Modelagem de Incertezas

UNIVERSIDADE DE BRASLIA
FACULDADE DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

MODELAGEM DE INCERTEZAS EM
SISTEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICOS

JOO BATISTA JOS PEREIRA

ORIENTADOR: LEONARDO R. A. X. DE MENEZES

TESE DE DOUTORADO EM ENGENHARIA ELTRICA

PUBLICAO:
BRASLIA/DF: ABRIL 2008
ii
FICHA CATALOGRFICA
PEREIRA, JOO BATISTA JOS
Modelagem de Incertezas em Sistemas de Aterramento Eltricos.
[Distrito Federal] 2008.
xiii, 118p., 210 x 297 mm (ENE/FT/UnB, Doutor, Tese de Doutorado Universidade de
Braslia. Faculdade de Tecnologia.
Departamento de Engenharia Eltrica
1. Introduo 2. Objetivos
3. Reviso Bibliogrfica 4. Teoria da Transformada da Incerteza
5. Resultados e Discusso 6. Concluses
I. ENE/FT/UnB II. Ttulo (srie)

REFERNCIA BIBLIOGRFICA
PEREIRA, J. B. J. (2008). Modelagem de Incertezas em Sistemas de Aterramento
Eltricos. Tese de Doutorado em Engenharia Eltrica, Publicao PPGENE.TD-023/2008,
Departamento de Engenharia Eltrica, Universidade de Braslia, Braslia, DF, 118 p.

CESSO DE DIREITOS
AUTOR: Joo Batista Jos Pereira.
TTULO: Modelagem de Incertezas em Sistemas de Aterramento Eltricos.
GRAU: Doutor ANO: 2008

concedida Universidade de Braslia permisso para reproduzir cpias desta tese de
doutorado e para emprestar ou vender tais cpias somente para propsitos acadmicos e
cientficos. O autor reserva outros direitos de publicao e nenhuma parte dessa dissertao
de mestrado pode ser reproduzida sem autorizao por escrito do autor.

____________________________
Joo Batista Jos Pereira
Av Graa Aranha Qd. 35 Lt. 02 Jd. Nova Era
74.916-070 Aparecida de Goinia - GO Brasil.

iii
AGRADECIMENTOS

Agradeo a DEUS, fonte de vida, f, esperana, perseverana e sabedoria. Porto seguro e
conforto para os momentos mais incertos. Aos familiares e esposa pelo carinho, incentivo e
confiana. Ao meu orientador Leonardo R.A.X. de Menezes e professores da UnB que
acreditaram no meu potencial e capacidade.

iv

Dedicado este trabalho a minha
me Valdecy, irmos e irms, a minha
esposa Priscilla, minhas filhas Paula e
Lara, meu filho Thiago e a todos
aqueles que direto ou indiretamente
contriburam para a realizao deste
sonho que ora se torna realidade.

Um pouco de cincia nos afasta de
Deus. Muito, nos aproxima.

Louis Pasteur
v
RESUMO
MODELAGEM DE INCERTEZAS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO
ELTRICO

Autor: Joo Batista Jos Pereira
Orientadora: Leonardo R.A.X. de Menezes
Programa de Ps-graduao em Engenharia Eltrica
Braslia, ms de Abril (2008)

Este trabalho apresenta o efeito de tenses induzidas devido a pulsos eletromagnticos e
estudado com a combinao do software de simulao eletromagntico comercial
(MEFISTo) e modelamento de incerteza. A incerteza introduzida usando a tcnica UT
(Unscented Transform Transformada de Incerteza) para duas variveis aleatrias: a
permissividade relativa e a condutividade do solo. Estas foram modeladas como variveis
aleatrias independentes com distribuio uniforme. Os resultados foram os momentos
estatsticos da tenso induzida (valor esperado e desvio padro) como tambm uma
estimativa da funo de distribuio cumulativa. Este trabalho usa uma especificao
discreta da funo distribuio de probabilidade para modelar incerteza em simulaes
TLM. A idia principal est baseada na UT. A principal extenso do trabalho o
modelamento preciso de diferentes funes densidade de probabilidade usando a
aproximao UT+TLM. Este trabalho ainda avalia os problemas decorrentes das descargas
atmosfricas, principalmente aqueles relacionados com a tenso de passo, os quais so
causas de litgio devido morte ou danos. Isto porque a base para projetos de engenharia
precisa ser robusta e transparente para administrar este risco.

vi
ABSTRACT
MODELAGEM DE INCERTEZAS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO
ELTRICO

Author: Joo Batista Jos Pereira
Supervisor: Leonardo R.A.X. de Menezes
Programa de Ps-graduao em Engenharia Eltrica
Braslia, month of April (2008)

This work presents the effect of induced voltage due to electromagnetic pulses and it is
studied with the combination of the commercial electromagnetic simulation software
(MEFISTo) and uncertainty modeling. The uncertainty is introduced using the UT
(Unscented Transform) technique for two random variables: the relative permittivity and
conductivity of the soil. These were modeled as independent random variables with
uniform distribution. The results were the statistical moments of the induced voltage (the
expected value and deviation standard) as well as an estimate of the function of cumulative
distribution. This work uses a discreet specification of the function distribution of
probability to model uncertainty in simulations TLM. The main idea is based on UT. The
main extension of the work is the accurate modeling of different functions density of
probability using the approach UT+TLM. This work still evaluates the problems decurrent
of the atmospheric discharges, mainly those related with the step voltage, which are causes
of lawsuit due to the death or damages. This because the base for engineering projects
needs to be robust and transparent to administer this risk.

vii
SUMRIO
1 - INTRODUO.......................................................................................................... 1
2 - OBJETIVO................................................................................................................. 4
3 - REVISO BIBLIOGRFICA................................................................................... 5
3.1 - COMPATIBILIDADE ELETROMAGNTICA............................................... 5
3.2 - DESCARGAS ATMOSFRICAS........................................................................7
3.3 - SISTEMAS DE PROTEO CONTRA DESCARGAS ATMOSFRICAS10
3.4 - SISTEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICO..............................................15
3.4.1 - Determinao dos Valores da Resistividade do Solo...............................16
3.4.2 - Caractersticas Eltricas e Mecnicas do Solo..........................................19
3.4.3 - Tratamento de um Solo de Alta Resistividade e Corroso dos Eletrodos
de Aterramento.......................................................................................................22
3.4.4 - Mecanismo de Conduo do Solo..............................................................24
3.4.5 - Clculo de Aterramentos pelo Processo de Distribuio Uniforme de
Corrente...................................................................................................................25
3.4.6 - Comportamento de um Aterramento Eltrico sob Descarga
Atmosfrica.............................................................................................................29
3.4.7 - Modelamento de um Sistema de Aterramento.........................................32
3.5 - SIMULAO ELETROMAGNTICA...........................................................38
3.5.1 - Modelagem por Linhas de Transmisso...................................................38
3.5.2 - Mtodo TLM Tridimensional....................................................................40
3.6 - TENSO DE PASSO..........................................................................................54
4 - TEORIA DA TRANSFORMADA DE INCERTEZA.............................................61
4.1 - FUNDAMENTOS DE ESTATSTICA..............................................................61
4.1.1 - Monte Carlo.................................................................................................64
4.2 - INTRODUO A PROBABILIDADE.............................................................65
4.2.1 - Variveis Aleatrias....................................................................................68
4.2.2 - Funo de Distribuio...............................................................................69
4.2.3 - Variveis Aleatrias Discretas...................................................................69
4.2.4 - Variveis Aleatrias Contnuas.................................................................70
viii
4.2.5 - Valor Esperado............................................................................................71
4.2.6 - Variveis Aleatrias Bidimensionais.........................................................73
4.2.7 - Variveis Contnuas Bidimensionais.........................................................73
4.2.8 - Distribuio Terica Normal Contnua....................................................74
4.2.9 - Consideraes sobre o Desvio Padro e Intervalo de Confiana............76
4.3 - INTRODUO A PROCESSO ESTOCSTICO............................................79
4.4 - TRANSFORMADA DE INCERTEZA COM SIMULAES TLM.............81
5 - RESULTADOS E DISCUSSO..................................................................................93
6 - CONCLUSES ..........................................................................................................109
6.1 - SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS............................................110
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS..........................................................................111
BIBLIOGRAFIA..............................................................................................................117

ix
LISTA DE TABELAS

Tabela 3.1- Relao entre Nvel de Proteo, Eficincia do SPDA e o Raio da Esfera.......13
Tabela 3.2 - Resistividade dos Tipos mais Comuns de Solo. ............................................ 21
Tabela 3.3 - Impedncia de Corpo Total Z
T
. ..................................................................... 57
Tabela 3.4 - Fator de Corrente de Corao F para Diferentes Caminhos da Corrente. ....... 58
Tabela 3.5 - Limites para Tenso de Passo (EG-1). .......................................................... 60
Tabela 4.1 - Distribuio de Frequncias Relativas para um "Dado"................................. 61
Tabela 4.2 - Funo de Probabilidade para um "Dado". .................................................... 62
Tabela 4.3 - Exemplo de Clculo da Mdia e do Desvio Padro para Alturas ................... 63
Tabela 4.4 - Equaes para Momentos Amostrais e Momentos Populacionais.................. 63
Tabela 4.5 - Exemplo de Clculo da Mdia e da Varincia para Nmero de Meninas........64
Tabela 4.6 - Mdias Relativas para o Exemplo Monte Carlo ............................................ 64
Tabela 4.7 - Clculo do Valor Esperado de X ................................................................. 65
Tabela 4.8 - Tabela para Determinao do Valor de Z...................................................... 78
Tabela 4.9 - Classificao do Processo de Marcov ........................................................... 80
Tabela 4.10 - Funes Densidade Probabilidade e Polinomios Correspondentes............... 85
Tabela 4.11 - Pesos, Pontos Sigma e Funes Densidade Probabilidade Correspondentes 86
Tabela 4.12 - Nmero Mnimo de Pontos Sigma na Segunda e Quarta Ordem de
Aproximao ................................................................................................................... 88
Tabela 4.13 - baco UT para 3 Pontos Sigma.....................................................................88
Tabela 4.14 - baco UT para 5 Pontos Sigma .................................................................. 89
Tabela 5.1 - Valor Esperado e Desvio Padro da Tenso Induzida para o Primeiro Caso. . 98
Tabela 5.2 - Valor Esperado e Desvio Padro da Tenso Induzida para o Segundo Caso 100
Tabela 5.3 - Resultados para outras Configuraes de Sistema de Aterramento.............. 102
Tabela 5.4 - Valor Esperado e Desvio Padro da Tenso de Passo para MC e UT .......... 103
Tabela 5.5 - Valor Esperado e Desvio Padro da Tenso de Passo para uma Estrutura de
Aterramento com uma Camada ...................................................................................... 103
Aterramento com duas Camadas Simulado com MEFISTo-3D ...................................... 104
Aterramento com duas Camadas Calculado com as Equaes 5.4 e 5.5.......................... 104
x
Aterramento com Haste em duas Camadas..................................................................... 105
Tabela 5.9 - Simulao de Tenso de Passo em Solo de duas Camadas, descarga sobre
Esfera e
2 1
............................................................................................................ 107
Haste e
2 1
............................................................................................................. 108
Esfera e
2 1
r r ............................................................................................................ 108
Haste e
2 1
r r ............................................................................................................. 108

xi
LISTA DE FIGURAS

Figura 3.1 - Mapa do ndice Cerunico do Brasil ...............................................................8
Figura 3.2 - Etapas de Formao de uma Descarga Atmosfrica.......................................10
Figura 3.3 - Estrutura Total de um SPDA com um Captor . ..............................................11
Figura 3.4 - Regio de Proteo de um Captor Franklin de Torre Vertical ........................12
Figura 3.5 - Zona de Proteo da Esfera Rolante. .............................................................13
Figura 3.6 - Exemplos de Proteo de Vrias Estruturas pelo Mtodo Eletrogeomtrico...13
Figura 3.7 - Mtodo da Goiala de Faraday.......................................................................14
Figura 3.8 - Solo Estratificado em 4 Camadas ..................................................................17
Figura 3.9 - Exemplo de Haste Cravada em Solo de Trs Camadas. .................................18
Figura 3.10 - Configurao de Ligao do Terrrmetro para Medio de Resistncia de
Terra................................................................................................................................19
Figura 3.11 - Resistividade do Solo Comparada ao Teor de Umidade ou Salinidade.........20
Figura 3.12 - Diagrama de Conduo do Solo ..................................................................24
Figura 3.13 - Forma de Onda de uma Descarga Atmosfrica ...........................................31
Figura 3.14 - As Trs Zonas que Caracterizam o Solo......................................................34
Figura 3.15 - Modelo TLM Unidimensional.....................................................................39
Figura 3.16 - Clula Bsica do N Bidimensional TLM Paralelo......................................39
Figura 3.17 - Clula Bsica do N Bidimensional TLM Srie ..........................................40
Figura 3.18 - N Simtrico Condensado TLM Tridimensional .........................................41
Figura 3.19 - Detalhes do N Simtrico Condensado TLM Tridimensional ......................41
Figura 3.20 - Aplicao de um Pulso Unitrio a Porta 1. ..................................................42
Figura 3.21 - Procedimento para Determinao da Corrente. ............................................52
Figura 3.22 - Limiar de Fibrilao Ventricular para Biegelmeier e Lee. ............................56
Figura 3.23 - Impedncias Internas do Corpo Humano (AS/NZS 60479.1:2001). .............57
Figura 4.1 - Grficos da Distribuio de Frequncias Relativas para um "Dado". .............62
Figura 4.2 - Funo Distribuio de uma Varivel Aleatria Discreta...............................70
Figura 4.3 - Funo Distribuio de uma Varivel Aleatria Contnua P(a<X<b) ............71
Figura 4.4 - Funes de Distribuio e de Densidade para Combinaes de e
2
...........75
Figura 4.5 - Funo de Densidade para a Distribuio Normal Padro..............................75
Figura 4.6 - Funo de Densidade de Distribuio Normal (=1 e =0) ...........................76
Figura 4.7 - Probabilidade Includa Alm do Ponto Z
0
=1,4 ..............................................76
xii
Figura 4.8 - Funo Densidade de Probabilidade Normal Contnua e a Aproximao
Discreta ...........................................................................................................................82
Figura 5.1 - Resistividade do Solo em Funo da Frequncia (Equao 5.2 com
(100)
=1.m).....................................................................................................................94
Figura 5.2 - Viso Tridimensional da rea de Simulao no MEFISTo-3D para o Primeiro
Caso. ................................................................................................................................95
Figura 5.3 - Forma de Onda do Sinal de Entrada ..............................................................96
Figura 5.4 - Campo Eltrico em Funo da Permissividade Eltrica Relativa e da Distncia
........................................................................................................................................96
Figura 5.5 - Campo Eltrico em Funo da Condutividade Eltrica e da Distncia ...........97
Figura 5.6 - Tenso de Passo em Funo da Distncia,
r
e ..............................................97
Figura 5.7 - FDC da Tenso de Passo Calculada com o UT(3 e 5) para o Primeiro Caso ..98
Figura 5.8 - Tenso de Passo para Ipk=1kA em Funo da Distncia,
r
e (Equao 5.4)
........................................................................................................................................99
Figura 5.9 - Viso Tridimensional da rea de Simulao no MEFISTo-3D para o Segundo
Caso............................................................................................................................... 100
Figura 5.10 - FDC da Tenso de Passo Calculada com o UT(5) para o Segundo Caso. ... 101
Figura 5.11 - Viso Tridimensional da rea de Simulao no MEFISTo-3D para o Caso de
Solo de duas Camadas.................................................................................................... 101
Figura 5.12 - Estrutura de Aterramento de uma Camada Utilizada na Simulao MC e UT
...................................................................................................................................... 103
Figura 5.13 - Estrutura de Aterramento de duas Camadas Utilizada na Simulao MC e UT
...................................................................................................................................... 104
Figura 5.14 - Estrutura de Aterramento com Haste em duas Camadas Utilizada na
Simulao MC e UT ...................................................................................................... 105
Figura 5.15 - Caractersticas Dinmicas do Solo em Funo do Tempo Simulado pelo
MEFISTo-3D (r=11, =0,015S.m, L=18m e Fonte NEMP).......................................... 106
Figura 5.16 - Caractersticas Dinmicas do Solo em Funo da Frequncia Simulado pelo
MEFISTo-3D (r=11, =0,015S.m e Fonte Impulso t=1,668s) .................................... 106
Figura 5.17 - Caractersticas Dinmicas do Solo em Funo da Frequncia e r Simulado
pelo MEFISTo-3D (=0,015S.m e Fonte Impulso t=1,668s) ........................................ 107

xiii
LISTA DE SMBOLOS, NOMENCLATURA E ABREVIAES

CA Corrente Alternada
CC Corrente Contnua
EMC EletroMagnetic Compatibility Compatibilidade Eletromagntica
EMI ElectroMagnetic Interference - Interferncia Eletromagntica
FD Finite Difference - Diferena Finita
FDC Funo Distribuio Cumulativa
FDP Funo Densidade Probabilidade
FDTD Finite Difference Time Domain - Domnio de Tempo de Diferena Finito
FEM Finite Element Method Mtodos dos Elementos Finitos
IEC International Eletrotecnical Comission Comisso Internacional de
Eletrotcnica
LT Linha de Transmisso
MC Monte Carlo
MEFISTo-3D Commercial Software from Faustus Scientific Corporation
MoM Moments Method - Mtodo dos Momentos
SCN Symmetrical Condensed Node - N Simtrico Condensado
SPDA Sistemas de Proteo Contra Descargas Atmosfricas
TLM Transmission Line Modeling Method - Mtodo de Modelamento de
Linha de Transmisso
TLM-TD TLM Time Domain TLM no Domnio do Tempo
TRG Transient Resistance Ground - Resistncia Transiente de Terra
UT Unscented Transform Transformada de Incerteza

1
1 INTRODUO

Quando se tem um problema, preciso model-lo de uma maneira apropriada, para
tornar possvel o seu estudo e tambm para encontrar e formular a soluo correta. Os
softwares de simulao de onda eletromagntica completa esto normalmente baseados em
uma aproximao determinstica dos problemas. Isto significa que tem-se que saber com
absoluta preciso todos os parmetros geomtricos e eltricos do domnio de simulao.
Este o caso para tcnicas de modelamento tais como as FDTD (Finite Difference Time
Domain - Diferena Finita no Domnio do Tempo) e TLM (Transmission Line Modeling
Method - Mtodo de Modelamento de Linha de Transmisso) [1]. Porm, este
conhecimento pode no estar sempre disponvel. Em certos problemas, alguns parmetros
podem ser conhecidos s at certa preciso. Entretanto, mesmo selecionando ferramentas
adequadas e confiveis, podem-se cometer erros, pois o processo est exposto a rudos e
erros, inclusive de mquinas. Alm disso, como pode haver erro intrnseco tanto no modelo
quanto em medies realizadas, preciso levar em conta o conceito de incerteza. Tem-se
como objetivos principais associar uma noo de incerteza a cada simulao e/ou clculo.
Assim, preciso modelar o problema de tal forma que se atinjam tais objetivos [2].
Quando se estima o estado de um sistema, raramente obtm-se um resultado exato,
pois a preciso dos instrumentos e do processo limitada. Sendo assim, extremamente
importante que se consiga representar a incerteza associada estimativa. Uma forma de
representao atravs de uma distribuio de probabilidade. Como uma parametrizao
completa da distribuio de probabilidade pode no ser vivel computacionalmente, uma
aproximao do estado pode ser gerada, mantendo-se um nmero menor de momentos da
distribuio, de forma a limitar a demanda computacional. Precisa-se manter apenas os
dois primeiros momentos, ou seja, a mdia e a covarincia. Embora a utilizao dos dois
primeiros momentos seja uma representao relativamente simples do estado do sistema,
possui diversos benefcios. Entre eles, a necessidade de manuteno de uma quantidade
pequena e constante de informao. Como a informao suficiente para os objetivos,
um trade off entre a flexibilidade de representao e a complexidade computacional. E
ainda, os dois primeiros momentos so linearmente transformveis e suas estimativas
preservadas e, o conjunto de estimativas destes momentos pode ser utilizado para
representar caractersticas adicionais da distribuio [2].
Este trabalho usa uma especificao discreta da funo distribuio de
probabilidade para modelar incerteza em simulaes TLM. A idia principal est descrita
2
em [3] e est baseada na UT [4]. A principal extenso desse trabalho o modelamento
preciso de diferentes funes densidade de probabilidade usando a aproximao UT+TLM.
Os trabalhos de modelagem numrica parecem se adequar com naturalidade aos
problemas de EMC (EletroMagnetic Compatibility Compatibilidade Eletromagntica),
justamente por sua capacidade de analisar problemas complexos, o que no possvel na
forma analtica. Entre os principais mtodos de modelagem numrica encontra-se o das FD
(Finite Difference - Diferena Finita), o FEM (Finite Element Method Mtodo dos
Elementos Finitos), o MoM (Moments Method - Mtodo dos Momentos), e o TLM, alm
de muitos outros com aplicaes mais especificas [5]. A modelagem computacional tem se
mostrado uma das ferramentas mais importante na busca de solues de EMC, pois ela
simplifica etapas. Atravs deste tipo de anlise pode-se prever pontos de emisses e
suscetibilidade. Cada tcnica computacional apresenta suas vantagens e desvantagens.
Porm, a maioria das aplicaes exige uma modelagem tridimensional, o que dificulta em
alguns casos a soluo. As tcnicas numricas mais utilizadas apresentam limitaes de
tamanho, condies de contorno e de anlise temporal ou freqncial. O TLM um
mtodo que pode ser utilizado em problemas no lineares, no homogneos e de
propagao de ondas no domnio do tempo ou da freqncia. Este mtodo similar ao
mtodo FD em termos de formulao e capacidade de simulao, e consiste em sugerir um
valor de impedncia para cada segmento discretizado de uma determinada aplicao, ou
seja, o problema dividido em segmentos conectados entre si atravs de impedncias.
Geralmente se empregam mtodos probabilsticos na avaliao de EMC, e devem
ser considerados parmetros que compreendam as caractersticas de equipamentos, do
corpo humano, do solo, das descargas atmosfricas e dos surtos eletromagnticos. O
clculo de transitrios em sistemas de aterramento pode ser obtido no domnio da
freqncia ou do tempo e devem ser considerados os diferentes parmetros do meio
(resistividade, permissividade eltrica e permeabilidade magntica) para se computar as
impedncias dos elementos no ar e no solo [6].
O estudo da tenso de passo visa segurana das pessoas prximas a sistemas
eltricos de baixa tenso em atendimento s Normas NBR-5410 da ABNT [7], que a
primeira medida de proteo coletiva que se deve usar em uma instalao eltrica de baixa
tenso, e NR-10 do MTE (Portaria 598) [8] que estabelece os requisitos e as condies
mnimas para implementao de medidas de controle e sistemas preventivos ao risco
eltrico.
3
Um roteiro de leitura est sendo proposto para este texto. Sendo que, no Captulo 1,
alm de fazer uma introduo geral, apresenta este roteiro de leitura. No Captulo 2 so
apresentados os objetivos.
No Captulo 3 feita uma abordagem bibliogrfica que incluem temas como
Compatibilidade Eletromagntica, Descargas Atmosfricas, Sistemas de Proteo contra
Descargas Atmosfricas, Sistemas de Aterramento Eltrico; Simulao Eletromagntica,
TLM Aplicado a Sistemas de Aterramento e Tenso de Passo.
No Captulo 4 apresentada a Teoria da Transformada de Incerteza. Seguido dos
Captulos 5 e 6 que trazem Resultados e Sugestes de Trabalhos Futuros, respectivamente.

4
2 OBJETIVOS

A meta inicial deste trabalho combinar simulao eletromagntica com incerteza
causada por variao de parmetro. Estes parmetros so a permissividade relativa e a
condutividade do solo em sistemas de aterramento. A funo densidade de probabilidade
modelada como sendo uniforme. A escolha foi baseada na vasta variao de parmetros
eltricos em sistemas de aterramento.
Este trabalho est voltado ao estudo de fenmenos eletromagnticos atravs de
modelos numricos de discretizao. No caso de problemas eletromagnticos com
fenmenos transitrios a aplicao do mtodo da Modelagem por Linha de Transmisso
possui a eficincia necessria. Neste caso o objetivo obter as tenses e correntes em cada
n que se propaga por uma malha tridimensional de acordo com o princpio de Huygens
(Segundo o qual, cada ponto na frente de onda age como uma fonte produzindo ondas
secundrias que espalham em todas as direes. A funo envelope das frentes de onda das
ondas secundrias forma a nova frente de onda total) correspondentes aos campos eltricos
e magnticos respectivamente. Neste caso a malha tridimensional representa uma poro
do solo sob estudo.
A utilizao do TLM se deve a fato de ser um mtodo matemtico utilizado na
resoluo numrica das equaes de Maxwell para os casos mais gerais de propagao
eletromagntica, permitindo a modelagem de problemas tridimensionais com estruturas
geomtricas complexas, materiais com propriedades no lineares, no homogneos, com
perdas, dispersivos (dependentes da freqncia) e anisotrpicos como o caso solo que
atua como dieltrico em sistemas de aterramentos eltricos.
J a utilizao da UT se deve ao fato de ser um mtodo rpido (necessita de
pouqussimas simulaes) e confivel para se chegar ao valor esperado de uma grandeza e
seu desvio padro.
Este trabalho objetiva avaliar os problemas decorrentes das descargas atmosfricas,
principalmente aqueles relacionados com a tenso de passo, os quais so causas de litgio
devido morte ou danos. Isto porque a base para projetos de engenharia precisa ser robusta
e transparente para administrar este risco.

