Unidad 2.

Transistor bipolar (BJT)

2.1. Caractersticas, parmetros y punto de operacin. 2.2. Configuraciones de polarizacin. 2.2.1. Emisor comn. 2.2.1.1. Polarizacin fija. 2.2.1.2. Polarizacin de emisor. 2.2.1.3. Polarizacin por divisor de voltaje. 2.2.1.4. Polarizacin por realimentacin de colector. 2.2.2. Base comn. 2.2.3. Colector comn. 2.3. Conmutacin. 2.4. Estabilidad.

2.1 Caractersticas, Parametros Y Punto De Operacion

Para los amplificadores a transistor, la corriente de dc para establecer un nivel fijo de corriente de voltaje. Para los amplificadores a transistor, la corriente de dc y el voltaje resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal aplicada. Debido a que el punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas, se le denomina tambin como punto de reposo. El circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la regin activa. Los valores mximos se indican en las caractersticas de la figura 4.1 con la lnea horizontal para la corriente mxima del colector Icmax y con la lnea vertical para el voltaje mximo del colector-emisor VCEmax. En el extremo inferior de las escalas, se encuentra la regin de corte, que se define por IB<= 0uA, y la regin de saturacin, definida por VCE<=VCEsum.

Para que un BJT pueda polarizarse en su regin lineal o activa, deben cumplirse las siguientes condiciones: La unin base-emisor debe estar en polarizacin directa, con un voltaje resultante en polarizacin directa entre 0.6 y 0.7V.

La unin base-colector debe estar en polarizacin inversa, con el voltaje de polarizacin inversa, con el voltaje de polarizacin inversa dentro de los limites mximos del dispositivo. La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de las caractersticas del BJT se proporcionan a continuacin:

1. Operacin en regin lineal:

Union base-emisor en polarizacin directa Union base-colector en polarizacin inversa

2. Operacin en regin de corte:

Union base-emisor en polarizacin inversa Union base-colector en polarizacin inversa

3. Operacin en regin de saturacin:

Union base-emisor en polarizacin directa Union base-colector en polarizacin directa

2.2 Configuraciones De Polarizacion.

2.2.1 Emisor comn.
La configuracin de transistor que se encuentra mas frecuentemente aparece en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida. Una vez mas, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir completamente el comportamiento de la configuracin de emisor-comun: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y otro para elcircuito de entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de colector-emisor.Ambos se muestran en la figura 3.14

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional real para la corriente. Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida representan una grafica de la corriente de salida (Ic) en funcin del voltaje de entrada (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (IB).Las caractersticas de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE). En la regin activa de un amplificador de emisor comn, la unin base-emisor se encuentra en polarizacin directa, mientras que la unin colector-base se encuentra en polarizacin inversa. A la corriente del colector definida por la condicin IB=0uA se le asignara la notacin que

indica la ecuacin 3.9

Ejemplo:

2.2.1.1. POLARIZACION FIJA

El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2, proporciona una introduccin relativamente directa y simple al anlisis de la polarizacin en dc de los transistores. Incluso aunque la red utiliza una configuracin de transistor npn, las ecuaciones y los clculos aplican de igual forma para las configuraciones del transistor pnp cambiando simplemente todas las direcciones de corriente y las polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son direcciones reales, y los voltajes estn definidos por la notacin estndar de doble subndice. Para el anlisis de dc, la red puede aislarse de los niveles de ac indicados reemplazando los capacitoes con equivalentes de circuito abierto. Ademas, la fuente dc de voltaje Vcc puede dividirse en dos fuentes, como se muestra en la figura 4.3, para permitir una separacin de los circuitos de entrada de los de salida, esto tambin reduce la conexin entre las dos, con la corriente de la base IB. La separacin es sin duda valida como se observa en la figura 4.3, donde Vcc se encuentra conectada directamente a RB y a Rc, justo como en la figura 4.2

POLARIZACION DIRECTA DE BASE-EMISOR Considere primeramente la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4.Al escribir la ecuacin de voltaje de Kirchoff, en direccin de las manecillas del reloj, obtenemos

Al resolver la ecuacin para la corriente IB el resultado es el siguiente:

El voltaje a travs de RB ser igual al voltaje aplicado en un extremo, menos la cada a travs de la unin base- emisor (VBE). Ademas, debido a que tanto el voltaje fuente VCC como el voltaje base-emisor VBE son constantes, la seleccin de resistor de la base RB, establecera el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.

MALLA COLECTOR-EMISOR En la figura 4.5 se presenta la seccin colector-emisor de la red, junto con la direccin de la corriente Ic indicada y la polaridad resultante sobre Rc.La magnitud de la corriente del colector se encuentra relacionada directamente con IB mediante

Si aplicamos la ley de voltajes de Kirchoff en direccin de las manecillas del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 4.5, tendremoslo siguiente:

La cual establece en palabras que el voltaje a travs de la regin colector-emisor de un transistor en la configuracin de polarizacin fija es igual a la fuente de voltaje menos la cada de voltaje en Rc.

