UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores.

s. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutacin (tiristores), es una funcin directa del proceso de cmo se desarrolla la conmutacin. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del sistema de control, de cualquier convertidor de energa elctrica. El diseo de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las caractersticas elctricas de compuerta del tiristor especfico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutacin. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente disearlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activacin de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que adems sean compactos, los circuitos integrados para activacin de compuerta que se disponen comercialmente, son ms conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de proteccin de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relacin de estos componentes: Tensin CA de la red elctrica

Proteccin de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Seal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutacin

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ngulo de disparo

Generacin y amplificacin del pulso de disparo

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ngulo (respecto al cruce por cero de la tensin de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada seal de control: Esta seal es la que determina el retraso del ngulo de disparo, seal generada en forma manual o a travs de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la seal se genera por la interaccin de la seal de referencia, la seal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analgicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a travs de la carga de un condensador, con una constante de tiempo =CR., hasta una tensin que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programacin o por medio de un temporizador interno que se carga tambin por programacin. Generacin de los pulsos de disparo: Para la generacin de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicacin de transistores bipolares o mediante semiconductores especficos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos tcnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, tambin llamado opto acoplador. Otra tcnica utilizada es a travs de las fibras pticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Proteccin de la compuerta: Se utilizan circuitos de proteccin contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajacin (osciladores) o como disparadores por nivel de tensin. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. ST4 : Disparador asimtrico de GE. Lmpara de Neon (poca aplicacin o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicacin de tres de estos dispositivos, el UJT, el PUT y el DIAC, que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales, denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n) denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K . En un punto determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura didica que se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). El grafico muestra la caracterstica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el smbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2

IV IP IEBO VV VK VP VE

Smbolo

Base 1

Caractersticas tensin corriente del terminal Emisor-Base 1

Circuito elctrico equivalente

La polarizacion se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB5 a 30 volt) La mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT. ___________ VBB = RBB. VDmax. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. Si la tensin del emisor (VE) es menor a (VC), circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. Cuando la tensin del emisor supera a la tensin VC, la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva , inyectando portadores minoritarios en la porcin de la resistencia RBB, comprendida entre el diodo y la base 1(B1), haciendo que este tramo, aumente drsticamente su conductividad y disminuya su resistencia elctrica. En esta situacin, la tensin del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la tensin VC= VBB .R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. El la grafica V-I este fenmeno comienza en el punto VP. IP.. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensin que polariza al emisor. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). La tensin VE, para producir el disparo o sea VP, vale: VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = .VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. La relacin intrnseca toma un valor entre 0,45 y 0,82. La VBB, se denomina tensin nter bsica y es la tensin que se aplica entre las bases B1 y B2. La VD es la tensin umbral de polarizacion directa de la juntura PN, cuyo valor es aproximadamente de 0,56 volt a 25 C y disminuye en aprox. 2 mv / C. Cuando IE aumenta, VE disminuye (zona de caracterstica negativa) hasta un valor dado por IV, VV, donde nuevamente comienza aumentar. Si al dispositivo, lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV, el valor de R1 retoma su valor original. Si la tensin de emisor se mantiene constante y mayor que VV, R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. En la aplicacin, la tensin de disparo VE= VP, se debe mantener constante; pero como varia con la temperatura, debido la valor de VD, resulta entonces necesario compensar esta variacin. El procedimiento es colocar una resistencia de carbn en la base B2 que tiene un coeficiente de variacin positivo, para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. La figura muestra el circuito:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + . VBB. (1) VBB= Vcc RB2. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + . VCC - .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp VD + . VCC - .Vcc . RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/C y el de RB2 es de +0,004%/C, entonces tanto VD como el termino .Vcc . RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. Si hacemos: VD = .Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= . VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-. RB1) / quedando: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / Oscilador de relajacin con UJT

