22 22

CAP TULO 3 - TI RI STORES :

O tiristor um importante dispositivo semicondutor utilizado na eletrnica industrial. O
nome tiristor dado uma famlia de semicondutores de 4 camadas pnpn com trs junes e trs
terminais : anodo (A), catodo (K) e gate (G).
O componente principal da famlia dos tiristores o SCR, que por ter uma aplicao muito
grande em eletrnica de potncia, recebe em muitas bibliografias a denominao de tiristor. Deve-
se, portanto, considerar que : todo SCR um tiristor mas, nem todo tiristor um SCR. Neste item
estuda-se as caractersticas de funcionamento de alguns tiristores, principalmente o SCR.
3.1 - SCR ( SI LI CON CONTROLLED RECTI FI ER ) :
O SCR, como o prprio nome diz, um dispositivo de controle de potncia composto por
uma estrutura de 4 camadas, com trs treminais, como mostrado na figura 3.1.
p
n
p
n
A
K
G
A
K
G
j
j
j
1
2
3
a) b)
Figura 3.1 : a) estrutura do SCR, b) smbolo do SCR
O gate do SCR permite controlar o momento em que a conduo deve se iniciar.
Quando a tenso V
A
>V
K
as junes j
1
e j
3
so diretamentente polarizadas. A juno j
2
est
reversamente polarizada e somente uma pequena corrente de fuga circula pelo SCR. Se V
AK
atinge
um valor suficientemente grande que venha a romper a juno j
2
, o SCR conduz por sobretenso (
foward breakdown voltage ), assim h o movimento de eltrons atravs das trs junes, resultando
em uma corrente de anodo grande.
A queda de tenso de conduo direta do SCR tipicamente 1V, podendo ser menor ou
maior, dependendo do nvel de potncia do componente.
Uma vez que o SCR est conduzindo, no h mais controle sobre o componente ou seja, o
circuito de gate perde a sua funo. Para que o SCR cesse sua conduo, a corrente I
AK
deve ser
levada um valor inferior a corrente de manuteno I
H
, especificada pelo fabricante, indo para ento
para o estado de bloqueio reverso.
23 23
Quando V
A
<V
K
, a juno j
2
fica diretamente polarizada mas, j
1
e j
3
reversamente polarizadas
ficando o SCR, reversamente polarizado.
O SCR pode ser analisado atravs da analogia de 2 transistores complementares pnp-npn,
como mostrado na figura 3.2.
A
K
G
I
I
I
I
I
I
A
C1
C2
B1
B2
G
=
=I
I
T
K
Q
Q
1
2
Figura 3.2 : modelo do SCR equivalente a 2 transistores
Equancionando-se as correntes nos dois transistores Q1 e Q2, tem-se:
I I I
C E CBO
+ . (3.1)

I
I
C
E
(3.2)
Transistor Q1
I I I
C A CBO 1 1 1
+ . (3.3)
Transistor Q2
I I I
C K CBO 2 2 2
+ . (3.4)
2 C 1 C A
I I I + ++ + (3.5)
2 CBO K 2 1 CBO A 1 A
I I . I I . I + ++ + + ++ + + ++ + (3.6)
Para uma corrente de gate I
G
,
I I I
K A G
+ (3.7)
Portanto, a corrente de anodo I
A
dada por :
( )
I
I I I
A
G CBO CBO

+ +
+

1 1 2
1 2
1
.
(3.8)

1
: varia com I
A;

