giro se produce teniendo en cuenta la altura del Sol en el cielo diurno, pero no su orientacin. Este tipo de seguidores son especialmente adecuados, dada su sencillez, en localizaciones cercanas al ecuador terrestre. En resumen, siendo la opcin ms eficiente el seguimiento en dos ejes, la prdida de eficiencia anual aproximada del resto de configuraciones se muestra en la tabla para una planta solar fotovoltaica ubicada Santander. La eleccin de una u otra depender del plan de negocio, en el caso de huertas solares, y del tiempo de amortizacin de la inversin inicial. Seguidor 1 eje - Polar Seguidor 1 eje - Horizontal Seguidor 1 eje - Vertical -3.3% -17.7% -21.4%

Estructura fija - Dos inclinaciones-20.7% Estructura - Inclinacin nica -22.4%

Figura 1. Detalle del seguidor Feina SF-20.

Figura 2. Imgenes de varios de los soportes descritos.

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