5
3 - REVISO BIBLIOGRFICA

3.1 - COMPATIBILIDADE ELETROMAGNTICA

Denomina-se EMC a habilidade de um dispositivo ou sistema eltrico/eletrnico de
funcionar satisfatoriamente dentro de um ambiente eletromagntico sem introduzir nveis
intolerveis de EMI (ElectroMagnetic Interference - Interferncia Eletromagntica) e sem
ser suscetvel aos nveis considerados aceitveis de EMI. a perfeita ambientao de um
dispositivo, eltrico, magntico, biolgico, etc. Ela significa que um dispositivo
compatvel eltrica e magneticamente com o meio externo e interno, veja mais em [9]. A
compatibilidade eletromagntica pode ser dividida em diversos tpicos, tais como,
blindagem, emissividade e susceptibilidade, filtros e supressores, protetores eltricos,
aterramento, descarga atmosfrica, descarga eletrosttica, componentes harmnicos,
medies eletromagnticas, etc. Geralmente se empregam mtodos probabilsticos na
avaliao de aterramentos de proteo e descargas atmosfricas.
A sade de um determinado ambiente eletromagntico pode ser avaliada pelo grau
de emisses de rudo que podem ser irradiadas atravs do ar (interferncias irradiadas) ou
conduzidas pelos cabos de alimentao e comunicao (interferncias conduzidas) [10].
Todos os sistemas alimentados com CA (Corrente Alternada) ou CC (Corrente Contnua)
devem ser aterrados para segurana e minimizao de rudos. Este aterramento
considerado como aterramento de referncia de sinal. essencial, entretanto, que o
aterramento de segurana e de sinal sejam integrados para atender os requisitos de
segurana e de EMC. As intensidades das perturbaes eletromagnticas so dadas pelos
parmetros volts (V), amperes (A) para o modo de conduo e volts por metro (V/m) e
amperes por metro (A/m) para o modo de radiao. A freqncia um dos principais
fatores que caracterizam uma onda eletromagntica e na EMC as solues adotadas so
diferentes conforme se trate de baixa ou de alta freqncia.
As caractersticas de um campo eletromagntico so determinadas pela sua fonte,
pelo meio de propagao e pela distncia da fonte. Quando prxima (at /2), estas so
determinadas principalmente pela fonte. Quando afastada (ondas planas) so determinadas
principalmente pelo meio de propagao. No caso das descargas atmosfricas devem-se
considerar as descargas diretas e as descargas no solo distantes ou prximas. Na avaliao
da EMC devem-se considerar parmetros que compreendam as caractersticas do solo, das
6
descargas atmosfricas e dos surtos eletromagnticos [11]. Deve-se tambm considerar os
efeitos corona, skin e ionizao do solo [6].
Apesar do crescente desenvolvimento de novas tcnicas de proteo contra
descargas atmosfricas, tais como as recomendaes de projeto SPDA (Sistemas de
Proteo Contra Descargas Atmosfricas) atuais e as novas tecnologias de dispositivos de
proteo, os problemas decorrentes deste fenmeno tm assumido propores bastante
elevadas.
A norma NBR-5419 [13] da ABNT apresenta recomendaes necessrias
proteo externa e interna de estruturas tais como a interceptao das descargas
atmosfricas pelos captores, a conduo das correntes do raio pelos condutores de descida,
a disperso desta corrente no sistema de aterramento, a equipotencializao das estruturas e
dutos metlicos, entre outras.
A descarga atmosfrica (raio) sobre qualquer ponto de impacto provoca transitrios
que se caracterizam por sua curta durao, crescimento rpido e valores de crista muito
elevados. um fenmeno absolutamente imprevisvel e aleatrio, tanto em relao s suas
caractersticas eltricas (corrente, tempo, etc) como na sua ocorrncia.
No existe proteo total (100%), mas seguindo as determinaes das Normas
Brasileiras, pode-se atingir graus de proteo da ordem de 98% [14] se houver um projeto
SPDA bem elaborado, com um sistema de aterramento eltrico adequado e confivel. Um
projeto bem elaborado leva em considerao a rea da edificao, sua altura, a densidade
de descargas atmosfricas previstas na regio e o sistema de aterramento eltrico. As
normas que determinam os projetos e suas execues no Brasil so NBR-5410, NBR-5419
e NBR-7117.
Para assegurar a disperso da corrente de descarga atmosfrica no solo sem causar
sobretenses perigosas, o arranjo e as dimenses do aterramento so mais importantes que
o prprio valor da resistncia de aterramento [15]. As diferentes geometrias das malhas
esto relacionadas com o espao para instalao da malha, com o tipo de terreno e com as
necessidades de aterramento eltrico. Estas malhas so constitudas por eletrodos de terra
que devem suportar diferentes correntes que escoam para o solo. So vrios os parmetros
de uma malha de aterramento, ou seja, parmetros do solo, parmetros geomtricos e sinal
de entrada. Os parmetros do solo so a resistividade eltrica (obtida a partir da
estratificao do solo) e a permissividade eltrica (medida em laboratrio a partir de uma
amostra do solo). Os parmetros da topologia do aterramento eltrico so a bitola, o
7
comprimento e a profundidade dos cabos e/ou hastes, a forma das retculas e a geometria
da malha.
A principal funo do aterramento proteger as pessoas contra os perigos de
choques eltricos. A severidade de um choque eltrico funo da intensidade da corrente
e do caminho desta pelo corpo.
Nem sempre possvel obter uma resistncia de terra de baixo valor. Alm disso,
esse valor raramente constante, pois depende da umidade do solo e por isso apresenta
variaes sazonais. Um fator essencial na manuteno da segurana das pessoas no caso de
uma alta resistncia de terra o conceito de equipotencialidade. Se todas as massas
estiverem num mesmo potencial uma pessoa pode tocar em uma ou vrias massas ao
mesmo tempo sem risco [15].
Este trabalho se dedica aos problemas de EMC causados por descargas
atmosfricas na superfcie da Terra, conduzidas ou no para o solo, e suas conseqncias
para os seres vivos. Apresenta-se, a seguir, uma reviso bibliogrfica sobre descargas
atmosfricas.

3.2 - DESCARGAS ATMOSFRICAS

O Brasil, devido a sua grande extenso territorial e ao fato de estar prximo do
equador geogrfico, um dos pases de maior incidncia de descarga atmosfrica no
mundo. Em mdia quase 10 raios atingem o solo brasileiro raios por quilmetro quadrado
por ano [16] (a densidade de raios por ano por rea conhecida como ndice cerunico). Os
raios so descargas eltricas que ocorrem devido ao acmulo de cargas eltricas em regies
localizadas da atmosfera, em geral dentro de tempestades. A descarga inicia-se quando o
campo eltrico (cerca de 3 milhes de V/m) produzido por estas cargas eltricas excede a
capacidade isolante do ar em um dado local na atmosfera.
Os raios duram em mdia em torno de 0,25s e percorrem na atmosfera uma
trajetria tpica de 5km a 10km. Dentro deste intervalo de tempo, a corrente eltrica sofre
grandes variaes. Em menos de 0,01% dos casos a corrente excede 200kA. A corrente flui
em um canal com um dimetro de uns poucos centmetros, onde a temperatura atinge
valores mximos to elevados quanto 30.000C e a presso chega a valores de dezenas de
atm. Com esta presso e temperatura, o ar ao seu redor expande-se em alta velocidade.
Estas compresses se propagam em todas as direes dando origem a uma onda sonora
(trovo 50Hz a 100Hz). A maior parte da energia do raio (mais de 90%) gasta na
8
expanso do ar nos primeiros metros ao redor do canal, sendo o restante convertido em
energia trmica, energia acstica, energia eletromagntica (parte desta na forma luminosa)
e energia eltrica no solo. Os raios so responsveis por 200 mortes por ano no Brasil e
prejuzos materiais estimados em torno de 500 milhes de dlares [16]. A Figura 3.1
mostra o mapa do ndice cerunico do Brasil. Veja mais detalhes em [16].

Figura 3.1. Mapa do ndice cerunico do Brasil [16].
As leis fsicas bsicas para explicar a eletricidade atmosfrica so descritas por um
conjunto de equaes conhecidas por equaes de Maxwell.
Um fato interessante que se observa na natureza que o raio prefere terrenos maus
condutores, como os granticos ou xistosos, ao invs de terrenos bons condutores como os
calcrios. Isto se d, porque o terreno mal condutor entre a nuvem e o solo forma um
grande capacitor. A enorme diferena de potencial entre a nuvem e o solo provoca a

IC > 120
IC > 90
9
ionizao do ar. A ionizao do ar diminui a distncia de isolao entre nuvem e solo
fazendo com que o raio caia [17].
O primeiro modelo de estrutura eltrica de uma nuvem de tempestade isolada foi
proposta no comeo do sculo 20 com base em medidas de campo eltrico e da carga
contida nas partculas de chuva. Ele pode ser descrito como um dipolo eltrico composto
por dois centros de carga. O centro positivo ocupa a metade superior do volume da nuvem
e o centro negativo est localizado na metade inferior da nuvem. A carga nestes centros
pode variar de um local para outro e de nuvem para nuvem de +/-10C a mais de algumas
centenas de coulombs. Aps vrias propostas de outros modelos de estrutura eltrica de
uma nuvem, medidas de campo eltrico efetuadas por bales que penetram as nuvens de
tempestades foram realizadas na dcada passada mostrando que a estrutura eltrica de uma
nuvem de tempestade mais complexa, caracterizado como uma estrutura multipolar e
variando de uma regio para outra dentro da nuvem e ao longo do desenvolvimento da
nuvem.
Embora o raio possa parecer para o olho humano uma descarga contnua, na
verdade ele formado de mltiplas descargas, que se sucedem em intervalos de tempo
muito curtos. Os raios podem ser positivos ou negativos. Costumam percorrer um grande
caminho dentro da nuvem antes de sair da nuvem e apresentam ramificaes de cima para
baixo. A maior parte destes so negativos (+/-90%), os +/-10% restantes so relmpagos
positivos.
Um raio negativo formado por diversas etapas. Ele inicia-se com fracas descargas
dentro da nuvem, em alturas em torno de 3km a 5km, durante um perodo de 10ms a
100ms (perodo de quebra de rigidez preliminar). A maioria dos pulsos so bipolares com
durao de +/-50s, separados por intervalos de +/-100s [16].
Partindo de uma nuvem enorme com cargas separadas, a presena de cargas
negativas na base da nuvem induz uma carga positiva no solo, resultando em diferenas de
potencial de milhes de volts entre a nuvem e a terra. Uma tenso to alta pode romper a
capacidade de isolamento do ar (chamada de rigidez dieltrica) fazendo com que eltrons
comecem a se mover da nuvem para o solo. A Figura 3.2 mostra as etapas de formao de
uma descarga atmosfrica.
Os eltrons se movem na direo do solo em uma sucesso de passos, cada um com
cerca de 50m. Esse percurso em zig-zag chamado de lder escalonado. Lder porque abre
caminho para outros eltrons e escalonado porque uma seqncia de degraus. Quando a
ponta do lder chega a uns 20m do solo, uma descarga, chamada descarga de conexo,
10
inicia-se de algum local pontudo no solo e fecha o circuito, formando um condutor que liga
o solo nuvem [17], veja modelamento de raio em [18].

Figura 3.2. Etapas de formao de uma descarga atmosfrica [17].
Tendo apresentado a reviso bibliogrfica sobre descargas atmosfricas,
apresentaremos a seguir uma reviso bibliogrfica sobre sistemas de conduo das
descargas atmosfricas para o solo, ou seja, sistemas de proteo contra descargas
atmosfricas.

3.3 - SISTEMAS DE PROTEO CONTRA DESCARGAS ATMOSFRICAS

A instalao de um SPDA tem por funo neutralizar, pelo poder de atrao das
pontas, o crescimento do gradiente de potencial eltrico entre o solo e as nuvens, atravs do
permanente escoamento de cargas eltricas do meio ambiente; e, oferecer a descarga
atmosfrica que for cair em suas proximidades um caminho preferencial, reduzindo os
riscos de sua incidncia sobre as estruturas.
Nas reas urbanas as pessoas se encontram mais seguras devido presena dos
pra-raios. Eles so compostos por um suporte condutor colocado na parte mais alta do
local onde se deseja proteger, tendo na sua extremidade um material metlico de altssima
resistncia ao calor (captor) [16]. A outra ponta do suporte se liga por cabos condutores
metlicos a barras metlicas (condutores de cobre ou revestidos de cobre haste tipo
cooperweld) enterrados no solo, formando um sistema de aterramento (Figura 3.3).
A finalidade do aterramento nas instalaes de sistemas de proteo contra
descargas atmosfricas dissipar no solo as correntes dos raios recebidas pelos captores e
conduzidas pelas descidas, minimizando ao mesmo tempo os potenciais gerados no sistema
de proteo e no solo. Para realizar tal funo, o sistema de aterramento deve possuir
reduzido valor de impedncia e uma topologia (configurao geomtrica) adequada [16]. A

11
norma NBR-5410 no obriga nenhum valor de resistncia de aterramento, mas recomenda
10. Porm so aceitos valores acima desde que justificados tecnicamente [17].

Figura 3.3. Estrutura total de um SPDA com um captor [16].
Quando da dissipao no devem surgir no solo diferenas de potencial que causem
tenses de passo perigosas s pessoas e no devem surgir entre as partes metlicas e o solo
diferenas de potencial que causem tenses de toque ou descargas laterais s pessoas; e
para serem satisfeitas essas condies procura-se equalizar os referenciais de potencial das
diferentes entradas de modo que no surjam diferenas de potencial perigosas aos
equipamentos [19].
O nmero de raios incidentes (N
i
) a quantidade de raios que incide anualmente
numa dada rea de captao e, de acordo com a norma NBR-5419 se
3
10
>
i
N o SPDA
indispensvel e se
5
10
<
i
N o SPDA dispensvel.

12
Desde sua descoberta por Benjamin Franklin, o pra-raios a melhor forma de
proteo. De modo geral, seu alcance de proteo abrange uma rea circular de raio igual
altura da torre de sustentao do pra-raios [17] [20] (veja Figura 3.4).

Figura 3.4. Regio de proteo de um captor Franklin de torre vertical [20].
Em particular, se tem mostrado que quanto maior a altura da estrutura menos
aplicvel esta teoria e que outros mtodos de proteo devem ser utilizados.
Temos tambm outro mtodo conhecido como teoria da esfera rolante (mtodo
eletrogeomtrico). Esta teoria baseada no conceito de distncia de atrao, que a
distncia entre a ponta do lder escalonado e o ponto de queda do raio no solo, no instante
da quebra de rigidez dieltrica do ar prximo ao solo. Na teoria da esfera rolante a zona de
proteo dependente do pico de corrente da descarga de retorno, visto que a distncia de
atrao aproximadamente proporcional ao pico de corrente [16].
O mtodo da esfera rolante (esfera fictcia) uma evoluo do Franklin e mais
recente (dcada de 80). um mtodo mais apurado para a obteno da zona de proteo do
sistema de proteo adotado. Se analisarmos apenas um captor, a proteo oferecida pelos
dois mtodos muito parecida, a diferena comea a aparecer quando se compara a
proteo combinada (interao) com diversos captores, onde o eletrogeomtrico melhor
[17].
A distncia de atrao (hs) definida como a maior distncia em que o raio ser
atrado pelo captor ou pela terra e pode ser calculada de muitas maneiras [20]. Entre elas,
para este modelo:
3
2
. 10 I hs = (3.1)

13
Onde:
hs o raio da esfera rolante em metros;
I a corrente de crista do raio em kA.

Figura 3.5. Zona de proteo da esfera rolante [17].
Esfera rolante a esfera obtida com o raio igual distncia de atrao (veja Figura
3.5). Como a intensidade mdia dos raios de +/-15kA, cujo hs=60,8m, pode-se adotar a
Tabela 3.1 para o raio da esfera rolante.
Tabela 3.1. Relao entre nvel de proteo, eficincia do SPDA e o raio da esfera [17].
Nvel de Proteo Eficincia do SPDA Raio da Esfera Rolante (m)
I 95% a 98% 20
II 90% a 95% 30
III 80% a 90% 45
IV At 80% 60

Figura 3.6. Exemplos de proteo de vrias estruturas pelo mtodo eletrogeomtrico [17].

14
A zona protegida a regio em que a esfera rolante no consegue tocar (veja Figura
3.6). O sistema de proteo contra descarga atmosfrica de uma cidade deve ser constitudo
de modo que a esfera rolante no toque em nenhuma estrutura [17].
Para estruturas altas, prdios industriais ou construes particularmente sensveis a
danos produzidos por raios, outro tipo de sistema de proteo que utiliza condutores
horizontais conectando os terminais areos de modo a formar uma gaiola (mtodo da
gaiola de Faraday) tem sido utilizado. Ele consiste em criar uma estrutura de metal similar
a uma gaiola, que atua como uma blindagem contra raios, protegendo o que estiver em seu
interior [16]. A proteo por gaiola de Faraday muito eficiente e largamente utilizada
(veja Figura 3.7) [20].

Figura 3.7. Mtodo da gaiola de Faraday [20].
Ao projetar a captao, o primeiro passo consiste em distribuir condutores
metlicos pela periferia da edificao e distribuir as descidas [21]. O uso de mastros com

15
captores Franklin em prdios altos, visa proteo localizada de antenas e outras estruturas
existentes no topo da edificao, devendo o restante do prdio ser protegido pelos cabos
que compem a malha da Gaiola de Faraday.
Os nveis de proteo indicam o tipo de utilizao da edificao, o grau de risco e a
partir deles que se determinam os dados tcnicos da instalao, tais como: dimenses da
gaiola, ngulos de captores, espaamentos das descidas, etc. Veja mais em [13].
No funo do SPDA proteger equipamentos eletro-eletrnicos, pois mesmo uma
descarga captada e conduzida ao solo com segurana, produz forte interferncia
eletromagntica, capaz de danificar estes equipamentos. No se deve esquecer que a
proteo pelo mtodo da gaiola de Faraday no assegura que o campo eletromagntico
ser nulo em todo o interior da estrutura. Quando a gaiola atingida diretamente por um
raio, o campo eletromagntico s ser nulo se a corrente se distribuir uniformemente por
todos os condutores da gaiola e assim mesmo s no centro da gaiola, veja detalhes em [22].
Deve-se preocupar com as vizinhanas dos condutores da gaiola porque em torno deles
haver um campo magntico que poder induzir tenses em condutores paralelos a eles.
Assim estes condutores devem ser instalados no interior de eletrodutos ou eletrocalhas
metlicas (principalmente alumnio) aterradas.
de fundamental importncia que aps a instalao haja uma manuteno
peridica a fim de se garantir a confiabilidade do sistema. tambm recomendada vistoria
toda vez que a edificao for atingida por descarga direta [21]. A implantao e
manuteno de SPDA so normalizadas internacionalmente pela IEC (International
Eletrotecnical Comission Comisso Internacional de Eletrotcnica) e em cada pas por
entidades prprias, como a ABNT no Brasil, a NFPA nos E.U.A. e a BSI na Inglaterra.
Somente os projetos elaborados com base em disposies destas normas podem assegurar
uma instalao dita eficiente e confivel. Entretanto, esta eficincia nunca atingir os 100%
estando, mesmo estas instalaes, sujeitas falhas de proteo.
Aps esta reviso bibliogrfica sobre SPDA, apresentaremos a seguir uma reviso
bibliogrfica sobre a parte essencial destes, ou seja, sistemas de aterramento eltrico.

3.4 - SISTEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICO

Em qualquer edificao moderna, encontra-se instalaes eltricas, eletrnicas e
mecnicas que necessitam de alguma forma de aterramento eltrico, sejam para uma
proteo em caso de eventual falha de algum sistema, para dissipao de eletricidade
16
esttica ou ainda protees contra descargas atmosfricas [23]. A resistncia de
aterramento a combinao da forma como a corrente eltrica flui no solo com a
resistividade do mesmo e depende das dimenses e caractersticas construtivas do sistema
(malha de terra) e das caractersticas do solo, que depende da sua natureza geolgica [24] e
de outros fatores como temperatura, umidade, sais dissolvidos, entre outros.
Os aterramentos eltricos mais simples so formados por uma ou mais hastes
cilndricas verticais cravadas no solo e eletricamente interligadas por cabos de cobre nu.
Estas hastes so geralmente feitas de ao e revestidas com cobre. Os cabos so de cobre e
geralmente utilizados como eletrodos horizontais. As fitas de cobre so pouco utilizadas na
prtica, muito embora forneam uma baixa impedncia de terra e resistncia semelhante a
um cabo de mesma seo e preo. A NBR-5419 especifica cabos de 50mm
2
, enquanto a
NBR-5410, 25mm
2
. Entretanto pode-se encontrar em procedimentos industriais at 95mm
2

ou mais. As normas probem o uso de conectores enterrados, exigindo, nesses casos, a
utilizao de solda exotrmica [23].
A resistncia de terra dos eletrodos consiste basicamente da resistncia das
conexes metlicas entre os eletrodos e o sistema de distribuio de cabos ao longo do
prdio, da resistncia de contato entre os eletrodos e a camada do solo, e da resistncia do
volume do solo nas vizinhanas da malha de terra. O sistema de aterramento funciona
como um ponto de referncia de terra e um sistema de neutralizao de cargas. A
neutralizao de carga dever ser processada em tempo menor ou igual a 20s. Desta
forma, os sistemas eltricos, eletrnicos, ou qualquer outra parte do local sob influncia da
nuvem, devero ter um caminho de baixa resistncia e baixa impedncia em direo ao
ponto de contato de uma descarga atmosfrica. A interface eltrica entre o sistema de
aterramento e o solo um dos elementos mais crticos para o estabelecimento de um bom
aterramento.
Um sistema de aterramento est intimamente relacionado resistncia de
aterramento, que por sua vez depende das caractersticas do solo. O solo heterogneo e
pode ser estratificado em camadas horizontais, onde cada camada possui um valor prprio
e relativamente constante de resistividade [25].

3.4.1 - Determinao dos Valores da Resistividade do Solo

Para fazer uma estratificao do solo necessrio fazer medies de campo dos
valores da resistividade aparente. Mede-se valores em ohms e calcula-se o valor da
17
resistividade em .m. H dois mtodos principais para medio de resistividade aparente
para fins de aterramento, o mtodo de Wenner e o mtodo de Schlumberger. A equao
citada pela NBR-7117 da ABNT que normaliza o procedimento de medio para o mtodo
de Wenner a seguinte:
( )
2 2 2 2
4
2
1
. . 4
p d
d
p d
d
R d
d
w
+
+
+
=

(3.2)
Onde:
w
(d) a resistividade do solo (.m);
d a distncia entre os eletrodos (m);
p a profundidade do ponto no solo (m);
R a resistncia medida ().
Como d>>p, pode-se simplificar a Equao (3.2) para ( ) R d d
w
. . 2 = .
A estratificao do solo exatamente a diviso do solo em camadas, determinando-
se suas resistividades e respectivas espessuras (profundidades). Com os valores obtidos
traa-se a curva de resistividade em funo das distncias utilizadas entre os eletrodos
durante a medio. Existem vrios mtodos para se efetuar uma estratificao do solo [23]
[25]. Mas j existem vrios softwares para a determinao da estratificao do solo,
utilizando os valores das medies realizadas pelo mtodo de Wenner.
Quando se projeta um aterramento h necessidade de se empregar um valor de
resistividade que represente a situao do solo que o eletrodo abranger. Essas camadas so
normalmente horizontais e paralelas superfcie do solo. De posse dos valores das
resistividades das camadas do solo e as respectivas profundidades, constri-se o perfil de
resistividade (veja Figura 3.8).

Figura 3.8. Solo estratificado em 4 camadas.

a
2

a
n

a
1

d
2

d
n

d
1

1

2

...
n+1

n

18

Figura 3.9. Exemplo de haste cravada em solo de trs camadas.
Para se calcular a resistncia de aterramento de uma nica haste cravada num solo
no homogneo deve-se considerar apenas as resistividades das camadas atingidas por essa
haste (veja Figura 3.9). A disperso das correntes se dar proporcionalmente ao valor da
resistividade de cada camada e ao comprimento de haste nela situado. A resistividade
calculada pela Equao (3.2) a que dever ser utilizada no clculo da resistncia de
aterramento [24].
2
2
1
1
2 1

L L
L L
+
+
= (3.3)
Onde:
a resistividade do solo resultante das duas camadas (.m);
L
1
a espessura da primeira camada (m);
1
a resistividade do solo da primeira camada (.m);
L
2
o comprimento da haste presente na segunda camada (m);
2
a resistividade do solo da segunda camada (.m).
Para se medir a resistncia de terra se utiliza o mtodo que consiste em medir a
resistncia do aterramento em funo da queda de potencial usando uma terra auxiliar,
criando uma estrutura composta por uma haste de injeo de corrente, uma haste de
medio de potencial e a resistncia de aterramento que est sendo medida (mtodo
Wenner) (Figura 3.10).

L
L
2

L
1

P
3

Ar
Camada 1
Camada 2
Camada 3

19

Figura 3.10. Configurao de ligao do terrrmetro para medio de resistncia de terra.
Como o solo normalmente no apresenta condies ideais, como homogeneidade,
umidade constante, etc. Assim convm realizar medies de verificao. Posteriormente,
recomendado realizar medies peridicas para acompanhar o desempenho da malha ao
longo do tempo. A norma NBR-5419 especifica intervalos de 3 anos no caso geral e de 1
ano nas instalaes mais crticas, entre cada medio, o que no impede que se faam
medies em espaos de tempo menores para um melhor controle.
interessante realizar medies nas estaes de chuva e de seca, alternadamente, o
que torna possvel avaliar o comportamento do terreno local a variao de umidade, no
apenas para a manuteno do aterramento efetuado, mas tambm para projetar melhor
futuros aterramentos na mesma rea [23].

3.4.2 - Caractersticas Eltricas e Mecnicas do Solo

Em um sistema de aterramento, sem dvida, o maior problema refere-se ao solo,
com suas inconsistncias, heterogeneidades e anisotropias, bem como a variao sazonal
de suas propriedades. O solo o meio no qual ficaro imersos os eletrodos de aterramento,
de forma que suas propriedades eltricas so determinantes para o dimensionamento destes
eletrodos. O solo um condutor de baixa qualidade, com valores tpicos de resistividade na
faixa de 100.m a 1k.m. O valor da resistividade depende da composio do solo que
complexa. A resistividade do solo bastante sensvel ao teor de umidade do solo at um
valor de 20% (veja Figura 3.11); aumentar a umidade acima deste valor provocar
variaes menores na resistividade (NBR-7117). Outro fator que influncia muito a
Medidor de Resistncia
de Aterramento Eltrico

Ec Et Et Ec
O O O O
Sistema de
Aterramento
Eltrico a Ser
Medido
Eletrodo
de
Tenso
Eletrodo
de
Corrente
SOLO
X (varivel)
D (fixa)

20
resistividade do solo a quantidade de sais presentes no solo. A gua seria um material de
baixa condutividade (baixa perda) se no contivesse sais que, atravs da ionizao,
permitem a conduo de correntes eltricas [23].

Figura 3.11. Resistividade do solo comparada ao teor de umidade ou salinidade [12].
O valor da resistividade do solo imprescindvel para o clculo dos valores
mximos de resistncia da malha de terra, tenso de passo e de toque. A variao grande
para um mesmo tipo de solo. Assim, o ideal efetuar medies em diversas pocas do ano
para definir o melhor valor a considerar [24]. A Tabela 3.2 mostra os valores mdios para
os tipos mais comuns de solo.
Em condies normais, os solos do Cerrado apresentam alta acidez, baixo pH (5,2)
e presena de elementos qumicos como o alumnio, ou seja, o solo do Cerrado cido. Os
principais constituintes do solo so a textura, a estrutura e a porosidade.
No solo com alta resistividade, a condutncia de terra dos cabos de aterramento
muito menor que no solo com baixa resistividade, assim, para a mesma corrente de
dissipao, o potencial em elevao do mesmo cabo de aterramento muito mais alto em
solo com alta resistividade. Assim, no incio do impulso de corrente, a parte da corrente do
sistema de aterramento dissipada no solo com alta resistividade ter potencial maior que no
solo com baixa resistividade. Por outro lado, as outras partes do sistema de aterramento
onde o impulso de corrente no alcanou, o potencial nestas partes ser quase zero.
Consequentemente, haver grande diferena de potencial entre partes diferentes do sistema
de aterramento no comeo do impulso de corrente. O problema de desigual distribuio de
tenso muito importante em sistema de aterramento multiponto. Se um sistema eltrico
complexo conectado grade de aterramento com mtodo de aterramento multiponto,
pontos diferentes tero potenciais diferentes sob descarga atmosfrica. Ento uma corrente

21
inesperada do sistema de aterramento poderia fluir no sistema eltrico e poderia causar
srios problemas de EMC.
Tabela 3.2. Resistividade dos tipos mais comuns de solo [24].
Tipo de Solo Resistividade (.m)
Lama 5 a 100
Hmus 10 a 150
Argila com 40% de umidade 80
Argila com 20% de umidade 330
Solos arveis 50 a 500
Argila seca 1.500 a 5.000
Limo 20 a 100
Argila com areia 80 a 200
Turfa 150 a 300
Areia comum 3.000 a 8.000
Areia com 90% de umidade 1.300
Terra de jardim com 50% de umidade 140
Terra de jardim com 20% de umidade 480
Calcrio fissurado 500 a 1.000
Calcrio compactado 1.000 a 5.000
Granito 1.500 a 10.000
Basalto 10.000 a 20.000
A influncia da permissividade relativa do solo mais relacionada ao acoplamento
capacitivo entre os condutores de aterramento porque o solo um meio dieltrico. Assim,
bvio que a influncia da permissividade do solo no comportamento transiente do sistema
de aterramento efetivo atravs da influncia da capacitncia prpria e mtua dos
condutores de aterramento. No solo com resistividade mais baixa, a corrente de conduo
dominante, assim, a influncia da permissividade do solo no comportamento transiente do
sistema de aterramento comparado com a resistividade do solo muito pequena e poderia
ser negligenciada. Em solo com alta resistividade, o acoplamento capacitivo mais efetivo
porque a corrente de deslocamento comparvel com corrente de conduo,
especialmente, durante o tempo de elevao da corrente de injeo onde as altas
freqncias so dominantes. Conseqentemente, no solo com resistividade muito alta, a
influncia da permissividade do solo no comportamento transiente do sistema de
aterramento deve ser considerada para melhor preciso [26].

