Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Download e instalao Input Output MC vs. equaes de transporte Poder de freamento nuclear Poder de freamento eletrnico
Como funciona
Exemplo e exerccios
2
Grupo de programas que calcula o freamento e o alcance de ons (10 eV/u a 2 GeV/u) em alvos desordenados O mais abrangente programa incluso. Admite alvos complexos, com materiais compostos e at oito camadas distintas. Calcula a distribuio 3D dos ons no alvo e todos os fenmenos cinticos associados perda de energia: dano ao alvo, desbaste, ionizao e produo de fnons
3
TRIM
Primeira verso data de 1983 Resultado do trabalho de J. P. Biersack em algoritmos de alcance e de J. F. Ziegler em teoria de freamento
Simuladores da distribuio de energia dos ons em funo da posio no alvo recorra ao SIMNRA, RUMP, ... Ferramentas para resolver o problema inverso (a partir de uma distribuio de tomos num slido, identificar as condies de implantao que a produzem) No se consideram os efeitos trmicos, especialmente redistribuio de ons ou tomos devido a difuso trmica ou induzida por vacncias
5
Como utilizar
Download e instalao
http://www.srim.org Requer MS Windows Requer . como separador decimal (Regional settings = English (United States)) Requer LineDraw.ttf (incluso, basta copiar para C:\WINDOWS\Fonts O pacote inclui a ltima verso do TRIM para DOS (1998), executvel em emuladores Pode ser executado em modo iterativo (padro) ou batelada Pode fornecer alcance e poder de freamento a outros programas (SRIM Module)
6
Welcome to SRIM
Rpida criao de tabelas de freamento e alcance. teis para especificar a espessura da amostra no TRIM O poder de freamento tabelado (nuclear e eletrnico) idntico ao usado pelo TRIM O alcance calculado usando equao de transporte de J. P. Biersack (PRAL, Projection RAnge ALgorithm)
TRIM Calculation
Ion distribution & quick damage: quando no se quer os detalhes de dano e desbaste Detailed with full damage cascades: segue cada tomo que recua at que sua energia caia abaixo da menor energia de deslocamento no alvo Surface sputtering / monolayer collision steps: produz uma coliso a cada monocamada no alvo (no TRIM, 1 ML = N-1/3, sendo N a densidade atmica em tomos/cm3); inclui anlise da energia de ligao dos tomos superfcie do alvo
10
Varying ion energy / angle / depth: para ons comeando com vrias energias, ngulos de incidncia variados ou partindo de diferentes profundidades dentro do alvo. til, por exemplo, para ons em plasmas. Requer input em TRIM.DAT Damage cascades from neutrons, etc.: calcula apenas as cascatas de dano. Exige em TRIM.DAT informao da cintica dos tomos que do incio s cascatas
11
Ion data
Target data
Layers: at 8 Compound dictionary: estequiometria, densidade e correo do poder de freamento abaixo de 2 MeV/u Gas: para usar a densidade de um gs no Compound Dictionary Target elements: at 12 por camada. O mesmo elemento em camadas distintas reportado separadamente (permite acompanhar ion beam mixing)
13
Densidade: afeta diretamente os resultados de distribuio. O valor padro uma mdia ponderada das densidades dos slidos correspondentes aos elementos na camada Estequiometria: normalizada pelo TRIM Si(1) O(2) igual a Si(33) O(67), etc. Energias para dano: energia de deslocamento (limiar, dentro da rede), energia de ligao rede (transformada em fnons quando um tomo deslocado) e energia de ligao superfcie (limiar para que um tomo seja ejetado do alvo)
14
Special parameters
Plotting window depths: zoom do alvo para anlise detalhada. Dividida em 100 partes para registro dos resultados Autosave at ion #: 1 a 32000 (?) Nmero de ons: at 9999999. Normalmente, aceita-se o padro (99999) e interrompe-se o clculo quando a estatstica dos resultados adequada. Pode-se retomar um clculo (aumentar o # de ons) aps o trmino. Clculos repetidos sero idnticos a menos que se altere o random number seed
15
Random number seed: 0 a 999999999, 716381 o padro (Fishman & Moore, SIAM-JSC 7, 24 (1986)) A propsito, o gerador de nmeros aleatrios do SRIM adapatado de P. L'Ecuyer, CACM 31, 742 e 774 (1988). A janela de execuo mostra o nmero de nmeros aleatrios utilizados at o momento
16
Ion ranges: posio final de todos os ons no alvo Backscattered / transmitted / sputtered atoms: arquivo(s) com informaes sobre cada on espalhado ou transmitido ou tomo transmitido ou ejetado pela superfcie do alvo Collision details: salva os dados para cada coliso que provoca deslocamento de um tomo no alvo. (Cuidado, um nico on pode gerar > 1 MB!) Arquivo EXYZ: registra a posio dos ons cada vez que o valor de energia especificado perdido
17
Run!