2
: varia com I
K
=I
A
+I
G
24 24
Antes da aplicao do pulso no gate existem apenas pequenas correntes de fuga devido ao
movimento de alguns eltrons-livres no corpo do componente. ( I
CBO1
e I
CBO2
).
Um simples pulso no gate, incrementa a corrente que por sua vez incrementar
1
e
2
. Este
incremento far com que I
A
aumente. Assim existe uma realimentao positiva. Se (
1
+
2
) tender
a 1, a corrente I
A
tender para o infinito. Com esta realimentao, no mais necessrio a
manuteno do pulso no gate do SCR. Esta auto-realimentao levar os dois transistores
saturao, fazendo com que o mesmo passe a conduzir uma corrente I
AK
( que geralmente uma
corrente de carga ).
Em condies transitrias, capacitncias transitrias das junes, mostradas na figura 3.3,
influenciam nas caractersticas do SCR.
A
K
G
I
I
I
G
T
K
Q
Q
1
2
C
C
C
j
j
j
1
2
3
V
2
j
+
-
i
2
j
Figura 3.3
Se o SCR est bloqueado, um transitrio dV/dt sobre o componente provoca uma alta
corrente atravs dos capacitores das junes. A corrente atravs do capacitor da juno j
2
, C
j2
dada
por :
( ) i
dQ
dt
d
dt
C V V
dC
dt
C
dV
dt
j
j
j j j
j
j
j
2
2
2 2 2
2
2
2
+ . . . (3.9)
Onde :
C
j2
: capacitncia da juno j
2
;
V
j2
: tenso da juno j
2
;
q
j2
: carga na juno j
2
.
Se a taxa de subida da tenso ( dV/dt ) for grande, ento i
j2
se tornar grande resultando no
aumento das correntes de fuga I
CBO1
e I
CBO2
. Estes aumentos fazem com que (
1
+
2
) tendam a 1,
resultando o disparo do SCR. Esta corrente i
j2
poder danificar o componente.
25 25
3.1.1 - CARACTER STI CA VxI :
Na figura 3.4 mostrada a caracterstica VxI do SCR. Na regio reversa, nota-se que a curva
semelhante quela de um diodo normal de silcio: ao aumento da tenso aplicada corresponde a
passagem de uma pequena corrente ( microampres ), at se atingir a tenso de ruptura reversa, alm
da qual se tem um rpido aumento da corrente e a destruio do componente.
I
G
I
AK
A
K
G
AK
V
V
G
a) b)
Figura 3.4 : a) circuito , b) caracterstica VxI
Na regio direta, e na ausncia da corrente de gate I
G
, tem-se tambm a passagem de uma
pequena corrente de fuga direta ( microampres ), at que se atinja a tenso de break-over (tenso
de ruptura direta), partir da qual o SCR entra em conduo, assumindo ento a caracterstica de
um diodo normal, com uma queda direta de cerca de 1,5V, ligeiramente crescente com o aumento
da corrente.
Quando se aplica uma corrente I
G
, a tenso de break-over cai em proporo a esta corrente;
com uma corrente de gate suficientemente elevada, o SCR passa conduo com qualquer valor de
tenso aplicada, desde que superior ao valor da queda direta ( V
H
- holding voltage ).
Assim pode-se dizer que :
I
G3
>I
G2
>I
G1
>I
G0
V
B3
<V
B2
<V
B1
<V
B0
Esta corrente de gate I
G
especificada pelo fabricante. Este fornee a amplitude desta
corrente e o tempo em que esta tem que ficar aplicada no gate do SCR, de forma a garantir o disparo
do componente. Se a amplitude ou o tempo no forem respeitados, o SCR deixar de conduzir
assim que fro retirado o pulso do gate.
Para que o SCR continue a conduzir, aps ser retirado o pulso do gate, necessrio que a
corrente I
AK
tenha um valor superior a da corrente de manuteno I
H
( holding current ). Esta
corrente especificada pelo fabricante na folha de dados do componente.
V
V
H
V
B3
V
B2
V
B1
V
BO
I
AK
regio
direta
regio reversa
I
H
I
G3
I
G2
I
G1
I
GO
=0
V
BR
26 26
3.1.2 - MTODOS DE DI SPARO E DE COMUTAO DO SCR :
a) - DI SPARO :
Para que o SCR possa ser disparado, necessrio que ele esteja diretamente polarizado ou
seja, a tenso de anodo V
A
mais positiva que a tenso de catodo V
K
.
Os mtodos mais utilizados para se disparar um SCR, so :
a.1) - disparo por sobretenso : sem aplicar-se corrente no gate do SCR ( I
G
=0 ), aumenta-
se o valor da tenso direta V
AK
, at que se atinja a tenso de break-over do componente. Neste
ponto o SCR entra em conduo e assume uma caracterstica igual a do diodo de potncia.
Este mtodo de disparo pode ser observado na analogia a dois transistores, visto na figura
3.2. As pequenas correntes de fuga I
CBO1
e I
CBO2
, no so capazes de levar os transistores
saturao. medida em que a tenso V
AK
vai aumentando, um nmero maior de eltrons livres vo
sendo atrados do catodo ( plo negativo da bateria ) para o anodo ( plo positivo da bateria ). A
entrada do componente em conduo acorre quando os eltrons livres prximos da juno 2 so
suficientes para romp-la, estabelecendo o fluxo de eltrons do catodo para o anodo ( fluxo inverso
para a corrente ). No um tipo de disparo desejado uma vez que sempre ir se disparar o SCR
prximo do limite de sua tenso direta mxima.
a.2) - disparo por dV/dt : um disparo indesejado que ocorre quando h uma variao
brusca na tenso V
AK
. O fabricante geralmente fornece o valor mximo da taxa de crescimento ou
decrescimento da tenso ( dV/dt ) do componente. Utilizando-se este dado, pode-se protejer o SCR
atravs da colocao de SNUBBER ( circuito RC em paralelo com o componente ). Este tipo de
disparo pode alterar as caractersitcas eltricas do componente ou mesmo, danific-lo.
a.3) - disparo por aumento de temperatura : este tipo de disparo tambm se torna
indesejado pois, implica na entrada em operao do componente em um instante no previsto. Isto
pode ocosionar problemas tanto no componente, quanto no sistema como um todo.
Este disparo ocorre quando o SCR est prximo de uma fonte de calor ou a prpria
temperatura ambiente relativamente elevada. As correntes de fuga observadas na figura 3.2, so
desprezveis. Mas, ao aproximar-se uma fonte de calor, comeam a ocorrer a quebra de algumas
ligaes covalentes no cristal de silcio. Isto proporciona um aumento no nmero de eltrons livres
que por sua vez, implica num aumento de corrente. Este torna-se ainda maior pois, existe o efeito da
realimentao dos dois transistores. Em um determinado instante esta corrente alta o suficiente
para levar os transistores saturao determinando a conduo do SCR. Este disparo, geralemente,
no danifica o componente.
a.4) - disparo por pulso no gate : eo disparo tradicional do SCR. Consiste em se aplicar
um pulso (CC ) no gate do SCR, durante um tempo suficiente, para que o mesmo passe para o
estado de conduo. Pela curva caracterstica VxI do SCR ( figura 3.4 ), percebe-se que quanto
maior a intensidade desta corrente, menor ser a tenso V
AK
em que o SCR ir disparar. O
fabricante j fornece este valor de corrente, de maneira que o componente sempre entre em
conduo com uma tenso V
AK
bem menor que a tenso de break-over.
27 27
a.5) - disparo por luz ou radiao : um tipo de disparo especfico para um tiristor
conhecido como LASCR ( Light Actived Silicon Controlled Rectifier ). No gate deste componente,
existe uma janela que quando inside-se luz provoca o disparo do componente.
b) - COMUTAO :
Comutar um SCR significa lev-lo do estado de conduo, para o estado de bloqueio. So
muitos os tipos de comutao utilizados para se comutar um SCR. O tipo de comutao depende,
necessariamente da fonte que est alimentando o circuito onde est o componente e, deve-se
observar que a comutao do componente ir ocorrer quando a corrente I
AK
for menor que a
corrente de manuteno I
H
( I
AK
zero ) ou, quando aplicar-se uma tenso revera sobre os terminais
do SCR ( V
AK
<0 ). Assim pode-se citar alguns tipos de comutao :
b.1) - comutao natural : ocorre geralmente em circuitos cuja fonte de alimentao
senoidal (CA). Seja a carga resistiva ou indutiva, exite um instante em que a corrente naturalmente
ir passar por zero. Uma vez que isto ocorre, o SCR comuta.Os conversores CA/CC ( retificadores )
apresentam este tipo de comutao.
b.2) - comutao forada : ocorre quando a fonte de alimentao do circuito CC. Assim
so criados meios para que a corrente I
AK

