Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Ordenar os elementos de modo que reflita as tendncias nas propriedades qumicas e fsicas. A primeira tentativa (Mendeleev e Meyer) ordenou os elementos em ordem crescente de massa atmica. Faltaram alguns elementos nesse esquema. Exemplo: em 1871, Mendeleev observou que a posio mais adequada para o As seria abaixo do P, e no do Si, o que deixou um elemento faltando abaixo do Si. Ele previu um nmero de propriedades para este elemento. Em 1886 o Ge foi descoberto. As propriedades do Ge se equiparam bem previso de Mendeleev.
Os eltrons esto presos ao ncleo, mas so repelidos pelos eltrons que os protegem da carga nuclear. A carga nuclear sofrida por um eltron depende da sua distncia do ncleo e do nmero de eltrons mais internos. Quando aumenta o nmero mdio de eltrons protetores (S), a carga nuclear efetiva (Zeff) diminui. Quando aumenta a distncia do ncleo, S aumenta e Zef diminui.
Todos os orbitais ns tm a mesma forma, mas tamanhos e nmeros de ns diferentes. Considere: He: 1s2, Ne: 1s2 2s22p6 e Ar: 1s2 2s22p6 3s23p6. A densidade eletrnica radial a probabilidade de se encontrar um eltron a uma determinada distncia.
Considere os orbitais s. Todos os orbitais s so esfricos e aumentam em tamanho quando n aumenta. A simetria esfrica dos orbitais pode ser vista nos mapas de relevos. Mapas de relevos so pontos conectados de densidade eletrnica igual.
Variao do Raio Atmico (r, em ) dos Elementos Qumicos em Funo do Incremento do Nmero Atmico (Z)
O tamanho do on tambm depende da carga nuclear, do nmero de eltrons e dos orbitais que contenham os eltrons de valncia.
Os ctions deixam vago o orbital mais volumoso e so menores do que os tomos que lhes do origem. Os nions adicionam eltrons ao orbital mais volumoso e so maiores do que os tomos que lhe do origem.
tomos O F Ne Na Mg Al
C. E. 1s2 2s2 2p4 1s2 2s2 2p5 1s2 2s2 2p6 1s2 2s2 2p6 3s1 1s2 2s2 2p6 3s2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1
C. E. 1s2 2s2 2p6 1s2 2s2 2p6 1s2 2s2 2p6 1s2 2s2 2p6
Energia de ionizao
A primeira energia de ionizao, I1, a quantidade de energia necessria para remover um eltron de um tomo gasoso:
Energia de Ionizao
Energia de Ionizao, I, a energia mnima necessria para remover um eltron de um elemento qumico na fase gasosa.
A(g) A+(g) + eI em eV = Energia adquirida por um eltron quando ele passa por uma diferena de potencial de 1 V. 1 eV = 96,49 kJmol-1.
I depende do tamanho do tomo, carga do ncleo, efeito de proteo das camadas internas do eltrons e do tipo de eltron envolvido.
Primeira Energia de Ionizao Segunda Energia de Ionizao Terceira Energia de Ionizao A(g) A+(g) + eA(g)+ A2+(g) + eA(g)2+ A3+(g) + e-
Energia de ionizao
Tendncias peridicas nas primeiras energias de ionizao
A energia de ionizao diminui medida que descemos em um grupo. Isso significa que o eltron mais externo mais facilmente removido ao descermos em um grupo. medida que o tomo aumenta, torna-se mais fcil remover um eltron do orbital mais volumoso. Geralmente a energia de ionizao aumenda ao longo do perodo. Ao longo de um perodo, Zef aumenta. Consequentemente, fica mais difcil remover um eltron. So duas as excees: a remoo do primeiro eltron p e a remoo do quarto eltron p.
Afinidade Eletrnica
Afinidade Eletrnica, Ae, pode ser definida como a variao da energia provocada pelo ganho de um eltron por um tomo neutro em estado gasoso. A(g) + e- A-(g) Ae determinada pelo nvel energtico do orbital desocupado de menor energia de um tomo no estado fundamental. Ae em eV ou kJmol-1, onde 1 eV = 96,49 kJmol-1. Ae pode ser positiva (processo endotrmico) ou negativa (processo exotrmico) e est relacionada variao da entalpia associada ao ganho de eltron por um tomo neutro em estado gasoso.