Donde VCE es el voltaje colector-emisor y Vc y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra respectivamente.Pero en este caso, dado que VE=0V, tenemos

Ademas, ya que

Y como VE=0V, entonces

Ejemplo Determine lo siguiente para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.7

a) b) c) d)

IBQ e ICQ VCEQ VB y Vc VBC

Solucin

d) Al utilizar notacin doble subndice tenemos

SATURACION DEL TRANSISTOR El termino saturacin se alica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los valores mximos. Las condiciones de saturacin se evitan normalmente porque la unin base-colector ya no se encuentra en polarizacin inversa y la seal amplificada de salida se distorcionara. En la figura 4.8a se describe un punto de operacin en la regin de saturacin. Si aproximamos las curvas de la figura 4.8a con aquellas que aparecen en la figura 4.8b, se distinge de forma evidente un mtodo directo para determinar el nivel de saturacin. En la figura 4.8b, la corriente es relativamente alta, y el voltaje VCE se asume de 0V.

La corriente de saturacin resultante para la configuracin de polarizacin fija es:

Determine el nivel de saturacin para la red de la figura 4.7 Solucion

MALLA BASE-EMISOR

2.2.1.2. POLARIZACION DE EMISOR

La red de polarizacin de dc de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad de la configuracin en polarizacin fija.

La malla base-emisor de la red de la figura 4.17 puede volverse a dibujar como se muestra en la figura 4.18.Al utilizar la ley de voltaje de Kirchoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj el resultado sela la siguiente ecuacin

Para la configuracin de la figura 4.20.

Malla colector-emisor
La malla colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Despues de utilizar la ley de voltaje de Kirchoff, en el sentido de las manecillas del reloj tendremos:

Al sustituirIE ~=Ic y agrupar los trminos obtenemos

El voltaje con subndice sencillo VE esel voltaje del emisor a tierra y se determina por

Mientras que el voltaje del colector a tierra puede determinarse mediante

El voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse mediante

Ejemplo Para la red de polarizacin en emisor de la figura 4.22, determine

a) b) c) d) e) f) g)

IB Ic VCE Vc VE VB VBC

2.2.1.3. POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

La configuracin de divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red que cumple con ciertas condiciones.Si esta se analiza sobre una base rigurosa, la sensibilidad a Cambios en beta es muy pequea. Si los parmetros del circuito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de Ic yVCEQ llegan a ser casi totalmente independientes de beta. Un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ como se alterara con cambios en beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se emplean parmetros apropiados al circuito. Existen dos mtodos que pueden aplicarse para analizar la configuraion por divisin de voltaje.

Metodo exacto Metodo aproximado

Analisis exacto: La parte de la entrada en la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar como se presenta en la figura 4.27 para el anlisis de dc. La red equivalente de Thevenin para la red a la izquierda de la terminal de la base puede determinarse de la siguiente

forma:

RTH: La fuente de voltaje se remplazara por un equivalente como se muestra en la figura 4.28

ETH:La fuente de voltaje Vcc se reincorpora a la rewd y sew calcuka el voltaje de Thevenin de circuito abierto de la figura 4.29

Ejemplo

Analisis aproximado La seccin de entrada de la configuracin por divisor de voltaje puede ser representada por la red de la figura 4.32

La resistencia R1 es la resistencia equivalente entre la base y la tierra para el transistor con unresistor en el emisor RE. Si R1 es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 e I2 sera aproximadamente igual a I1.El voltaje a travs de R2 puede determinarse mediante la regla del divisor de voltaje. Esto es:

Una vez que VB se determino el nivel de VE puede ser calculado con:

Y la corriente del emisor se determina a partir de :

El voltaje colector a emisor se determina por:

Ejemplo

2.2.1.4. Polarizacin por realimentacin de colector.

El circuito es el siguiente:

Este circuito trabaja de la siguiente manera: Si aumenta, entonces iC aumenta, provocando que vCE disminuya, esto a su vez produce un decremento en la tensin de RB .

Como el voltaje de RB disminuye, la corriente de base se hace mas pequea que le calor inicial, esto compensa el incremento en la corriente de colector. Una propiedad interesante de este tipo de polarizacin es que el transistor nunca se satura aun cuando RB sea igual a cero. A medida que RB va disminuyendo el punto de operacin Q se desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que vCE nunca puede ser menor a 0.7V. La base y el colector es un mismo punto cuando RB 0 y el transistor funciona en este caso como un diodo.