22
3.4.3 - Tratamento de um Solo de Alta Resistividade e Corroso dos Eletrodos de
Aterramento

Quando temos um solo cravvel, porm de elevada resistividade, a melhor sada o
tratamento do solo com gel ou concreto [27].
Algumas aplicaes exigem baixos valores de resistncia de aterramento mesmo
com uma pequena rea disponvel para colocao dos eletrodos e o solo apresenta alta
resistividade. Nestas condies, uma soluo econmica o tratamento do solo. O
principio de funcionamento consiste na reduo da resistividade do solo na regio ao redor
do eletrodo de terra atravs da adio adequada de, por exemplo, bentonita (gel natural de
=20.m), e o resultado final corresponde a um aumento virtual do dimetro do eletrodo
original, reduzindo conseqentemente o valor da resistncia de aterramento. O tratamento
do solo s produz resultados satisfatrios quando a resistividade do solo alta. As
principais propriedades do gel qumico so a estabilidade qumica, a insolubilidade em
presena dgua, a higroscopia, a no corrosividade e a longevidade.
O concreto, sendo alcalino e higroscpico, quando enterrado, tende a absorver
umidade e apresentar uma resistividade bem baixa (de 30.m a 100.m), melhores que a
maioria dos terrenos normalmente encontrados [23].
Quando se aplica este tipo de tratamento qumico observam-se alteraes das
caractersticas do solo ao redor do eletrodo, resultando em reduo do valor da
resistividade traduzido por um coeficiente de reduo de tratamento qumico (K
T
). Este
coeficiente ser tanto menor quanto maior for a resistividade do solo e determinado na
prtica atravs da relao entre a resistncia do eletrodo tratado quimicamente e a
resistncia do eletrodo sem o tratamento [24]. Os coeficientes de reduo obtidos na prtica
variam de 0,05 a 0,50.
d
h
h
K
R
a T
hT
. 4
ln
. 2
.
1
= (3.4)
Sendo:
K
T
a razo entre resistncia aps o tratamento e a resistncia antes do tratamento.
A resistividade decresce com o aumento de sais no solo. Portanto o tratamento de
um solo de alta resistividade, atravs de adio de sais minerais a sua composio qumica,
resultar na obteno de resistncias de aterramento tambm menores. Contudo, a
aplicao de alguns produtos, como o cloreto de sdio, apresenta bons resultados imediatos
23
e inmeras desvantagens, destacando-se entre elas a possibilidade de rpida corroso dos
materiais de aterramento e diluio em presena de gua.
A corroso em barras de aterramento pode ocorrer pela ao eletroqumica
(processo espontneo) e/ou ao eletroltica (potenciais externos) e/ou ao galvnica
(diferena de potencial). Um eletrodo de aterramento essencialmente um pedao de metal
envolvido por um eletrlito. Ao longo do tempo, os potenciais eltricos podem variar de
um ponto do eletrodo para outro, como resultado da existncia de reas andicas e
catdicas. Estas reas de diferentes potenciais eltricos so as bases para uma clula de
corroso. Desde que estejam em contato com um eletrlito comum (solo ou gua).
A corroso resultante de solos dissimilares, de forma muito similar s clulas de
corroso, podem se estabelecer em metais heterogneos, uma haste de aterramento de
ao/cobre atravessando solos heterogneos pode estabelecer clulas de corroso. O
potencial natural de um metal em relao ao seu ambiente, pode variar com as diferenas
na composio do eletrlito.
A corroso consiste na deteriorao dos materiais pela ao qumica ou
eletroqumica do meio (oxidao, ataque qumico, eletrlise, bacteriana). Ao se considerar
o emprego de materiais nas instalaes de sistemas de aterramento necessrio que estes
resistam ao do meio corrosivo.
Os processos de corroso eletroqumica so mais freqentes na natureza e se
caracterizam basicamente pela necessidade da presena de gua no estado lquido, de
temperaturas abaixo do ponto de orvalho da gua, sendo a grande maioria na temperatura
ambiente; da formao de uma pilha ou clula de corroso, com a circulao de eltrons na
superfcie metlica.
Os processos de corroso qumica so denominados corroso ou oxidao em altas
temperaturas. Estes processos so menos freqentes na natureza, envolvendo operaes
onde as temperaturas so elevadas. Tais processos corrosivos se caracterizam basicamente
pela ausncia da gua lquida; temperaturas elevadas, sempre acima do ponto de orvalho da
gua; e, interao direta entre o metal e o meio corrosivo.
um fato bem documentado que o pH do solo tem um efeito direto na vida til de
eletrodos metlicos (principalmente de ao). Mantendo-se todos outros elementos em
condies inalteradas, quanto menor o pH (5 a 9), maior ser a taxa de corroso, resultando
numa diminuio da vida til do eletrodo.

24
3.4.4 - Mecanismo de Conduo do Solo

Admitindo-se uma corrente contnua de valor I penetrando no solo no ponto 0, por
uniformidade e simetria esfrica, esta corrente penetra uniformemente na casca da semi-
esfera de raio r e produz uma densidade de corrente J que pode ser calculada por (veja
Figura 3.12):
2
. 2 r
I
J
=
(3.5)
Ento, admitindo-se o potencial da distribuio de campo eltrico no infinito igual a
zero (ponto A
2
) e A
1
a uma distncia r do ponto 0, temos:

r
I
V
. 2
.
= (3.6)
Onde:
V o potencial no ponto A
1
;
a resistividade do solo.

Figura 3.12. Diagrama de conduo do solo.
Suponha uma massa metlica enterrada no solo recebendo um corrente I.
Adotando-se um potencial igual zero para um ponto remoto (devido distribuio do
campo eltrico no solo), pode-se determinar a resistncia de aterramento deste sistema
como sendo a relao entre o potencial nesta massa metlica e a corrente eltrica
circulante. Sendo que as correntes eltricas iram passar da superfcie desta massa metlica
para o solo com certa distribuio de forma a deixar a superfcie equipotencial. A
somatria das correntes distribudas que partem desta massa metlica para o solo resulta no
valor total da corrente. De posse desta corrente e do potencial nesta massa metlica pode-se

r
A
1

Z
X 0
Y

25
determinar a resistncia de aterramento, as tenses de passo, toque e transferncia. Para
este processo (Equipotencialidade Superficial), os clculos so possveis e bastante
precisos com o auxlio de computadores a partir de formulaes numricas.

3.4.5 - Clculo de Aterramentos pelo Processo de Distribuio Uniforme de Corrente

Seja uma haste vertical de comprimento l e raio r onde uma das extremidades
permanece na superfcie do solo e a outra a uma certa profundidade no solo. Aplicando o
mtodo das imagens, adotando um plano xy como referncia, a uma distncia x=u a
corrente I(u) que circula pela haste menor que a corrente aplicada na extremidade
superior da haste e funo do ponto u na haste, uma vez que a corrente injetada na haste
est deixando a haste para o solo desde x=0 at x=l. A corrente elementar que deixa o
incremento du da haste dI. Desta forma pode-se calcular o potencial em um ponto (xy)
que o incremento du provoca. Sendo assim obtm-se o potencial no ponto (xy) devido
corrente total que deixa a haste:

( )
( )
( )
( )
( )
( )
+
=
+ =
=
=
= =
l
l
xy
r
du y u x
du u dI
V
y u x r
dI
r
dV
du
du
u dI
dI
r
I
dr r E V
2
2
2
2
4
. 8
. 8
.
(3.7)
Considerando a queda de tenso na haste desprezvel impe-se a condio de
equipotencialidade na superfcie da haste e determina a distribuio da corrente I(u). Outro
mtodo admitir uma distribuio uniforme de corrente na haste, obtendo-se a funo
potencial na superfcie e trabalhando com o valor mdio de potencial (mtodo
aproximado). Neste caso faremos dI(u) constante e I linear em relao a u.
26
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
|
|
|
\
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
|
\
|
+ + = =
|
|
|
\
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
|
\
|
+ + =
|
|
\
|
+ +
+ + + +
= =
|
|
\
|
+ +
+ + + +
=
+ =
=

+ +
+
2 2
1
2 2
2 2
2 2
2
2 2
2 2
2 2
1 1 1 ln
. 2
1 1 1 ln
. 2
.
ln
. 4
.
,
1
ln
. 4
.
. 4
.
l
r
l
r
l
r
r
l
l I
V
R
l
r
l
r
l
r
r
l
l
I
V
dx
l x y l x
l x y l x
l
I
dx r x V
l
V
l x y l x
l x y l x
l
I
V
y u x
du
l
I
V
l
I
du
u dI
m
h
m
l
o
l
o
m
xy
l
l
xy
(3.8)

Substituindo y pelo seu raio r e variando x desde 0 at l pode-se calcular o potencial
na extremidade superficial da haste. Considerando que l>>>r podemos calcular a
resistncia de aterramento para uma haste. Pela Equao (3.9) note que se pode diminuir o
valor da resistncia de aterramento aumentando-se l ou r, ou seja, aumentando o
comprimento e/ou o raio (dimetro) da haste.
|
|
\
|
|
\
|
= 1
. 2
ln
. 2
1
r
l
l
R
h
(3.9)

Uma outra forma de diminuir a resistncia de aterramento utilizando-se hastes
verticais associadas em paralelo. Entretanto esta associao no resulta na metade do valor
da resistncia de uma haste devido a um termo adicional denominado resistncia mtua. A
resistncia mtua diminui com o aumento do espaamento entre as hastes. Considera-se
d>>>r. Pode-se associar vrias hastes em paralelo em uma topologia em linha.
|
|
\
|
|
\
|
+ + + + =
|
|
|
\
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
|
\
|
+ + + =
n d
R
n
R
l
d
l
d
l
d
d
l
l
R
R
h nh
h
h
1
...
3
1
2
1
.
1
. 2
1
. 2 . 2
1 1
. 2
ln
. 4 2
1
2 2
1
2
(3.10)
27
Para uma topologia com trs hastes colocadas nos vrtices de um tringulo
eqiltero de lado d tem-se:
3
1
2
ln
. 2
1
1h
h
R
r
l
d
l
R
+
|
|
|
|
|
\
|
|
|
\
|

|
\
|
+
=
(3.11)
Para associaes densas de hastes tais como quadrado ou retngulo utiliza-se a
Equao (3.12):
( )
|
|
\
|
+
|
\
|
=
2
1
1
2
1
8
ln
. . 2
N
A
L k
d
L
N L
R
h h
h
ah
(3.12)
Onde:
R
ah
a resistncia da associao de N hastes;
a resistividade do solo;
L
h
o comprimento da haste;
d o dimetro da haste;
N o nmero de hastes em paralelo;
x a razo entre o maior e o menor lado do retngulo;
x k 04 , 0 41 , 1
1
= o fator de correo;
A igual rea delimitada pelas hastes.
Pode-se observar que o primeiro e segundo termos da Equao (3.12)
correspondem resistncia de uma haste, enquanto o terceiro termo uma correo
relacionada com a resistncia mtua entre as hastes [25].
As chamadas hastes profundas ou emendveis so aquelas de maior comprimento,
obtidas pelo acoplamento mecnico e eltrico de vrias sees de hastes. So utilizadas
para atingir camadas mais profundas do solo, que normalmente so mais midas e,
portanto, apresentam menor resistividade, proporcionando um melhor valor para a
resistncia do aterramento. Alm disso, estas camadas so menos sujeitas as variaes de
umidade e temperatura, o que proporciona um aterramento de resistncia praticamente
constante ao longo do tempo. Neste caso tem-se:
d
h
h
R
x
h
4
ln
. 2
1
=
(3.13)
Onde:
28
h o comprimento total das hastes interligadas.
Do ponto de vista prtico no recomendvel o emprego de hastes emendveis,
com mais de 9m de comprimento total [24].
Para um cabo horizontal enterrado a uma profundidade h e submetido a uma
corrente aplicada em seu centro temos:
|
|
|
\
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
|
\
|
+ + + |
\
|
+ +
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
\
|
+ + = =
=
|
|
|
\
|
|
\
|
+ +
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
\
|
+ + + |
\
|
+ +
|
|
|
\
|
|
|
\
|
|
\
|
+ + =
2 2 2 2
2 2 2 2
2
1
2 2
1 1
2
ln
2
1
2 2
1 1
2
ln
. 2 2
2
1 1 1 ln 1 1 1 ln
. 2
.
L
h
L
h
L
h
h
L
L
r
L
r
L
r
r
L
L I
V
R
L I
l
h
l
h
l
h
h
l
l
r
l
r
l
r
r
l
l
I
V
m
F
m
(3.14)
Considerando L>>>r e L>>h, tem-se:
|
|
\
|
|
\
|
= 1
.
ln
h r
L
L
R
F
(3.15)
Uma configurao elementar de um aterramento composta por uma haste vertical
ou um fio horizontal. Entretanto pode-se associar estas e outras configuraes com o
objetivo de controlar as grandezas envolvidas em um aterramento [25].
A associao de cabos e hastes em solo uniforme envolve trs clculos diferentes,
ou seja, clculo da resistncia de aterramento dos cabos, clculo da resistncia de
aterramento das hastes e clculo da resistncia mtua entre cabos e hastes.
A resistncia mtua ser calculada de acordo com a geometria dos eletrodos. Para
arranjos com hastes e cabos em linha calcula-se a resistncia mtua entre um cabo e uma
haste, enquanto que para malhas cobrindo certa rea, temos:
mch h c
mch h c
ch
R R R
R R R
R
2
2
+
+
=
(3.16)
Onde:
R
c
a resistncia de aterramento dos cabos;
R
h
a resistncia de aterramento das hastes;
R
mch
a resistncia mtua entre cabos e hastes.
Para o clculo da resistncia de aterramento em solo estratificado em duas camadas
a principal diferena em relao ao solo homogneo so as reflexes. Em solo homogneo
h apenas a reflexo associada interface solo-ar. Em solo de duas camadas tm-se duas
interfaces funcionando como espelhos, uma solo-ar e a outra entre os solos de
resistividades diferentes.
29
Pode-se prever as dificuldades que seriam encontradas para expressar
analiticamente uma configurao mista. A formulao numrica vem ento reduzir a
complexidade da anlise de configuraes mais complexas. A idia bsica exprimir cada
configurao elementar atravs de suas coordenadas num sistema de eixos cartesianos.
Com a configurao ou associao delas presas aos eixos de referncia subdivide cada
configurao elementar em pequenos elementos em cujos centros se encontram as fraes
da corrente que circula por toda a associao.
Configuraes com haste vertical podem ser perigosas quando se trata de tenso de
passo. As configuraes com fio horizontal possuem tenso de passo perigosa nas posies
perpendiculares ao fio condutor. J configuraes com dois ou mais anis em
profundidades diferentes provocam um aumento nos potenciais e diferenas de potenciais
na regio interna destes e diminuio nas regies externas a estes [26].

3.4.6 - Comportamento de um Aterramento Eltrico sob Descarga Atmosfrica

O comportamento resistivo de um aterramento eltrico sob descarga atmosfrica
apresenta dois efeitos. O primeiro um aumento da temperatura na parte do solo
circundante aos condutores (devido a grande quantidade de energia que ser dissipada por
efeito joule aumenta a resistividade do solo) e o segundo a mudana no mecanismo de
conduo eltrica do solo (devido ao elevado campo eltrico que se estabelece na
vizinhana dos condutores enterrados acima de certos valores crticos diminui a
resistncia de aterramento pelo aumento fictcio da seco dos condutores enterrados).
Devido ao intervalo de tempo extremamente pequeno de fluidez da descarga, o
efeito produzido pela mudana de mecanismo de conduo altamente predominante sobre
o efeito do aumento de temperatura, resultando desta forma numa reduo do valor da
resistncia de aterramento durante o tempo que dure a descarga atmosfrica.
A resistncia esttica de aterramento (R
E
) pode ser obtida pela equao:

=
=
n
i
i
E
I
R
1
4
(3.17)
Supondo uma corrente eltrica elevada circulando pelo aterramento, pode-se fazer
novamente o clculo da resistncia de aterramento pela Equao (3.17). Como a corrente
de uma descarga atmosfrica varia com o tempo tem-se uma variao na resistncia do
30
aterramento, obtendo-se assim a resistncia dinmica de aterramento, veja mais detalhes
em [28].
Supondo que a equipotencialidade na superfcie dos condutores se transfere para a
superfcie fictcia, para cada parte do aterramento composto por apenas um condutor
retilneo (l) pode-se obter o seu raio fictcio (r
f
) em funo da corrente (I) que se transfere
deste condutor para o solo:
L
f
E l
I
r
. . 2
=
(3.18)
Partindo-se da forma de onda tpica de corrente de uma descarga atmosfrica, a
cada instante pode-se calcular o valor da resistncia de aterramento dado o clculo das
novas dimenses dos elementos do aterramento. Estes valores formam a curva da
resistncia dinmica de aterramento.
As variaes da resistncia de terra diante de uma descarga atmosfrica assumem
valores que justificam a utilizao do conceito de resistncia dinmica de aterramento em
projetos. Entretanto deve-se considerar que medida que as dimenses dos aterramentos
crescem, o efeito da formao dos canais de fasca sobre a resistncia de terra diminui
reduzindo o percentual de variao da resistncia dinmica em relao ao seu valor
esttico. A partir de certas dimenses limites, a resistncia dinmica permanece constante e
igual ao valor esttico durante todo o tempo da descarga atmosfrica. Fato este que deve
ser considerado frente a aterramentos em solos de alta resistividade [19].
Em regimes transitrios, dependendo da geometria e dimenso do sistema de
aterramento, poder aparecer um efeito indutivo em funo da alta intensidade da corrente
e sua rpida variao. Neste caso devem-se considerar os efeitos resistivos e indutivos do
sistema de aterramento [25]. O efeito indutivo caracterizado por uma indutncia
distribuda (L) entre os pontos de tomada de terra e remoto.
Quando a corrente descarregada pela malha originada por raios, quer por descarga
direta quer pela operao dos pra-raios de linha do sistema eltrico, a corrente assume
uma forma denominada corrente de impulso (veja Figura 3.13), caracterizada por um
tempo de subida t
1
e por um tempo de queda (cauda) ao meio valor t
2
. A amplitude I
pk
e o
tempo de subida t
1
so os parmetros mais importantes para a resposta da malha de terra,
pois a amplitude determina a existncia de disrupo no solo, enquanto o tempo t
1
,
determina a maior freqncia da frente de onda (f=1/t). Experimentos com reproduo de
descarga atmosfrica podem ser vistos em [29].
31
A impedncia ao surto definida pela relao entre o valor mximo da queda de
tenso desenvolvida no eletrodo e o valor mximo da corrente. Para hastes de aterramento,
cujo comprimento seja h<<v.t
1
, onde v a velocidade de propagao da onda de corrente.

Figura 3.13. Forma de onda de uma descarga atmosfrica [25].
Levando-se em conta a ionizao do solo, temos:
0
0
0
0
.
. 53 , 12
. 4
ln
. 2
E h
I
d
d
h
h
R
=
=
(3.19)
Onde:
R
0
a resistncia de aterramento ().
d
0
o dimetro efetivo da haste (m);
d o dimetro equivalente da haste (m);
a resistividade do solo em .m;
I a corrente de surto em kA;
h o comprimento da haste em metros;
E
0
o gradiente de disrupo do solo, variando de 200kV/m a 2000kV/m.
Sem considerar a ionizao do solo, temos a Equao (3.13).
A resistncia com a ionizao (R
0
) menor que a resistncia sem a ionizao (R).
Sendo o gradiente de tenso desenvolvido no solo dado pela Equao (3.6). Se o
gradiente desenvolvido no solo no ultrapassar o gradiente de disrupo do solo o valor da
resistncia de aterramento ser obtido pela equao que no considera a ionizao do solo.

32
Estudos experimentais mostram que, para comprimentos de eletrodos, horizontais
ou verticais, que no excedam 10m a 15m, sua indutncia no muda mais do que em 5% a
distribuio da corrente entre suas extremidades [24].

3.4.7 - Modelamento de um Sistema de Aterramento

Um sistema de aterramento pode ser modelado como uma linha de transmisso. Ou
seja, pode ser modelado como indutncias e admitncias distribudas. Veja mais em [30].
A dependncia dos parmetros do solo em relao freqncia (resistividade e
permissividade) e o efeito da intensidade da corrente injetada no sistema (processo de
ionizao) so consideraes bsicas para a formulao de um modelo consistente de um
sistema de aterramento (dentre outros fatores). O desempenho do sistema de aterramento
est diretamente associado ao conceito de impedncia de aterramento, a qual funo da
freqncia. Esta dependncia influi no comportamento da disperso da corrente no solo,
onde as correntes capacitivas podem ser desprezadas para baixas freqncias, entretanto
so bastante significativas para as altas freqncias. A relao entre a impedncia de
aterramento e a resistncia no linear e depende das caractersticas do solo e da geometria
do aterramento.
A transio da impedncia inicial para a final depende da resistividade do solo e do
comprimento do cabo e tambm funo das reflexes de ondas. Considerando o cabo
como um condutor simples de uma linha de transmisso de comprimento (l) e constantes
G, L e C por unidade de comprimento (desprezando R), com circuito aberto no final,
impedncia final do cabo-eletrodo dada pela Equao (3.20).
( )
( )
( )
( )

)
1
2 2
. 1 2
.
.
4
. 1 2
. cos . 8
1 .
1
) (
k
k k t
c
k
t sen
L
C
l G
k
t
e l G
t Z
(3.20)
Com:
( )
) ( 1
. . 2
. 2
ln
.
2
1
. 2
. 1 2
|
|
\
|
|
\
|
=
=
p d
I
I
R
RC
LC l
k
k

33
( )
) / ( 1
. . 2
. 2
ln
2
) / ( 1
. . 2
. 2
ln 1
0
m H
p d
I
L
m F
p d
I
C
r
|
|
\
|
|
\
|
=
|
|
\
|
+ =

Onde:
a resistividade do solo (.m);
l o comprimento do cabo-eletrodo (m);
d o dimetro do cabo-eletrodo;
p a profundidade em que o cabo-eletrodo foi enterrado;
a permissividade do meio;
0
a permissividade do vcuo;
r
a permissividade relativa do solo;
a permeabilidade do solo.
De acordo com a formulao, a impedncia um parmetro varivel a qual tem
uma impedncia de surto inicial (Z
0
) e reduz de modo exponencial para a resistncia de
disperso final (1/G). Esta transio praticamente completada quando 05 , 0 =
t
e
ou
quando T=6C/G onde RC 2 / 1 = .
Testes de campo sob diferentes condies e em vrias localidades, mostram
velocidades de propagao nos cabos da ordem de 30% a 40% da velocidade da luz e a
impedncia de surto de 120 a 220.
A impedncia de impulso depende de alguns fatores, entre eles, a extenso e
configurao do eletrodo, o ponto de injeo da corrente, a intensidade e forma de onda da
corrente, e da resistividade do solo.
Se o efeito de propagao ao longo dos eletrodos no considerado, para uma
determinada configurao de aterramento, quando a corrente injetada no solo (I) aumenta,
a densidade de corrente na superfcie do condutor aumenta linearmente, conforme a
Equao 3.21.
c
A
I
t
E
E
+
.
.

(3.21)
Onde:
.E a corrente de conduo;
t
E
.
a corrente de deslocamento;
34
I/Ac a densidade de corrente na superfcie do condutor (J).
A intensidade do campo eltrico (E) tambm aumenta. Para cada tipo de solo e
condio de umidade, existe um valor de campo eltrico critico (E
c
) alm do qual, um
processo de disrupo iniciado, contrariando a existncia de uma parcela substancial de
corrente de conduo na regio (para o IEEE, E
c
=350kV/m). Este processo similar ao
efeito corona. A diferena est na irregularidade no processo de disrupo do solo. As
caractersticas heterogneas do solo, composto por vrias e diferentes partculas,
determinam a no uniformidade do campo eltrico na regio adjacente ao eletrodo. Neste
caso, o campo eltrico critico alcanado primeiramente em determinados pontos e
algumas descargas se estabelecem, enquanto em outros pontos eqidistantes do eletrodo
no acontecem descargas. Nesta regio de descargas a conduo passa a ser por
centelhamento e no mais por processo eletroltico.
Quando este fenmeno observado do ponto de injeo da corrente no solo, o
efeito traduzido pela diminuio na impedncia de aterramento. Enquanto este processo
de ionizao no se inicia, h uma relao linear entre a tenso e a corrente aplicada no
solo (R=V/I). Quando o campo eltrico critico excedido, um canal de plasma (com
resistividade muito menor que a do solo) estabelecido no solo e atua como uma extenso
do eletrodo, sendo responsvel por um aumento adicional da corrente em relao aquela
associada a relao linear deste processo. Para descrever o comportamento dinmico das
caractersticas de aterramentos concentrados, o solo caracterizado por trs zonas (veja
Figura 3.14).

Figura 3.14. As trs zonas que caracterizam o solo [25].