18
Durante os clculos...
Mdias levam em conta desde o primeiro on Outras informaes (por exemplo, ons transmitidos) so registradas a partir do momento da seleo
Grficos vivos atrasam significativamente os clculos Pode-se Pause TRIM Change TRIM End edit Continue
19
Output
Grficos e arquivos
20
O grfico principal mostra a distribuio na viewing window mais os quatro momentos da distribuio (calculados para a amostra como um todo)
Range [comprimento]
Straggling [comprimento]
21
Skewness [adimensional]
> 0 para pico aqum da mdia < 0 para pico alm da mdia
Kurtosis [adimensional]
A ordenada do grfico (tomos/cm3)/(tomos/cm2). Basta multiplicar pela fluncia em tomos/cm2 para obter tomos/cm3
22
Grficos e arquivos
A ordenada do grfico tomos/(on ). Multiplicando pela fluncia em tomos/cm2, temos tomos/(cm2 ) = 23 10-8 tomos/cm3
Alcance dos ons 3D: arquivo que guarda a posio final de cada on Trajetria inica e energia 3D: arquivo com a posio a vrias energias Distribuio lateral
Retroespalhamento: arquivo BACKSCAT.txt indicando a energia e a trajetria final de cada on Transmisso: arquivo TRANSMIT.txt indicando a energia e a trajetria de cada on transmitido Desbaste (sputtering): grficos e SPUTTER.txt
25
Grficos e arquivos
Perda de energia para eltrons no alvo Idem para fnons Produo de vacncias causadas por ons Produo de replacement collisions (vacncias causadas por recuos)
26
Restries
Apenas para alvos amorfos Limite inferior de energia: consideram-se apenas colises binrias Limite superior: no h efeitos relativsticos Reaes nucleares no so consideradas Freamentos nuclear e eletrnico so considerados independentes
27
Como funciona
MC (vs. equaes de transporte): tratamento mais rigoroso do espalhamento elstico e incluso de superfcies e interfaces, mas computacionalmente intensivo TRIM usa vrias aproximaes para simplificar os clculos mantendo a acurcia. As mais importantes so: (a) uma frmula analtica para colises tomo-tomo (magic formula) e (b) o conceito de vo livre (free flight path) entre colises
28
Consiste em seguir a histria de um grande nmero de ons (e tomos) no alvo A histria comea com dadas energia, posio e direo H troca de direo apenas em colises binrias nucleares A energia diminui com freamento nuclear e eletrnico Fim da histria: baixa energia ou sada do alvo
29
Freamento nuclear
Sorteio do tomo atingido e do parmetro de impacto Clculo do ngulo de espalhamento e da energia T transferida na coliso; uso da frmula mgica, baseada no potencial ZBL (i.e. Coulomb com blindagem ZBL) Dependendo de T, recuo/cascata de colises
Free flight path: analtico, escolhido de modo a ser curto comparado com a distncia mdia entre deflexes de mais de 10 Freamento eletrnico: produto de ffp e seo de choque de freamento (obtida por scaling do valor 30 para H+; envolve estado de carga)
Em resumo...
Durante as colises, on e tomo experimentam potencial de Coulomb blindado, incluindo interaes de troca e correlao entre as camadas eletrnicas que se sobrepem. O on tem interaes de longo alcance e cria excitao eletrnica e de plsmons no alvo. O estado de carga do on no alvo descrito usando o conceito de carga efetiva, que inclui dependncia com a velocidade e blindagem de longo alcance devido ao mar de eltrons
31
We wish to implant the n-well of a CMOS semiconductor device. The implanted ions should have a projected range of about 250 nm and a peak concentration of 51018 atoms/cm3. Assume that our implanter is limited to 200 keV.
Which ion should we use? What dose is required (ions/cm2)? Will our target be amorphous after the implant?
32
Exerccios
Calcule o alcance de prtons de 1,5 MeV (incidncia frontal) num alvo Mn (50 nm)/Ti (50 nm)/Si (substrato). Reporte tambm os segundo, terceiro e quarto momentos da distribuio Para a amostra acima, identifique o intermixing entre as camadas causado por ons He2+ de 2 MeV com incidncia frontal Ainda para a mesma amostra, calcule o sputtering yield devido incidncia de Ar+ a 10 keV e 60 com relao normal
33
Referncias
http://www.srim.org J. F. Ziegler, J. P. Biersack e U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids, Pergamon Press, New York, 1985 Nova edio em 2008: http://www.lulu.com/ content/1524197
34