passe por zero, num determinado instante, ou seja
aplicada uma tenso revers sobre o SCR. Dentre estes mtodos pode-se citar :
- comutao pela carga : a prpria carga fora a corrente passagem por zero. Esta
carga deve ter, necessariamente, uma caracterstica subamortecida;
- comutao por tenso reversa : atravs de configurao apropriada, aplica-se num
determinado instante uma tenso reversa sobre os terminais do SCR. Esta tenso
provocada pela colocao de um capacitor em paralelo ou em srie com o SCR;
- auto-comutao : o disparo do componente provoca, aps um certo tempo a comutao
do mesmo;
- comutao por impulso auxiliar : utiliza-se um SCR auxiliar para comutar o SCR
principal. Aps um certo tempo, o SCR auxiliar tambm comuta;
- comutao por impulso complementar : uma vez que o SCR j esteja conduzindo, este
comutado atravs do disparo de seu complementar;
- comutao por pulso de corrente : utlizado para comutar o GTO ( Gate Turn-OFF ).
Aplica-se um pulso negativo com elevada ampltude mas, com tempo muito pequeno,
provocando a comutao do componente.
Todos os mtodos de comutao forada com excesso deste ltimo, utilizam circuitos
subamortecidos ( LC ) para proporcionar a oscilao da corrente I
AK
. Isto torna o circuito com SCR
bastante complexo e caro. Deve-se procurar alternativas para esta situao ( transistores, GTO,
IGBT ).
28 28
3.1.3 - TERMI NOLOGI AS DO SCR :
Neste item so apresentadas as principais terminologias par o SCR, encontradas nos
catlogos de fabricantes.
a) - anodo-catodo :
a.1) - tenso de disparo ( V
BO
) : o mnimo valor de tenso direta que far com que o
componente entre em conduo;
a.2) - dV/dt : o mnimo valor da taxa de crescimento da tenso aplicada no sentido direto,
que provocar a conduo do SCR;
a.3) - I
H
: corrente de manuteno que permite ao componente continuar em conduo;
a.4) - I
T(rms)
: mximo valor de corrente eficaz que o SCR pode conduzir;
a.5) - I
tsm
: corrente de surto;
a.6) - di/dt : valor mximo da taxa de crescimento da corrente, que o SCR pode suportar, em
conduo, sem ser danificado;
b) - gate-catodo :
b.1) - V
GT
: tenso CC necessria para produzir a corrente de gate I
G
para o disparo do SCR;
b.2) - I
GT
: corrente de disparo necessria para disparar o SCR;
b.3) - P
GM
: potncia de pico do gate;
b.4) - P
G(AV)
: mximo valor permitido para a dissipao de potncia de gate que a juno do
gate do SCR pode suportar.
c) - temperatura :
c.1) - T
J
: temperatura de operao;
c.2) - T
stg
: temperatura de armazenamento do componente, sem ocasionar danificao;
c.3) - T
C
: temperatura do invlucro do dispositivo sob condies especficas de carga.
EXEMPLO : SCR TI C106D :
V
BO
: 400V
V
BR
: 400V
I
T
: 5A
I
TSM
: 30A
I
GT
: 0.2A (T
PULSO
300s)
P
G(AV) ;
0.3W
P
GM
: 1.3W
T
J
: - 40C a 110C
T
STJ
: - 40C a 125C
T
C
: 230C
3.1.4 - CARACTER SI TCAS TRMI CAS DO SCR :
29 29
a) - Perdas no SCR :
O comportamento de um SCR ou de um Diodo funo da temperatura da juno central.
Acima de 125C para os SCRs e, 150C para os Diodos, existe risco de destruio das
propriedades do semicondutor. A elevao da temperatura em um SCR ou no Diodo, se deve
energia eltrica dissipada. As caractersticas trmicas esto relacionadas com as perdas produzidas
nos perodos em que existe corrente e tenso no componente. Assim, a dissipao de potncia em
um SCR pode ser dividida em cinco partes :
a) - dissipao no estado de bloqueio no sentido direto : pouca dissipao devido ao
baixo valor da corrente direta ( I
AK
), apesar da tenso V
AK
se geralemente elevada;
b) - dissipao durante o chaveamento do estado de bloqueio direto para o estado de
conduo : a potncia instantnea neste perodo muito alta mas, durante um apenas um
pequeno intervalo de tempo (s), o que fornee uma potncia mdia baixa;
c) - dissipao durante o estado de conduo : onde h maior dissipao de energia pelo
SCR;
d) - dissipao durante o chaveamento do estado de conduo para o estado de
bloqueio reverso : tambm apresentam uma pequena dissipao de energia, semelhante
ao item b;
e) - dissipao devido a polarizao do gate : esta dissipao desprezvel, quando
comparda com as dissipaes em bloqueio e conduo.
Na figura 3.5, so ilustradas as etapas a, b, c e d :
a b c d
Figura 3.5 : curvas de tenso, corrente e potncia dissipada
b) - Potncia mdia :
t
t
I
FUGA
V
CONDUO
V
DIRETA
I
CARGA
V
REVERSA
-I
RR
-I
FUGA
POTNCIAS
30 30
A dissipao no componente calculada em funo do valor mdio da corrente, fazendo-se
instantneamente o produto da corrente pela tenso.
As curvas de potncia mdia so baseadas em uma forma de onda, que o que restou de um
meia onda senoidal, resultante do atraso no disparo do componente. Existem tambm curvas
baseadas em formas de onda retangulares , ilustradas na figura 3.6.
Figura 3.6
Na figura 3.6, so apresentadas as curvas caractersticas de potncia mdia, para o SCR Bst
L45, tanto com alimentao senoidal quanto no senoidal ( quadrada )
c) - Resistncia trmica :
A temperatura de juno um dos parmetros mais importantes de um componente
semicondutor. Ultrapassado o seu valor mximo, o componente perde suas caractersticas definidas
nas folhas de dados.
O calor resultante da potncia dissipada na juno, flui pelas partes que compem o
componente, pelo dissipador e, finalmente, irradiado para o ambiente. Assim, pode-se definir um
circuito eltrico equivalente, mostrado na fiugra 3.7.
T
T
T
T
r