2.2.2. Base comn.

La configuracin de base comn con transistores PNP y NPN se muestran en la figura 3.6. La terminologa base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto para la parte de entrada como para la de salida de la configuracin. Adems, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. Recuerde que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de la conduccin para la corriente convencional. Para el transistor: La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales como las define la eleccin del flujo convencional. Observe, en cada caso, que IE = IC + IB. Observe tambin que la polaridad aplicada (fuentes de voltaje) es tal que permite establecer una corriente en la direccin que se indica para cada rama. Es decir, compare la direccin de IE con la polaridad VEE para cada configuracin y la direccin de IC con polaridad de VCC. Para describir completamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como el caso de los amplificadores de base comn de la 3.6 se requiere de dos conjuntos de caractersticas: uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para la parte de la salida. Como se muestra en la figura 3.7, el conjunto de entradas para el amplificador de base comn relaciona la corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para distintos niveles de voltaje e salida (VCB). El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida (VCB) para distintos niveles de corriente de entrada (IE), segn se muestra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o del colector cuenta con tres regiones bsicas de inters, como se indica en la figura 3.8: la regin activa, la de corte y la de saturacin. La regin activa es la regin que por lo general se utiliza para los amplificadores lineales (sin distorsin) En particular: En la regin activa la unin base-emisor se encuentra polarizada de forma directa, mientras que la unin colector-base se encuentra polarizado de forma inversa. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En la parte inferior de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero, la corriente del colector

simplemente es igual, debido a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 3.9. La corriente ICO es tan pequea que la magnitud (microamperes) en comparacin con la escala vertical de IC (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0.

Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestran en la figura 3.9. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en las hojas de especificaciones y datos es ICBO, como se indica en la figura 3.9. Gracias a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general (especialmente el silicio) en rangos de potencia baja y mediana, es por lo regular tan bajo, que su efecto puede ignorarse. Con todo, para unidades de mayor potencia, ICBO todava se presentar en el rango de los microamperes. Adems, recuerde que tanto ICBO como IS, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta rpidamente con la temperatura.

Observe en la figura 3.8 que a medida que la corriente del emisor se incrementa por encima de cero, la corriente del colector se incrementa hasta una magnitud esencialmente igual a aquella de la corriente del emisor, como se determina por las relaciones bsicas de corriente en el transistor. Ntese tambin, el efecto casi imperceptible de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas claramente indican que una primera aproximacin para la relacin entre IE e IC en la regin activa est dada por:

Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como la regin donde la corriente del colector es 0 A, como lo indica la figura 3.8. Adems: En la regin de corte, tanto la unin base-emisor como la unin colector-base de un transistor se encuentran en polarizacin inversa. Polarizacin La polarizacin correcta para la configuracin base comn en la regin activa se puede determinar rpidamente, si se utiliza la aproximacin IC IE y se asume, por el momento, que IB 0A. El resultado ser la configuracin de la figura 3.11 para el transistor PNP. La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Luego se insertan las fuentes de dc con una polaridad tal que respaldarn la direccin resultante de la corriente. Para el transistor NPN las polaridades se invertiran.

2.2.3. Colector comn

La configuracin colector comn se muestra en la figura 3.20, junto con las direcciones adecuadas de corriente y su notacin de voltaje. La configuracin colector comn se utiliza principalmente para propsitos del acoplamiento de impedancias, ya que cuenta con una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de forma contraria a las impedancias de las configuraciones de base comn y las de emisor comn.

En la figura 3.21 se proporciona una configuracin de circuito colector comn, con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Observe que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de una manera similar a la configuracin de emisor comn. Para propsitos prcticos, las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son las mismas que para la configuracin de emisor comn. El eje horizontal del voltaje para la configuracin de colector comn las caractersticas de salida se grafican como IE en funcin de VCE para un rango de valores de IB. La corriente de entrada por tanto, ser la misma para ambas caractersticas, de emisor comn y de colector comn. El eje horizontal del voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene con slo cambiar el signo de voltaje del colector al emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, existir un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE para las caractersticas de colector comn (debido a que 1). Para el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas bsicas de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiere.

2.3. Conmutacion.
Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras. Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para

las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.

Figura 4.24. Transistor inversor. El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52. para estos propsitos se asumir que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de fabricacin). Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito est definido por: ICsat = Vcc/ Rc. Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima: IBSAT min = Icsat / RBMax = Von/IBsat min Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax. Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el circuito entre en corte.

La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

2.4. Estabilidad
La estabilidad de funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en el diseo de los mismos. El diseador no slo ha de asegurar que el circuito funciona, sino que lo hace dentro de los lmites mximos y mnimos indicados por las especificaciones del mismo. Adems ha de prever posibles eventualidades al funcionamiento que puedan hacer que el circuito deje de funcionar. La eleccin de la red de polarizacin de un transistor puede resultar clave a la hora de garantizar que el circuito se adaptar a nuestras expectativas.