35
No se deve desprezar a componente capacitiva da corrente para ondas impulsivas
aplicadas no solo. A presena de canais de disrupo no solo afeta da mesma forma a
condutncia e capacitncia do eletrodo e suas respectivas correntes. Para sistemas de
aterramentos com pequenas dimenses e espectro representativo de baixas freqncias, os
clculos para determinao do comportamento do aterramento so relativamente simples.
Utiliza-se o mtodo proposto por Chisholm (desenvolvido para anlise de aterramento de
torres). Neste mtodo a resistncia sob impulso definida como:
p
p
i
I
V
R =
(3.22)
Onde:
R
i
a impedncia de surto;
V
p
a tenso de pico medida sobre o eletrodo de aterramento;
I
p
a corrente de pico injetada no eletrodo de aterramento.
Como o valor do campo eltrico no solo funo da densidade superficial de
corrente sobre os eletrodos, o primeiro passo definir a rea e o comprimento total dos
condutores enterrados, criando o parmetro adimensional (P
1
):

|
|
\
|
+ =
A
s
P
2
'
1
ln
2
1
4517 , 0
(3.23)
Onde:
s a dimenso caracterstica do eletrodo (para a haste o comprimento);
A a rea total em contato com o solo (para hastes e cabos A=2rL).
O valor do campo eltrico que provoca disrupo no solo foi parametrizado em
funo de :
215 , 0
0
241 = E
(3.24)
Onde:
E
0
dado em kV/m;
dado em .m.
O parmetro adimensional P
2
, funo de P
1
, permitir saber se a corrente
ultrapassou o valor necessrio para provocar disrupo no solo:

( )
( ) kA
P s E
I
P P
cr
'
2
2
0
2446 , 3
1
'
2
' 01314 , 0
=
=

(3.25)
36
Se a corrente injetada for menor que o valor de I
cr
, no haver disrupo, e o valor
da impedncia de surto ser igual ao valor j calculado pela Equao (3.22). Se a corrente
exceder o valor de I
cr
, haver disrupo, e o valor de R
i
ser dado por:
308 , 0
692 , 0
2
0
0
.
. . 263 , 0

|
|
\
|
= I
s E
s E R
i
(3.26)
Para malhas grandes, devido a grande quantidade de material no solo, no h
disrupo, e, particularmente para o caso de malhas reticuladas, a indutncia no
desprezvel. Utilizando o mtodo de Gupta (no qual a malha representada por parmetros
de linhas de transmisso) desprezando a resistncia prpria do condutor e a capacitncia,
assumindo um modelo com apenas indutncia (L) e condutncia (G). Para o clculo do raio
equivalente da malha (r
m
), utiliza-se o raio de um disco com a mesma rea da malha, ou
seja:
2
A
r
m
=
(3.27)
O mtodo define um raio efetivo equivalente da malha (r
e
) dado por:
c
e
x
t k r
1
.
1
=
(3.28)
Onde:
Para impulso aplicado no centro da malha, temos k=1,450,05d e c=0,029;
Par impulso aplicado no canto da malha, temos k=0,60,025d e c=0,08;
d o tamanho da sub-malha;
x a razo entre o lado maior e o lado menor do retngulo externo da malha;
t
1
o tempo de subida da corrente em s;
Se
e m
r r < , a impedncia ser:
3 , 2
333 , 0
0
.
|
|
\
|
+
=
e
m
r
r
i
e R Z
(3.29)
Se
e m
r r , a impedncia ser [23]:
333 , 0
0
.
+
= e R Z
i
(3.30)
A propagao de ondas eletromagnticas em um meio dissipativo (com perdas)
semelhante ao solo, composta por dois fenmenos: atenuao e distoro. A atenuao e
37
distoro constituem-se, respectivamente, em decrscimo (atenuao) da amplitude da
onda e deformao da onda (defasagem) medida que a mesma se propaga.
Em estudos de transitrios se deve considerar o parmetro do solo permissividade
eltrica relativa (
r
), sendo que para solos arveis secos so utilizados valores entre 2 e 20 e
para solos muito midos em torno de 80. E, Para solos argilosos valores secos entre 5 e 40.
Os parmetros do solo permissividade eltrica relativa (
r
) e condutividade () so
fortemente dependentes da freqncia.
Nota-se o aumento do valor da condutividade (efetiva) e a diminuio do valor da
permissividade do solo com o aumento da freqncia [31].
O campo eltrico no solo pode ser considerado como a somatria de um campo
eltrico impresso (E
i
) e um campo eltrico induzido (E
s
). Este campo eltrico induzido
resultado de correntes e cargas induzidas no sistema de aterramento pelo campo eltrico
impresso (E
i
).
Portanto, para simular o comportamento no linear dos eletrodos sob altas correntes
adotado um aumento no raio do eletrodo e uma diminuio da indutncia do cabo.
Portanto, elevados valores de correntes causam a diminuio da impedncia de aterramento
devido ao aumento tanto da corrente condutiva no eletrodo quanto a corrente capacitiva no
solo. Considerando os sistemas de aterramento e seu comportamento quando submetidos a
fenmenos de alta freqncia, esta modelagem torna-se mais complexa devido a
caractersticas do solo, da geometria do sistema de aterramento e dependncia de alguns
parmetros com a freqncia.
A partir deste ponto considera-se o desenvolvimento da formulao matemtica, na
qual so abordados tpicos como a modelagem dos trechos de linhas de transmisso, a
modelagem do sistema de aterramento, o clculo dos campos magnticos e eltricos e o
clculo das tenses induzidas. Para o clculo dos campos, o desenvolvimento a seguir
aplica-se a deslocamentos de dipolos de correntes em quaisquer trechos de linhas de
transmisso situados ao longo dos eixos z, x ou y.
As descargas atmosfricas podem ser representadas de maneira simplificada atravs
de uma fonte de corrente ideal e unidirecional (veja Figura 3.13).
A resposta da clula elementar aos impulsos surgiu a partir da observao do
mtodo TLM, no qual, atravs de um processo de discretizao, em que se substitui um
sistema contnuo por uma malha composta por linhas de transmisso, obtm-se os valores
dos campos eltrico e magntico a partir da equivalncia entre as equaes de Maxwell e as
equaes das linhas de transmisso.
38
Na avaliao dos valores dos impulsos das tenses e das correntes na clula
elementar se utiliza o mtodo de linhas de transmisso sem perdas. Desta forma, assume-se
que as tenses e correntes se propagaro com velocidade constante e sem alterao das
suas formas enquanto as constantes das linhas de transmisso no se alterarem.
Desta forma, aps a atribuio inicial dos valores de impulso de tenso em um
instante t=0, possvel determinar-se a resposta aos impulsos atravs do clculo em
instantes sucessivos do estado da malha. As tenses nos ns do elemento tridimensional
so obtidas considerando-se as tenses refletidas e incidentes [32]. Veja mais em [33].

3.5 - SIMULAO ELETROMAGNTICA

3.5.1 - Modelagem por Linhas de Transmisso

O mtodo TLM se baseia no uso de redes de circuitos eltricos para soluo de
problemas de espalhamento, segundo a Teoria Ondulatria da Luz ou Princpio de
Huygens. O TLM um mtodo matemtico utilizado na resoluo numrica no domnio do
tempo das equaes de Maxwell para os casos mais gerais de propagao de ondas
eletromagnticas, isto , permite a modelagem de problemas com estruturas de geometrias
complexas, materiais com propriedades no lineares, no homogneos e com perdas, alm
de avaliar na sua formulao mais avanada materiais com parmetros dispersivos
(dependentes da freqncia) e anisotrpicos [34].
De uma forma geral, pode-se identificar as seguintes etapas dentro de cada iterao
no tempo para o mtodo TLM-TD (TLM Time Domain TLM no Domnio do Tempo):
- Determinao das tenses incidentes a cada segmento, considerando as excitaes
presentes;
- Clculo de campos associados aos segmentos de interesse;
- Clculo das tenses refletidas por cada segmento;
- Aplicao das condies de contorno para os segmentos ou ns que se localizam
nas extremidades do domnio de clculo;
- Determinao das novas tenses incidentes para o prximo passo de iterao.
Para a linha pode-se ter escolhidos o comprimento, a resistncia, indutncia,
capacitncia e condutncia por unidade de comprimento. O mtodo TLM-TD
unidimensional bastante preciso e pode ser utilizado em aplicaes bem complexas,
39
como o caso da excitao na forma de impulso, surto atmosfrico ou de manobra, e
senoidal.
O mtodo TLM unidimensional se baseia em LT (Linhas de Transmisso),
especificamente em linhas de transmisso a dois condutores. Neste mtodo os conceitos de
resistncia, capacitncia, condutncia e indutncia so aplicados de forma a permitir uma
viso do objeto e seu uso do ponto de vista da engenharia da transmisso [35]. Dois ns (x
e x+x) so caracterizados por um conjunto de componentes (R, G, L e C) interligadas da
forma apresentada na Figura 3.15 [36].

Figura 3.15. Modelo TLM unidimensional [36].
Dentre as inmeras vantagens do mtodo TLM, pode-se citar que os clculos de
corrente, tenso, campo eltrico e magntico podem ser feitos simultaneamente, no mesmo
programa, na mesma simulao; que a formulao para casos de materiais no-
homogneos simples; e que as verses 2D e 3D apresentam muitas facilidades de
implementao quando a verso unidimensional conhecida. O TLM, principalmente em
uma verso tridimensional, apresenta o perfil mais conveniente para as aplicaes na rea
de compatibilidade eletromagntica [37].
O desenho para o n TLM bidimensional paralelo est apresentado na Figura 3.16 e
serial na Figura 3.17.

Figura 3.16. Clula bsica do n bidimensional TLM paralelo [36].

40

Figura 3.17. Clula bsica do n bidimensional TLM srie [36].

3.5.2 - Mtodo TLM Tridimensional

O desenvolvimento dos modelos tridimensionais foi fundamental para que o
mtodo TLM se estabelecesse como uma importante ferramenta para a anlise de
fenmenos de eletromagnetismo. Ao contrrio do mtodo FDTD, cujo princpio de
aplicaes em eletromagnetismo j se deu baseado em clulas tridimensionais, o mtodo
TLM teve incio com uma proposio bidimensional, sendo que vrias proposies de
clulas tridimensionais foram colocadas at o surgimento de uma clula condensada em
1987, sobre a qual esto baseados os desenvolvimentos posteriores e boa parte dos cdigos
computacionais hoje em uso. Para o estudo do eletromagnetismo, um modelo
tridimensional deve ser capaz de apresentar seis componentes de campos, quais sejam:
Ex - campo eltrico na direo x;
Ey - campo eltrico na direo y;
Ez, - campo eltrico na direo z;
Hx - campo magntico na direo x;
Hy - campo magntico na direo y;
Hz - campo magntico na direo z.
O SCN (Symmetrical Condensed Node - N Simtrico Condensado) constitudo
de trs ns srie no interligados definindo 12 portas, como se v na Figura 3.18. O n
tridimensional delimita um volume hexadrico, estando presentes em cada uma das seis
faces duas portas de ns srie diferentes. Desta forma so apresentadas 12 portas,

41
constituindo duas componentes de tenso (campo eltrico) por face. No centro do n
aparecem as componentes de campo magntico.

Figura 3.18. N simtrico condensado TLM tridimensional [37].
Para permitir melhor visualizao dos ns srie que constituem o SCN, pode-se
separ-los, como apresentados na Figura 3.19.

Figura 3.19. Detalhes do n simtrico condensado TLM tridimensional [37].
Como os ns srie no esto interligados, no possvel montar o circuito eltrico e
o equivalente de Thvenin do SCN. A alternativa ento para o estudo do comportamento do
n ser fazer incidir um pulso em uma das portas e analisar quanto deste pulso ir refletir
para todas as portas.
Tomando a Figura 3.19 e considerando a hiptese da incidncia de um pulso de
tenso unitrio na porta 1 do n que est no plano xy, percebe-se que este pulso est
associado a um campo eltrico Ex, e, como contribui com a corrente Iz, est tambm
associado a um campo Hz e a um campo Ey. Pelas equaes de Maxwell v-se que todas
esto relacionadas (Ex, Ey e Hz). As diversas componentes esto presentes e espalhadas

42
pelas diversas equaes, o que demonstra que a incidncia de um pulso em uma nica
porta estar associada a respostas em diversas portas, tanto do seu prprio n srie como
dos outros dois.
Sem o uso direto das equaes de Maxwell pode-se fazer essa associao entre as
diversas portas de um modo mais intuitivo e com o auxlio da Figura 3.20. Considere um
n regular onde as dimenses dos lados so iguais (x=y=z=l) e que exista a
incidncia de um pulso unitrio de tenso sobre a porta 1 do n. Tal incidncia ocasionar
tenses refletidas em diversas portas. Pela simetria do n existiro reflexes de tenso nas
portas 1, 3, 12 e 11 (para o n srie do plano xy), bem como nas portas 2 e 9 (para o n
srie do plano zx), pois todas estas portas esto em paralelo com a porta 1.
Devido incidncia do pulso de tenso unitria na porta 1, haver uma tenso
refletida na porta 1, cujo valor desconhecido e que ser chamada de a. Nas portas 2 e 9,
pela simetria e polaridade, de b. Na porta 12 a reflexo ser chamada de c. Na porta 3 ser
d e na porta 11, pela simetria com a porta 3 mas com sinal invertido, ser chamada de -d .

Figura 3.20. Aplicao de um pulso unitrio a porta 1 [37].
Este procedimento pode ser repetido para cada uma das portas, individualmente,
sempre buscando as tenses refletidas em todas as portas com relao ao pulso de tenso
unitrio incidente na porta escolhida. Com este conjunto de correspondncias pode-se
escrever uma Equao (3.31) geral.
[ ]
i
k
r
k
V S V =
(3.31)
Onde:
k
V
r
representa o vetor das tenses refletidas para as diversas portas no instante k;

43
k
V
i
representa o vetor das tenses incidentes nas diversas portas no instante k;
[S] a matriz de espalhamento.
A tenso refletida em cada porta ser uma somatria das contribuies das
reflexes originadas por todas as incidncias.
A partir do raciocnio descrito acima pode-se escrever a matriz de espalhamento [S]
com 12 linhas e 12 colunas (doze tenses refletidas para doze incidentes), utilizando os
smbolos a, b, c e d.
[ ]
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
a d b d b c
d a b b c d
a d b c b d
b d a d c b
b a d d c b
b d a b c d
c d b a b d
b d c b a d
b c d d a b
d c b b a d
b d c d a b
c d b d b a
S
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
(3.32)
Para encontrar a soluo desta matriz com os valores de a at d, algumas
consideraes matemticas devero ser feitas e esto descritas a seguir.
Em estudos de propagao de ondas planas a matriz de espalhamento relaciona as
amplitudes das ondas refletidas com as amplitudes das ondas incidentes. Se nas interfaces
onde ocorrero as incidncias e reflexes os meios so iguais (ou seja, coeficientes de
reflexo e transmisso sempre iguais) e no h perdas (ou seja, haver conservao de
energia), a seguinte equao vlida:
[ ] [ ] [ ] I S S
T
= (3.33)
Onde:
[S]
T
a matriz transposta de [S];
[I] a matriz identidade.
Resolvendo-se a Equao (3.33) matricial pode-se obter ento o seguinte conjunto
de equaes:
44
( )
( )
0 2 2 2
0 2
0 2
1 2 2
2 2
2 2 2 2
= +
=
= +
= + + +
d b ac
c a d
c a b
d c b a
(3.34)
Com quatro Equaes (3.34) e quatro variveis a seguinte soluo pode ser obtida:
a = 0
b = 0,5
c = 0
d = 0,5
Fazendo-se as substituies obtm-se:
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
k
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
k
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1
0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0
1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1
0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0
0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0
0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0
0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0
0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1
1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1
0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0
2
1
(3.35)
Observe-se como a matriz de espalhamento notavelmente simples e fcil de
implementar computacionalmente, devido ao grande nmero de zeros, o que acaba por
diluir o corpo da matriz. Tal matriz denominada matriz de espalhamento, e permite
calcular as reflexes para tenses incidentes, em cada iterao. A conexo com o prximo
passo de tempo feita diretamente, da mesma forma como ocorre no mtodo
bidimensional.
Para possibilitar os clculos de propagao preciso definir as correspondncias
entre capacitncia e indutncia com a permissividade e permeabilidade do meio, pois ser
necessrio relacionar os campos eltricos e magnticos s tenses e correntes. Para isto
considere-se novamente o n SCN. Onde o n determina uma regio espacial qualquer de
dimenses u, v e w.
45
A capacitncia total na direo x est relacionada s portas 1, 2, 9 e 12, bem como
permissividade do meio dada por . A capacitncia ser definida pela permissividade
distribuda em todo o plano com relao ao comprimento x do bloco espacial dado pelo n
SCN, ou seja:
u
wv
C
x
= (3.36)
Da mesma forma para as capacitncias nas direes y e z tm-se:
w
uv
C
v
uw
C
z
y
=
=
(3.37)
Considerando agora o n srie definido pelo plano xy, a indutncia total est
relacionada s portas 1, 3, 11 e 12, bem como permeabilidade do meio dada por . Esta
indutncia relacionada ao eixo z, pois o n srie respectivo ir definir um campo Hz
(devido corrente Iz). A indutncia ser dada ento pela permeabilidade distribuda em
todo o plano xy com relao ao comprimento z do bloco espacial do n SCN, ou seja:
w
uv
L
z
=
(3.38)
Da mesma forma para as indutncias nas direes y e x tm-se:
u
wv
L
v
uw
L
x
y
=
=
(3.39)
Para modificar as caractersticas dos parmetros do meio, pode-se fazer a
introduo de stubs no interior do n, sem modificar o ncleo da matriz de espalhamento
principal. Sendo assim, um conjunto de linhas e colunas ser acrescido matriz bsica.
Devero ser introduzidos 6 stubs para corresponder s seis componentes de campo, onde
para cada componente de campo eltrico deve ser introduzido um stub capacitivo com a
extremidade em circuito aberto, e para cada componente de campo magntico deve ser
introduzido um stub indutivo com extremidade em curto-circuito. A matriz ser acrescida
de 6 linhas e 6 colunas, passando a ter a dimenso 18x18.
O campo eltrico est definido numa equivalncia direta com as tenses, assim
como o campo magntico com as correntes. Essas equivalncias esto expressas por:
46
l
I
H
l
I
H
l
I
H
l
V
E
l
V
E
l
V
E
z
z
y
y
x
x
z
z
y
y
x
x
=
(3.40)
Considera-se aqui que as dimenses das faces so iguais, ou seja, x=y=z=l.
Para o n SCN a tenso Vx ser obtida da mdia das tenses nas portas 1, 2, 9 e 12. Assim:
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
r i r i r i r i
x
V V V V V V V V V
12 12 9 9 2 2 1 1
4
1
+ + + + + + + =
(3.41)
Considerando a conservao das cargas, pode-se mostrar que a soma das tenses
refletidas igual soma das tenses incidentes. Desta forma a Equao (3.41) pode ser
simplificada para:
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
i i i i
x
V V V V V
12 9 2 1
2
1
+ + + =
(3.42)
Fazendo as devidas substituies, obtm-se:
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
i i i i
x
V V V V
l
E
12 9 2 1
2
1
+ + +
=
(3.43)
O mesmo procedimento pode ser feito para as outras direes e obter-se:
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
i i i i
z
i i i i
y
V V V V
l
E
V V V V
l
E
10 7 6 5
11 8 4 3
2
1
2
1
+ + +
=
+ + +
=
(3.44)
Para o clculo das correntes, onde a corrente est diretamente relacionada s
tenses das portas 4, 5, 7 e 8. Fazendo-se o equivalente de Thvenin para esse n srie
(plano yz) a corrente pode ser determinada:
47
Z
V V V V
I
i i i i
x
2
5 8 7 4
+
=
(3.45)
Fazendo as substituies chega-se a:
l Z
V V V V
H
i i i i
x
+
=
2
5 8 7 4
(3.46)
O mesmo procedimento pode ser feito para as outras direes [36] e ento:
l Z
V V V V
H
l Z
V V V V
H
i i i i
z
i i i i
y
+
=
+
=
2
2
12 3 11 1
10 2 9 6
(3.47)
Uma vez conhecido o comportamento de cada n, quando sujeito a tenses
incidentes, outro ponto importante determinar como ocorre a propagao de ondas
eletromagnticas para fora do SCN. A modelagem de volumes com o SCN implica em que
as extremidades dos ns adjacentes se toquem e que exista um acoplamento entre as
tenses refletidas por um n num dado instante e as tenses incidentes nos ns adjacentes,
no prximo instante de tempo.
Para ilustrar, a tenso refletida pela porta 4 do n localizado na posio (x,y,z), no
instante de tempo k, dever corresponder tenso incidente na porta 8 do n adjacente que
fica em (x,y,z-1), no instante de tempo k+1. Da mesma forma, a tenso refletida pela porta
8 do n em (x,y,z-1), no instante k, corresponde tenso incidente na porta 4 do n em
(x,y,z), no instante k+1. O que acontece realmente uma troca entre tenses de portas
adjacentes. Assim, matematicamente, pode-se escrever:
( ) ( )
( ) ( ) 1 , , , ,
, , 1 , ,
8 4 1
4 8 1
=
=
+
+
z y x V z y x V
z y x V z y x V
r
k
i
k
r
k
i
k
(3.48)
Onde:
( ) 1 , ,
8 1

+
z y x V
i
k
a tenso incidente na porta 8 do n situado em (x,y,z-1), no
instante de tempo k+1;
( ) z y x V
r
k
, ,
4
a tenso refletida na porta 4 do n situado em (x,y,z), no instante
de tempo k;
48
( ) 1 , ,
8
z y x V
r
k
a tenso refletida na porta 8 do n situado em (x,y,z-1), no
instante de tempo k;
( ) z y x V
i
k
, ,
4 1 +
a tenso incidente na porta 4 do n situado em (x,y,z), no
instante de tempo k+1.
O mesmo ocorre para todas as outras portas do SCN sendo possvel determinar
expresses matemticas similares. Portanto para cada passo de iterao no tempo k, devem
ser realizadas duas importantes etapas. A primeira etapa calcula as tenses refletidas no
interior de cada n, utilizando as tenses incidentes ao n, no instante k, o espalhamento. A
segunda etapa utiliza as tenses refletidas que acabaram de ser calculadas para determinar
atravs das trocas, o valor de novas tenses incidentes que sero usadas para reiniciar um
novo instante de tempo k+1, a conexo com o momento seguinte.
Evidentemente, dentro de um volume modelado existem ns que esto na fronteira,
no apresentando contato com outros ns e inviabilizando para algumas portas, a etapa de
conexo com o momento seguinte. Portanto necessrio determinar as condies de
contorno para esta classe de ns especial.
Os ns que esto nos limites do volume possuem uma, duas ou trs extremidades
sem contato com outros ns. Isto faz com que sejam necessrios alguns clculos extras
para determinar a conexo destas portas com o momento seguinte, uma vez que a etapa de
espalhamento deve ser feita igualmente para todos os ns sem exceo.
Uma vez identificados os ns pertencentes s fronteiras do volume, aplica-se a
conexo apresentada no item anterior para as portas que esto em contato com outros ns,
mas para as portas que no possuem este contato e esto na fronteira do volume, aplica-se
uma constante de reflexo para definir as novas tenses incidentes para o prximo passo de
iterao. Admitindo que o volume modelado faz parte de um volume maior, basta aplicar
um coeficiente de reflexo s portas que ficam na fronteira. Este coeficiente de reflexo
calculado levando em conta os parmetros fsicos do material de preenchimento do volume
modelado e do material de preenchimento do volume maior
Se a inteno admitir o volume modelado imerso no espao aberto, o valor do
coeficiente de reflexo igual zero, indicando que no existir nenhuma tenso incidente
retornando para o volume, no instante seguinte k+1. Se for o caso de simular, por exemplo,
uma placa condutora perfeita em uma das fronteiras, aplica-se o coeficiente de reflexo
igual a (1), sugerindo que toda tenso que incide na fronteira, retorna invertida para o
volume modelado.
49
Para finalizar o processo preciso determinar como ocorre a propagao de ondas
no interior de um volume modelado com o SCN, objetivando estabelecer uma relao entre
o tamanho do n e o passo de tempo a ser utilizado em cada simulao.
Considerando que uma onda plana com campo eltrico polarizado na direo y
incide perpendicularmente sobre a face esquerda de um volume modelado com o SCN,
propagando-se portanto na direo x, verifica-se que apenas as portas 3 de todos os ns
desta face recebero tenses incidentes.
Durante o primeiro passo de iterao, aps o espalhamento, as portas 1, 4, 8 e 12 de
todos os ns da desta face recebero tenses refletidas, conforme estabelece a matriz de
espalhamento. A propagao da onda na direo x no pode ainda ser verificada, pois a
tenso nas portas 11, que porta correspondente ao campo eltrico na direo y ainda
zero.
No segundo passo de iterao porm, os ns da face esquerda recebero tenses
incidentes nas portas 1, 4, 8 e 12, de acordo com a conexo com o momento seguinte. Aps
aplicada a matriz de espalhamento neste segundo passo de iterao, a porta 11 receber
tenses refletidas de valor diferente de zero. Neste momento, possvel verificar que a
propagao da onda incidente na porta 3 at a porta 11, gastou dois (2) passos de iterao.
Considera-se que o SCN cbico de dimenso l.
Ento, a velocidade de propagao de uma onda plana incidindo
perpendicularmente em um volume modelado com SCN, dever ser:
t
l
u
=
. 2
(3.49)
Onde:
u a velocidade de propagao da onda no meio.
Conhecidos os aspectos iniciais do TLM 3D apresentados at agora, torna-se
necessrio saber como excitar um SCN ou um conjunto deles para permitir a simulao de
casos tridimensionais, no domnio tempo.
Para excitar qualquer componente de campo eltrico ou magntico, no TLM-TD
que utiliza o SCN, necessrio identificar as portas que so responsveis por determinar
tal grandeza e injetar tenses nestes pontos. As equaes para os componentes de campo,
so:
50
z
i i i i
y
i i i i
x
i i i i
z
i i i i
y
i i i i
x
i i i i
H
Z l H
V V V V
H
Z l H
V V V V
H
Z l H
V V V V
E
l E
V V V V
E
l E
V V V V
E
l E
V V V V
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
2
.
2
.
2
.
2
2
2
0 0
12 1 3 11
0 0
10 6 2 9
0 0
5 7 8 4
0
10 7 6 5
0
11 8 4 3
0
12 9 2 1
(3.50)
Onde:
E
0
o valor inicial de campo eltrico a ser aplicado nos ns selecionado como de
excitao.
H
0
o valor inicial de campo magntico a ser aplicado nos ns selecionado como
de excitao.
Z
0
a impedncia caracterstica do meio considerado.
Em alguns casos, faz-se necessria a excitao na forma de corrente, em materiais
condutores por exemplo. Para isso basta injetar tenses nos ns adjacentes ao material
condutor, de forma a aplicar um campo magntico ao redor deste, para satisfazer a lei de
Ampre.
A forma da excitao a ser aplicada depende do caso em questo. Pode-se aplicar a
um determinado dispositivo uma forma de onda cuja equao conhecida, como tenses
senoidais, pulsos simulando descargas atmosfricas ou eletrostticas, ondas quadradas, etc.
Para isso preciso modificar os valores de E
0
e H
0
de acordo com estas equaes, a cada
passo de iterao no tempo. As respostas podem ser valores de campo ou corrente, no
domnio tempo.
Por outro lado, se for necessrio conhecer a resposta no domnio freqncia para
este dispositivo, deve-se aplicar um pulso rpido com durao de apenas um passo de
iterao, que seria correspondente a um impulso. Este impulso tem a capacidade de gerar
infinitas harmnicas, excitando todos os modos possveis de oscilao, dentro de um
dispositivo. Porm, as sadas de um programa baseado no TLM-TD sero grandezas no
domnio tempo, sendo necessrio neste caso, aplicar uma transformada tempo-freqncia.
51
A partir destas informaes, preciso conhecer a maneira de calcular os valores de
campo eltrico, campo magntico, correntes e tenses em qualquer porta de qualquer n,
em qualquer instante de tempo.
Para calcular o valor da tenso numa determinada direo, determina-se a mdia
das tenses que esto nesta direo. Deve-se considerar que para o mesmo instante de
tempo k, a tenso em cada porta definida pela soma algbrica das tenses incidentes e
refletidas. Assim, o clculo da tenso nas direes (x, y, z), fica:
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]
r i r i r i r i
z
r i r i r i r i
y
r i r i r i r i
x
V V V V V V V V V
V V V V V V V V V
V V V V V V V V V
10 10 7 7 6 6 5 5
11 11 8 8 4 4 3 3
12 12 9 9 2 2 1 1
4
1
4
1
4
1
+ + + + + + + =
+ + + + + + + =
+ + + + + + + =
(3.51)
Porm, para manter a conservao de carga em cada n e cada instante de tempo,
verifica-se que a soma das tenses incidentes ao n igual soma das tenses refletidas
por ele. Ento as expresses acima ficam:
( )
( )
( )
i i i i
z
i i i i
y
i i i i
x
V V V V V
V V V V V
V V V V V
10 7 6 5
11 8 4 3
12 9 2 1
2
1
2
1
2
1
+ + + =
+ + + =
+ + + =
(3.52)
Baseado nas Equaes (3.52), pode-se calcular o valor do campo eltrico em
qualquer n, aplicando as equaes:
l
V V V V
E
l
V V V V
E
l
V V V V
E
i i i i
z
i i i i
y
i i i i
x
+ + +
=
+ + +
=
+ + +
=
. 2
. 2
. 2
10 7 6 5
11 8 4 3
12 9 2 1
(3.53)
Da mesma forma, os campos magnticos podem ser definidos por:
52
l Z
V V V V
H
l Z
V V V V
H
l Z
V V V V
H
i i i i
z
i i i i
y
i i i i
x
+
=
+
=
+
=
. . 2
. . 2
. . 2
0
12 1 3 11
0
10 6 2 9
0
5 7 8 4
(3.54)
Onde:
Z
0
a impedncia caracterstica do n sob anlise.
Para calcular correntes utilizando o TLM-TD, pode-se recorrer equao obtida a
partir da Lei de Ampre.
=
L
dl H I .
(3.55)
Onde:
H o campo magntico nos ns adjacentes ao n onde se deseja calcular a corrente;
dl o elemento de comprimento;
L o caminho ao redor do n onde se deseja calcular a corrente.
Primeiramente determina-se os campos magnticos nos ns adjacentes ao n que se
deseja calcular a corrente e depois aplica-se a Equao (3.55). A Figura 3.21 ilustra este
procedimento.

