Construccin del transistor

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

Configuraciones Transistores Bipolares (BJT)

Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de manera que quede una terminal comn en su circuito de polarizacin; es decir, un elemento que forma parte tanto de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de las tres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). As entonces, se tienen tres configuraciones:

Configuracin de Base Comn: La base es comn a la entrada (emisor-base) y a la salida (colectorbase).

La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura 1, se muestra el conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de base comn, relacionara la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 1

En la Figura 2, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de base comn, relacionara la corriente de salida (Ic) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE).

El conjunto de caractersticas de salida tiene tres regiones operativas del transistor bipolar, como se indica en la figura 2: La regin activa (Active region), la region de corte (cutoff region) y la region de saturacin (saturation region). Regiones operativas del transistor Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0A, (Ic = Ie = 0A) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (Ib =0A). Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V. Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuracin de Emisor Comn: El emisor es comn tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor). La entrada esta en la base y la salida en el colector.

La terminologa emisor comn se deriva del hecho de que el emisor es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura 3, se muestra el conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de emisor comn, relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).

Figura 3

En la Figura 4, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de emisor comn, relacionara la corriente de salida (Ic) con el voltaje de salida ( VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Figura 4

Configuracin de Colector Comn: El colector es comn tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor-colector). La entrada esta en la base y la salida en el emisor.

La terminologa colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. El conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de colector comn, relacionara la corriente de entrada ( IB) con el voltaje de entrada (VBC) para varios niveles de voltaje de salida (VCE). En la Figura 5, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de colector comn, relacionara la corriente de salida (IE) con el voltaje de salida ( VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Figura 5