R
jc
cs
sa
s
c
j
a
Pmdia
- resistncia diferencial
-
- temperatura cpsula-dispositivo
- temperatura de juno
resistncia trmica juno-cpsula
- resistncia trmica cpsula-dissipador
- temperatura do dissipador
- resistncia trmica dissipador-ambiente
- temperatura ambiente
Figura 3.7 : circuito eltrico equivalente
( ) T T P r R R R
J A
MDIA
J C CS SA
+ + + . (3.10)
31 31
Onde : R
CA
=R
CS
+R
AS
r : resistncia fictcia que leva em conta o fato de que em regime pulsado, o valor de pico
da temperatura maior do que em regime contnuo de mesmo valor mdio de potncia ( fator de
correo ). O fabricante fornece o valor da resisncia trmica diferencial na forma de um grfico em
funo do ngulo de conduo, como est mostrado na figura 3.8.
Figura 3.8
O valor de R
J C
fornecido pelo fabricante, pois depende das caractersticas internas do
dispositivo. A resistncia R
CS,
afetada pelos procedimentos de montagem, embora alguns
fabricantes forneam este dado para determinadas condies de montagem.
Alguns fabricantes de SCRs, j apresentam um valor total para a resistncia R
CA,
aplicvel
a cada tipo de dissipador e determinadas condies de ventilao. A figura 3.9 mostra a curva que
relaciona a resitncia trmica cpsula-ambiente para o SCR Bst L45, montado em um dissipador
tipo PK20 ( Icotron S/A ).
32 32
Figura 3.9
O dissipador de potncia um importante elemento para que a temperatura no componente,
possa ser melhor dissipada e, consequentemente, no seja atingida a mxima temperatura de juno.
Uma forma de se determinar o fluxo de ar necessrio em um dissipador, dado atravs das
curvas I
tmdio
x T
amb.
( forma de onda senoidal e quadrada ) dados pelo fabricante. Na figura 3.10a
(senoidal) e 3.10b ( quadrada ), d-se esta relao de corrente, temperatura e fluxo de ar, para
dissipadores KK32.
33 33
Figura 3.10
Montando-se dois mdulos de SCR, no mesmo dissipador, o circuito eltrico equivalente
dado na figura 3.11. Cada mdulo de SCR, tem sua resistncia passagem do calor. Para efeito de
34 34
anlise e clculo, supe-se que existe uma perfeita simetria entre os SCRs do mdulos. Observar
que quando se fala em mdulo, deve-se entender que existem dois SCRs no mesmo.

R
cs
(1/2)

R
sa
Ptotal
r (1/2) r (1/2)

R
jc
(1/2)

R
cs
(1/2)

R
jc
(1/2)
Figura 3.11
OBS : cada mdulo contribui com a sua resistncia trmica equivalente, sendo utilizado para
clculo, a associao trmica do dois mdulos.
P n P
TOTAL T
. (3.11)
T T P
R r
n
R
J A TOTAL
J C
CA

+
+

_
,
.

(3.12)
Onde :
P
TOTAL
: potncia total no dissipador;
P
T
: potncia dissipada em um dos SCRs;
n : quantidade de SCRs por dissipador
35 35
3.1.5 - ESPECI FI CAES DE CORRENTE E TENSO :
Estas especificaes so geralmente determinadas na pior condio, ou seja, quando a
temperatura da juno mxima. Aps estes testes, j no so garantidos vrios parmetros do
SCR.
a) - Corrente :
As especificaes de corrente de um SCR podem ser divididas em duas classes :
especificao de corrente recorrente e epscificao de corrente no recorrente.
a.1) - Correntes recorrentes : ou peridicas so aquelas em que o componente aplicado de
uma maneira tal, que o mximo valor de temperatura de juno no excedido.
*Corrente mdia ( I
T(AV)
) : apresentada na forma de curva de degradao, parametrizada
pelo ngulo de conduo ( ). A curva apresentada na forma de T
C
x I
TAV
( T
C
:temperatura de
encapsulamento ), mostrada na figura 3.12 para o caso de um SCR Bst L45.
Figura 3.12.
Se, por exemplo , a temperatura da cpsula aumentar, no ser possvel manter a corrente, no
seu valor mdio original pois, a temperatura mxima da juno ser excedida. Deve-se, ento,
diminuir o valor mdio da corrente.Para se obter um mesmo valor mdio de corrente, que se tem
quando o ngulo de conduo grande, deve-se ter um pico de corrente maior para um ngulo de
conduo menor. Isto acarreta num maior aquecimento de juno durante a conduo.
( )
I
I
MDIO
MAX
+
2
1
.
. cos

(3.13)
36 36
*Corrente eficaz ( I
TRMS
) : a especificao do valor eficaz da corrente sempre utilizado
no dimensionamento de um circuito, apesar de no ser muito visvel ao projetista, visto que ele est
interessado no valor da corrente mdia fornecida carga. Mas, uma vez especificada a corrente
mdia, o valor da corrente eficaz j estar determinada.
I I d
TRMS MAX

_
,

1
2
2 2
1
2
.
. .sen .