Figura 3.21. Procedimento para determinao da corrente [36].
Baseado na Figura 3.21, para determinar a corrente na direo z, do n central
situado na coordenada (x, y, z), aplica-se a equao:
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
z y x H
l
I
y y x x
y y x x z
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2
, 1 , 1
2

+ +
+ +
+ +
+ +
=
(3.56)

53
Esta equao pode facilmente ser expandida para clculo de correntes ao redor de
mais de um n, configurando uma regio de interesse. Pode-se dizer ainda que o clculo de
correntes normalmente recai sobre regies constitudas por materiais condutores, fazendo
deste tipo de material uma ocorrncia comum [37].
Quanto s aplicaes tecnolgicas o n SCN permitiu um grande avano para o
mtodo TLM, especialmente em problemas de microondas, antenas e transientes, e
atualmente com interesse especial na rea de compatibilidade eletromagntica.
Toda modelagem, devido sua distncia do real que pretende modelar, apresenta
um erro intrnseco, que deriva dessa prpria distncia. Quando o modelo representa um
processo dinmico, esse erro tem ainda a capacidade de se propagar e acumular.
Dependendo do nmero de iteraes do processo de clculo, pode haver uma acumulao
quantitativa do erro, e dependendo da dimenso do objeto modelado, pode haver uma
acumulao qualitativa.
Como impossvel afastar a incidncia de erros de um modelo (pois a inexistncia
total de erros seria o mesmo que ter o processo real, ou seja, o modelo se confundiria com
o figurado), torna-se necessrio conhecer sua origem, propriedades e dimenso. Com este
conhecimento possvel criar ferramentas de controle sobre os resultados obtidos,
diminuindo a importncia do erro, ou simplesmente considerando-o como um dos dados do
resultado.
A anlise de erros e da disperso em TLM tem sido um dos importantes campos de
estudo nesta tcnica numrica, onde continuamente so propostos novos enfoques e
tratamentos do mtodo. O fenmeno da disperso ocorre em linhas de transmisso, pois a
velocidade de fase pode variar com a freqncia. Nesse caso, as freqncias mais altas
tendem a se deslocar mais rpido que as freqncias mais baixas, e no ponto de sada do
problema tais freqncias podem somar-se compondo uma forma de onda diferente. No
caso do mtodo TLM tal fenmeno vai ocorrer e est relacionado dimenso da clula,
devido discretizao feita [36].
A maior preocupao no estudo de sistemas de aterramento est voltado a tenso de
passo. Sobre este assunto ser feito uma breve exposio a seguir.

54
3.6 - TENSO DE PASSO

Segundo [27], a tenso de passo a tenso eltrica entre os ps de um ser humano
no instante de uma descarga atmosfrica. Nos projetos de aterramento de acordo com a
Norma, considera-se a distncia entre os ps de 1m.
c c ch p
I R R V ). 2 ( + =
(3.57)
Ou ainda:
c p
I V ). 3 , 2 1000 ( + = (3.58)
Onde:
V
p
a tenso de passo;
R
ch
a resistncia do corpo humano;
R
c
a resistncia de contato;
I
c
a corrente de choque;
a resistividade do solo.
Para R
ch
=1.000, R
c
=200, I
c
=200mA e =400.m, tem-se a seguinte tenso de
passo:
Segundo a Equao 3.57:
V
p
=280V
Segundo a Equao 3.58:
V
p
=384V
O aterramento s estar completo se a maior tenso de passo for menor do que o
limite de tenso de passo para no causar fibrilao ventricular no ser humano.

c p
I V ). 6 1000 ( + =
(3.59)
Ou seja, para I
c
=200mA (t=3s), I
c
=30mA (t=30s) e =400.m, segundo a Equao
3.59, tem-se as seguintes tenses de passo:
V
p
=500V, para t=3s e V
p
=102V, para t=30s
A tenso de passo menos perigoso do que a tenso de toque. Isso se deve ao fato
do corao no estar no percurso da corrente de choque no primeiro caso. Deve ser
lembrado que as tenses geradas no solo criam superfcies equipotenciais. Se a pessoa
estiver com os dois ps na mesma superfcie de potencial, a tenso de passo ser nula, no
havendo choque eltrico. A tenso de passo pode assumir uma gama de valores, que vai
desde zero at a mxima diferena entre duas superfcies equipotenciais separadas por 1m.
55
Um agravante que a corrente de choque, devido tenso de passo, contrai os
msculos da perna, fazendo a pessoa cair, e, ao tocar o solo com as mos, a tenso se
transforma em tenso de toque no solo. Neste caso, o perigo maior, porque o corao est
contido no percurso da corrente de choque.
A tenso de passo pode causar alguns confrontos sobre assuntos de engenharia, a
saber [38]:
- Risco de litgio devido morte/danos: a base para projetos de engenharia precisa
ser robusta e transparente para administrar este risco. H um risco significante de empresas
e projetistas serem processados por falhar no exerccio de um dever de cuidado.
- Responsabilidade econmica: h uma responsabilidade dos planejadores e
projetistas em desenvolver estratgias que equilibram a engenharia e as necessidades
econmicas.
- Avaliao de risco da engenharia: projetos e planejamento de engenharia so
preparados considerando o risco de um evento acontecer. Se um problema surgir, ento a
avaliao de risco precisa ser transparente e seguro.
Dalziel [39] postulou que para choques de durao de 3s, havia uma correlao
entre o peso do corpo e a corrente de choque de fibrilao do corpo para animais das
mesmas espcies [40]. Da anlise estatstica usando grfico (veja Figura 3.22), e baseado
nos resultados para correntes de fibrilao de durao de 3s, Dalziel desenvolveu uma
expresso matemtica para o limiar de fibrilao do ventricular, sendo:
t
K
I = (3.60)
Onde:
I a corrente de choque do corpo do limiar de fibrilao (mA);
t a durao do fluxo de corrente (s);
K uma constante dependente do peso e do grupo de risco.
( )
t t
K
I
165
% 5 = =
mA (3.61)
Pela Equao 3.61 tem-se:
Para t=3s:
I(5%)=198,15mA
Para t=30s:
I(5%)=30,12mA
56
O limiar de fibrilao ventricular para Biegelmeier e Lee para homens com 5% de
probabilidade de fibrilao e limite de segurana contra fibrilao ventricular para homens
e dado pela Figura 3.22 [41].

Figura 3.22. Limiar de fibrilao ventricular para Biegelmeier e Lee [42].
Notas para Figura 3.22:
- Curva a: o limiar de fibrilao para homens inclusive crianas para 50%
probabilidade de fibrilao.
- Curva b: limiar de no fibrilao para homens inclusive crianas. Abaixo desta
linha normalmente no h nenhum perigo de fibrilao.
Obs.: Os batimentos do corao foram considerados normais a 100bpm (600ms).
A Tabela 2.3 mostra a impedncia de corpo total Z
T
para um caminho da corrente
de mo para mo a 50/60Hz para reas de superfcie grandes de contato. Baseada na IEC
60479:1994.

57
Tabela 3.3. Impedncia total de corpo Z
T
[42].
Valor da impedncia total do corpo que no excedem uma percentagem de : Tenso de Toque
(V) 5% da Populao 50% da Populao 95% da populao
25 1.750 3.250 6.100
50 1.450 2.625 4.375
75 1.250 2.200 3.500
100 1.200 1.875 3.200
125 1.125 1.625 2.875
220 1.000 1.350 2.125
700 750 1.100 1.550
1000 700 1.050 1.500
Valor assinttico 650 750 850
Nota: Algumas medidas indicam que a impedncia total do corpo para o caminho de corrente da mo para
o p um pouco menor que um caminho de corrente mo para mo (10% a 30%)
A impedncia interna do corpo humano depende do caminho da corrente e isto
pode ser determinado da Figura 3.23 e da Tabela 3.3.

Figura 3.23. Impedncias Internas do Corpo humano (AS/NZS 60479.1:2001) [42].
Notas para Figura 3.23:
- Os nmeros indicam a percentagem da impedncia interna do corpo para as partes
concernentes ao corpo em relao ao caminho da mo para o p;
- Para calcular a impedncia total Z
T
para um dado caminho da corrente, as
impedncias internas de todas as partes do corpo no caminho da corrente devem ser
adicionadas, assim como as impedncias de reas da pele em contato.

58
Sejam R
ch
=1.000 e R
c
=200, ento a impedncia total Z
T
para o caminho da
corrente do p esquerdo para o p direito :
%Z=32,3+14,1+5,1+8,7=60,2%=0,602
Z
T
=0,602x1.000+2x200=1.002
A IEC 60990:1999 Mtodos de Medida de Corrente de Toque e Corrente no
Condutor de Proteo [43] recorre s correntes de choque de corpo e modelos de
impedncia da IEC 60479.1, ento adota 500 como um modelo de impedncia de corpo
para estabelecer os limiares, sob condies de corrente de choque de corpo, de:
- Percepo;
- Inabilidade para sair;
- No fibrilao fsica.
A AS/NZS 60479.1 prov um mtodo adicional para determinar o efeito no corao
para outros caminhos de correntes diferente da mo esquerda para ambos os ps. Este
mtodo usa um fator de corrente de corao onde:
F
I
I
ref
h
=
(3.62)
Onde:
I
ref
a corrente de corpo para o caminho da mo esquerda para o p;
I
h
a corrente de corpo para os caminhos dados na Tabela 3.4;
F o fator de corrente do corao para os caminhos dados na Tabela 3.4 (de
AS/NZS 60479.1).
Tabela 3.4. Fator de corrente de corao F para diferentes caminhos da corrente [42].
Caminho da Corrente Fator de corrente de corao (F)
Mo esquerda para p esquerdo, direito ou ambos. 1,0
Ambas as mos para ambos os ps 1,0
Mo esquerda para mo direita 0,4
Mo direita para p esquerdo, direito ou ambos 0,8
Costas para a mo direita 0,3
Costas para a mo esquerda 0,7
Trax para mo direita 1,3
Trax para mo esquerda 1,5
Ndegas para mo esquerda, direita ou ambas 0,7
Ento sendo I
ref
=30mA e o caminho da corrente da mo esquerda para mo direita,
pela Equao 3.62 e Tabela 3.4 tem-se:
I
h
=30/0,4=75mA
59
A ESAA EG-1:2000 Guia de Aterramento de Subestao [44] prov limites de
tenso de toque e de passo conforme IEEE 80 baseada geralmente no trabalho de Dalziel,
resumiu como se segue:
A equao bsica para uma corrente de choque de corpo determinada por:
b Th
Th
B
R Z
V
I
+
=
(3.63)
Onde:
I
B
a corrente de corpo;
V
Th
tenso de passo ou de toque;
Z
Th
a impedncia de contato do corpo;
R
b
a resistncia do corpo.
Da frmula geral para a resistncia de solo de um disco metlico:
b
R
4
=
(3.64)
Onde:
a resistividade do solo;
b o raio de um disco metlico.
A equao para tenso de passo limite (V
p
) se torna:
( ) 6 + =
b p
R I V
(3.65)
E para uma camada magra de material de superfcie, a resistncia de aterramento do
p na superfcie do material R
sf
determinada por:
s
s
sf
C
b
R .
4
(
=

(3.66)
Onde:
C
s
um fator de reduo devido s densidades da superfcie e o tipo de material da
superfcie.
s
a resistividade do material da superfcie de contato.
E as equaes gerais se tornam:
( )
s s b B p
C R I V 6 + =
(3.67)
Ento, pela Equao 3.63, a corrente de choque de corpo, para V
Th
=500V,
Z
Th
=200 e R
b
=1.000 :
I
B
=416,67mA
60
Pela Equao 3.64, a resistncia de solo de um disco metlico, para =400.m e
b=0,5m :
R=200
Pela Equao 3.65, a tenso de passo limite, para I=198,15mA (t=3s), R
b
=500 e
=400.m :
V
p
=574,64V
Pela Equao 3.66, a resistncia de aterramento do p na superfcie do material,
para C
s
=1,
s(camada de brita)
=3.000.m e b=0,5m :
R
sf
=1.500
Pela Equao 3.67, tem-se:
V
p
=0,41667(500+6x400x1)
V
p
=1.208,34V
Tabela 3.5. Limites para tenso de passo (EG-1).
Tenso de Passo Esperada Para t=3s, C
s
=1 e
s
=400.m
Peso do corpo igual a 50kg (para ser
usado em reas com acesso pblico)
t
C
V
s s
p
696 , 0 116 +
=

V
p
=227,71V
Peso do corpo igual a 70kg (pode ser
usado em reas restritas como
subestaes)
t
C
V
s s
p
942 , 0 157 +
=

V
p
=308,20V
Ento, como visto, o IEEE80 e EG-1 provem uma orientao adicional para os
limites de tenso de passo e de toque para assegurar que os sistemas eltricos sejam
projetados para prevenir incidentes de choques eltricos fatais.
Passa-se agora a discutir o tratamento estatstico dos elementos que compem e
determinam a tenso de passo.

61
4 - TEORIA DA TRANSFORMADA DE INCERTEZA

4.1 - FUNDAMENTOS DE ESTATSTICA

A estatstica a arte de tomar decises acertadas em face da incerteza. A estatstica
um mtodo cientifico de anlise com larga aplicao em todas as cincias sociais e
naturais. Tendo em vista a impossibilidade de trabalhar com toda a populao, em
estatstica extrai-se uma amostra aleatria desta populao na esperana de que a proporo
amostral constitua uma boa estimativa da proporo populacional [45]. Esta amostra deve
representar uma quantidade significativa da populao.
Em amostras maiores, a proporo amostral, P, uma estimativa mais confivel. E,
a maneira mais fcil de mostrar quo bem estimada por P consiste em estabelecer o
chamado intervalo de confiana, I:
I P = (4.1)
Numa amostragem aleatria simples, pode-se afirmar com 95% de confiana que:
n
P P
P
) 1 (
96 , 1

= (4.2)
Onde:
a proporo populacional;
P a proporo amostral;
n o tamanho da amostra.
Seja a distribuio de freqncias relativas para um dado, para vrios tamanhos
de amostras (jogadas) como na Tabela 4.1 e a Figura 4.1.
Tabela 4.1. Distribuio de freqncias relativas para um dado [45].
) ( / X p n f =
X
Nmero de pontos
n=10 n=50 n=
1 0,10 0,22 1/6=0,167
2 0,00 0,12 0,167
3 0,10 0,14 0,167
4 0,20 0,14 0,167
5 0,30 0,14 0,167
6 0,30 0,24 0,167
1,00 1,00 1,00

62

Figura 4.1. Grficos da Distribuio de freqncias relativas para um dado [45].
Pode-se definir uma varivel aleatria como um resultado do nmero de um
experimento aleatrio.
A teoria das probabilidades um ramo da matemtica extremamente til para o
estudo e a investigao das regularidades dos chamados fenmenos aleatrios.
Probabilidade = limite da freqncia relativa
=1 ) ( X p (4.3)
Uma distribuio de probabilidade a priori (antes do acontecimento) no deve ser
considerada como uma verdade absoluta, e sim como uma boa aproximao.
Seja a Tabela 4.2 a funo de probabilidade para o lanamento de um dado.
Tabela 4.2. Funo de probabilidade para um dado [45].
X P(X)
1 0,02
2 0,09
3 0,23
4 0,32
5 0,23
6 0,11
1,00
11 ) 2 ( = < X P
r
ou 11%.
Pr (evento complementar) = 1 Pr (evento)
89 , 0 ) 2 ( 1 ) 2 ( = < = X P X P
r r
ou 89%.
Seja x
1
, x
2
, ..., x
n
uma amostra de n observaes. A mdia, X , obtm-se somando
as amostras e dividindo a soma pelo tamanho n da amostra.
( )
+ + +
X
n
X
x x x
n
X
n
1
1
2 1
L
(4.4)

X
f/n
1 2 3 4 5 6
0,3

0,2

0,1

0,0
n=10
X
f/n
1 2 3 4 5 6
0,3

0,2

0,1

0,0
n=50
X
f/n
1 2 3 4 5 6
0,3

0,2

0,1

0,0
n=

63
A varincia, s
2
, e o desvio padro, s, obtm-se das frmulas:
( )
2
2
1
1
X X
n
s (4.5)
2
s s (4.6)
O desvio padro est em um ponto entre o menor e o maior dos desvios ( ) X X . A
Tabela 4.3 mostra um exemplo de clculo da mdia e do desvio padro para alturas.
Tabela 4.3. Exemplo de clculo da mdia e do desvio padro para alturas [45].
Dados Clculo da Mdia Clculo do Desvio Padro
X f
f X. ( ) X X

( )
2
X X

( ) f X X .
2

60 4 240 -9 81 324
63 12 756 -6 36 432
66 44 2.904 -3 9 396
69 64 4.416 0 0 0
72 56 4.032 3 9 504
75 16 1.200 6 36 576
78 4 312 9 81 324
n=200
3 , 69 = X
58 , 3 s
A Tabela 4.4 mostra um conjunto de equaes para momentos amostrais e
momentos populacionais.
Tabela 4.4. Equaes para momentos amostrais e momentos populacionais [45].
Momentos Amostrais Momentos Populacionais
Mdia Amostral
( ) n f X X / .

Mdia Populacional
( ) x p X.

Varincia Amostral
( ) ( ) n f X X s / .
2
2

Varincia Populacional
( ) ( ) x p X .
2
2

A Tabela 4.5 mostra um exemplo de clculo da mdia e da varincia para nmero
de meninas.

64
Tabela 4.5. Exemplo de clculo da mdia e da varincia para nmero de meninas [45].
Distribuio de
Probabilidade
Clculo da
Mdia
Clculo da Varincia
X p(x)
) ( . x p X ) ( X
2
) ( X ) ( . ) (
2
x p X
0 1/8 0 -3/2 9/4 9/32
1 3/8 3/8 -1/2 3/32
2 3/8 6/8 1/2 3/32
3 1/8 3/8 3/2 9/4 9/32
=3/2 =0,87

4.1.1 - Monte Carlo

O problema tpico de estatstica no se saber como se comporta uma populao,
especificamente, qual a sua mdia, . Extrai-se, ento, uma amostra relativamente
pequena desta populao e calcula-se sua mdia, X . Em geral, esta mdia amostral X no
diferir muito da mdia populacional (alvo), [45]. O problema ento saber qual a
confiabilidade de X como estimativa de . Na anlise Monte Carlo, faz-se vrias
experincias e calcula suas mdias amostrais. O exemplo a seguir ilustrar uma anlise
Monte Carlo. Verifica-se a altura de uma turma pequena com n=4 por diversas pessoas e
diversas vezes e encontre pelo menos 50 mdias amostrais (para anlise sem repeties
=69 e =3,2). Agrupam-se os valores de X em intervalos de amplitude 1, ou seja,
arredondando X para o inteiro mais prximo, conforme Tabela 4.6.
Tabela 4.6. Mdias relativas para o exemplo Monte Carlo [45].
X
Freqncia Freqncia Relativa
66 3 0,06
67 2 0,04
68 13 0,26
69 14 0,28
70 9 0,18
71 4 0,08
72 4 0,08
73 0 0,00
74 1 0,02
50 1,00
65
Repetindo o experimento amostral sucessivamente comea-se a entender a
aleatoriedade das extraes, tal como no caso de uma roleta (razo do nome Monte Carlo).
Se fosse possvel obter milhes de valores de X , as freqncias relativas da Tabela 4.6
tenderiam para probabilidades constantes. Um grfico de todos os valores possveis de X
mostra que X uma boa estimativa de .
Calcula-se a mdia e o desvio padro da distribuio de X e compara-os com os
valores correspondentes =69 e =3,2 da populao obtida, conforme Tabela 4.7.
Tabela 4.7. Clculo do valor esperado de X [45].
Distribuio Amostral Clculo do Valor Esperado (E) Clculo do Erro Padro (Ep)
X ) ( X p ) ( . X p X
2
) ( X ( ) X p X . ) (
2

65 0,01 0,65 16 0,16
66 0,05 3,30 9 0,45
67 0,12 8,04 4 0,48
68 0,19 12,92 1 0,19
69 0,26 17,94 0 0,00
70 0,19 13,30 1 0,19
71 0,12 8,52 4 0,48
72 0,05 3,60 9 0,45
73 0,01 0,73 16 0,16
1,00 E=69,00
56 , 2
2
= 60 , 1 56 , 2 = = Ep
Verifica-se que o desvio padro de X , Ep, exatamente a metade do desvio padro
populacional, . Para distinguir entre esses dois desvios padro diferentes, designa-se por
erro padro de X o desvio padro respectivo, Ep. Ep= erro padro de X = desvio padro
de X .
Pode-se ver que quanto maior a amostra, mais confivel X como estimativa de ,
pois neste caso, X flutua menos em torno de . Este fato permite concluir que o tamanho
da amostra n crtico para determinar o grau de flutuao de X .

4.2 - INTRODUO A PROBABILIDADE

Como tantos outros campos da matemtica, o desenvolvimento da teoria das
probabilidades tem sido estimulado pela variedade de suas aplicaes. E simultaneamente,
a cada avano da teoria tem permitido o alargamento da sua esfera de influncia. Sua
66
aplicao ocorre em campos to diversos como a engenharia, a medicina, as cincias
sociais, etc.
A teoria das probabilidades um ramo da matemtica extremamente til para o
estudo e a investigao das regularidades dos chamados fenmenos aleatrios.
Deve-se entender como experincia qualquer processo ou conjunto de
circunstncias capaz de produzir resultados observveis; quando uma experincia est
sujeita influncia de fatores casuais e conduz a resultados incertos diz-se que a
experincia aleatria.
Fundamentalmente as experincias aleatrias caracterizam-se por;
(i) poder repetir-se um grande nmero de vezes nas mesmas condies ou em
condies muito semelhantes;
(ii) cada vez que a experincia se realiza obtm-se um resultado individual, mas no
possvel prever exatamente esse resultado;
(iii) os resultados das experincias individuais mostram-se irregulares, mas os
resultados obtidos ao longo de uma longa repetio da experincia patenteiam uma grande
regularidade estatstica, quando tomados em conjunto.
Espao de Resultados () o conjunto formado por todos os possveis resultados
de uma experincia aleatria. A importncia da definio de espao de resultados advm
sobretudo por ser o meio empregue para a definio de acontecimentos. Existe um
paralelismo perfeito entre lgebra de conjuntos e lgebra de acontecimentos.
Os subconjuntos de espao de resultados designam-se por acontecimentos; os
subconjuntos formados por um nico elemento chamam-se acontecimentos elementares.
O acontecimento que contm todos os elementos de espao de resultados chama-se
acontecimento certo.
O acontecimento que no contm alguns elementos de espao de resultados chama-
se acontecimento impossvel.
Dois acontecimentos A e B so mutuamente exclusivos ou incompatveis ou
disjuntos se no tm em comum qualquer acontecimento de espao de resultados.
A unio dos acontecimentos A e B o acontecimento que se realiza se e somente se
A ou B se realizam. Representa-se por B A ou A + B e formado pelos elementos que
pertencem a A ou a B.
A interseco dos acontecimentos A e B o acontecimento que se realiza se e
somente se A e B se realizam conjuntamente. Representa-se por B A ou AB e formado
pelos elementos comuns a A e a B.
67
Lei de Laplace ou Probabilidade a priori: se uma experincia aleatria pode ter N
resultados mutuamente exclusivos e igualmente possveis, e se desses resultados, n tem um
atributo A, ento a probabilidade de A dada por
N
n
. Habitualmente escreve-se,
possiveis casos de numero
favoraveis resultados de numero
N
n
A P
# # #
# # #
) ( = = (4.7)
Funo de Probabilidade uma funo de conjuntos, cujo domnio o conjunto das
partes do espao de resultados , e tem por contradomnio o intervalo [0, 1] e satisfaz os
seguintes axiomas:
0 ) ( A P (4.8)
( ) 1 = P (4.9)
( ) ( ) ( ) B P A P B A P + = , se 0 = B A (4.10)
Propriedades:
( ) 0 0 = P (4.11)
( ) ( ) ( ) B A P B P B A P = (4.12)
( ) ( )
C
A P A P =1 (4.13)
( ) ( ) ( ) B A P B P A P B A P + = ) ( (4.14)
A probabilidade de um acontecimento definida como sendo o valor para o qual
tende a freqncia relativa do acontecimento quando o nmero de repeties da
experincia aumenta.
A probabilidade condicional de A dado B, P(A|B) definida pela Equao (4.15).
( )
( )
) (
|
B P
B A P
B A P

= (4.15)
Sempre que P(B)>0; ou, equivalente:
( ) ( ) B A P B P B A P | ). ( = (4.16)
Esta definio generaliza-se facilmente para um nmero finito de acontecimentos:
( ) ( ) ( ) ( )
1 2 1 2 1 3 1 2 1 2 1
| . . | . | ). (

=
n n n
A A A A P A A A P A A P A P A A A P L L L
(4.17)
A e B dizem-se acontecimentos independentes se e somente se
( ) ( ) B P A P B A P ). ( = , ou equivalentemente, ( ) ( ) A P B A P = | e ( ) ( ) B P A B P = |
Esta ltima relao evidencia o significado de independncia. O conhecimento de
que B ocorreu no influencia a probabilidade de que A ocorra e o conhecimento de que A
ocorreu no influencia a probabilidade de que B ocorra.
68
Teorema de Bayes: Se {A
1
, A
2
,...,A
n
} uma partio do espao de resultados de
uma experincia aleatria, P(A
i
)>0, para i=1, 2, ...,n, dado qualquer acontecimento B, tal
que P(B)>0, ento:
( )
( ) ( )
) | ( ). (
| .
|
1
i
n
i
i
i i
i
A B P A P
A B P A P
B A P
=
= (4.18)
Este teorema pode ser interpretado da seguinte forma: seja B um acontecimento que
se realiza se e somente se um dos acontecimentos mutuamente exclusivos A
1
, A
2
,...,A
n
se
verifica.
Aos acontecimentos A
i
d-se por vezes o nome de causas. A frmula de Bayes d
ento a probabilidade de que o acontecimento B que se deu o resultado da causa A.
A probabilidade P(A
i
) toma o nome de probabilidade a priori da causa A
i
. P(A
i
|B)
a probabilidade a posteriori, isto , a probabilidade de A
i
calculada sob a hiptese de que B
se realizou.

