UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA

RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS
-LABORATORIO-

CURSO

: CIRCUITOS ANALGICOS I

DOCENTE : ING. GUILLERMO EVANGELISTA ADRIANZN

INTEGRANTES

: HERNNDEZ SUREZ, JORGE ARMANDO. PINEDO LUJN, ERIC GERARDO. RODRGUEZ DVILA, ERICK JESS. JARA POLO, JOSE DANIEL.

CICLO

: V

SEMESTRE : 2013 10

TRUJILLO PER

RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS
I.
-

OBJETIVOS
Estudiar las caractersticas no lineales de las resistencias semiconductoras. Utilizar los instrumentos electrnicos y desarrollar habilidades en la armada de circuitos. Construir la curva caracterstica para cada elemento.

II.

FUNDAMENTO TEORICO

Las resistencias semiconductoras, se basan en el principio de los semiconductores para lo cual debe cumplir dos propiedades necesarias para ser considerados como tales, que son: - Su resistividad es intermedia, entre los conductores y aislantes. - Esta resistividad debe poder ser controlada por algn mtodo, ya sea por dopaje, temperatura, campo elctrico, etc. As se da a lugar a diferentes componentes electrnicos: - Termistores NTC y PTC - Fotoresistencias (LDR) - Varistores (VDR)

III.

MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS

Materiales 1 Foco de 120mA-12V 1 resistencia 100 2W 1 resistencia de 1k 1 resistencia de 502 1 resistencia de 5k 1 resistencia de 10k 1 resistencia de 270k 1 Fotorresistencia LDR 1 Termistor NTC-502 Protoboard Cablecillos Instrumentos 1 Fuente doble DC 1 Voltmetro 1 Ohmmetro

0.01V 0,01

IV.

PROCEDIMIENTO

a) Curva caracterstica de un foco de filamento. Armar el circuito de la figura, verificando la correcta conexin y el valor de la resistencia del foco, que debe ser del mismo rango que la resistencia serie.

Variar la tensin de la fuente V1, medir los valores de Vf y VR

Calcular de la corriente: I = VR / R Calcular el valor de la resistencia del foco: Rf = Vf / I SIMULACIN: PROTEUS ISIS

b) Curva caracterstica de un termistor NTC

Verificar que la resistencia serie R1 sea del mismo rango que el termistor y que en ningn caso se exceda de 20 mA, de corriente de polarizacin. En este caso, el foco trabajar como una fuente trmica, conectado directamente a V. Variar la tensin V1 y tomar las lecturas de VR y VT en el termistor. Cuidar de no exceder al voltaje de trabajo del foco. En el experimento se obtuvieron los siguientes datos: Observacin: Para esta experiencia utilizamos el termistor NTC-502 ohmios y una resistencia R=502 en lugar de la de 470 ohmios. el valor de la corriente en el termistor I = VR / R el valor de la resistencia RT = VT / I

SIMULACIN: ISIS PROTEUS

c) Curva caracterstica de una fotorresistencia LDR Con el mismo circuito anterior, colocar una LDR en el lugar del termistor y en serie colocar una resistencia de 270K Proceder con los mismos pasos del caso anterior. En este caso el foco ser una fuente de luz para la fotorresistencia.

R=270K SIMULACIN: ISIS PROTEUS

V.

RESULTADOS
CURVA CARACTERSTICA DE UN FOCO DE FILAMENTO:

V1 Vf VR I Rf

2 4 6 8 10 12 14 16 VDC 0.71 1.45 3.13 4.47 5.87 7.35 8.83 10.33 VDC 1.27 2.15 2.820 3.461 4.064 4.603 5.116 5.613 VDC 12.70 21.15 28.20 34.61 40.64 46.03 51.16 56.13 mA 55.91 67.44 111.03 129.21 144.49 159.68 172.6 184.04 Ohmios CURVA CARCTERSTICA DE UN TERMISTOR NTC: 0 1.89 3.11 3.76 827.13

V VR VT I RT

2 1.92 3.08 3.82 806.28

4 2.03 2.97 4.04 735.15

6 2.13 2.87 4.24 676.89

8 2.27 2.73 4.52 603.98

10 2.37 2.63 4.72 557.20

12 2.48 2.52 4.94 510.12

VDC VDC VDC mA Ohmios

CURVA CARACTERSTICA DE LA LDR:

V VR VL I RL IV.

0 4.39 0.52 16.26 31.98

2 4.53 0.42 16.78 25.03

4 4.95 0.06 18.33 3.27

6 4.99 0.017 18.48 0.92

8 5.00 0.01 18.52 0.54

10 5.01 0.01 18.56 0.54

12 5.01 0.003 18.56 0.16

VDC VDC VDC mA Ohmios

CUESTIONARIO
1. Hacer una introduccin terica del fundamento de conduccin de los

semiconductores. Movilidad y Conductividad en los semiconductores En los semiconductores la corriente elctrica es el resultado del movimiento de electrones libres y huecos. Esto est asociado a dos fenmenos:
a) Densidad De Corriente de Arrastre: Se origina por el movimiento de las cargas

cuando se le aplica un campo elctrico. Esto causa los siguientes efectos: En los electrones libres: La fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo elctrico aplicado. La densidad de corriente elctrica (nmero de cargas que

atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) queda determinada por la siguiente ecuacin: Jn=un*n*q*E Donde: Jn= Densidad de corriente de los electrones [A / cm2] un= Movilidad de los electrones en el material [cm2/ V *s] n= Concentracin de los electrones [cm-3] q= Carga elctrica [1,6 * 10-19C] E= Campo elctrico aplicado. [V/ cm] En los huecos: El campo elctrico aplicado ejerce una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. La carga neta del hueco vacante es positiva y, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. La densidad de corriente de los huecos es: Jp=up*p*q*E Donde: Jp= Densidad de corriente de los huecos [A / cm2] up= Movilidad de los huecos en el material [cm2/ V *s] p= Concentracin de huecos [cm-3] q= Carga elctrica [1,6 * 10-19C] E= Campo elctrico aplicado. [V/ cm] Por tanto la densidad de corriente total por arrastre es: Jarrastre total = Jn + Jp b) Densidad De Corriente de Difusin: Los electrones y huecos van de regiones de mayor concentracin a regiones de
menor concentracin (en sentido del gradiente de concentracin) para favorecer el equilibrio de las cargas. La densidad de corriente de difusin queda determinada por:

J=-D*q*n J=-D*q*p

Donde: J= Densidad de corriente [A/cm ] 2 D= Constante de Difusin o Difusividad [cm /s] 19 q= : Carga elctrica [1,6 * 10 C] -3 n o p = : Gradiente de concentracin de electrones (o huecos) [ cm ] La densidad de corriente de difusin total puede expresarse de manera unidimensional mediante: Jdifusion total= q*Dn* -q*Dp* Donde: 2 Jdifusion total = Densidad de Difusin total [A/ cm ] 2 Dp = Difusividad de los huecos [cm / s] 2 Dn = Difusividad de los electrones [cm / s] -3 n= Concentracin de electrones [cm ] -3 p= Concentracin de huecos [cm ] 19 q = : Carga elctrica [1,6 * 10 C] http://www.iutlv.edu.ve/iutlv/materia/fundamento/modulo.pdf
2. Explicar la variacin de la resistencia del filamento conductor en el foquito
2

incandescente Los focos incandescentes son termo-radiadores En un bulbo cerrado, lleno de gas, una corriente elctrica pasa a travs de un filamento de tungsteno hacindolo brillar. Con este mtodo de generacin de la luz solamente el 5% de la energa se convierte en luz. El resto de la energa se pierde convertida en calor.

http://www.osram.ec/osram_ec/Productos_Consumo/Iluminacion_para_el_hogar/Fo cos_incandescentes/index.html

Clculo de la Resistencia de un conductor para Otra Temperatura

= Coeficiente de temperatura a 20 C t = t - 20 = Elevacin de temperatura en C De acuerdo con la formula anterior la resistividad de un metal (en este caso tungsteno) aumenta con la temperatura, lo que implica un aumento de su resistencia con la temperatura de acuerdo a la siguiente formula:

http://www.tuveras.com/electrotecnia/resistividad/resistividad.htm

En nuestros datos, al aumentar el voltaje en el foco, aumenta su temperatura por la mayor corriente que fluye a travs de l, lo que ocasiona un aumento en su resistencia elctrica.

3. Enumerar las resistencias semiconductoras y sus aplicaciones en electrnica.

I.
NTC

TERMISTORES:

Es una resistencia cuyo valor hmico depende de la temperatura. Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del valor hmico a medida que aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo.

PTC Es una resistencia cuyo valor hmico depende de la temperatura. Esta resistencia se caracteriza por el aumento del valor hmico a medida que aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura positivo.

II.

FOTORRESISTNCIA

Tambin conocido como LDR, cuya resistividad depende de la luz incidente.

III.

VARISTORES:

Tambin conocido como VDR, cuya resistividad depende del voltaje aplicado. La propiedad que caracteriza esta resistencia consiste en que disminuye su valor hmico cundo aumenta la tensin entre sus extremos.

Alcalde, P. (2010). Resistencias, potencias y energa elctrica. En: Electrnica General. (2 ed., pp. 31-33). Madrid, Espaa: Paraninfo (*)

4.

Grficas de las Curvas:

CURVA CARACTERSTICA DE UN FOCO DE FILAMENTO:

CURVA CARCTERSTICA DE UN TERMISTOR NTC:

CURVA CARACTERSTICA DE LA LDR:

5.- Apreciaciones y conclusiones de la experiencia realizada. APRECIACIONES: En el primer caso del foco de filamento, por ser una resistencia semiconductora tipo PTC, por lo que depende mucho del metal en uso por lo que a ms temperatura aumenta su resistividad. Donde se observ que cuando esta sin conexin a fuente el foco tiene una resistencia baja y cuando se va aumentando el voltaje el foco se pone incandescente y aumenta progresivamente el brillo, por lo que su grafica es exponencial. En el segundo caso, la resistencia que est en el mismo rango que el termistor NTC es para que el voltaje se reparta en la mitad y no influya en los resultados de la grfica. En el tercer caso, se aprecia la colocacin de una resistencia en serie con el LDR, la cual se utiliza para que no exista ningn corto circuito de la fuente cuando al aumentar el voltaje de la fuente, el voltaje del LDR disminuye a casi cero soportando toda la carga la resistencia.

CONCLUSIONES: En el caso de las resistencias semiconductoras, por tener como caracterstica fundamental que su resistividad sea controlada por algn medio como en este caso por la temperatura se halla una curva caracterstica de cada tipo de resistencia semiconductora como tener un Coeficiente Positivo con la Temperatura (PTC) como el foco o que tengan un Coeficiente Negativo con la Temperatura(NTC) como el termistor NTC y el LDR

IV.

ANEXOS
Datashett NTC serie TTC 501 ohmios. Simulacin1 Simulacin2 Simulacin3 Grficas en Matlab