(3.14)
I I
TRMS MAX
+

_
,

.
.
sen
.
1
4 4
2
8
1
2

(3.15)
O patamar onde o valor mdio limitado, para cada ngulo de conduo, corresponde ao
valor eficaz mximo permitido para o componente. A especificao do valor eficaz da corrente de
um SCR necessria para evitar aquecimento excessvio das partes resistivas que compem o
componente ( juntas, terminais, etc. ).
a.2) - Correntes no-recorrentes :ou no-peridicas, so aquelas em que se permite que a
mxima temperatura de juno seja excedida por um breve perodo de tempo. Isto geralmente
ocorre quando h uma sobrecarga ou uma falha no funcionamento do circuito. Desta forma, os
SCRs ficam sujeitos temperaturas de juno maiores que a especificada.
*Corrente de surto ( I
TSM
) : o valor de I
TSM
determinado experimentalemtne, fazendo
com que o componente conduza semiciclos senoidais de corrente em 60Hz, com amplituda igual ao
mximo valor eficaz especificado. A seguir aplicado um meio-ciclo de corrente acidental. Logo
aps, segue-se um meio-ciclo de onda senodal em 60Hz, de tenso reversa, com uma amplitude
igual especificao de bloqueio no repetitivo. Se aps este teste o componente no perder sua
capacidade de bloqueio, eleva-se o valor da corrente acidental aplicada, repetindo-se o
procedimento. Prossegue-se at que ocorra uma falha. Avaliando-se o limite de sobrevivncia de um
nmero elevado de amostras, estabelece-se o valor de I
TSM
. Na figura 3.13 est ilustrado este teste.
Figura 3.13 : curvas de corrente e tenso do SCR para determinao de I
TSM
I
TSM
I
TRMS
V
RSM
37 37
*Capacidade trmica de corrente ( I
2
t ) : a especificao desta grandeza dada na figura
3.14. utilizada para se especificar a capacidade trmica dos fusveis de proteo.
I
2
t ( fusvel ) <I
2
t ( SCR )
Figura 3.14
O valor da corrente eficaz dado por :
I
I
t
RMS
PP
S
(3.16)
Para um tempo t
S
, obtm-se o valor da corrente de pico permito ( I
PP
). Assim, determina-se
o valor da corrente eficaz I.
O valor de I
2
t dado por :
I t I t
RMS S
2 2
. (3.17)
Esta especificao presume que o fusvel ir eliminar uma falha em menos do que meio-
ciclo. Entretanto, antes que isso ocorra, o SCR estar sujeito temperaturas elevadas.
*Taxa de crescimento de corrente de anodo ( di/dt ) : esta taxa determina o mximo di/dt
que o SCR pode suportar. Valores tpicos de di/dt so 200A/s para SCRs de controle de fase (
retificadores ) e, 800A/s para SCRs utilizados em inversores.
Quando um SCR disparado, atravs de uma corrente de gate, inicialmente o fluxo de
corrente se concentra em uma rea prxima ao gate. A rea de concentrao de corrente se espalha
por toda a rea de catodo a uma taxa aproximada de 0.1mm/s. Se a corrente de anodo aumentar
muito rapodamente, haver um aquecimento localizado nesta rea preferencial, face elevada
densidade de corrente, resultando em temperaturas extremamente elevadas, podendo causar a
destruio do componente.
Este di/dt geralmente ocorre no instatne de chaveamento do SCR. Assim coloca-se um
indutor em srie com o SCR limitando o crescimento indesejado da corrente.
I
PP
I
RMS
t
S
38 38
b) - Tenso :
As especificaes de tenso tambm podem ser classificadas em : tenso direta e tenso
reversa.
b.1) -Tenso direta : quando o SCR polarizado diretamente.
*Tenso direta repetitiva mxima ( V
DRM
) : a mxima tenso direta repetitiva que o Scr
pode suportar, sem que passe do estado de bloqueio direto para o estado de conduo ( I
G
=0 ).
*Tenso direta de surto mxima ( V
DSM
) : a mxima tenso direta, no repetitiva, que o
SCR pode suportar, sem passar do estado de bloqueio direto para o estado de conduo. Este valor
de corrente, se ultrapassado, danifica o componente. A figura 3.15 mostra as duas especificaes
dadas.
Figura 3.15 : aplicao das especificaes de V
DRM
e V
DSM
A : regio de operao normal do SCR;
B : regio onde o SCR pode disparar mas no se danifica;
C : regio onde o SCR pode disparar e pode ser danificado.
*Taxa de crescimento da tenso direta ( dV/dt ) : se houver variao muito rpida da
tenso V
AK
, esta variao pode ocasionar uma corrente suficiente para que, somada corrente de
fuga que circula pelo SCR ( I
CBO
), provoque o disparo acidental do mesmo. Uma maneira de se
limitar este dV/dt o de se colcar um circuito SNUBBER, j visto anteriormente.
b.2) -Tenso reversa : quando o SCR polarizado reversamente, ele atinge uma valor de
tenso reversa que desencadeia um fenmeno de ruptura, que se ultrapassado, provoca a destruio
do componente.
*Tenso reversa repetitiva mxima ( V
RRM
) : a mxima tenso reversa repetitiva que o
SCR pode suportar, sem que ocorra a ruptura.
*Tenso reversa de surto mxima : ( V
RSM
) : a mxima tenso reversa, no repetitiva,
que o SCR pode suportar sem que ocorra a ruptura ( s vezes pode ocorrer ).
V
AK
t
V
DSM
V
DRM
A B C
39 39
3.1.7 - TEMPOS DE DI SPARO E DE COMUTAO :
Observando a figura 3.16, abaixo, tem-se que :
Figura 3.16
a) - Tempo de disparo ( t
ON
) : como o SCR no entra em conduo imediatamente aps a
aplicao do pulso na gate, pode-se definir o tempo de disparo como sendo o intervalo
entre o ponto no incio do pulso de gate e o instante em que a tenso no SCR sobe a um
valor especificado, durante o chaveamento de um SCR do estado de bloqueio ao estado
de conduo. Este tempo tambm representa a durao mnima que deve ter o pulso de
corrente de gate I
G
. Logo :
t t t
ON d r
+ (3.18)
Onde :
t
d
: tempo de atraso ( delay time ) - 0.90.I
G
t
d
0.10.I
A
;
t
r
: tempo de crescimento ( rise time ) - 0.10.I
A
t
r
0.90.I
A
b) - Tempo de comutao ( t
OFF
) : o intervalo de tempo entre o instante em que a
corrente do SCR cai zero, e o instante em que o mesmo est em condies de ser
novamente disparado. Este tempo importante em circuitos cuja alimentao CC, visto
que h a necessidade de se utilizar mtodos de comutao forada para o SCR. O valor
de t
OFF
utilizado para calcular os elementos passivos ( indutor e capacitor ) que iro
realizar o processo de comutao forada do SCR.
t
t
t
ON
I
G
I
A
0.9I
G
0.9I
A
0.1I
A
t
d
t
r
40 40
O tempo de comutao definido por :
t t t
OFF S f
+ (3.19)
Onde :
t
S
: tempo de armazenamento ( storage time ) - devido recombinao da cargas
armazenadas prximas da juno. Este tempo determinado partir do instante em que a corrente
I
AK
se anula, at o instante em que ela atinge um valor negativo I
RR
. Pode-se dizer que t
S
o prprio
tempo de recuperao reversa do SCR t
RR.
t
f
: tempo de descida ( fall time ) - este tempo determinado partir do instante em que a
corrente I
AH
igual I
RR
, at o instante em que I
AK
se anula. Neste instante o SCR deve estar em
condies de ficar sujeito uma tenso direta, podendo ou no ser novamente disparado. A figura
3.17 observa-se o tempo de comutao t
OFF
.
Figura 3.17
Os SCRs que possuem tempos de comutao acima de 50s, so chamados de SCRs de
rede (lentos ), sendo utilizados principalmente, em retificadores ( conversores CA/CC ). Os SCRs
rpidos (abaixo de 50s so utilizados em aplicaes de alta frequncia ( conversores CC/CC e
CC/CA ).
I
AK
t
f
t
S
t
t
OFF
- I
RR
41 41
3.1.7 - CONEXES SRI E E PARALELO DO SCR :
a) - Conexo srie :
Para aplicao em alta tenso, dois ou mais SCRs devem ser conectados em srie de modo a
dividir a tenso total aplicada . Na figura 3.18 so apresentadas as caractersticas de dois SCRs,
princpio idnticos, mas que na verdade, apresentam caractersticas diferentes.
Figura 3.18
No caso de diodos de potncia, apenas a tenso reversa dividida entre os componentes. J
no caso dos SCRs, a tenso direta tambm importante uma vez que o SCR pode estar sujeito
uma tenso V
AK
diferente de zero ( geralmente alta ), quando disparado.
Esta tenso direta normalmente dividida, colocando-se resistores em paralelo com os
SCRs, como mostrado na figura 3.19, abaixo.
C
1
R
1
C
1
C
1
R
1
R
1
T
1
T
2
T
n
R R R
I
I I
I I I
I
T
T
1
1
T
2
2 n
I
T
T
n
+ -
V
T
1
+
-
V
T
2
Figura 3.19 : conexo srie de SCRs
V
AK
I
AK
T
2
T
1
-V
1
-V
2
I
S
V
T1
=V
T2
I
T2
I
T1
42 42
Para se obter tenses iguais nos componentes ( V
T1
=V
T2
), necessariamente as correntes so
diferentes ( I
T1
I
T2
).
Sendo n
S
o nmero de SCRs conectados em srie; I
D1
a corrente atravs do SCR T
1
e as
correntes I
T2
=I
T3
=I
T4
=I
Tn
, onde I
T1
<I
T2
. Nota-se que o SCR T
1
por apresentar uma menor corrente
de bloqueio direto, suporta uma maior tenso de bloqueio direto do que os outros SCRs. Se I
1
a
corrente atravs do resistor R
1
, que est em paralelo com T
1
, e as correntes atravs dos outros
resitores I
2
=I
3
=I
4
=I
n
, tem-se que :
I I I I I I I I I
T T T T T
+
1 2 2 1 1 2
(3.20)
Ou :
I I I
T 2 1
(3.21)
A tenso sobre o SCR T
1
:
V
V n R I
n
T
S S T
S
1
1