4.2.1 - Variveis Aleatrias

Em muitas experincias aleatrias os elementos do espao de resultados () so
nmeros reais ou conjuntos ordenados de nmeros reais. Assim acontece com o registro de
temperaturas, da pluviosidade, etc.
Quando no um conjunto numrico atribui-se muitas vezes a cada elemento w
do espao de resultados, um nmero real, atribuio essa que pode ser meramente
convencional.
Supondo agora que s se est interessados no estudo de uma caracterstica dos
elementos de , associa-se a cada elemento w um nmero real X(w). Est-se assim a
definir uma funo : X . Sendo A um acontecimento, chama-se imagem de A por
X, e representa-se por X(A), ao conjunto dos valores que X assume para os elementos w de
A, isto :
( ) ( ) { } A w w X A X = : (4.19)
Por outro lado, cada subconjunto de E , pode fazer-se corresponder o
subconjunto X
-1
(E) formado por todos os elementos w . Tais que X(w) E.
( ) ( ) { } E w X w E X =
:
1
(4.20)
A este conjunto X
-1
(E) chama-se a imagem inversa de E por X.
69
Uma funo real X(w) definida no conjunto dos acontecimentos elementares,
chama-se uma varivel aleatria se a imagem inversa de qualquer intervalo I do eixo real
da forma ] , ] x , um acontecimento aleatrio.

4.2.2 - Funo de Distribuio

Seja uma varivel aleatria X, um intervalo real ] , ] x E
x
= e a respectiva
imagem inversa X
-1
(E
x
). Pela Definio de varivel aleatria existe sempre
( )] [ ) (
1
x
E X P x X P

= . Como ) ( x X P depende de x, a igualdade ( ) ) ( x X P x F
x
=
define uma funo real de varivel real.
A funo F
x
(x) definida por ( ) ) ( x X P x F
x
= chama-se Funo de Distribuio da
varivel aleatria X.
Propriedades elementares da funo de distribuio F(x):
( ) 1 0 x F (4.21)
F(x) uma funo no decrescente.
( ) 0 ) (
lim
= =

x F F
x
(4.22)
( ) 1 ) (
lim
= = +
+
x F F
x
(4.23)
) ( ) ( ) ( a F b F b X a P = < (4.24)
F(x) contnua a direita.
( ) ) ( ) (
lim
x F a F a X F
a x

= = (4.25)

4.2.3 - Variveis Aleatrias Discretas

Seja X uma varivel aleatria e D o conjunto ( ) } 0 : { > = a X P a (conjunto de
pontos de descontinuidade da funo distribuio). A varivel aleatria X diz-se do tipo
discreto quando ( ) 1 = D X P . Quando a varivel discreta existe um conjunto finito ou
numervel, ...} an, ..., a2, {a1, D = , tal que:
( )

= = = 1 ) (
1
a X P D X P , e (4.26)
( ) 0 > =
i
a X P , para i=1, 2, (4.27)
70
Seja D o conjunto definido anteriormente. A funo, f(x)>0 se x D, e f(x)=0 se
x D
C
chama-se funo de probabilidade da varivel aleatria X.
A funo de distribuio de uma varivel aleatria discreta (Figura 4.2) pode
exprimir-se facilmente em termos da respectiva funo de probabilidade:
( )

= =
x x
i x
i
x f x X P x F ) ( ) (
(4.28)

Figura 4.2. Funo distribuio de uma varivel aleatria discreta [46].

4.2.4 - Variveis Aleatrias Contnuas

Seja X uma varivel aleatria e F(x) a respectiva funo de distribuio (Figura
4.3); se, D={a:P(X=a)>0}=0 resulta que F(x) no apresenta descontinuidade. Se, alm
disso, existe uma funo no negativa, 0 ) ( x f , tal que para todo o nmero real x se
verifica a relao:

=
x
x
du u f x F ) ( ) ( (4.29)
Ento a varivel aleatria X diz-se contnua.
A funo no negativa, f(x), introduzida na definio anterior, chama-se funo de
densidade de probabilidade ou simplesmente funo de densidade. Da definio de funo
de distribuio e da sua relao com a funo de densidade, tm-se as seguintes
propriedades:
0 ) ( x f ; (4.30)
+

=1 ) ( dx x f ; (4.31)

71
< < = =
b
a
b X a P a F b F dx x f ) ( ) ( ) ( ) ( (4.32)
Repare-se que P(a<X<b) pode ser interpretada geometricamente como uma rea,
visto que calculada atravs de uma integral definida de uma funo no negativa.

Figura 4.3. Funo distribuio de uma varivel aleatria contnua P(a<X<b) [46].

4.2.5 - Valor Esperado

O conceito de Valor Esperado foi introduzido por Huygens.
Uma importante famlia de parmetros de uma distribuio so os momentos. O
momento de ordem k em relao origem ou momento ordinrio de ordem k (inteiro
positivo) de uma varivel aleatria o valor esperado da funo G(X)+X
k
. Isto :
] [
k
k
X E = (4.33)
Se a varivel aleatria for discreta:
=
i
i
k
i
k
p x X E ] [ (4.34)
No caso de ser contnua:
+

= dx x f x X E
k k
) ( ] [ (4.35)
O momento de ordem 1 em relao origem de uma varivel aleatria chama-se
valor esperado e representa-se por ou E[X].
O momento de ordem k em relao mdia ou momento central de ordem k (inteiro
positivo) de uma varivel aleatria o valor esperado da funo G(X)=(X-)
k
, isto :
E[X-)
k
] (4.36)
Se a varivel aleatria for discreta:

72
( ) ( )
=
i
i
k
i
k
p x X E ] [ (4.37)
No caso de ser contnua:
( ) ( )
+

= dx x f x X E
k k
) ( ] [ (4.38)
O momento central de segunda ordem de uma varivel aleatria X, chamado
varincia de X, e representa-se habitualmente por V[X] ou
2
.
A raiz quadrada positiva da varincia de uma varivel aleatria X, , chama-se
desvio padro.
O parmetro
2
uma medida de disperso da varivel aleatria em torno do seu
valor esperado. Quanto mais concentrada for a distribuio, tanto menor ser o valor de
2
.
O papel do desvio padro como um parmetro que mede a disperso de uma
varivel aleatria particularmente claro quando se observa a famosa desigualdade de
Chebyshev; esta desigualdade obtm-se a partir do seguinte teorema:
Se uma varivel aleatria X toma apenas valores no negativos e tem valor
esperado E[X], ento para qualquer nmero positivo K, tem-se:
( )
K
X E
K X P
] [
(4.39)
Desigualdade de Chebyshev: se X uma varivel aleatria com mdia e varincia
2
, finita, ento, para um qualquer nmero real K>0:
( )
2
1
K
K X P (4.40)
A importncia desta desigualdade advm de ser vlida para toda e qualquer varivel
aleatria que tenha uma varincia finita podendo empregar-se mesmo quando no se
conhece a distribuio da varivel aleatria.
Algumas propriedades da Esperana Matemtica e da Varincia:
Se X uma varivel aleatria e a e b so constantes reais b X aE b aX E + = + ] [ ] [ .
Seja X uma varivel aleatria e G(X) e H(X) funes de X; ento:
( ) ( ) )] ( [ ] [ )] ( [ X H E X G E X H X G E + = +
Se X uma varivel aleatria, ] [ ] [ ] [
2 2
X E X E X V =
Se X uma varivel aleatria, 0 ] [ X V
Se X uma varivel aleatria constante, isto , se 0 X , ento 0 ] [ = X V .
Se X uma varivel aleatria e a e b so constantes reais, ] [ ] [
2
X E a b aX V = +
73
4.2.6 - Variveis Aleatrias Discretas Bidimensionais

Seja (X,Y) uma varivel aleatria discreta bidimensional. Chama-se funo de
probabilidade conjunta de (X,Y) a funo f(x,y) que associa a cada elemento de
2
uma
probabilidade f(x,y)=P(X=x, Y=y) e que verifica as seguintes condies:
2
) , ( , 1 ) , ( 0 y x y x f (4.41)
= =
=
n
i
m
j
i i
y x f
1 1
1 ) , ( (4.42)
A representao de f(x,y) pode ser feita atravs de uma tabela ou por meio de uma
expresso analtica.
Seja (X,Y) uma varivel aleatria discreta bidimensional. Chama-se funo de
distribuio conjunta de (X,Y) a funo F(x,y), tal que
= =
= =
n
i
m
j
i i
y x f y Y x X P y x F
1 1
) , ( ) , ( ) , ( e que verifica as seguintes propriedades:
0 ) , ( ) , (
lim lim
= =

y x F x y x F
xfixo
y
yfixo
x
(4.43)
0 ) , (
lim
=

y x F
y
x
(4.44)
1 ) , (
lim
=
+
+
y x F
y
x
(4.45)
1 ) , ( 0 y x F (4.46)
( )
2 1 2 1 2 2 1 1 2 1 2 1
, , , ; , ) , ( ) ( y y x x y x F y x F y y x x < < (4.47)
Seja (X,Y) uma varivel aleatria discreta bidimensional. As variveis aleatrias
unidimensionais X e Y so independentes se ) , ( ); ( ). ( ) , ( y x y f x f y x f
y x
= .

4.2.7 - Variveis Aleatrias Contnuas Bidimensionais

Uma varivel aleatria bidimensional (X,Y) diz-se contnua se existir uma funo
0 ) , ( y x f , de tal modo que seja possvel definir ) , ( ) , ( y Y x X P y x F = como:

=
x y
y x dudv v u f y x F
2
) , ( ; ) , ( ) , ( (4.48)
f(x,y) uma funo de densidade de probabilidade conjunta e F(x,y) uma funo
de distribuio conjunta da varivel aleatria (X,Y).
74
Propriedades da funo de densidade de probabilidade conjunta:
2
) , ( ; 0 ) , ( y x y x f (4.49)

+

+

=1 ) , ( dxdy y x f (4.50)
Seja (X,Y) uma varivel aleatria contnua bidimensional. As variveis aleatrias
unidimensionais X e Y so independentes se ) , ( ); ( ). ( ) , ( y x y f x f y x f
y x
= .
A covarincia uma medida da distribuio conjunta dos valores dos desvios de X
e Y em relao s respectivas mdias, que descreve a dependncia linear entre as variveis.
A covarincia entre X e Y [cov (X,Y) ou
X,Y
] define-se como:
Y X y x
Y X E Y X
,
)] )( [( ) , cov( = = (4.51)
Para variveis discretas, tm-se:
( )( ) ( )
=
i j
i i Y j X i Y X
y x f y x ,
,
(4.52)
Para variveis contnuas, tm-se:
( )( )

+

+

= dxdy y x f y x
Y X Y X
) , (
,
(4.53)
Seja (X,Y) uma varivel aleatria bidimensional.
E[X].E[Y] - E[XY] Y) Cov(X, = (4.54)
Seja (X,Y) uma varivel aleatria bidimensional. Se X e Y so variveis aleatrias
independentes, ento:
E[X].E[Y] E[XY] = (4.55)
0 Y) Cov(X, = (4.56)

4.2.8 - Distribuio Terica Normal Contnua

Para muitas variveis aleatrias, a distribuio de probabilidade uma curva
especfica, em forma de sino, chamada curva normal ou curva Gaussiana. A distribuio
Normal de grande importncia na teoria das probabilidades e estatsticas. Na natureza e
na tecnologia so inmeros os fenmenos que apresentam caractersticas idnticas as de
uma distribuio normal. Alm disso, sob hipteses bastantes gerais, a distribuio normal
a distribuio limite para somas de variveis aleatrias independentes quando o nmero
de termos tende para infinito.
Uma varivel aleatria X tem uma distribuio Normal se a sua funo de
densidade dada pela Equao (4.57).
75
( )
|
|
\
|

=
2
2
2
exp
2
1
) (

x
x f , onde > 0 e + < < (4.57)
A distribuio Normal definida a partir de dois parmetros: e ; onde
representa o valor esperado de X, e , o seu desvio padro.
Pode-se demonstrar que se X uma varivel aleatria com uma distribuio
Normal, a varivel transformada

=
X
Z tem tambm uma distribuio de mdia 0 e
desvio padro 1, ) 1 , 0 ( ~ N Z . Este resultado particularmente importante pois a funo de
distribuio Normal no caso especial =0 e =1, encontra-se largamente tabelada [46]. A
Figura 4.4 mostra algumas funes de distribuio e de densidade para algumas
combinaes de e .

Figura 4.4. Funes de distribuio e de densidade para combinaes de e [47].
A Figura 4.5 mostra a funo de densidade para a distribuio normal padro
localizando os desvios 1, 2 e 3.

Figura 4.5. Funo de densidade para a distribuio normal padro [47].

76
A mais simples das distribuies normais a distribuio normal padronizada e
chamada simplesmente de distribuio Z (veja Figura 4.6). Distribui-se em torno da mdia
=0 com desvio padro =1 [45]. A Figura 4.6 mostra a funo de densidade para a
distribuio normal padro (mdia =0 e desvio padro =1).

Figura 4.6. Funo de densidade de distribuio normal (=0 e =1) [45].
A Figura 4.7 mostra a Probabilidade includa alm do ponto Z
0
=1,4.

Figura 4.7. Probabilidade includa alm do ponto Z
0
=1,4 [45].

4.2.9 - Consideraes sobre o Desvio Padro e Intervalo de Confiana

De acordo com propriedades da funo de densidade, a rea total sob a curva
unitria porque indica a probabilidade de todo o conjunto observado. E a rea sob a curva
entre dois valores quaisquer de x indica a probabilidade da ocorrncia entre esses valores.
A anlise da curva permite a concluso lgica do que se observa na prtica: as
ocorrncias tendem a se concentrar em torno de uma mdia e se tornam mais raras ou
menos provveis medida que dela se afastam.

77
Por simples integrao da funo de densidade, possvel calcular a probabilidade
de ocorrncia em funo do afastamento da mdia segundo o nmero de desvios-padro
(valores aproximados com 3 dgitos significativos):
0,682 ou 68,2% para faixa 1
Na faixa 3 ocorre a quase totalidade (99,7%) dos valores. Por isso, ela , em
algumas referncias, denominada disperso natural do processo [47].
Se considerarmos X uma varivel aleatria com funo densidade de probabilidade
f=f(X
1
, X
2
, ...,X
n
;) em que o parmetro desconhecido a estimar, X
1
, X
2
, ...,X
n
uma
amostra aleatria e L
1
(X
1
, X
2
, ...,X
n
) e L
2
(X
1
, X
2
, ...,X
n
) duas estatsticas tais que
2 1
L L < e
( ) = < < 1
2 1
L L P .
Nestas condies, para uma realizao da amostra x
1
, x
2
, ...,x
n
, calculamos l
1
e l
2
e:
- Ao intervalo ]l
1
, l
2
[ denominamos intervalo de confiana a (1-)100% para o
parmetro ;
- A probabilidade (1-) d-se o nome de coeficiente de confiana do intervalo;
- A probabilidade complementar d-se o nome de nvel de significncia;
- Aos extremos do intervalo, l
1
e l
2
, chamamos limites de confiana inferior e
superior, respectivamente.
Como pretende-se que uma estimativa possua o mximo de confiana possvel, no
entanto, se uma maior confiana pretendida na estimao, esta conduz a probabilidades
de erros maiores, dado que um elevado nvel de significncia produz um intervalo de
estimao menor e, como tal, a preciso da estimao diminui [46].
Por exemplo: Sejam
2
=144, n=36, 4 , 63 = X e I=90%. Ento:
=12
1-=0,90
=0,10
Busca-se da Tabela 4.8 o valor de Z para (0,5- /2)=0,45.
Da Tabela 4.8 tem-se Z=1,64 para 0,4495 e Z=1,65 para 0,4505. Por interpolao
temos Z
/2
=1,645. Sendo assim:
11 , 60 .
2 / 1
= =
n
Z X l

78
69 , 66 .
2 / 2
= + =
n
Z X l

Portanto, para 90% de confiana temos o intervalo:
69 , 66 11 , 60
Desde que a distribuio normal simtrica, se desejar a rea entre - e z conforme
{P( X z ) = (z) =
-,z
(u) du = [1/( 2)]
-,z
e
-u/2
du} (isso representa a rea entre -
e z sob a curva da funo de densidade), basta somar 0,5 aos valores da Tabela 4.8.
Tabela 4.8. Tabela para determinao do valor de Z [47].
z 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09
0,0 0,0000 0,0040 0,0080 0,0120 0,0160 0,0199 0,0239 0,0279 0,0319 0,0359
0,1 0,0398 0,0438 0,0478 0,0517 0,0557 0,0596 0,0636 0,0675 0,0714 0,0753
0,2 0,0793 0,0832 0,0871 0,0910 0,0948 0,0987 0,1026 0,1064 0,1103 0,1141
0,3 0,1179 0,1217 0,1255 0,1293 0,1331 0,1368 0,1406 0,1443 0,1480 0,1517
0,4 0,1554 0,1591 0,1628 0,1664 0,1700 0,1736 0,1772 0,1808 0,1844 0,1879
0,5 0,1915 0,1950 0,1985 0,2019 0,2054 0,2088 0,2123 0,2157 0,2190 0,2224
0,6 0,2257 0,2291 0,2324 0,2357 0,2389 0,2422 0,2454 0,2486 0,2517 0,2549
0,7 0,2580 0,2611 0,2642 0,2673 0,2704 0,2734 0,2764 0,2794 0,2823 0,2852
0,8 0,2881 0,2910 0,2939 0,2967 0,2995 0,3023 0,3051 0,3078 0,3106 0,3133
0,9 0,3159 0,3186 0,3212 0,3238 0,3264 0,3289 0,3315 0,3340 0,3365 0,3389
1,0 0,3413 0,3438 0,3461 0,3485 0,3508 0,3531 0,3554 0,3577 0,3599 0,3621
1,1 0,3643 0,3665 0,3686 0,3708 0,3729 0,3749 0,3770 0,3790 0,3810 0,3830
1,2 0,3849 0,3869 0,3888 0,3907 0,3925 0,3944 0,3962 0,3980 0,3997 0,4015
1,3 0,4032 0,4049 0,4066 0,4082 0,4099 0,4115 0,4131 0,4147 0,4162 0,4177
1,4 0,4192 0,4207 0,4222 0,4236 0,4251 0,4265 0,4279 0,4292 0,4306 0,4319
1,5 0,4332 0,4345 0,4357 0,4370 0,4382 0,4394 0,4406 0,4418 0,4429 0,4441
1,6 0,4452 0,4463 0,4474 0,4484 0,4495 0,4505 0,4515 0,4525 0,4535 0,4545
1,7 0,4554 0,4564 0,4573 0,4582 0,4591 0,4599 0,4608 0,4616 0,4625 0,4633
1,8 0,4641 0,4649 0,4656 0,4664 0,4671 0,4678 0,4686 0,4693 0,4699 0,4706
1,9 0,4713 0,4719 0,4726 0,4732 0,4738 0,4744 0,4750 0,4756 0,4761 0,4767
2,0 0,4772 0,4778 0,4783 0,4788 0,4793 0,4798 0,4803 0,4808 0,4812 0,4817
2,1 0,4821 0,4826 0,4830 0,4834 0,4838 0,4842 0,4846 0,4850 0,4854 0,4857
2,2 0,4861 0,4864 0,4868 0,4871 0,4875 0,4878 0,4881 0,4884 0,4887 0,4890
2,3 0,4893 0,4896 0,4898 0,4901 0,4904 0,4906 0,4909 0,4911 0,4913 0,4916
2,4 0,4918 0,4920 0,4922 0,4925 0,4927 0,4929 0,4931 0,4932 0,4934 0,4936
2,5 0,4938 0,4940 0,4941 0,4943 0,4945 0,4946 0,4948 0,4949 0,4951 0,4952
2,6 0,4953 0,4955 0,4956 0,4957 0,4959 0,4960 0,4961 0,4962 0,4963 0,4964
2,7 0,4965 0,4966 0,4967 0,4968 0,4969 0,4970 0,4971 0,4972 0,4973 0,4974
2,8 0,4974 0,4975 0,4976 0,4977 0,4977 0,4978 0,4979 0,4979 0,4980 0,4981
2,9 0,4981 0,4982 0,4982 0,4983 0,4984 0,4984 0,4985 0,4985 0,4986 0,4986
3,0 0,4987 0,4987 0,4987 0,4988 0,4988 0,4989 0,4989 0,4989 0,4990 0,4990
79
Alguns exemplos de uso da tabela:
- Probabilidade de X1,53. Na interseo da linha 1,5 com a coluna 0,03 temos o
valor 0,4370. Precisamos somar 0,5 porque, conforme visto, a tabela d valores a partir de
zero. Assim, P(X1,53)0,4370+0,5=0,9370.
- Probabilidade de -1X0,5. A idia grfica permite concluir que igual
diferena entre os valores calculados para cada extremo [47].
P(X0,5)=0,5+0,1915=0,6915.
P( X-1)=1-P(X1)=1-(0,5+0,3413)=0,1587.
Portanto o resultado dado por P(-1X0,5)=0,6915-0,1587=0,5328

4.3 - INTRODUO AO PROCESSO ESTOCSTICO

Qualquer sistema real opera sempre em ambientes onde a incerteza impera,
principalmente quando o sistema envolve, a natureza, aes humanas imprevisveis ou
avarias de mquinas. Os modelos determinsticos certamente contribuem para a
compreenso, a um nvel bsico, do comportamento dinmico de um sistema. No entanto,
por no poderem lidar com a incerteza, acabam por ser insuficientes nos processos de
tomada de deciso. Assim, recorre-se aos processos estocsticos como uma forma de tratar
quantitativamente estes fenmenos, aproveitando certas caractersticas de regularidades
que eles apresentam para serem descritos por modelos probabilsticos [48].
Pode definir-se um Processo Estocstico como um conjunto de variveis aleatrias
indexadas a uma varivel (geralmente a varivel tempo), sendo representado por {X(t), t
T}. Estabelecendo o paralelismo com o caso determinstico, onde uma funo f(t) toma
valores bem definidos ao longo do tempo, um processo estocstico toma valores aleatrios
ao longo do tempo. Os valores que X(t) pode assumir chamam-se estados e ao seu conjunto
X espao de estados.
Processo Estocstico uma coleo de variveis aleatrias indexadas por um
parmetro t R, ou seja;
X(tn)} ..., X(t2), X(t1), {X(t0), X = (4.58)
A varivel aleatria X(t) definida em um espao denominado de espao de
estados.
A varivel tempo , por definio, uma varivel contnua, a qual pode ser
discretizada se os fenmenos forem observados em intervalos regulares.
Os processos estocsticos se classificam em:
80
- Quanto ao estado: discreto (cadeia) ou contnuo (processo);
- Quanto ao tempo: discreto {X(t), t=0, 1, 2, 3, ...} ou contnuo {X(t), 0 t }.
Os processos estocsticos estacionrios mantm seu comportamento invariante no
tempo (se a funo distribuio da varivel aleatria que o define no variar no tempo).
Um processo estocstico se diz de Markov se for estacionrio e gozar da
propriedade da perda de memria, isto , se seu comportamento futuro apenas for
condicionado pelo estado presente, independentemente dos estados visitados no passado.
Para um processo de Markov completamente irrelevante qualquer informao
sobre estados passados ou sobre o tempo de permanncia no estado presente.
Num processo estocstico as transies entre estados so causadas pela ocorrncia
de eventos, e restringidas pelo tempo entre eventos sucessivos. A nica distribuio
contnua que apresenta a propriedade de ausncia de memria a distribuio exponencial.
Assim em um processo de Markov todos os tempos entre eventos tem de ser
exponencialmente distribudos.
A cadeia de Markov de tempo discreto quando as transies ou as variveis
aleatrias X(t) ocorrem em instantes 0, 1, 2, ...,k. Neste caso:
] ) ( | ) ( [
] ) ( , ) ( ,... ) ( , ) ( | ) ( [
1 1
0 0 1 1 1 1 1 1
k k k k
k k k k k k
x t X x t X P
x t X x t X x t X x t X x t X P
= = =
= = = = =
+ +
+ +
(4.59)
Para todo
1 1 0
...
+

k k
t t t t
Propriedades:
(i) as informaes de estados passados so irrelevantes;
(ii) o tempo que o processo est no estado atual irrelevante.
Uma cadeia de Markov em tempo discreto fica completamente definida se
conhecermos os estados X={0, 1, 2, ...,s} e as probabilidades de transio entre os estados
em um perodo. A Tabela 4.9 mostra a classificao do processo de Markov.
Tabela 4.9. Classificao do processo de Markov [49].
Tipo de Parmetro
Espao de Estado Discreto Contnuo
Discreto (Parmetro Discreto)
Cadeia de Markov
Cadeia de Markov de Parmetro Contnuo
Contnuo Processo de Markov de
Paramento Discreto
Processo de Markov de Parmento Contnuo
Recordando, uma varivel aleatria x uma regra para nomear a todos os resultados
de uma experincia k um nmero x(). Um processo estocstico x(t) uma regra para
81
nomear a todas uma funo x(t, ). Assim, um processo estocstico uma famlia de
funes no tempo que dependem do parmetro ou, equivalentemente, uma funo de t e
. O domnio de o conjunto de todos os resultados experimentais e o domnio de t um
conjunto fixo j de nmeros reais [48].
Se j o eixo real, ento x(t) um processo de tempo contnuo. Se j o conjunto de
nmeros inteiros ento x(t) um processo de tempo discreto. Um processo de tempo
discreto , assim, uma sucesso de variveis aleatrias. Tal seqncia ser denotada por x
n
,
para evitar ndices dobrados, como x[n].
Usa-se a notao x(t) para representar um processo estocstico omitindo, como no
caso de variveis aleatrias, sua dependncia em . Assim x(t) tem as seguintes
interpretaes:
- Ele uma famlia (ou um conjunto) de funes x(t, ). Nesta interpretao, t e
so variveis;
- Ele uma nica funo de tempo (ou uma amostra de determinado processo).
Neste caso, t uma varivel e fixo;
- Se t fixo e varivel, ento x(t) uma varivel aleatria igual ao estado do
dado processo no tempo t;
- Se t e so fixos, ento x(t) um nmero.
Ser entendido do contexto que destas interpretaes possuem em particular caso
[48].
Simulao estocstica a arte de gerar amostras de varivel aleatria em um
ambiente computacional e usar estas amostras para obteno de um resultado, onde a no
linearidade transformada para incerteza do problema linear equivalente.

4.4 - TRANSFORMADA DE INCERTEZA COM SIMULAES TLM

O problema de modelar incerteza equivalente a encontrar os momentos
estatsticos da funo no linear G(U+) de uma varivel aleatria. Neste trabalho, a
simulao eletromagntica constitui desta funo no linear [50].
Para estimar a varivel aleatria utiliza-se a UT, a qual calcula as estatsticas de
variveis aleatrias que sofre uma transformao no linear. Existem artigos que
demonstram clculos de resistncia de aterramento, tenso de passo e de toque, cada um
possuindo diferentes suposies e objetivos. No entanto, poucos consideram a incerteza
dos dados trabalhados [1].
82
A idia chave da UT que mais fcil aproximar uma distribuio Gaussiana do
que uma transformao/funo no linear arbitrria [2]. Na UT um conjunto de pontos
(denominados de pontos sigma) escolhido deterministicamente de tal forma que os
pontos configurem uma mdia e uma covarincia especficas. A funo no linear
aplicada a cada ponto, e ento as estatsticas dos pontos transformados so calculadas,
obtendo assim a mdia e a covarincia transformadas [2].
Uma possvel interpretao da UT uma aproximao discreta da FDP (Funo
Densidade Probabilidade) contnua w() por uma distribuio discreta wi. Ento, tm-se
duas distribuies: uma contnua e outra discreta como mostrada na Figura 4.8.