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura, se lo utiliza como oscilador de relajacin, para generar pulsos de disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. RE. Cuando se llega al valor de la tensin de disparo VP. el capacitor se descarga a travs del emisor, rpidamente, dado por la constante de descarga de CE.( R1.+ RB1. ). Cuando se llega al valor VE.= VV. , el emisor se bloquea, parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.= VC. ) y la seal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos, partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc. (1 e-t/R.C) Para nuestro caso el tiempo T1 lo calculamos para Vcc = Vcc VV y VC.= VP. VC = (Vcc_VV). (1 e-T1/RE.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE .CE . ln ( VCC.- VV ) / (VCC.- VP ). El tiempo T2 de descarga es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia de descarga a travs de R1 y RB1. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empricamente: T2 (2+5.C). VEsat. Donde VEsat es el valor dado en las caractersticas del UJT para IE = 50 mA. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 T1 La expresin para el periodo se puede simplificar si hacemos VV 0 T = RE .CE . ln VCC. / (VCC.- VP ). Por otra parte como Vp = .Vcc reemplazando: T= RE .CE . ln VCC / (VCC.- .Vcc ). = RE .CE . ln 1 / (1-) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la relacin intrnseca vale 0,63, entonces reemplazando tenemos: T = RE .CE. Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 . En algunas aplicaciones su valor podr valer entre 2000 y 3000 . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1, este tendr que tener un valor tal que la tensin continua ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 6

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase, no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. VGtmax > RB1 . Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 K y 3 M , para permitir que el circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin de disparo. Si es muy chico, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. Sincronizacin de los osciladores de relajacin El periodo de oscilacin T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. Existen varios mtodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensin interbase, reduciendo as la tensin de disparo y obligar al UJT a dispararse.

Entrada pulsos de sincronismo

Salida de pulsos sincronizados

Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia elctrica en sistemas elctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensin. Una forma es alimentar el oscilador de relajacin con UJT con una tensin rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. De esta forma cuando la tensin pase por cero, todo el circuito prcticamente esta con valor cero, el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo T o de otra forma podr disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ngulo, con respecto al cruce por cero de la tensin de red. El diodo zener cumple la funcin de estabilizar la tensin de alimentacin del generador de pulsos, permitiendo en cada semiciclo generar el pulso, con la misma tensin de disparo Vp. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 7

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito, se muestra el circuito de sincronizacin junto al generador de pulsos:

Pulso de disparo Tensin de alimentacin para sincronizacin

Control manual de potencia elctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado)

Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnolgicamente hablando, tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronizacin con la frecuencia de red. En el circuito la sincronizacin se logra rectificando la tensin alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensin de +24 Volt) respecto a la tensin de alimentacin de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensin de alimentacin. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE, por medio de un potencimetro RE. Para este circuito si quisiramos adaptarlo para un sistema de control automtico, el potencimetro RE, debera reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE, en funcin de la seal de control ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 8

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la prxima figura se grafican las formas de ondas del circuito, as como la variacin de la potencia en la carga en funcin del porcentaje del valor de RE.

Vtriac

Vs Vz Vp VE

Vdisp t %VL 100 80 60 40 20

25

50

75

100

%RE

Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este mtodo de control, consiste en cargar en forma rpida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensin de disparo Vp. De esta forma, la tensin de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potencimetro, como muestra el circuito: VL (%) 100

0 0 30 60 100 Rp

En la grafica se observa que tenemos una variacin brusca en el control de la potencia elctrica sobre la carga, con la variacin de la resistencia del potencimetro. Este control podra aplicarse el control todo o nada como el caso de los rels estticos asincrnicos. Este sistema manejado desde un sistema de control automtico se podra hacer funcionar mediante un transistor, controlando la corriente de base, como muestra la figura: VL

ib

Para este caso cuando el transistor pasa al corte, haciendo la corriente de base cero, El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia mxima. Cuando el transistor esta conduciendo, el capacitor queda cargado con una tensin baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensin de disparo Vp, del UJT; por lo que no se entrega potencia a la carga.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial

Vs Vz Vp Vc

%VL 100 1

Vp1 Vp2 t Vdisp. 0 t1 t2 0 1 para 2 t

100 %Rp RE1.CE RE2.CE

Este mtodo, es una combinacin de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensin pedestal (precarga del capacitor a travs del potencimetro y el diodo). La tensin pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potencimetro y el tiempo de precarga, es rpido dado el valor bajo de Rp.CE. El diodo bloquea una posible derivacin de corriente, cuando el capacitor supera la tensin pedestal, ahora en su carga exponencial, a travs de RE. Los tiempos de disparo t1 y t2, se logran modificando el valor de la tensin de pedestal, con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE. En la grafica del porcentaje de VL en funcin de la variacin del potencimetro, tenemos dos curvas 1 y 2, que corresponden para distintos valores de producto RE.CE. Para un determinado valor de este producto, se logra mejorar la linealidad de la funcin graficada. Una mejora en la linealidad comentada, se logra con el control pedestal, rampa cosenoidal.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal

Vs Vz Vp Vc

%VL 100 1 2 t

Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 t

Vdisp.

100 %Rp RE1.CE RE2.CE

El control por pedestal y rampa cosenoidal, es similar al caso anterior, con la diferencia que la tensin de carga del capacitor, despus de su precarga (pedestal) es cosenoidal. Para lograr este tipo de rampa, el circuito que carga al capacitor a travs de RE, debe ser alimentado por una tensin alterna senoidal, tomada en la entrada del circuito de sincronizacin, antes de ser recortada por el diodo zener. De esta forma, la tensin del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE. iE.dt como iE Vmax/RE.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE. Vmax/RE.sen wt.dt Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ). Este tipo de control, es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variacin de la tensin de pedestal (en este caso, a travs de un potencimetro). ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia elctrica monofsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT

Este circuito, de valor conceptual, nos muestra en forma sencilla, las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Para el caso el circuito principal del convertidor, esta formado por el puente semicontrolado, formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de sincronizacin, control y generacin de los pulsos de disparo, se recurre al puente monofsico formado por los diodos D1, D2, D3 y D4. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado, con seal de referencia, la tensin de control ingresa directamente en el nodo del diodo para controlar el pedestal. (Precarga del capacitor CE). Problema: Disear el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT, con control exponencial:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Seleccin del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga mxima con un ngulo de conduccin de 180, con una carga RL = 100 . _ _ ITM = (1/2).0 (2.220/RL). Sen wt dwt = (2.220/RL.) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ 2 2 ITef. = (1/2).0 (2.220/RL) . Sen wt dwt = (2.220/RL.2)=1,55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = 2.220 V = 310 Volt (tensin mxima inversa repetitiva). A estos valores mximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3. Si tomamos 2, entonces debemos seleccionar en 1 instancia un SCR con los siguientes valores elctricos: ITM 2A ITef. 3 A VRWM 600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinacin de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos, disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca), al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible, siempre que asegure el disparo del SCR. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes caractersticas, para una tensin de alimentacin de 20 volt: RBB = 6 K , = 0,60 , Iv = 4 mA , Vv = 3 volt , Ip = 2A. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) 20 V / RBB = 20 v/ 6 K = 3,3 mA

Dado que la mayora de los SCR se disparan con una tensin de 0,7 a 1 volt, tomamos entonces una tensin sobre RB1 de unos 0,3 volt. De esta forma nos permite un margen de tensin de ruido de o,4 volt (0,7-0,3), que es un valor aceptable. RB1 = VRB1 / IRB1= =,3 V / 3,3 mA 100 b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misin de estabilizar trmicamente a los UJT. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. Para la mayora de los UJT, se estabilizan con resistencias de valor entre 500 a 3 K . Nosotros la vamos a calcular con la formula terica desarrollada anteriormente: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / = (0,6.6)/(20.0,6) + (1-0,6)/0,6.0,1 = 315 Adoptamos RB2 = 470 ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinacin de REmin, REmax y el capacitor CE. Previamente, debemos observar la grafica de la caracterstica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Smbolo Base 1 Emisor IE Base 2

