Elments de dimensionnement des alimentations dcoupage forward et flyback

(incluant lcrteur RCD) Document exploit en preparation lagrgation de Gnie Electrique

Bernard MULTON

ENS de Cachan Antenne de Bretagne

Ecole Normale Suprieure de Cachan, fvrier 2006 ISBN : 2-9099968-73-1
Cours en ligne sur le site web : www.mecatronique.bretagne.ens-cachan.fr

Alimentation forward (mono-interrupteur et une seule sortie)

Schma

Transformateur 3 enroulements

Le cahier des charges spcifie VI , V0 et I0 plus londulation V0 de la tension de sortie Les composants pr-dimensionner sont : -les semi-conducteurs de puissance : T (suppos MOS), D1, D2 et D3 -les composants passifs : Transformateur, Inductance, Condensateur de sortie (le condensateur dentre nest pas trait, se rfrer au cours alimentations dcoupage ) 1. Principaux semi-conducteurs de puissance Au point nominal, on choisit (puisque n1 = n 3 )

0,45

afin de conserver une petite marge de rglage vers

0,5

La puissance vue de lentre vaut : P1 m I 0 VI en prenant arbitrairement (selon le savoir-faire acquis) une valeur du rendement , on peut rduire les itrations de la procdure.

P1 =

P0

Alors le courant moyen de sortie ramen au primaire vaut : mI0 =

P1 VI

Donc, en ngligeant les effets du courant magntisant et de londulation du courant dans linductance de lissage (au secondaire), la valeur efficace (dimensionnante dans le cas dun MOS) du courant dans le transistor vaut : ITrms mI0

La tension maximale aux bornes du transistor vaut : VTMax 2 VI une marge de scurit, dpendant de lapplication doit tre prise, par exemple si

2VI = 100V

BV = 150V

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Diodes : en premire approximation, les diodes sont dimensionnes en courant moyen

ID1 I0 ID 2 (1 ) I0 Tenue en tension : VDMax = mVI + marge de scurit.

Remarque : Pour aller plus loin dans le dimensionnement, les calculs de toutes les pertes doivent tre considrs, notamment celles de commutation. 2. Composants passifs Transformateur : P1

kb 2

BM f J Ae Aw

(voir polycopi Composants Passifs de llectronique de puissance galement tlchargeable) Choix de J, f et BM : Il sagit principalement un problme dchauffement. J (densit de courant) est associe la densit volumique des pertes Joule : J (en W/m3) f .BM correspond la densit volumique de pertes magntiques (malheureusement sans formulation directe) Les densits des pertes acceptables dpendent des dimensions, les effets dchelle sont tels quelles augmentent lorsque les dimensions diminuent. Ex J 10A / mm2 pour une taille de qq cm (ex : pot RM8 ou 10)
Fe 300 W / dm 3 pour des dimensions similaires Notons que la densit de pertes admissible diminue lorsque les dimensions croissent, chauffement donn.
2

La frquence est choisie sur des considrations globales (semi-conducteurs, composants passifs, comptabilit lectromagntique) Le matriau magntique doit tre choisi en fonction de f (voir cours Composants passifs )

Par exemple avec des matriaux conomiques (types S7, B51) 100kHz et 300W / dm 3 : le produit BM f vaut environ : 10 000 20 000 Hz.T soit BM =0,1 0,2 T (en alternatif sinusodal), et donc BM =0,2 0,4 T (en triangle unidirectionnel) Bien sr BM doit tre infrieur Bsat (de lordre de 0,3T chaud)
Alors : Ae

pFe (W/m3) = Cte

Aw

P1 kb 2 BM f J

La valeur de kb dpend de la qualit de bobinage, des isolants ventuellement ajouts et des valeurs de fils maills rellement disponibles Par exemple : k b 0,4

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Une fois le circuit magntique slectionn via son produit Ae.Aw, et dans les produits disponibles (sur catalogue), on dispose des caractristiques magntiques du noyau : Ae, Aw, lw (longueur moyenne dune spire), AL (permance) On notera cependant que le produit des aires ne fait pas partie des donnes directement accessibles (un tableau est propos dans le cours Composants passifs ). Calcul de n1 et n2

M = VI T

et

n1.BM .A e = VI .T

n1

V I .T B M .A e

Pour n 2 , il est ncessaire de connatre le rapport de transformation m : Or, en conduction continue : V0 = mVI V O V correspond lensemble des chutes de tension (semi-conducteurs, rsistances des bobinages, empitement). Si les semi-conducteurs ont t pralablement choisis (compte tenu du prdimensionnement prcdent), leurs chutes de tension peuvent tre values partir de leurs caractristiques. Celles des bobinages peuvent galement ltre par calcul des rsistances (via la section des conducteurs, voir ci-dessous et la longueur moyenne des spires).

n V + V m= 2 = 0 n1 VI
Diamtre des conducteurs Diamtre thorique

S1 =

I1rms IKrms = J J I S2 = 2 rms J

1 =

S1

I2rms I0

2 =

S2

Pour minimiser les pertes par courants induits (effets de proximit), il est prfrable de choisir des diamtres de fil infrieurs 2 e p o e p est lpaisseur de peau

ep =

2 108 m

100kHz : e p 0,2 mm

= 0 = 4 107
Les conducteurs sont donc ventuellement fractionns. Mais il faut savoir que leffet de ce fractionnement nest valable que sils sont torsads (et bien sr isols), comme dans les fils de Litz. La simple mise en parallle a des performances moindres. Caractristiques lectriques

L = n12 AL

V T iM = I = I3M L I3rms

I3M

Dtermination de linductance de fuite quivalent ramene au secondaire (l2eq) : voir cours Composants passifs . Elle peut tre mesure par un essai en court-circuit frquence leve (voisine de la frquence de fonctionnement), par exemple au pont dimpdance.

