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Electrnica Industrial.

Gua 5

Facultad: Ingeniera Escuela: Ingeniera Electrnica Asignatura: Electrnica industrial Contenido.

El GTO e IGBT
Objetivos especficos. Determinar las modalidades de funcionamiento del transistor IGBT. Medir los principales parmetros del transistor IGBT. Determinar las modalidades de funcionamiento del GTO.

Material y equipo.

Cantidad 1 1 1 1 1

Descripcin Tablero maestro Tarjeta de circuito impreso DE LORENZO Multmetro Osciloscopio Generador de funciones

Tabla 1.1 Material y equipo.

Introduccin terica.
El IGBT (Gate Bipolar Transistor) combina las cualidades del transistor bipolar de unin y las del MOSFET. El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un d ispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 5.1 muestra la simbologa para este tipo de transistores.

Figura 5.1. Smbolos alternativos de los transistores IGBTs.

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Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios. Principio de funcionamiento y estructura. La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa P+ que forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 5.2. Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, Pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas. En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la regin N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios (agujeros), a partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un MOSFET similar.

Figura 5.2 Estructura bsica del transistor IGBT. Caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los BJT.

Figura 5.3 Caracterstica esttica del transistor IGBT. A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar tales

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componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A. El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 5.4), as como su estructura interna en dos dimensiones.

Figura 5.4 Smbolo y estructura interna de un GTO.

Principio de funcionamiento El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin. La figura 5.5 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y salida de conduccin del GTO. La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2. Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad, las diferencias estn en el nivel de construccin del componente. El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como: Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es posible debido al uso de impurezas con alta movilidad. Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales. Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor dopado en la regin del ctodo.

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Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo con gran rea de contacto. Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones inversas.

Figura 5.5 Proceso de conmutacin (abertura y cierre) del GTO. Caractersticas estticas (corriente tensin) del GTO.

Figura 5.6 Caracterstica esttica (I V) de un GTO. Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF. Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento. Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo a ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que un SCR y adems el rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se suelen llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada que para los tiristores convencionales.

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Procedimiento.
Parte I. Carga resistiva. 1. En el modulo DL 3155E22 ubique el circuito de la figura 5.7

Colector

Figura 5.7 Esquema del IGBT. Conecte la resistencia RL1 (150) del bloque Load en los puntos 3 y 4. Conecte out del bloque DRIVER en el punto 1. Conecte el positivo de la punta del osciloscopio (colector del IGBT). Variar a travs del trimmer P1 del bloque DRIVER la frecuencia de la seal de onda cuadrada generada. 6. Variar a travs del trimmer P2 del bloque DRIVER el duty-cycle (relacin entre el periodo donde la seal de onda cuadrada generada por el bloque DRIVER mismo y ponerlo 1 valor mximo. 7. Dibuje la forma de onda. 2. 3. 4. 5.

8. Medir el tiempo utilizado por el IGBT para conmutar.

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9. Desconecte RL1 de los tomas 3 y 4 y conecte la resistencia RL2 (RL2 = 470 ). 10. Conecte la punta del osciloscopio en el punto 2 y recordando que el diodo zener tiene una tensin de 9.1 voltios (diversamente de lo que sucede en los transistores bipolares), Dibuje la forma de onda.

Parte II. Funcionamiento del GTO. 1. Ubique el circuito del GTO y conecte la resistencia RL1 del bloque Load en los puntos 2 y 3. 2. Conecte las puntas del osciloscopio en el punto 3 (colector del GTO) y tierra, dibuje la forma de onda.

3. Medir los niveles de tensin del gate con GTO en conduccin (GTO driver on) y con GTO driver off. GTO on VG = ________________ VR1 = __________________

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GTO off. VG = ________________

VR1 = __________________

Que concluye basndose en el funcionamiento del GTO : ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ 4. Medir los niveles de tensin del nodo con GTO en conduccin (GTO driver on) y con GTO driver off. GTO on VG = ________________ VR1 = __________________ GTO off. VG = ________________ VR1 = __________________

Que concluye basndose en el funcionamiento del GTO : ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________

Anlisis de resultados.
1. Presente todas las formas de onda en papel milimtrico (o en las plantillas de la gua), y explquelas separadamente. 2. Explique detalladamente cada experimento realizado en la prctica y conteste las interrogantes que se le han planteado. .

Investigacin complementaria.
1. Presente los datos tcnicos del GTO e IGBT utilizado. 2. Investigue sobre aplicaciones del GTO e IGBT. 3. Investigue sobre simuladores en los cuales se puede hacer la simulacin del GTO e IGBT.

Bibliografa.
Savant, J.C. Diseo Electrnico. Adisson Wesley 2. Edicin Mxico 1992.

DEGEM Systems. Curso EB-112: Electrnica Industrial. Inter Training Systems-1998.

Boylestad, Robert. Electrnica: Teora de Circuitos. Prentice Hall. 2. Edicin Mxico 1997. 7

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