A Afinidade Eletrnica pode ser determinada indiretamente, atravs do ciclo de Haber-Born e est associada entalpia para o recebimento de um eltron por um tomo no estado fundamental e gasoso
K+(g)+e-(g)+Cl(g) 122 K+(g)+e-(g)+1/2Cl2 425 K+(g)+Cl-(g) -355
89
Eletronegatividade Eletronegatividade, , a tendncia de um tomo de atrair eltrons quando combinado num composto qumico.
A energia de ionizao (I) e a afinidade eletrnica (Ae) podem ser associadas Eletronegatividade. Eletronegatividade de Mulliken: M= (I + Ae)
Eletronegatividade de Pauling
Para um entendimento atravs de figuras sobre a localizao dos eltrons em um tomo, representamos os eltrons como pontos ao redor do smbolo do elemento. O nmero de eltrons disponveis para a ligao indicado por pontos desemparelhados. Esses smbolos so chamados smbolos de Lewis.
Todos os gases nobres, com exceo do He, tm uma configurao s2p6. A regra do octeto: os tomos tendem a ganhar, perder ou compartilhar eltrons at que eles estejam rodeados por 8 eltrons de valncia (4 pares de eltrons). Cuidado: existem vrias excees regra do octeto.
Ligao inica
Mapa da densidade eletrnica do floureto de ltio, LiF, e distribuio da densidade eletrnica dos ons F- e Li+ ao longo do eixo imaginrio que contm a ligao qumica Li-F. Os valores dos raios inicos so 133pm para o on cloreto e 76pm para o on ltio, considerando-se um nmero de coordenao igual a 6. Todos os valores foram obtidos experimentalmente.
Ligao inica
Energias envolvidas na formao da ligao inica
Energia de rede: a energia necessria para separar completamente um mol de um composto slido inico em ons gasosos. A energia de rede depende das cargas nos ons e dos tamanhos dos ons:
k uma constante (8,99 x 109 J m/C2), Q1 e Q2 so as cargas nas partculas e d a distncia entre seus centros.
Q1Q2 El k d
Ligao inica
Energias envolvidas na formao da ligao inica
A energia de rede aumenta medida que: As cargas nos ons aumentam A distncia entre os ons diminui
Ligao inica
Ligao inica
Configuraes eletrnicas de ons dos elementos representativos
Esses so derivados da configurao eletrnica dos elementos com o nmero necessrio de eltrons adicionados ou removidos do orbital mais acessvel. As configuraes eletrnicas podem prever a formao de on estvel: Mg: [Ne]3s2 Mg+: [Ne]3s1 no estvel Mg2+: [Ne] estvel Cl: [Ne]3s23p5 Cl-: [Ne]3s23p6 = [Ar] estvel
Ligao covalente
Quando dois tomos similares se ligam, nenhum deles quer perder ou ganhar um eltron para formar um octeto. Quando tomos similares se ligam, eles compartilham pares de eltrons para que cada um atinja o octeto. Cada par de eltrons compartilhado constitui uma ligao qumica. Por exemplo: H + H H2 tem eltrons em uma linha conectando os dois ncleos de H.
Ligao covalente
Ligao covalente
Estruturas de Lewis
As ligaes covalentes podem ser representadas pelos smbolos de Lewis dos elementos:
Cl
Cl
Cl Cl
Nas estruturas de Lewis, cada par de eltrons em uma ligao representado por uma nica linha:
Cl Cl
H F
H O H
H N H H
H H C H H
Ligao covalente
Ligaes mltiplas
possvel que mais de um par de eltrons seja compartilhado entre dois tomos (ligaes mltiplas): Um par de eltrons compartilhado = ligao simples (H2); Dois pares de eltrons compartilhados = ligao dupla (O2); Trs pares de eltrons compartilhados = ligao tripla (N2). H H O O N N
Em geral, a distncia entre os tomos ligados diminui medida que o nmero de pares de eltrons compartilhados aumenta.
