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Lista 01 1. Metlicas, Polmeros, Cermicos e Compsitos. 2.

Cobre ferro fundido, ligas de aos, porcelanas, vidros tijolos refratrios, polietileno, epxi, fenlicas, grafite-epxi, resinas fenlicas com fibra de vidro. 3. Podem ser descritos com a combinao de dois ou mais diferentes matrias, o q resulta em propriedades no apresentadas pelos constituintes individuais. Alm disso, os materiais constituintes do material compsitos no dissolvem um no outro e exibem uma interface bem definida entre eles. 4. Foi feito substituio do ao em automveis por um material compsito matriz plstica (fibras de carbono que permitem obter uma relao resistncia mecnica) peso. Com o uso desse material compsito possvel projetar o veiculo, com um peso total menor, alm de diminuir o custo. A troca de materiais metlicos por matrias plsticos nos painis dos automveis foi devido a segurana e custos. Com o uso de plsticos , o painel se tornou mais seguros para os ocupantes do veiculo em casos de acidentes, pois esses materiais deformam-se mais facilmente que os materiais metlicos.

5. Em razo da sua excelente estabilidade trmica. 6. Materiais compsitos como Keviar, fibra de carbono, fibra de vidro, Nomera / keviar. 7. Materiais cermicos, no rotor de impulso usado uma superfcie de nquel e no rotor de compresso uma liga de alumnio.

Lista 02 1. Inica perdem ou ganham eltrons na camada de valncia ocorrem em elementos metlicos e no-metlicos possuem camada de valncia completa, tem ligao forte. Covalente compartilhamento de eltrons, comuns entre elementos no-metlicos possuem ligaes muito forte. Metlica nuvens de eltrons, nuvem se forma pelos eltrons de valncia, so bons condutores tem ligaes geralmente forte. 2. Metais ligao metlica; Cermicos ligao covalente e inica; Polmeros ligao covalente. 3. Ligao metlica. 4. Quanto maior a diferena entre as eletro negatividades maior ser a fora de atrao entre os tomos, isto implica em uma fora muito forte que pode-se considerado na ligao covalente.

5. Os eltrons livres do ao metal sua condutividade eltrica elevada, pois podem se mover livremente sobre ao de um corpo eltrico. A condutividade trmica elevada esta associada a mobilidade dos eltrons de valncia que podem transferir energia trmica de um nvel de alta temperatura para outra de baixa. 6. Os tomos componentes adquirem uma configurao estvel atravs de ligaes covalentes dentro das molculas. A condensao destas molculas ocorre somente quando for suficientemente reduzidas isto explica o motivo de ligao covalentes ser menos densas. 7. A temperatura baixa influencia no aumento da distncia interatmica dos tomos em virtude da forma assimtrica representando a variao da energia com a distncia esse aumento no espaamento entre os tomos responsvel pela expanso trmica que tambm influencia na alterao do arranjo atmico expandido. 8. Muitos tipos de energia podem ser usados para mover os tomos de suas posies de equilbrio, em temperaturas elevadas, a energia trmica produz movimentos atmicos pode ser suficiente para separar completamente os tomos devidos aumentar a distncia interatomica. 9. O fato de que uma aproximao excessiva torna muitos eltrons suficientemente prximos, de modo a se repelirem. A distancia de equilbrio a distncia para qual ambas as foras de atrao e de repulso so iguais. 10. Como a fora da gravidade essencialmente Constante ao longo da distncia o magneto superior cai ate o ponto na qual repelido por uma fora magntica igual, mas de sentido contrario. Como a fora repulsiva aumenta com o inverso do quadrado da distncia, atinge-se uma distncia de equilbrio. 11. a fora exercida pela unio de dois tomos que ira caracterizar um elemento essa ligao ocorre atravs de fora de repulso entre os campos eletrnicos de dois tomos. 12. A energia de ligao a soma da fora de atrao e repulso que serve de base par a energia de ligao e para as distncias intertomicas. 13.

Lista 03 1. Materiais Cristalinos possuem seu arranjo atmico definido com estrutura repetitiva que se estende por muitas distncias atmicas. Materiais no-Cristalinos possuem arranjos menos definidos e permitem maiores diferenas na composio. 2. Cbico, tetragonal, ortorrmbico, monoclnico, triclnico, hexagonal e rombodrico. 3. Empacotamento atmico ocorre quando um tomo esta no centro do cubo e oito oitavos esto nos oito vrtices o tomo fica cercado por tomos adjacentes. 4.

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6. Que as molculas podem ter estruturas diferentes ainda que a composio seja a mesma. Material pode sofrer tratamento trmico sem alterar suas propriedades. Ex: Fe SiC 7. Direes no cristal usualmente, utilizam-se colchetes [ 4 K L] para indicao as direes no cristal. 8. a caracterizao de uma substncia que possui diferentes propriedades fsicas ou biolgicas independente da direo consideradas. Ex: Madeira

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Lista 04 1. Pontuais lineares, cunha, hlice e mista. Planares, superficial externa, contorno de gro. Volumtrica, vazia, fraturas. 2. um defeito linear em torno do qual alguns tomos esto desalinhados separados a regio deformada do material.Raio atmico, mesma estrutura cristalina, eletro negatividade prxima e mesma valncia. 3. As solues se deformam quando os tomos do solvente e do soluto tem dimenses e estrutura eletrnicas semelhantes .Soluo solida substitucionais, ordenadas e intersticiais. 4. A soluo solida Cromo-Niquel vo desde praticamente a ausncia de nquel a quase 100% de cobre at quase 100% de nquel e praticamente ausncia de cobre,todas as ligas de nquel so cbica de fases centradas. 5. Os tomos ao longo do contorno tm uma energia mais elevada que aqueles do interior dos gros isto justifica o ataque mais rpido dos contornos esta energia dos contornos tambm importante na nucleao de novas fases durante uma transformao polimrfica e o menor empacotamento atmico favorece a difuso. 6. Contorno de pequeno ngulo um contorno que sua energia associada ao contorno relativamente pequena, entretanto ele tem importncia, porque tende a ancorar os movimentos das discordncias que normalmente contribuem para a deformao plstica. 7. Deformao a frio, para dar as propriedades desejadas. Recozimento para amolecer e tratamento trmico. 8. um defeito que ocorre num plano definido e numa direo especifica aparece por tenses mecnicas, tratamentos trmicos, alterao estequiomtrica e presena de impurezas.

Lista 5 4. Os defeitos influenciam na difuso, pois um tomo pequeno tem uma energia de ativao menor que um tomo grande ou molcula, da mesma forma os movimentos intersticiais requerem mais energia que os movimentos vazios. So necessrias elevadas energia de ativao para difuso em materiais fortemente ligados e de alto ponto de fuso. 6. Na superfcie pois os tomos no so completamente comparveis aos do interior do cristal pois, tem vizinhos em um dos lados ento os tomos tm mais energia que no interior. 7. Energia de ativao, autodifuso e gradientes de concentrao. 8. Dopagem em materiais semicondutores. Cementao, endurecimento superficial. Recristalizao alivio de tenses.

9. Mecanismo de movimento atmico e distribuio de energia trmica. 10. A quantia de material transportado ou fluxo de tomos por unidade de rea na unidade de tempo, proporcional ao gradiente de concentrao Dc/Dx D;Recebe O nome de coeficiente de difuso e expressa em centmetro quadrado/Segundo.

UNIJUI Universidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do Sul

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Tiago Roberto Simon

Panambi, 23 de setembro de 2009

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