Figura 4.8. Funo densidade probabilidade normal contnua e a aproximao discreta.
A aproximao executada de forma que o mapa das duas distribuies produz os
mesmos momentos depois do mapeamento no linear [3]:
{ } ( )

= =

i
k
i i
k k
d
S w u d u w u u E
(4.60)
Onde:
E
d
o valor esperado;
u o conjunto de variveis aleatrias;
w() a funo densidade probabilidade contnua;
wi a funo densidade probabilidade discreta (pesos);
S
i
so os pontos sigma.

83
Os pesos w
i
e pontos sigma S
i
estaro completamente disponveis uma vez que os
momentos necessrios sejam calculados. Da Equao (4.60) e considerando uma
distribuio mdia nula, os pontos sigma de segunda ordem so calculados usando o
seguinte conjunto de equaes:
{ }
{ }
{ }
{ } ( )
4
2
4
2
1
4
3
1
3
2
1
3
2 2
2
1
2
2
1
3
+ = =
= =
= =
= =
=
=
=
=
u E S w
u E S w
u E S w
u E S w
i
i i
i
i i
i
i i
i
i i

(4.61)
Onde:
a varincia;
1
a assimetria da distribuio de probabilidade;
2
seu curtose de excesso.
A soluo da Equao (4.61) :
( )
( )
2 1 1 2
2
1 1
1
2
2 1 1 2
2
1 1
1
2
1 1
2
1 2
2
1 1
2
1
3 2 6
1
1
1
3 2 6
1
1
3
1
1
3

+
+
=
+
+
=
+
+
=
+
+
=
w
w
S
S

(4.62)
Os resultados apresentados na Equao (4.62) so teis para qualquer distribuio
com mdia nula. Os parmetros UT calculados (pontos sigma e pesos) so usados na
computao dos parmetros estatsticos da funo distribuio final. Ento, no caso de
TLM, a soluo da propagao da incerteza o equivalente a funo no linear G(U+) de
uma varivel aleatria.
Uma vez que os pontos sigma sejam conhecidos, direto aplic-los a funo no
linear. Usando a Equao (4.61) com os resultados da Equao (4.63) ou Equao (4.67),
possvel calcular o valor esperado e a varincia.
( ) [ ] { } ( )
+ = + =
i
i i
S U G w u U G E G
(4.63)
84
A outra ordem mais alta dos momentos centrais dada por:
( ) ( ) { } ( ) ( )
+ = +
i
k
i i
k
G S U G w G u U G E
(4.64)
A varincia dada por:
( ) ( )
+ =
i
i i G
G S U G w
2
2
(4.65)
A combinao da Equao (4.61) com os resultados de Equao (4.63) ou Equao
(4.67) tambm permite o clculo da assimetria (
1
) e da curtose (
2
).
( ) ( )
( ) ( ) ( )
+ = +
+ =
i
i i G G
i
i i G G
G S U G w
G S U G w
4
4
2
3
3
1
3

(4.66)

Os momentos so calculados corretamente aps o traado no linear, usando um
pequeno conjunto de pontos selecionados (Pontos Sigma). A interpretao que a UT uma
aproximao para a distribuio contnua tambm significa que a Equao (4.64) a
aproximao discreta para:
( ) ( ) ( )

= + u d u w u G S U G w
i
i i

(4.67)
A Equao (4.67) mostra que a expresso de UT para a mdia uma aproximao
integral da funo G() ponderada (pesada) por uma funo janela w(). Esta de fato a
formulao para o esquema de integrao de quadratura Gaussiana [3]. A vantagem de ver
a UT como um esquema de integrao que os pesos e os pontos sigma so agora
facilmente calculados a partir das razes da interpolao polinomial. Naturalmente, o
polinmio dependente da funo de janela w(). A Tabela 4.10 resume os polinmios e
suas funes densidade probabilidade correspondente.

85
Tabela 4.10. Funes densidade probabilidade e polinmios correspondentes.
Funes Densidade Probabilidade Polinmios
( )
>
<
=
1 0
1
2
1
u
u
u w
(Uniforme)

Legendre
Para n=2 temos
2
2
3 1 ) ( x x y =
Para n=3 temos
3
5
) (
3
3
x
x x y =
( )
>
<
=
1 0
1
1
1
2
u
u
u
u w

Chebyshev (1
st
kind)
Para n=2 temos 1 2 ) (
2
2
= x x T
Para n=3 temos x x x T 3 4 ) (
3
3
=
( )
<
>
=
0 0
0
u
u e
u w
u
(Exponencial)

Laguerre
2
2
+ = x x x L
Para n=3 temos 6 18 9 ) (
2 3
3
+ + = x x x x L
( )
2
2
2
1
u
e u w
=
(Gaussiana)

Hermite
2
2
= x x H
Para n=3 temos x x x H 12 8 ) (
3
3
=
Naturalmente, a expresso de UT como um esquema de integrao sugere que
outros esquemas pudessem ser usados em vez de quadratura Gaussiana. Porm, a tima
colocao de abscissas dado pela quadratura prov a melhor estimativa numrica para a
integral.
A ordem do polinmio tem um efeito direto no clculo de momentos de ordem
mais alta (Equao 4.64). A aproximao de momento de ordem mais alta melhora com o
aumento da ordem polinomial. Como uma regra de manuseio, a ordem dos resultados
polinomiais tem boas estimativas dos momentos at essa ordem. Um polinmio de 5
ordem dar estimativas boas dos quatro momentos estatsticos principais (mdia, varincia,
assimetria e curtose). A Tabela 4.11 mostra os pesos e pontos sigma para as diferentes
Funes Densidade Probabilidade.

86
Tabela 4.11. Pesos, pontos sigma e funes densidade probabilidade correspondentes.

87
Como esperado, os pesos e pontos sigma calculados com (4.62) so exatamente o
mesmo dos provido na Tabela 4.11 com N=3. As relaes descritas na Tabela 4.10 e 4.11
podem ser resumidas com o uso da Frmula Rodrigues [3] e o clculo de peso:
( )
( )
( ) ( ) ( )
( )
( )

=
=
=
dx
x x
x p
x w
dx
x dp
w
x Q x w
dx
d
x w
x p
i
n
x x
n
i
n
n
n
n
i
) (
1
1

(4.68)
Neste caso x
i
sero os zeros do polinmio.
No caso de trs variveis aleatrias, haver 34 equaes para serem satisfeitas.
Desde que cada ponto sigma tenha quatro variveis (wi,
1
S
i
,
2
S
i
e
3
S
i
), ento o nmero
mnimo de pontos sigma para satisfazer todas as condies 9.
O nmero de pontos sigma para um nmero arbitrrio de variveis usa uma
formulao combinatorial. Se n
RV
for o nmero de variveis aleatrias, o nmero de
equaes na aproximao de segunda ordem o dado pela Equao (4.69):
( )
( )
=

+
=
N
k RV
RV
eq
n k
k n
N
2
1
! 1 !
! 1
(4.69)
Onde:
N
eq
o nmero de equaes na aproximao de segunda ordem;
n
RV
o nmero de variveis aleatrias;
K a ordem do momento.
Considerando que cada ponto sigma acrescenta n+1 pontos desconhecidos ao
problema, o nmero de pontos sigma o prximo nmero inteiro dado pela Equao 4.70.
( )
( )
=

+
+
=
+
=
4
1
! 1 !
! 1
1
1
1
k RV
RV
RV RV
eq
S
n k
k n
n n
N
N
(4.70)
O nmero necessrio de pontos sigma para manter a segunda ordem de
aproximao pode ser visto na Tabela 4.12.

88
Tabela 4.12. Nmero mnimo de pontos sigma na segunda e quarta ordem de aproximao.
n
RV
N
eq

(Segunda ordem)
N
s

(Segunda ordem)
N
eq

(Quarta ordem)
N
s

(Quarta ordem)
1 4 2+1 8 4+1
2 14 5+1 43 15+1
3 34 9+1 155 39+1
4 69 14+1 449 90+1
5 125 21+1 1121 187+1
6 209 30+1 2507 359+1
7 329 42+1 5147 644+1
8 494 55+1 9866 1097+1
9 714 72+1 16874 1788+1
10 1000 91+1 30887 2807+1
Como a Tabela 4.12 mostra, o nmero mnimo de pontos sigma para uma
aproximao de quarta ordem cresce muito rapidamente com o nmero de variveis
aleatrias.
At aqui todas as variveis eram independentes. Como levar em conta a correlao?
Em condies prticas h dois modos. O primeiro modo reescrever as equaes de
momento que levam em conta a correlao. O segundo modo calcular os pontos sigma
como se as variveis fossem independentes, e ento usar uma transformao para obter os
pontos sigma para o caso dependente.
O baco a ser utilizado na combinao UT+TLM obtido pelos valores de entrada
das variveis (neste estudo, duas (permissividade eltrica e condutividade eltrica))
normalizadas. Os valores da primeira varivel ocupam a primeira coluna e os da segunda, a
primeira linha. Os pesos UT ocupam as segundas linhas e colunas do baco. O valor da
posio A
33
(A
ColunaLinha
) igual multiplicao das posies A
23
e A
32
, da posio A
43
=
A
42
x A
23
e assim por diante. As Tabelas 4.13 e 4.14 mostram exemplos de bacos UT
para 3 e 5 pontos sigma e seus pesos.
Tabela 4.13. baco UT para 3 pontos sigma.
RV 0,00123 0,02000 0,02775
r
Pesos 0,27800 0,44400 0,27800
6,0500 0,2780 0,07728 0,12343 0,07728
20,000 0,4440 0,12343 0,19714 0,12343
33,950 0,2780 0,07728 0,12343 0,07728

89
Tabela 4.14. baco UT para 5 pontos sigma.
RV 0,0011 0,0015 0,0020 0,0025 0,0031
r
Pesos 0,1180 0,2390 0,2845 0,2390 0,1180
3,692 0,1180 0,0139 0,0282 0,0336 0,0282 0,0139
10,316 0,2390 0,0282 0,0571 0,0680 0,0571 0,0282
20,000 0,2845 0,0336 0,0680 0,0809 0,0680 0,0336
29,684 0,2390 0,0282 0,0571 0,0680 0,0571 0,0282
36,308 0,1180 0,0139 0,0282 0,0336 0,0282 0,0139
A combinao de UT+TLM direta. Os momentos so calculados considerando
TLM como uma funo no linear. Isto mostrado considerando a formulao bsica de
TLM com matrizes globais. Esta aproximao prov uma representao mais clara de
variveis aleatrias em TLM. A formulao global no domnio tempo representa TLM
como a equao matricial iterada:
[ ] [ ][ ]
k
i
k
r
V S V = (4.71)
[ ] [ ][ ]
k
r
k
i
V C V =
+1
(4.72)
A combinao das equaes produz a equao esttica global:
[ ] [ ][ ][ ]
k
i
k
i
V S C V =
+1
(4.73)
Onde:
[V
r
]
k
a matriz tenses refletidas no instante k;
[V
r
]
k+1
a matriz tenses refletidas no instante k+1;
[V
i
]
k
a matriz tenses incidentes no instante k;
[V
i
]
k+1
a matriz de tenses incidentes no instante k+1;
[C] a matriz de conexo;
[S] a matriz de espalhamento;
O conjunto [] de variveis aleatrias fazem parte da descrio do problema
(limites ou mdia) e so representados nas matrizes de conexo e/ou espalhamento globais.
Uma representao compacta combina todo o conjunto [] em uma nica matriz [A()].
Ento (4.74) se torna a matriz equao esttica:
[ ] ( ) [ ][ ]
k
i
k
i
V u A V
1
=
+
(4.74)
A Equao (4.74) mostra que o estado no passo de tempo k+1 dependente do
estado no passo de tempo k. Porm, possvel avanar simplificando esta equao. A
simplificao envolve a eliminao da dependncia do passo de tempo prvio. Isto s
possvel para excitao impulsiva.
90
[ ] ( ) [ ] [ ]
0
1
1
i k
k
i
V u A V
+
+
= (4.75)
O vetor de tenses iniciais [V
i
]
0
no uma varivel aleatria. Ento, a funo
[A()]
k+1
representa o efeito do conjunto completo de variveis aleatrias. A representao
de TLM pelas Equaes (4.74) e (4.75) equivalente, embora haja algumas diferenas que
consideram como representar variveis aleatrias em cada uma das equaes
(especialmente relativo a covarincia entre variveis). A mesma formulao possvel no
domnio da freqncia TLM ou problemas de oito valores. Esta descrio mostra que para
todas as variveis aleatrias no problema, o procedimento TLM age como uma funo no
linear:
[ ] ( ) u G V
k
i
1
=
+
(4.76)
A Equao (4.74) mostra atos TLM como uma funo no linear de um conjunto de
variveis aleatrias. Ento, os resultados TLM podem ser usados com as Equaes (4.64) e
(4.65) para obter os parmetros estatsticos desejados.
O mtodo TLM torna possvel o clculo de tenses de pico, campos eltricos e
eletromagnticos em muitos pontos de interesse [51]. Como j comparado em diversas
pesquisas, as caractersticas dos sistemas de aterramento eltricos sujeitos a alta corrente de
impulso so dramaticamente diferente desta para a freqncia de 60Hz. Porque o
comportamento reativo se torna muito importante, fazendo as caractersticas transientes
tipicamente no lineares [28].
Por exemplo: sejam as variveis aleatrias de entrada
r
(permissividade eltrica
relativa do solo) e (resistividade eltrica do solo em .m), onde o valor mdio de
r
11
e o intervalo 9, e o valor mdio de 100.m e o intervalo 50.m. Ento 9 11 =
r
e
m . 50 100 = . A funo densidade probabilidade modelada como sendo uniforme. A
escolha est baseada na vasta variao de parmetros eltricos em sistemas de aterramento.
Usa-se trs pontos sigma (n=3) e so necessrias trs simulaes. Da Tabela 4.11 temos:
775 , 0
000 , 0
775 , 0
3
2
1
=
=
=
S
S
S
(4.77)
Portanto:
975 , 17 .
000 , 11 .
025 , 4 .
3 3
2 2
1 1
= + =
= + =
= + =
S
S
S
r r r S
r r r S
r r r S

(4.78)
91
m S
m S
m S
S
S
S
. 750 , 138 .
. 000 , 100 .
. 250 , 61 .
3 3
2 2
1 1
= + =
= + =
= + =

(4.79)
Da Tabela 4.13, utilizando-se os pesos w
1
, w
2
e w
3
, define-se a Matriz de Incerteza
[A] para UT(3):
[ ]
(
(
(
=
07728 , 0 12343 , 0 07728 , 0
12343 , 0 19714 , 0 12343 , 0
07728 , 0 12343 , 0 07728 , 0
A
Utilizando-se os resultados das Equaes (4.78) e (4.79) procede-se as simulaes
com o software MEFISTo e chega-se a Matriz de Valores Simulados da tenso de passo
[M]:
[ ]
(
(
(
=
227 , 0 200 , 0 161 , 0
174 , 0 148 , 0 114 , 0
099 , 0 079 , 0 055 , 0
M
A Mdia G dada pela soluo da Equao (4.63), ou seja:
[ ]
(
(
(
=
01754 , 0 02469 , 0 01244 , 0
02148 , 0 02918 , 0 01407 , 0
00765 , 0 00945 , 0 00425 , 0
G
14105 , 0 = =

i
nm
G G
A Varincia
2
G
dada pela soluo da Equao (4.65) e o Desvio Padro
por
2
G G
= , ou seja:
[ ] [ ] G M B =
[ ]
(
(
(

=
08595 , 0 05895 , 0 16100 , 0
03295 , 0 00695 , 0 02705 , 0
04205 , 0 06205 , 0 08605 , 0
B
[ ] [ ] [ ]
2
B x A C =
[ ]
(
(
(
=
00057 , 0 00043 , 0 00200 , 0
00013 , 0 00001 , 0 00009 , 0
00014 , 0 00048 , 0 00057 , 0
C
Onde:
[B] e [C] so matrizes auxiliares.
00442 , 0
2
= =

i
nm G
C
06649 , 0
2
= =
G G

92
Finalmente calcula-se a probabilidade de ocorrncia em funo do afastamento da
mdia segundo o nmero de desvios-padro, ou seja, para 95,4% (faixa 2 G ), temos:
2
2
+
G
G

27403 , 0 00807 , 0 G
Ento para este exemplo tem-se uma mdia da tenso de passo de 0,14105kV com
afastamento de 06649 , 0 kV para 95,4% de confiabilidade. Ou seja, a mdia estar no
intervalo de [0,00807kV; 0,27403kV] com 95,5% de confiabilidade.

93
5 RESULTADOS E DISCUSSO

A interface eltrica entre o sistema de aterramento e o solo um dos elementos
mais crticos para o estabelecimento de um bom aterramento. Como a homogeneidade do
solo rara na prtica, necessrio introduzir o modelo de estratificao da resistividade do
solo. Embora este modelo no seja uma representao perfeita do solo real, suficiente
para os clculos de um aterramento. Para executar uma estratificao do solo necessrio
fazer uma srie de medies de campo dos valores da resistividade aparente do solo. As
medidas so efetuadas em ohms e o valor calculado da resistividade dado em .m. O
principal mtodo utilizado para fazer estas medies o de Wenner [14]. A equao citada
pela NBR-7117 [13] para este mtodo a Equao (3.2).
Como a composio do solo no homognea ao longo do terreno, e como
impraticvel o corte transversal do terreno para sua anlise, costuma-se aproxim-lo por
um modelo matemtico [23].
Considerando a distribuio constante de corrente no solo, o comprimento do cabo
muitssimo maior que o raio do mesmo (L>>>r) e o comprimento do cabo muito maior
que a profundidade que o mesmo est enterrado (L>>h), para um cabo horizontal
enterrado e submetido a uma corrente aplicada no seu centro temos a resistncia de
aterramento do cabo dada pela Equao (5.1):
|
|
\
|
|
|
\
|
= 1
.
ln
.
h r
L
L
R
f
(5.1)
Onde:
R
f
a resistncia do aterramento ();

L o comprimento do cabo (m);
r o dimetro do cabo (mm);
h a profundidade em que o cabo est enterrado (m).
Sejam: =67.m; L=18m; r=0,008m e h=0,50m.
Ento pela Equao 5.1, temos:
Rf=6,87
A dependncia dos parmetros do solo com relao resistividade e permissividade
e o processo de ionizao devem ser introduzidos no modelo para melhor representao de
um sistema de aterramento. A relao entre a impedncia de aterramento e a resistncia
94
no linear e depende das caractersticas do solo e da geometria do aterramento [31]. O
desempenho do sistema de aterramento est diretamente associado ao conceito de
impedncia de aterramento, o qual funo da freqncia (Equao 5.2).
( )
072 , 0
100
100
.
|
|
\
|
=
f
f

(5.2)
Onde:
f
a resistividade do solo dependente da freqncia (.m);
(100)
a resistividade do solo a 100Hz (.m);
f freqncia (Hz).
A Figura 5.1 mostra a relao da resistividade do solo com a freqncia.

Figura 5.1. Resistividade do solo em funo da freqncia (Equao 5.2 com
(100)
=1.m).
Neste trabalho, levou-se em conta as variaes da resistividade eltrica aparente do
solo (), da distncia do condutor de terra ao ponto de medida (d), da variao da corrente
de pico (I
pk
) aplicada ao condutor enterrado (de terra), da permissividade eltrica relativa
(
r
) do solo e da condutividade eltrica (). A permeabilidade magntica relativa do solo foi
considerada igual a um.
No primeiro caso de simulao, no caso da permissividade relativa, o valor mdio
20 e o intervalo 18. Usa-se trs Pontos Sigma (n=3), ento trs simulaes so
necessrias. Os resultados destas computaes so usados nas Equaes (4.63) e (4.64)
com os pesos correspondentes (n=3) no clculo do valor esperado e momentos de ordem
mais altos.

95
Utilizou-se permissividade relativa ( 18 20 =
r
) e a condutividade do solo
( m S / 001 , 0 002 , 0 = ), ou seja, no caso da permissividade relativa, o valor mdio 20 e
o intervalo 18. A primeira simulao usa 0574 , 6
1
=
r S
, a segunda 20
2
=
r S
e a
ltima 9426 , 33
3
=
r S
.
A espessura da camada de solo e de ar foram ambas consideradas iguais a 5m. Em
uma estrutura de simulao de x=40m, y=10m e z=40m. Sendo as clulas do tipo cubo
com cada aresta medindo um metro (S=1m) perfazendo um total de 16.000 clulas
(Figura 5.2).

Figura 5.2. Viso tridimensional da rea de simulao no MEFISTo-3d para o primeiro
caso.
O condutor de terra foi modelado, para a situao fsica [54] mostrada na Figura
5.2, como uma fonte distribuda com comprimento de 30m e rea de seo transversal de
625mm
2
.
A fonte de sinal considerada foi um campo eltrico (E) com forma de onda NEMP
(Nuclear Electromagnetic Pulse Pulso Eletromagntico Nuclear) de valor mximo de
0,7127kV/m, tempo de subida de 2,56s e tempo de queda de 57,44s (veja Figura 5.3). O
parmetro de sada foi a tangencial do campo eltrico ao cho. Neste caso a UT foi usada
com duas variveis aleatrias (permissividade relativa e condutividade). O campo foi
provado a d (m) do centro do cabo [50].

96

Figura 5.3. Forma de onda do sinal de entrada.
A ferramenta computacional utilizada foi o MEFISTo-3D [Commercial Software
from Faustus Scientific Corporation] que utiliza a tcnica de simulao TLM-3D. O tempo
mdio de simulao foi de 4 minutos (95.500 iteraes e t=159,277s) em um
microcomputador PC-AT com CPU Intel Core Duo 1,83MHz e 2GB de memria RAM.
Foi verificada a variao da amplitude do campo eltrico (E) em funo da
permissividade eltrica relativa (
r
) e da distncia (d). Para uma condutividade do solo
(=0,001) e um condutor horizontal (Cabo) de 30m (Figura 5.4).

Figura 5.4. Campo eltrico em funo da permissividade eltrica relativa e da distncia.

97
Foi verificada a variao da amplitude do Campo eltrico (E) em funo da
condutividade do solo () e da distncia (d). Para uma permissividade eltrica relativa
(
r
=10) e um condutor horizontal (Cabo) de 30m (Figura 5.5).

Figura 5.5. Campo eltrico em funo da condutividade eltrica e da distncia.

Figura 5.6. Tenso de passo em funo da distncia,
r
e .
Os sinais coletados nos pontos de observao foram convertidos em tenso (V
A
e
V
B
) e posteriormente calculada a tenso de passo relacionada (Figura 5.6):

98
B A p
B B
A A
V V V
S E V
S E V
=
=
=
.
.
(5.3)
Este procedimento foi executado com 3 e 5 pontos sigma para cada varivel
aleatria. A Tabela 5.1 mostra o valor esperado e o desvio padro da tenso induzida nos
dois casos. Como pode ser visto, os resultados com 3 pontos sigma so consistentes.
Tabela 5.1. Valor esperado e desvio padro da tenso induzida para o primeiro caso.
Numero de Pontos Sigma Valor Esperado (kV) Desvio Padro (kV)
3 (9 simulaes no total) 13,36 4,75
A FDC (Funo Distribuio Cumulativa) mostrada na Figura 5.7. A FDC prov
mais informao que o valor esperado e o desvio padro. Pode ser usado para determinar
intervalos de confiana dos resultados calculados. Usando os resultados para 5 pontos
sigma, h uma chance de 91,3% que a tenso induzida estar no intervalo [3,8kV a 19kV].
Ambos, 3 e 5 pontos sigma por simulaes de varivel aleatria, mostram que a
probabilidade de que a tenso induzida seja maior que 18,5kV menor que 8% [50].

Figura 5.7. FDC da tenso de passo calculada com o UT(3 e 5) para o primeiro caso.
Formulaes analticas para tenso de passo podem ser utilizadas para validar as
simulaes. Tais como a Equao (5.4).

99
d
I
V
pk
A
. 2
.
=

( ) dp d
I
V
pk
B
+
=
. 2
.

( ) dp d
I
d
I
V V V
pk pk
B A p
+
= =
. 2
.
. 2
.

( ) dp d d
dp
I V
pk p
+
= .
2
.
(5.4)
Onde:
V
p
a tenso de passo (V);
I
pk
a corrente de descarga de pico (kA);
dp a distncia entre os ps (m);
d a distncia mais prxima do ponto de descarga (m).
Foi calculada a variao da amplitude da Tenso de Passo em funo da
resistividade do solo e da distncia pela Equao (5.4) (veja Figura 5.8).

Figura 5.8. Tenso de passo para I
pk
=1kA em funo da distncia,
r
e (Equao 5.4).

100
No segundo caso de simulao utilizou-se permissividade relativa ( 9 11 =
r
) e a
condutividade do solo ( m S / 010 , 0 015 , 0 = ), ou seja, no caso da permissividade
relativa, o valor mdio 11 e o intervalo 9. Usa-se trs Pontos Sigma (n=3), ento trs
simulaes so necessrias. A primeira simulao usa 025 , 4
1
=
r S
, a segunda 11
2
=
r S
, e
a ltima 975 , 17
3
=
r S
. Os resultados destas computaes so usados nas Equaes (4.63)
e (4.64) com os pesos correspondentes (n=3) no clculo do valor esperado e momentos de
ordem mais altos.
A espessura da camada de solo igual a 10m e a do ar igual a 5m. Em uma
estrutura de simulao de x=20m, y=15m e z=40m. Sendo as clulas do tipo cubo com
cada aresta medindo um metro (S=1m). A haste foi modelada como uma fonte distribuda
com 3m de comprimento e 16mm de dimetro (Figura 5.9). A fonte de sinal considerada
foi um campo eltrico (E) com forma de onda NEMP (Figura 5.3).

Figura 5.9. Viso tridimensional da rea de simulao no MEFISTo-3d para o segundo
caso.
O parmetro de sada foi o campo eltrico tangencial ao solo. Neste caso foram
usadas duas variveis aleatrias (
r
e ). O campo foi amostrado a 10m da haste. Este
procedimento foi executado com 3 e 5 pontos sigma para cada varivel aleatria. A Tabela
5.2 mostra o valor esperado e o desvio padro da tenso induzida nos dois casos. Como
pode ser visto, os resultados com 3 pontos sigma so consistentes.
Tabela 5.2. Valor esperado e desvio padro da tenso induzida para o segundo caso.
Numero de Pontos Sigma Valor Esperado (kV) Desvio Padro (kV)
A FDC mostrada na Figura 5.10. Usando os resultados para 5 pontos sigma, h
uma chance de 92% que a tenso induzida estar no intervalo [0,035kV a 0,228kV]. Para 5
pontos sigma por simulaes de varivel aleatria mostram que a probabilidade de que a

101
tenso induzida seja maior que 0,211kV menor que 8%, e que a probabilidade de que a
tenso induzida seja menor que 0,190kV maior que 84% [55].

Figura 5.10. FDC da tenso de passo calculada com o UT(5) para o segundo caso.
A Tabela 5.3 mostra os resultados para outras configuraes de sistema de
aterramento (baseadas nas mostradas pelas Figuras 5.9 e 511). Em todos os casos o campo
foi amostrado a 10m de distncia da fonte de sinal, a qual igual mostrada na Figura 5.9.

Figura 5.11. Viso tridimensional da rea de simulao no MEFISTo-3d para o caso de
solo de duas camadas.