Caractersticas tensin corriente del terminal Emisor-Base 1

Determinaremos primero, el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se producir cuando el capacitor se cargue con la tensin Vc = Vp, a traves de Re y Vz como tensin de alimentacin, Como vemos en la grafica, entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz- Vz.) / Ip = (20 20.0,6) / 2A = 4 M Esto significa que RE deber ser menor de 4 M para que la tensin en el capacitor, llegue a la tensin de disparo Vp del UJT. Para calcular RE min, es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la caracterstica V- I del UJT que presente resistencia positiva, porque si ocurre esto , el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. En la grafica, vemos que el punto limite, esta dado para IV y Vv . El valor mnimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz- Vv) / Iv = (20 V- 3 V) / 4 mA = 4,25 K El valor REmin calculado, significa que RE no debe ser inferior a 4,25 K para que el UJT, una vez disparado, vuelva a bloquearse. Adoptamos RE min = 10 K . Para calcular el valor de la resistencia del potencimetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geomtrica en lugar del valor promedio, dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = REmin.REmax = 4,25 . 4x103 64 K Con este valor, podemos calcular el capacitor, teniendo en cuenta que llegue a la tensin de disparo Vp en el tiempo de t= T/2, cuando RE tiene su valor mximo. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t CE.RE para 0,6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 K = 0,156 F. Un valor de CE fcil de conseguir es de 0,1 F, por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0,1 F = 100 K Adoptamos entonces un potencimetro lineal de 100K C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 K = 2 mA ; IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) 3 mA Estos dos ltimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. Para evitar la tensin de codo del diodo Zener, adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA, de manera tal que cualquier variacin de la corriente de carga, prcticamente no influye sobre la tensin de zener. Para que por el zener circule la corriente adoptada, debemos limitarla con la resistencia Hrs., de manera que su valor, lo podemos determinar como: Rs = (Vm Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V- 20 V) / 25 mA = 11,6 K Adoptamos un valor de Rs. = 12 K Finalmente para seleccionar esta resistencia, debemos conocer su disipacin mxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3,3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . Vz = 20 mA . 20 V =0,4 W Adoptamos un diodo zener de W. Finalmente nos queda determinar el diodo D que, junto con la seal alterna provee la sincronizacin y alimentacin del circuito de disparo. En este caso la corriente mxima que circulara por este diodo, ser la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. La tensin inversa mxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm.2 = 220 .2 = 310 volt.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estndar como el 1N4005, 1N4006 o el 1N4007, que soportan una corriente mxima de1 A y una tensin inversa mxima repetitiva de 600, 800 y 1000 volt respectivamente. Diseo prctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal, control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior, remitindonos al clculo de los componentes del circuito de disparo, segn la figura:

vs

Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt180

1) Los valores de Rs., RB1, RB2, se determinan en forma similar al problema anterior. 2) El potencimetro que fija la tensin de pedestal se fija en forma practica en 5K y si adoptamos CE = 0,1 F, entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensin pedestal es de : t = Rp.CE = 5K .0,1 F = 0,5 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensin de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180 o sea en 10 mseg. Como la carga del condensador es cosenoidal, entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ). ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 , cos 180 = -1 , Vc =.Vz = 0,6. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . 2) / ( Vz . . CE. W) = 1,56 M El diodo D1 se adopta estndar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mnima lo mismo su tensin inversa. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. Para este caso, la seal de control realimentada, obtenida como seal de error, amplificada, compensada y adaptada al circuito, se aplica como tensin de pedestal para controlar el ngulo de fase. La figura siguiente, nos muestra el circuito simplificado:

Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la relacin intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo. A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor pnp)

nodo P N P N Ctodo

(A)

A GA Puerta (GA)

C Smbolo (C)

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura:

El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT, la corriente de nodo IA es prcticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" , se produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del nodo y compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que provoca el estado de conduccin de PUT entre el nodo y el ctodo. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensin VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle IV (mnima de mantenimiento), el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT. La prxima figura muestra la caracterstica V-I de los terminales nodo-ctodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs

VA VV IGAo Ip Iv IA IAC

En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajacin, sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el Terminal nodo del PUT con el Terminal que corresponde al emisor del UJT y el ctodo del PUT, con el terminal base2 del UJT. Se deber agregar un divisor resistivo, para programar la relacin intrnseca . ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura, muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1, Rp) y su fuente de alimentacin (D1, C1).