+ ( ). .
(3.22)
A tenso V
D1
ser mxima quando I
T
for mxima. Para I
T1
igual a zero :
V
V n R I
n
T
S S D
S
1
2
1

+ ( ). .
(3.23)
Durante o estado de bloqueio reverso, as diferenas entre as cargas armazenadas nos SCRs,
causam diferenas nas tenses reversas. O SCR com menor tempo de recuperao reversa ( trr ),
ter um maior transitrio de tenso. As capacitncias da junes que controlam dos SCRs,
normalmente no so suficientes para suportarem estes transitrios. Assim, torna-se necessrio a
colocao de capacitores (C1) sobre os SCRs, como mostrado nas figura 3.15. Os resistores ( R1 ),
colocados em srie com os capacitores limitam a descarga da corrente. A variao da tenso sobre o
SCR T
1
dada por :


V R I
Q Q
C
Q
C
D


.
2 1
1 1
(3.24)
Onde Q
1
a carga armazenada no SCR T
1
e Q
2
, a carga armazenada nos demais SCRs ( Q
2
=Q
3
=Q
4
=Q
n
e Q
1
<Q
2
). Substituindo a equao 1.74 na equao 1.72, tem-se que :
( )
V
n
V
n Q
C
T
S
S
S
1
1
1
1
+

1
]
1 .
.
(3.25)
43 43
O pior caso ocorre quandoQ
1
igual a zero. Assim :
( )
V
n
V
n Q
C
T
S
S
S
1
2
1
1
1
+