102
Tabela 5.3. Resultados para outras configuraes de sistema de aterramento.
Dados de Configurao Pontos
Sigma
Valor
Esperado (kV)
Desvio padro
(kV)
3 0,141 0,066 Eletrodo: Haste de 3m;
9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 = 5 0,141 0,050
9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 = 5 0,349 0,150
3 0,704 0,353 Eletrodo: Cabo de 9m;
9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 = 5 0,705 0,349
3 0,472 0,183 Eletrodo: Cabo de 18m;
9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 = 5 0,470 0,185
1 Camada: 9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 =
2 Camada: 30 =
r
e m S / 030 , 0 =

5

0,132

0,054
1 Camada: 9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 =
2 Camada: 30 =
r
e m S / 030 , 0 =

5

0,432

0,099
1 Camada: 9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 =
2 Camada: 30 =
r
e m S / 0033 , 0 =

5

0,536

0,113
1 Camada: 9 11 =
r
e m S / 010 , 0 015 , 0 =
2 Camada: 2 =
r
e m S / 030 , 0 =

5

0,254

0,099
Para validar os resultados apresentados at aqui, passa-se agora a fazer uma
comparao entre os mtodos MC e UT. Para tal foram efetuadas vrias simulaes e
clculos envolvendo os dois mtodos. Sendo alguns destes apresentados a seguir.
Utilizando a Equao 5.4, uma corrente aplicada no solo de Ipk=0,7127kA e um
solo com permissividade relativa (no considerado) e a condutividade do solo
( m S / 001 , 0 002 , 0 = ), foi calculado a tenso de passo a uma distncia de 5m. Os
resultados so mostrados na Tabela 5.4.

103
Tabela 5.4. Valor esperado e desvio padro da tenso de passo para MC e UT.
Monte Carlo (MC) Transformada de Incerteza (UT)
Nmero
de Pontos
Aleatrios
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
Nmero
de Pontos
Sigma
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
100 1,97 0,67 34,01 17,26 3 2,11 0,88 41,71 19,77
- - - - - 5 2,13 0,90 42,25 19,84
Utilizando a estrutura mostrada na Figura 5.12, aplicando uma corrente no solo de
Ipk=0,7127kA e um solo com permissividade relativa ( 1 =
r
) e a condutividade do solo
( m S / 001 , 0 002 , 0 = ), foi simulado e calculado a tenso de passo a uma distncia de
5m. Os resultados so mostrados na Tabela 5.5.

Figura 5.12. Estrutura de aterramento de uma camada utilizada na simulao MC e UT
Tabela 5.5. Valor esperado e desvio padro da tenso de passo para uma estrutura de
aterramento com uma camada.
Nmero
de Pontos
Aleatrios
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
Nmero
de Pontos
Sigma
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
100 1,809 0,045 2,49 1,38 3 1,813 0,061 3,36 1,85
- - - - - 5 1,820 0,058 3,19 1,75
Ipk=0,7127kA e um solo de duas camadas com permissividade relativa ( 1
2 1
= =
r r
) e a
condutividade do solo ( m S / 001 , 0 002 , 0
1
= e m S / 004 , 0
2
= ), foi simulado e
calculado a tenso de passo a uma distncia de 5m. Os resultados so mostrados na Tabela
5.6.

104

Figura 5.13. Estrutura de aterramento de duas camadas utilizada na simulao MC e UT

aterramento com duas camadas simulado com MEFISTo-3D.
Nmero
de Pontos
Aleatrios
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
Nmero
de Pontos
Sigma
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
100 1,940 0,070 3,61 1,86 3 1,956 0,092 4,70 2,40
- - - - - 5 1,950 0,093 4,77 2,45
Utilizando as Equaes 5.4 e 5.5, uma corrente aplicada no solo de Ipk=0,7127kA e
um solo com duas camadas com permissividades relativas (no consideradas) e a
condutividade do solo na primeira camada ( m S / 001 , 0 002 , 0
1
= ) e a condutividade do
solo na segunda camada ( m S / 004 , 0
2
= ), foi calculado a tenso de passo a uma distncia
de 5m. Os resultados so mostrados na Tabela 5.7.
2
2
1
1
2 1

L L
L L
eq
+
+
= (5.5)
aterramento com duas camadas calculado com as Equaes 5.4 e 5.5.
Nmero
de Pontos
Aleatrios
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
Nmero
de Pontos
Sigma
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
100 1,250 0,124 9,92 7,94 3 1,273 0,166 13,04 10,24
- - - - - 5 1,269 0,168 13,24 10,43

105
Ipk=0,7127kA e um solo de duas camadas com permissividade relativa ( 1
2 1
= =
r r
) e a
condutividade do solo ( m S / 001 , 0 002 , 0
1
= e m S / 004 , 0
2
= ), foi simulado e
calculado a tenso de passo a uma distncia de 5m. Os resultados so mostrados na Tabela
5.8.

Figura 5.14. Estrutura de aterramento com haste em duas camadas utilizada na simulao
MC e UT

aterramento com haste em duas camadas.
Nmero
de Pontos
Aleatrios
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
Nmero
de Pontos
Sigma
Valor
Esperado
(kV)
Desvio
Padro
(kV)
Erro
Absoluto
(%)
Erro
Relativo
(%)
100 0,727 0,013 1,79 2,46 3 0,796 0,064 8,04 10,10
- - - - - 5 0,795 0,062 7,80 9,81
Outras simulaes foram efetuadas e verificadas aplicando o mtodo TLM e/ou
UT. Algumas destas so mostradas a seguir.
O potencial eltrico transitrio [56] foi amostrado na clula de ndice (10, 3, 30) e
equacionado como: dz E n V
n
z
) 30 , 3 , 10 ( ) ( = , na qual n o ndice das interaes temporais.
A corrente transitria foi amostrada, utilizando a lei circuital de Ampere, resultando
em: dy H H dx H H n I
y y x x
)] 30 , 3 , 11 ( ) 30 , 3 , 9 ( [ )] 30 , 2 , 10 ( ) 30 , 4 , 10 ( [ ) (
2 1 2 1
+ = .
A TRG (Transient Resistence Ground - Resistncia de Aterramento Transitria)
calculada a partir dos valores acima obtidos da seguinte forma: ) ( / ) ( ) ( n I n V n TRG = .

106
Os resultados das simulaes em termos de corrente, tenso e TRG so mostrados
na Figura 5.15. Estes resultados mostram a potencialidade da tcnica utilizada, permitindo
fazer vrias e novas anlises, com vistas soluo de problemas crticos em sistemas de
aterramento.

Figura 5.15. Caractersticas dinmicas do solo em funo do tempo simulado pelo
MEFISTo-3D (
r
=11, =0,015S.m, L=18m e fonte NEMP)
A Figura 5.16 mostra as variaes da tenso, corrente e TRG no solo, em funo da
freqncia, quando submetido a uma fonte impulsiva. A forma de amostragem e clculo
dos valores so os mesmos utilizados para determinao dos valores mostrados na Figura
5.15.

Figura 5.16. Caractersticas dinmicas do solo em funo da freqncia simulado pelo
MEFISTo-3D (
r
=11, =0,015S.m e fonte impulso t=1,668s)

107
A Figura 5.17 mostra as variaes da TRG, em funo da freqncia e
r
, quando
submetido a uma fonte impulsiva.

Figura 5.17. Caractersticas dinmicas do solo em funo da freqncia e
r
simulado pelo
MEFISTo-3D (=0,015S.m e fonte impulso t=1,668s)
A Tabela 5.9 mostra a situao para uma descarga eltrica sobre uma pequena
esfera na superfcie do solo com duas camadas, onde Ipk=0,7127kA, r
1
=r
2
=1,
1
=0,002+/-0,001S/m,
2
=0,0005S/m ou
2
=0,002S/m ou
2
=0,004S/m, d=5m, utilizando
o MEFISTo para as simulaes e aplicando UT(3), temos:
Tabela 5.9. Simulao de Tenso de Passo em solo de duas camadas, descarga sobre esfera
e
2 1

Tenso de Passo (kV)
1
<
2

1
>
2

Valor Estimado 0,320 0,322
Desvio Padro 0,016 0,016
A Tabela 5.10 mostra a situao para uma descarga eltrica sobre uma haste de 4m
enterrada no solo a 0,5m da superfcie do solo com duas camadas, onde Ipk=0,7127kA,
r
1
=r
2
=1,
1
=0,002+/-0,001S/m,
2
=0,0005S/m ou
2
=0,002S/m ou
2
=0,004S/m, d=5m,
utilizando o MEFISTo para as simulaes e aplicando UT(3), temos:

108
Tabela 5.10. Simulao de Tenso de Passo em solo de duas camadas, descarga sobre haste
e
2 1

Tenso de Passo (kV)
1
<
2

1
=
2

1
>
2

Valor Estimado 0,6133 0,5987 0,5870
Desvio Padro 0,0341 0,0265 0,0326
As Tabelas 5.9 e 5.10 mostram a influncia de uma segunda camada do solo com
resistividades eltricas diferentes.
Tabela 5.11. Simulao de Tenso de Passo em solo de duas camadas, descarga sobre
esfera e
2 1
r r
Tenso de Passo (kV)
r
1
< r
2
r
1
> r
2

Valor Estimado 0,2228 0,2266
Desvio Padro 0,0091 0,0035
Tabela 5.12. Simulao de Tenso de Passo em solo de duas camadas, descarga sobre haste
e
2 1
r r
Tenso de Passo (kV)
r
1
< r
2
r
1
= r
2
r
1
> r
2

Valor Estimado 0,3921 0,2136 0,1233
Desvio Padro 0,1217 0,1226 0,1248
As Tabelas 5.11 e 5.12 mostram, para a mesma situao, a influncia de uma
segunda camada do solo com permissividades relativas diferentes (r
1
=11+/-9, r
2
=1 ou
r
2
=11 ou r
2
=40,
1
=
2
=0,002S/m).
Inmeras outras situaes poderiam ser aqui apresentadas. Entretanto as que mais
interessava dentro da proposta de trabalho foram apresentadas, deixando as demais para
trabalhos futuros.

109
6 - CONCLUSES

Com relao tenso de passo, potencial, corrente e resistncia num solo com
caractersticas variveis de permissividade relativa e condutividade eltrica pode-se
concluir que:
- A tenso induzida na superfcie (potencial eltrico) maior quanto maior for o
comprimento do eletrodo. Porm, a tenso de passo menor quanto maior for o
comprimento do cabo e menor quanto menor for o comprimento da haste;
- Quanto maior a profundidade do eletrodo em relao superfcie do solo, maior
o potencial eltrico e a tenso de passo;
- Configuraes com haste vertical produzem tempo de subida e queda mais rpida
da tenso de passo em contrapartida a configuraes com cabo horizontal;
- A velocidade de propagao no solo aumenta com a reduo de
r
e reduz com a
reduo de .
- Um aumento da permissividade relativa (
r
) provoca um rpido aumento na tenso
de passo. J um aumento na condutividade eltrica () provoca uma rpida diminuio na
tenso de passo. Aumentos simultneos em
r
e provoca um aumento lento na tenso de
passo, mostrando a predominncia da variao de
r
em relao .
- Com o aumento da permissividade relativa (
r
) a corrente no solo oscila mais, ou
seja, com maior rapidez. J para valores menores, como
r
=2, a variao da corrente
acompanha a variao da tenso, que por sua vez acompanha a variao do sinal de
entrada.
- Com a reduo da condutividade eltrica () a corrente no solo oscila mais. J
para valores maiores a variao da corrente acompanha a variao da tenso.
- Independente da relao entre 1/2 (resistividade eltrica das duas camadas),
para uma descarga atmosfrica sobre uma esfera na superfcie, a tenso de passo
praticamente a mesma. Para uma descarga atmosfrica sobre uma haste de 4m enterrada na
primeira camada e a 0,5m da superfcie, medida que esta relao diminui, a tenso de
passo aumenta, isto devido a maior resistividade na primeira camada do solo.
- A influncia da proximidade do ponto avaliado ao ponto de incidncia do raio,
bem como as variaes relativas forma da curva do campo eltrico e da tenso induzida
evidente.
110
- evidente tambm a importncia da configurao geomtrica e parmetros
associados ao sistema de aterramento, bem como a posio considerada na anlise da
tenso induzida associada.
Com relao ao mtodo TLM+UT pode-se concluir que:
- As principais vantagens deste mtodo o fato de no existir a necessidade de se
resolver sistemas de equaes, consistindo-se de um mtodo numrico-analtico bastante
simples, estvel e capaz de avaliar estruturas complexas envolvendo esforos
computacionais modestos, pequenos tempos de processamento, poucas simulaes e
utilizao de ferramentas computacionais de mercado.
- Permite determinar com um grau de preciso satisfatrio, o valor esperado
(estimado) da tenso de passo e seu desvio padro, para variaes da permissividade
relativa e condutividade eltrica do solo, de maneira rpida e simples.
A maior contribuio deste trabalho a transformada de incerteza, pois a utilizao
da UT comparada com o mtodo MC muito mais rpida devido mo pequeno nmero se
simulaes necessrias. A convergncia do mtodo MC comea a partir de 50 mdias
amostrais (50 simulaes), enquanto que a UT converge com apenas 3 pontos sigma (3
simulaes) por varivel.

6.1 SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS

- Dando continuidade a este trabalho, aplicar o mtodo TLM+UT em outras
configuraes de sistemas de aterramento definindo a que melhor se adapte a um problema
real;
- Realizar medies de campo para validao do mtodo TLM+UT, buscando a
melhor configurao de sistemas de aterramento para preveno da tenso de passo;
- Aplicar o mtodo TLM+UT em outras situaes problemas da rea de Engenharia
Eltrica, principalmente em compatibilidade eletromagntica.

111
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] Tatsuo Itoh, Numerical Techniques for Microwave and Millimeter-wave Passive
Structures, New York: John Wiley, 1989.

[2] L. E. B. Dorini, Propagao de Pontos Caractersticos e suas Incertezas Utilizando
a Transformada Unscented, Unicamp: IC, 2006.

[3] L. de Menezes, A. Ajayi, C. Christopoulos, P. Sewell, G. A. Borges, Efficient
Computation of Stochastic Electromagnetic Problems Using Unscented
Transforms, submitted to IET Science, Measurement & Technology on May 23
th
,
2007.

[4] S. J. Julier and J. K. Uhlmann, Unscented Filtering and Nonlinear Estimation, Proc.
IEEE, vol. 92, nr. 3, pp. 401-422, March 2004.

[5] G. A. D. Dias e M. Toledo, Compatibilidade Eletromagntica em Subestaes de
Alta Tenso, XV SNPTEE, Foz do Iguau,1999.

[6] Amilton Soares, Marco A. O. Schroeder e Visacro F. Silvrio, Clculo de
Sobretenses Associadas a Descargas Atmosfricas em Linhas de Transmisso,
XVI SNPTEE. Campinas. 2001.

[7] NBR 5410:1997 Instalaes Eltricas de Baixa Tenso, ABNT.

[8] NR-10:2004 Segurana e Medicina do Trabalho - Instalaes e Servios em
Eletricidade, MTE (Portaria 598).

[9] Henry W. Ott. Noise Reduction Techniques in Electronic Systems. Wiley
Instercience Publication. Second Edition. New York. 1987.

[10] Golberi de Salvador Ferreira e Mauro Faccioni Filho. Poluio e Compatibilidade
Eletromagntica em Sistemas de Comunicao. CTAI. Florianpolis. 2.002.
112
[11] Guilherme A. D. Dias e Marcos Tello. Compatibilidade Eletromagntica em
Subestaes de Alta Tenso. XV SNPTEE. Foz do Iguau. 1.999.

[12] Silvrio Visacro Filho. Aterramentos Eltricos, Conceitos Bsicos, Tcnicas de
Medio e Instrumentao e Filosofias de Aterramento. Ed. Artliber. So Paulo.
2002.

[13] NBR 5419: 2001. Proteo de Estruturas contra Descargas Atmosfricas. ABNT.

[14] NBR 7117:1981. Medio da Resistividade do Solo pelo Mtodo dos Quatro
Pontos (Wenner). ABNT.

[15] Apostila: Compatibilidade Eletromagntica. Disponvel para pessoas cadastradas no
site www.schneiderelectric.com.br. Ultima visita em 02/01/2008.

[16] Osmar Pinto Jr., Iara R. C. A. Pinto. Tempestades e Relmpagos no Brasil. INPE.
So Jos dos Campos. 2000.

[17] Geraldo Kindermann. Descargas Atmosfricas. 2 Edio. Sagra Luzzatto Editores.
Porto Alegre. 1.997.

[18] Ibrahim A. Metwally and Fridolim H. Heider, Improvement of the Lightning
Shielding Performance of Overhead Transmission Lines by Passive Shield Wires.
IEEE Transactions on Eletromagnetic Compatibility, vol. 45, nr. 2, pp. 378-391, May
2003.

[19] Apostila: Proteo contra Descargas Atmosfricas. Disponvel para pessoas
cadastradas no site www.schneiderelectric.com.br. Ultima visita em 02/01/2008.

[20] Adolar Ricardo Bohn. Apostila: Projeto de Sistemas de Proteo contra Descargas
Atmosfricas. Disponvel em http://www.centralmat.com.br/Artigos/Mais/projeto.
Ultima visita em 17/01/2008.

113
[21] Termotcnica Ind. Com. Ltda. Apostila: SPDA (Sistemas de Proteo contra
Descargas Eltricas Atmosfricas). (Fonte: NBR-5419 / 2001 da ABNT). 4 Edio.
Belo Horizonte. 2.003.

[22] Ibrahim A. Metwally, Fridolim H. Heider, and Wolfgang J. Zischank, Magnetic
Fields and Loop Voltages Inside Reduced and Full-Scale Structures Produced by
Direct Ligthning Strikes. IEEE Transactions on Eletromagnetic Compatibility, vol.
48, nr. 2, pp. 414-426, May 2006.

[23] Carlos Moreira Leite. Tcnica de Aterramentos Eltricos. 2 Edio. Officina de
Mydia. So Paulo. 1.996.

[24] Daisy Spolidoro Ferreira Gomes. Aterramentos e Proteo contra Sobretenses em
Sistemas Areos de Distribuio. Volume 7. EDUFF. Niteri. 1.990.

[25] Luciano Martins Neto. Apostila: Tcnicas para o Clculo de Projetos de
Aterramentos Eltricos. UFU. Uberlndia. 1.991.

[26] Yaqing Liu. Transient Response of Grounding Systems Caused by Ligthtning:
Modelling and Experiments. Uppsala University. 2004.

[27] Geraldo Kindermann. Aterramento Eltrico. 5 Edio. UFSC. Florianpolis, 2.002.

[28] Yanqing Gao, Rong Zeng, Jinliang He and Xidong Liang, Loss Transmission-line
Model Grounding Electrodes Considering Soil Ionization of Lightning Impulse, 0-
7803-7277-8/02/$10.002002 IEEE, pp. 294-298, August 2002.

[29] V. D. Selemir, A. S. Kravchenko, V. A. Zolotov, A. S. Yurizhev, M. M. Saitkulov, O.
M. Tatsenko, A. N. Moiseenko, I. M. Markevtsev, V. F. Bukharov, S. V. Bulychev,
Reproduction of Current Pulse of Lightning Discharge of Positive Lightning with
Amplitude of 90kA on Lightning Rod Using MCG Based Power Source. IEEE, pp.
179-182, August 2002.

114
[30] Marcos Andre de Frota Mattos, Grounding Grids Transient Simulation, IEEE
Transactions on Power Delivery, vol. 20, nr. 2, pp. 1370-1378, April 2005.

[31] Paulo Jose Clebicar Nogueira. Dissertao de Mestrado: Influncia da Estratificao
do Solo na Impedncia de Aterramentos de Linhas de Transmisso. PUC-MG.
Belo Horizonte. 2.002.

[32] Carlos Antonio Franca Sartori. Tese de Doutorado: Aspectos de Compatibilidade
Eletromagntica em Estruturas Atingidas por Descargas Atmosfricas. USP. So
Paulo. 1.999.

[33] Golberi S. Ferreira, Jony L. Silveira, Adroaldo Raizer, TLM (Transmission-line
Modeling Method) Applied to Grounding, IEEE, pp. 1123-1126, 2001.

[34] Hugo A. D. Almaguer e Adroaldo Raizer. Aplicao do Mtodo TLM no Estudo da
Interao dos Campos Irradiados por Telefones Celulares com a Cabea Humana.
RBEB. 2.002.

[35] Christos Christopoulos. The Transmission-Line Modeling Method (TLM). Oxford
University Press. 1.995.

[36] Mauro Faccioni Filho. Tese de Doutorado: Estudos de Modelagem Eletromagntica
com o Mtodo das Linhas de Transmisso (TLM). UFSC. Florianpolis. 2001.

[37] Golberi de Salvador Ferreira. Tese de Doutorado: Modelagem Numrica de
Problemas de Compatibilidade Eletromagntica Utilizando TLM (Transmission-
Line Modeling Method). UFSC. Florianpolis. 1.999.

[38] AS 2067-1984 Switchgear assemblies and ancillary equipment for alternating
voltages above 11 kV.

[39] C. F. Dalziel. Threshold 60 cycle fibrillating currents. AIEE transactions on power
apparatus and systems v 79, n 50, Part 3(60-40):667-673 Oct 1960.

115
[40] W. B. Kouwenhoven, G. G. Knickerbocker, R. W. Chestnut, W. R. Milnor, D. J. Sass.
AC shocks on varying parameters affecting the heart. Ibid., pt I (Communications
and electronics) vol. 78, May 1959, pp 163-69.

[41] G. Biegelmeier, W. R. Lee. New considerations on the threshold of ventricular
fibrillation. IEEE Proceedings Vol 127, No 2, Pt A, March 1980.

[42] Australian Standard AS/NZS 60479:2001 Effects of current on human beings and
livestock.

[43] IEC 60990:1999 Methods of measurement of touch current and protective
conductor current.

[44] ESAA EG-1:2000 Substation Earthing Guide.

[45] Ronald J. Wonncott e Thomas H. Wonncott. Fundamentos de Estatstica. Ed. LTC.
Rio de Janeiro. 1.985.

[46] Caldeira Duarte e Anabela Pereira. Probabilidades e Estatstica. EST/IPT. Setbal-
PT. 1990.

[47] http://www.mspc.eng.br/matm/prob_est240.shtml. Probabilidade e Estatstica.
Ultima visita em 17/01/2008.

[48] Athanasios Papoulis. Probability, Random Variables, and Stochastic Processes.
Ed. Mc Graw-Hill. Second Edition. New York-USA. 1.984.

[49] Luciano Cajado Costa. Teoria das Filas. Disponvel em
http://www.decom.ufop.br/prof/rduarte/CIC271/TeoriaFilas_Cajado.pdf. Ultima visita em
17/01/2008.

[50] Leonardo R.A.X. de Menezes, Joo Batista J. Pereira, Geovany A. Borges. Statistical
Model of Induced Ground Voltage Using the TLM Method. Submitted to ACES
Nov 16
th
, 2007.
116
[51] G. P. Caixeta, J. Pissolato Filho, Electromagnetic Fields Generated by Lightning
on Protection Structures of Telecommunication Centers, 0-7803-4240-
6/97/$10.001997 IEEE, pp. 274-278, June 1997.

[52] Carlos M. Leite e Mario Leite P. Filho. Malhas de Aterramento, Tcnicas de
Aterramentos Eltricos. Ed. Officina de Mydia. So Paulo. 2007.

[53] Emanuel dos S. Souza Jr, Rodrigo M. S. de Oliveira e Carlos Lenidas da S. S.
Sobrinho. Desenvolvimento de Ambiente Computacional para Simulao do
Mtodo de Wenner. UFPA-DEEC. Belm-PA. 2007.

[54] Yaqing Liu, Mihael Zitnik and Rajeev Thottappillil, An Improved Transmission-
Line Model of Grounding System, Proc. IEEE, vol. 43, nr. 3, pp. 348-355, August
2001.

[55] Leonardo R.A.X. de Menezes, Joo Batista J. Pereira, Geovany A. Borges. Statistical
Analysis of Induced Ground Voltage Using the TLM+UT Method. Submitted to EMC-
2008. Agu 18
th
, 2008.

[56] - Eduardo T. Tuma, Ronaldo O. dos Santos, Rodrigo M. S. de Oliveira e Carlos
Lenidas da S. S. Sobrinho, Anlise do Comportamento Transitrio dos Parmetros de
Sistemas de Aterramento usando o Mtodo FDTD, UFPA.

117
BIBLIOGRAFIA

- Hans R. Seedher, and J. K. Arora, A Practical Approach for Computation on Grid
Current. IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 14, nr. 3, pp. 897-902, July 1999.

- Rong Zeng, Peng Kang, Jinliang He, Bo Zhang, Shuiming Chen, and Jun Zou, Lightning
Transient Performance Analysis of Substation Based on Complete Transmission Line
Model of Power Network and Grounding Systems, IEEE Transactions on Magnetics,
vol. 42, nr. 4, pp. 875-878, April 2006.

- G. P. Caixeta and J. Pissolato Filho. Electromagnetic Fields Generated By Lightning
on Protection Structures of Telecommunication Centers. IEEE, pp. 374-378, June
1997.

- G. P. Caixeta and J. Pissolato Filho. Analysis of Electromagnetic Fields Generated By
Lightning in Different Configurations of Protection Structures. IEEE, pp. 171-175,
1999.

- G. A. Borges, and L. R. A. X. de Menezes, Uncertainty Propagation in Transmission
Line Modelling (TLM) Method. International Journal of Numerical Modeling: Electronic
Networks, Devices and Fields, January, 2007.

- Ronald J. Wonnnacott and Thomas H. Wonnnacott. Fundamentos de Estatstica.
Editora LTC. Rio de Janeiro. 1985.

- William H. Hayt Jr. Eletromagnetismo. Editora LTC. Terceira Edio. Rio de Janeiro.
1994.

- S. J. Barberini e W. A. Artuzi Jr. Anlise Eletrodinmica em Eletrodos de
Aterramento usando o Mtodo FDTD. UFPR. 2004.
- Marcos A. F. Mattos. Simulao Numrica do Lder Passado. GROUND2004 and 1
st

LPE, November, 2004.

118
- C. Christopoulos, Application of the TLM to Equipament Shielding Problems. IEEE,
pp. 188-193. April 1998.

- Chritos Christopoulos, and Jonathan L. Harring. The Application of Transmission-Line
Modeling (TLM) to Electromagnetic Compatibility Problems. IEEE Transactions on
Eletromagnetic Compatibility, vol. 35, nr. 2, pp.185-191, May 1993.

- P. Argus, P. Fischer, A. Konrad, A. J. Schwab, Efficient Modeling of Apertures in Thin
Conducting Screens by the TLM Method. IEEE, pp.101-106, Feb 1998.

- A. P. Duffy, T. M. Benson and C. Christopoulos. A Computationally Efficient Method
for Studying the Behaviour of Complex Systems Containing Thin Wires. IEE
Electromagnetic Compatibility Conferece Publication nr. 396, pp. 274-281, September.

- Dulio Morreira Leite. Proteo contra Descargas Atmosfrica. Volume I. MM Editora.
So Paulo. 1.993.

- D. Spolidoro F. Gomes et alii, Aterramento e Proteo contra Sobretenses em
Sistemas Areos de Distribuio, Niteri/RJ, EDUFF, 1990.

- M. Faccioni Filho, G. S. Ferreira, A. Raizer, Non-linear Device Modeling for Transient
Suppression, in Proc. IEEE CEFC'98, Arizona, June 1998.

- R. Kascher Moreira. Dissertao de Mestrado: Estudos de Protetores Hbridos Contra
Transitrios Eltricos para Aplicao em Linhas de Telecomunicaes. UFMG. Belo
Horizonte/MG, 1997.

- Ary V. S. Filho e Luciano M. Neto. Uma Modelagem da Resistncia de Aterramento
sob Descarga Atmosfrica. UFU. Uberlndia. 2.001.

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