Generacin de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble, conectado en antiparalelo, sin compuerta, que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales, cuando la tensin en sus extremos supera el mximo voltaje de bloqueo directo VBO. El dibujo siguiente, muestra la estructura interna, su smbolo y su caracterstica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Smbolo N1 A2

IA VA2> VA1

10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensin de activacin (20 a 30 volt), se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicacin para controlar la potencia elctrica para una carga conectada en corriente alterna, control en ambos semiciclos:

VT2-T1

Vc t Idisp t

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC; por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensin, tipo RC. De esta forma la tensin del capacitor estar retrasada respecto a la tensin de lnea. Cuando la tensin del capacitor llega a la tensin de activacin del DIAC, este se dispara, inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC, activndolo. Cuando este ltimo se activa, cae la tensin del circuito de disparo, por estar conectado a los terminales del TRIAC, haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. Para el semiciclo negativo, el capacitor se carga inversamente, y cuando llegue a la tensin de activacin del DIAC, se producir un pulso de corriente con polaridad opuesta, haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. Conectando al TRIAC adecuadamente, se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad. Determinacin del ngulo mnimo de activacin del DIAC: Este se producir cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensin de alimentacin tome el valor de activacin del DIAC o sea VBO . VBO = Vm, sen min min = arc.sen (VBO /Vm) Determinacin del ngulo mximo de activacin del DIAC: max = - min =- arc.sen (VBO /Vm) Clculo de la constante de tiempo R.C para el ngulo de activacin mximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensin previa Vc = vo + 1/C i dt como i = (vs vc) / R vs / R y vs = Vm. Sen wt

Vc = vo + 1/C vs/R dt = vo + 1/C. Vm/R.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = max. = - min =- arc.sen (VBO /Vm) = T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0 = vo + (2.Vm) / ( R.C.W). Despejando la constante de carga obtenemos: R.C = (2.Vm) / (VBO vo).W Seleccionando el valor de R o de C, obtenemos el otro. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito, en la prctica tiene histresis, respecto a la variacin de la constante CR., para variar la potencia en la carga, debido a la carga residual del capacitor. Para evitar este inconveniente se reduce con el mtodo de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo, que hace que el capacitor C2 (de la prxima figura) siempre mantenga una carga residual, prcticamente constante, anulando el efecto de histresis.

2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva, se producir un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensin de alimentacin. En este caso cuando la corriente se hace cero, puede ocurrir que la tensin de alimentacin en ese momento, tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicacin a superado su mxima dv/dt. Por ello, al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt, colocando un circuito serie RC (red amortiguadora), en paralelo con el TRIAC. El valor de R y C necesarios, se determina por clculo o por graficas (bacos) suministradas por el fabricante, dados en funcin de la corriente eficaz y mxima dv/dt del TRIAC. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminacin con lmparas incandescentes, se debe tener precaucin cuando se selecciona el TRIAC, que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta, sino tambin la mxima corriente pico que admite el TRIAC. Esto es necesario tenerlo en cuenta, especialmente en las lmparas de iluminacin incandescentes dado que su resistencia elctrica en fro es muy baja, siendo la corriente de choque o inicial, cuando se prende la lmpara, muy alta. En lmparas de alta potencia la Inicial / I nominal es de 15:1 y en lmparas de baja potencia 10:1. 4) Otro aspecto a tener en cuenta, es que los circuitos de control con variacin del ngulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia, en el momento de la conduccin, debido a los picos de la corriente producidos por la conexin a la carga a una tensin no nula. Para evitar estas interferencias, se pueden colocar filtros de provisin comercial para red industrial, o un filtro como muestra la siguiente figura:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final

AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia elctrica con tiristores, como el caso de los rectificadores controlados, existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. El circuito convertidor, propiamente dicho, esta sujeto por lo general, a tensiones elctricas superiores a los 100 volt, mientras que los circuitos de control y formacin de pulsos de disparo, trabajan con tensiones elctricas de baja magnitud. (Para los circuitos de disparo de compuerta, entre 12 y 30 volt). De all la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. El aislamiento se logra utilizando opto acopladores y transformadores de pulso. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz, normalmente del tipo de emisin infrarroja (ILED, de infrared Light-emitting diode )y en su salida , tiene un semiconductor detector de luz, como por ejemplo un fototransistor, un fotodarlington o un fototiristor. Ambos circuitos, estn acoplados mediante un dielctrico transparente, proporcionando, entre ellos, una aislamiento elctrico, entre 5 y 15 KV. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor, asegurando entre ellos una alta tensin de aislamiento. Ejemplo:

Entrada

Salida

Diodo emisor de luz (ILED)

Foto transistor

Tipos: HP24 6 KV aislamiento; HP23 , uso en fibras pticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado, opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. Valores tpicos para el encendido (ton) son de 2 a 2,5 s y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Estos tiempos de conmutacin, limitan las aplicaciones en alta frecuencia. En la prxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR:

Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. El inconveniente de este tipo de aislamiento, es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensin de muy corta duracin. Son construidos con ncleos magnticos de gran permeabilidad, con aleaciones especiales como Hipersil, Permalloy o Ferrite. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios devanados secundarios se pueden lograr seales pulsantes simultneas para excitacin de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequea, y el tiempo de subida del pulso deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo, y con baja frecuencia de conmutacin, el transformador se satura y la salida se distorsiona. Aislamiento y amplificacin de pulsos con transformadores de pulso A continuacin veremos algunos circuitos tpicos de aislamiento y amplificacin de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. Los pulsos de corriente generados por el PUT, son amplificados por el transistor bipolar Q1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensin que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador

V1

t Cuando aplicamos pulsos rectangulares positivos o de larga duracin a la red diferenciadora, formada por C1R1, se generan pulsos cortos, positivo, en el flaco de subida y negativo, en el flanco de bajada. El pulso negativo, es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. El pulso positivo, produce la conmutacin de Q1, hacindolo pasar a la saturacin, lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador, induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador, que se aplica entre los terminales de compuerta y ctodo del tiristor. Cuando el pulso se retira de la base de Q1, el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a travs del primario, haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). La corriente, debida a la energa magntica disminuye a cero a travs de Dv. Durante esta disminucin transitoria, se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. 3) Generacin de pulsos largos

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor C en paralelo con el resistor R. El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se puede saturar limitando as el ancho del pulso. (Se logran pulsos de 50 a 100seg) 4) Generacin de tren de pulsos

En numerosos convertidores de potencia elctrica, las cargas son del tipo inductiva, por lo que el periodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. La consecuencia de esto, es que no se sabe exactamente el inicio de conduccin del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores.; pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor, por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. El circuito anterior permite la generacin de un tren de pulsos, por la accin del devanado auxiliar N3. Cuando se aplica la tensin en la entrada V1, el capacitor C1 se carga a travs de R1, haciendo conducir a Q1; esto provoca conduccin en el devanado primario lo que induce un pulso de tensin en N2 (hacia el tiristor) y N3, que polariza negativamente al diodo D1. Esto provoca el corte de Q1; al desaparecer la tensin negativa sobre D1, Q1 nuevamente conduce corriente, generando otro pulso, repitindose el proceso, lo que da lugar en la salida de N3, a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensin V1 en la entrada. A este tipo de circuito se le denomina Oscilador de pulsos de bloqueo. 5) Generacin de tren de pulsos con oscilador y compuerta lgica AND

Oscilador de pulsos

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior, donde el mismo circuito que a travs del devanado N3, se generaba el tren de pulsos, en este caso, se genera externamente, por medio de otro circuito, como por ejemplo, utilizando un CI555. Con una etapa de control y excitacin del tipo de compuerta Y (AND), se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos, mediante la tensin V1. Proteccin en los circuitos de compuerta

La salida de los circuitos de disparo, se conectan normalmente, para el caso de un SCR, entre la compuerta y el ctodo, junto con otros componentes que actan como protectores de la compuerta. Para el circuito (A) de la figura anterior, el capacitor Cg, cumple la misin de eliminar los componentes de ruido elctrico de alta frecuencia, aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. Para el circuito (B), el resistor Rg aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor, reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujecin y enganche.

Para el circuito (C), el diodo Dg, protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin embargo, para los rectificadores controlados de silicio, como el SCR, resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta, para mejorar la capacidad de dv/dt y tambin para reducir el tiempo de apagado. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A, B y C pueden combinarse, como se observa en el circuito D, donde adems se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta.

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