1
]
1 .
.
(3.26)
b) - Conexo paralelo :
Quando os SCRs so conectados em paralelo, a corrente de carga n dividida igualmente
entre eles devido s diferenas nas suas caractersticas. Se um SCR suporta uma maior corrente que
os outros, isto ocasiona um aumento na dissipao de potncia deste SCR, que por sua vez aumenta
a temperatura de juno, diminuindo a resistncia interna. A consequncia disto a destruio do
componente pelo aumento da corrente. Quando este SCR queima, os demias SCRs em paralelo tm
que assumir correntes maiores, o que ocasionar a destruio deles.
Para se forar uma equalizao de correntes boa entre os SCRs, conecta-se em srie com
cada um, uma pequena resistncia. Pode-se tambm utilizar indutores magnticamente acoplados.
Se a corrente pelo SCR T
1
aumenta, uma tenso com polaridade invertida ser induzida no indutor
ligado em srie com o SCR T
2
, diminuindo a impedncia no ramo deste SCR oque, por sua vez,
ocasionar o aumento da corrente po T
2.
. Estes mtodos de equalizao de corrente pode ser visto
nas figura 3.20a e 3.20b.
T
R
R
1
2
T
I
I
I
I
T
T
1
2
1
2 I
T
R
R
1
2
T
I
I
I
T
1
2
1
2
L
L
T
a b
Figura 3.20
44 44
3.2 - GTO ( GATE-TURN-OFF ) :
Em muitas aplicaes de eletrnica de potncia, os SCRs so considerados como chaves
ideais. Eles suportam altas tenses reversas ( e diretas quando em no conduo ), e altas correntes
diretas, apresentando uma pequena queda de tenso direta. A sua principal caracterstica est no seu
disparo que realizado atravs de um sinal positivo aplicado em seu gate.
A principal desvantagem est na impossibilidade de se desligar o componente atravs do
prprio gate. A incluso desta capacidade de desligamento em um SCR, requer modificaes no
componente e algumas limitaes de operao do mesmo.
O componente ( tiristor ) que apresenta esta capacidade de desligamento atravs do seu
terminal de gate chamado de GTO ( Gate turn-off ).
3.2.1 - Caractersticas do GTO :,
Existem trs diferenas significativas entre o GTO e o SCR que podem ser observadas
atravs da figura 3.21 :
Figura 3.21 : Estrutura interna do GTO.
a) - as estruturas do gate e do catodo so altamente interligadas com muitos tipos de formas
geomtricas sendo utilizadas no desenvolvimento ( lay-out ) do gate e do catodo,
incluindo estruturas involutes. Estas modificaes visam aumentar a periferia do catodo
e diminuir a distncia do gate a regio central do catodo;
45 45
b) - as reas do catodo apresentam o formato de ilhas , e so formadas atravs do desgaste
da camada de silcio ao redor destas ilhas . Quando o GTO encapsulado, todas as
ilhas do catodo so conectadas diretamente um dissipador de calor metlico,
formando o prprio catodo;
c) - a maior diferena est na regio de anodo do GTO. Em intervalos regulares, na regio p
(p
1
), so introduzidas regies do tipo n
+
, permitindo o contato com a regio n
-
, que forma
a regio n
1
. As regies n
+
so otimizadas de forma a permitir que se tenha um anodo
pequeno , aumentando-se assim a velocidade de desligamento do GTO. Alguns
GTOs so desenvolvidos sem este anodo pequeno de forma a permitir bloqueio em
tenses reversas.
A caracterstica do GTO, na regio direta idntica a do SCR. Mas, na regio reversa, o
GTO no apresenta uma capacidade de bloqueio elevada ( 20V a 30V ), devido ao anodo
pequeno. O smbolo do GTO mostrado na figura 3.22.
A
K
G
Figura 3.22 : Smbolo do GTO.
* Caracterstica de desligamento :
Na analogia a dois transistores ( figura 3.23 ), se ambos esto saturados ( Q
1
e Q
2
), significa
dizer que o componente est conduzindo. Para provocar o seu desligamento, basta que a corrente
de base I
B2
(Q
2
) se torne menor que o valor necessrio para manter o transistor saturado.
A
K
G
I
I
I
I
I
I
A
C1
C2
B1
B2
G
=
=I
I
T
K
Q
Q
1
2
Figura 3.23 : Circuito equivalente a dois transistores para o Tiristor
I I
B C 2 2 2
/ (3.27)
Logo o transistor Q
2
, aps o processo de realimentao, cortar, fazendo com que o GTO
tambm deixe de operar. Assim :
46 46
I I I
B A G 2 1
. (3.28)
A corrente I
C2
:
( ) I I
C A 2 1
1 . (3.29)
Como :
I
I
B
C
2
2
2
2
2
2
1

(3.30)
Tem-se :
I
I
G
A
OFF

(3.31)