Eletronegatividade: a habilidade de um tomo de atrair eltrons para si em certa molcula . Pauling estabeleceu as eletronegatividades em uma escala de 0,7 (Cs) a 4,0 (F). A eletronegatividade aumenta: ao logo de um perodo e ao descermos em um grupo.
A diferena na eletronegatividade entre dois tomos uma medida da polaridade de ligao: as diferenas de eletronegatividade prximas a 0 resultam em ligaes covalentes apolares (compartilhamento de eltrons igual ou quase igual); as diferenas de eletronegatividade prximas a 2 resultam em ligaes covalentes polares (compartilhamento de eltrons desigual); as diferenas de eletronegatividade prximas a 3 resultam em ligaes inicas (transferncia de eltrons).
No h distino acentuada entre os tipos de ligao. A extremidade positiva (ou polo) em uma ligao polar representada por + e o polo negativo por -.
Estruturas de ressonncia
Algumas molculas no so bem representadas pelas estruturas de Lewis. Normalmente, as estruturas com ligaes mltiplas podem ter estruturas similares s ligaes mltiplas entre diferentes pares de tomos.
Exemplo: experimentalmente, o oznio tem duas ligaes idnticas, ao passo que a estrutura de Lewis requer uma simples (mais longa) e uma ligao dupla (mais curta).
O O
As estruturas de ressonncia so tentativas de representar uma estrutura real, que uma mistura entre vrias possibilidades extremas.
Estruturas de ressonncia
Exemplo: no oznio, as possibilidades extremas tm uma ligao dupla e uma simples. A estrutura de ressonncia tem duas ligaes idnticas de carter intermedirio.
O O
O O
Ressonncia no benzeno
O benzeno consiste de seis tomos de carbono em um anel hexagonal. Cada tomo de C est ligado a dois outros tomos de C e um tomo de hidrognio. Existem ligaes simples e duplas alternadas entre os tomos de C.
A estrutura experimental do benzeno mostra que todas as ligaes C-C tm o mesmo comprimento. Da mesma forma, sua estrutura mostra que o benzeno plano.
Modelo RPENV
Para se determinar a forma de uma molcula, fazemos a distino entre pares de eltrons solitrios (ou pares noligantes, aqueles fora de uma ligao) e pares ligantes (aqueles encontrados entre dois tomos). Definimos o arranjo eletrnico pelas posies no espao 3D de TODOS os pares de eltrons (ligantes ou no ligantes). Os eltrons assumem um arranjo no espao para minimizar a repulso e--e-.
Modelo RPENV
Para determinar o arranjo: Desenhe a estrutura de Lewis, conte o nmero total de pares de eltrons ao redor do tomo central, ordene os pares de eltrons em uma das geometrias acima para minimizar a repulso e--e- e conte as ligaes mltiplas como um par de ligao.
Modelo RPENV
O efeito dos eltrons no-ligantes e ligaes mltiplas nos ngulos de ligao
No nosso modelo experimental, o ngulo de ligao H-X-H diminui ao passarmos do C para o N e para o O:
H O H C H H N H H H H H 109.5O 107O 104.5O Como os eltrons em uma ligao so atrados por dois ncleos, eles no se repelem tanto quanto os pares solitrios. Conseqentemente, os ngulos de ligao diminuem quando o nmero de pares de eltrons no-ligantes aumenta.
Modelo RPENV
O efeito dos eltrons no-ligantes e ligaes mltiplas nos ngulos de ligao
Modelo RPENV
O efeito dos eltrons no-ligantes e ligaes mltiplas nos ngulos de ligao
Da mesma forma, os eltrons nas ligaes mltiplas se repelem mais do que os eltrons nas ligaes simples.
Cl
111.4o
C O
124.3o
Cl
Modelo RPENV
Molculas com nveis de valncia expandidos
Os tomos que tm expanso de octeto tm arranjos AB5 (de bipirmide trigonal) ou AB6 (octadricos). Para as estruturas de bipirmides trigonais existe um plano contendo trs pares de eltrons. O quarto e o quinto pares de eltrons esto localizados acima e abaixo desse plano. Para as estruturas octadricas, existe um plano contendo quatro pares de eltrons. Da mesma forma, o quinto e o sexto pares de eltrons esto localizados acima e abaixo desse plano.