OFF
: ganho de desligamento do GTO
Este ganho no grande ( tipicamente 5 ), portanto h a necessidade de pulso de corrente,
negativa, com grande amplitude para se desligar o componente. Esta amplitude de corrente
limitada pelo fenmeno Crowding e, portanto, existe uma corrente mxima de anodo que garante
o desligamento seguro do componente.
Os GTOs so utilizados em aplicaes de mdia a alta potncia. Geralmente so utilizados
Snubbers para proteger o componente no desligamento, principalmente contra sobre-correntes; j
que o gate no desliga para correntes que excedem o valor mximo especificado.
* Caractersticas de Chaveamento do GTO :
A figura 3.24 mostra as formas de onda relativas as caractersticas de chaveamento do GTO.
O intervalo t
1
, representa o disparo do GTO ( turn-on ). O processo de disparo semelhante
ao do SCR. Deve-se aplicar um pulso de corrente, positiva, no gate do componente, especificado
pelo fabricante e, aps o disparo total do componente, apenas uma pequena corrente ( backparch
current ) circula pelo mesmo. Esta corrente necessria pois evita que algumas ilhas do catodo
parem de conduzir ( quando I
G
zero ). Se a corrente de anodo aumenta rapidamente, no h tempo
para que estas ilhas voltem a conduzir novamente, assim as outras ilhas ficam sobrecarregadas e o
GTO destrudo por avalanche trmica.
O intervalo t
2
, representa a comutao ( turn-off ) do GTO. Aplica-se uma alta corrente
negativa no gate do GTO. Esta corrente varia em torna de 1/3 a 1/5 do valor da corrente de anodo,
mas durante um intervalo de tempo muito pequeno. Como pode ser observado, existem vrios
intervalos de tempo no processo de comutao do GTO:
47 47
Figura 3.24 : Caractersticas de disparo e de comutao do GTO.
- t
S
- storage time : a corrente negativa I
G
utilizada para remover cargas armazenadas
nas regies p
2
e n
2
em direo a periferia das ilhas dos catodos ( figura 3.21 ). Quando
uma quantidade suficiente de cargas armazenadas foram removidas, a corrente de anodo
comea a decrescer;
- t
f
- fall time : quando as cargas so removidas, a corrente decresce rapidamente ( t
fi
).
Este tempo cessa quando o excesso de portadores na juno gate-catodo so eliminados e
a juno recupera sua capacidade de bloqueio reverso;
- t
w2
- gate-cathode junction avalanche breakdown time : neste perodo a tenso V
GK
torna-se negativa e a corrente ( negativa ) I
G
comea a decrescer rapidamente ( dI
G
/dt ) provocando a
ruptura por avalanche da juno gate-catodo. Esta ruprtura por avalanche desejvel somente neste
intervalo, de forma a retirar o mximo possvel, as muitas cargas armazenadas no gate e na regio
p
2
;
- t
tail
- anode tail-currente time : o intervalo de tempo em que circula uma corrente de
anodo para o gate (tail currente - corrente de cauda ), devido diferena de potencial entre ambos.
Este intervalo contribui com a maior dissipao de potncia, durante o turn-off do GTO. Isto porque
o intervalo relativamente longo e a tenso sobre o GTO relativamente alta. Quando a corrente de
anodo fica abaixo de I
H
, a tenso V
GK
cai a um valor mnimo e o GTO pode ser novamente
disparado.
48 48
O GTO, portanto, permite algumas vantagens sobre o SCR, como :
a) - eliminao de circuitos de comutao forada;
b) - reduo de rudos - eliminao dos circuitos de comutao ( ressonncia );
c) - chaveamento para o estado de bloqueio mais rpido, permitindo operao em altas
frequncias;
d) - maior eficincia.
Apesar do GTO ocupar uma posio privilegiada em termos de potncia, o valor da corrente
de pico necessria para comuta-lo ainda bastante elevada.
3.3 - TRI AC ( TRI ODE AC SWI TCH ) - TI RI STOR BI DI RECI ONAL :
Este componente conduz tanto direto quanto reversamente polarizado. geralmente
utilizado em controle de fase CA, onde controla-se o valor eficaz ( rms ) da tenso CA que esta
sendo fornecida para a carga. O TRIAC pode ser considerado como sendo dois SCRs ligados em
anti-paralelo, mas com apenas um gate em comum, como mostrado na figura 3.25.
p
n
A
G
p
n
n n
A
1
2
G
A
A
1
2
G
A
1
A
2
a) b) c)
Figura 3.25 : a) Estrutura do TRIAC; b) Smbolo do TRIAC; c) Circuito equivalente a 2 SCRs.
Pode-se notar que o TRIAC um elemento de cinco camadas, tendo dois caminhos P-N-P-N
entre os terminais principais A
1
e A
2
, podendo portanto conduzir nos dois sentidos.
O TRIAC pode ser levado ao estado de conduo, pela aplicao de um pulso positivo ou
negativo, no terminal de gate, embora seja mais confivel lev-lo ao estado de conduo aplicando
um pulso positivo no gate, quando A
2
positivo e, um pulso negativo no gate, quando A
1
positivo.
Assim, existem quatro modos possveis de operao do TRIAC ( operao em quatro quadrantes ),
mostradas na tabela da figura 3.26.
49 49
QUADRANTES V
A2
V
G
I + +
I I + -
I I I - -
I V - +
Figura 3.26 : Modos de operao do TRIAC.
a) - Operao no Quadrante I :
G
A
1
A
2
P
1
P
2
N
3
N
4
N
5
N
1
N
2
SCR
1
SCR
2
+
+
Figura 3.27 : Estrutura do TRIAC para operao no quadrante I.
ANLI SE :
1) - Tenso positiva em A
2
h a polarizao direta do SCR
1
formado por P
2
- N
3
- P
1
- N
2
;
2) - O SCR
2
formado por P
1
- N
3
- P
2
- N
4
, est polarizado reversamente ( no conduz );
3) - Quando o gate G for positivo, a juno formada por P
1
- N
2
ser polarizada diretamente.
Com isso, o SCR
1
vai conduzir e o TRIAC passar a conduzir de A
2
para A
1
.
50 50
b) - Operao no Quadrante I I :
G
A
1
A
2
P
1
P
2
N
3
N
4
N
5
N
1
N
2
SCR
1
SCR
2
+
-
SCR
AUXILIAR
Figura 3.28 : Estrutura do TRIAC para operao no quadrante II.
ANLI SE :
1) - Tenso positiva em A
2
h a polarizao direta do SCR
1
( P
2
- N
3
- P
1
- N
2
);
2) - Quando o gate G for negativo, a juno P
1
- N
1
( SCR auxiliar ) diretamente
polarizada, onde A
1
funciona como gate de SCR;
3) - Quando o SCR auxiliar conduz, apresenta uma baixa queda de tenso, ficando um
potencial V
A
( agora G est positivo ). Desta forma a juno P
1
- N
2
do SCR
1

polarizada diretamente, levando o TRIAC conduo de A
2
para A
1
.
OBSERVAO :
I e II QUADRANTES : conduo do SCR
1
;
III e IV QUADRANTES : conduo do SCR
2
.
51 51
APLI CAES DO TI RI STOR DE POTNCI A :
a ) - RETI FI CADOR TRI FSI CO DE MEI A-ONDA CONTROLADO :
a) - Circuito Retificador; b) - Formas de Onda.
52 52
b) - I NVERSOR TRI FSI CO EM PONTE :
a) - I nversor trifsico em ponte; b) - Formas de onda para disparo em 180
53 53
c ) - TRANSMI SSO DE ALTA TENSO EM CORRENTE CONT NUA :
HVDC : HI GH-VOLTAGE DI RECT-CURRENT
a) - Tranmisso HVDC - Diagrama Global; b) - Terminal do Conversor.
54 54
c) - SI STEMA BSI CO DE TRAO ELTRI CA EM LOCOMOTI VA :
Arranjo bsico de uma locomotiva acionada por sistema Tiristorizado.
55 55
d) - ELETROEROSO :
Circuito tpico para inverso peridica de corrente.
56 56
e) - CONTROLE DE POTNCI A DE CARGAS RESI STI VAS :
a) - TRI AC; b) - conexo em catodo comum; c) - ponte de diodos com SCR;
d) - Controle do ngulo de Fase; e) - Controle de Ciclo I ntegral.