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Les rsistances des enroulements peuvent tre values par :

R 1 n1

lw Sfil1

R2 n2

lw Sfil2

(Mesurables au pont ou avec une mthode voltampremtrique) Inductance de lissage

WM =

1 2 L ILM 2 mVI (1 ) L= iL f

il faut donc choisir londulation de courant iL

Sa valeur iL rsulte dun optimum technico-conomique surtout centr sur le couple condensateur de sortie - inductance. Une valeur de 50% de I0 est courante, ce qui a pour consquence de donner des fonctionnements en rgime de conduction discontinue ds que le courant de sortie descend en dessous du quart du courant nominal (la moiti de iL ). Ex si iL 0,5 I0 Alors : ILM 1,25I0 Prslection du circuit magntique, choix du produit des aires Ae passifs (+choix de BM , J , kb ) Entrefer :

Aw voir cours Composants

1 On suppose que toute lnergie magntique est stocke dans lentrefer : W M 2

BM 2

Attention e = entrefer total magntique Si les 2 circuits magntiques sont totalement spars par le mme entrefer mcanique : e = 2 e mca Bobinage En ngligeant la circulation du champ dans le fer devant celle de lentrefer, la permance sexprime par :

e Ae

AL 0
Alors : n =

Ae e

L AL

et

S fil =

Ieff J

Condensateur de sortie Tenue en tension UC V0 avec marge de scurit compte-tenu de la rgulation. Sur la base de londulation capacitive C

ce qui donne une valeur minimale de C. Ensuite il faut choisir un condensateur de puissance de capacit suprieure ou gale C et de rsistance quivalente srie ESR <

iL 8V0 f

usuelles une valeur de C bien suprieure celle initialement dtermine), et supportant un courant efficace, la frquence de dcoupage, de : Iceff =

V0 (ce qui conduit gnralement, dans le cas des technologies lectrolytiques iL

i2 . 12

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Alimentation flyback ( une seule sortie)

Schma de principe (condensateur de dcouplage dentre non reprsent et non considr dans cette courte tude) Remarque : il est prfrable davoir lu pralablement le document concernant la procdure de dimensionnement de lalimentation forward (1re partie du document).

Composant magntique unique Ecrteur VCL

Le cahier des charges spcifie VI , V0 , I 0 plus londulation V0 . Les composants prdimensionner sont : - les semi-conducteurs de puissance : T (suppos MOS ici), D - les composants passifs : magntique (inductance couple) et condensateur de sortie (le condensateur dentre nest pas considr ici) - lcrteur charg de limiter la surtension de blocage du transistor due lnergie magntique de fuites non transfre au secondaire.

1. Semi Conducteurs de puissance

Hypothse : la puissance nominale, le fonctionnement est en limite des rgimes discontinu et 1 continu une frquence f (rgulation en mode auto-oscillant), rapport cyclique (sachant quil 2 pourra varier autour de cette valeur)

Si

1 , comme v1 0 2

V0 = VI m
(ce qui donne en passant : m

V0 ) VI

1 V I P P1 = VI I1M I 1M = 0 2 4 I 4 P0 ITrms = 1M I1M VI 6

1 3 I1M avec = 2

(La valeur de rendement injecter est fonction de la puissance et des densits de pertes choisies, globalement fonction du savoir-faire)

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VTM = VI +

V est la surtension accepte pour dmagntiser lnergie de fuites. Son choix rsulte dun compromis entre le dimensionnement en tension du transistor et le dimensionnement en puissance dissipe de lcrteur.
Une bonne solution consiste ajuster V aux tenues en tension des composants standards : Voir galement lanalyse du facteur de dimensionnement plus loin. Diode

V0 + VK 2VI + VK m

(pour

1 ) 2

VK VDSMax 2VI

ID I0
pour une prslection VDM mVI + V0 2V0

mais comme le courant est relativement impulsionnel, il convient de prendre aussi en compte la composante efficace : I 1 4 IRMS 2 M avec I0 = I2M I0 IRMS = 6 4 6 Bien entendu, les calculs dchauffements ncessitent de disposer galement des pertes de commutation. Mais en rgime auto-oscillant (limite de rgime discontinu), le di/dt au blocage est relativement faible et les pertes de recouvrement inverse peuvent tre ngligeables.

2. Composants passifs
Inductance enroulements coupls Bien quil soit possible de stocker de lnergie dans des circuits magntiques matriaux de faible permabilit (dit galement entrefer rparti), nous ne considrons ici que le cas des circuits entrefer localis. Daprs le cours en ligne Composants passifs de llectronique de puissance (site web du dpt de Mcatronique de lENS de Cachan) : P 3 P1 k b f BM J Ae Aw = 0 2 + 1

Le maximum de

P1( )est obtenu lorsque + 1

est minimum soit lorsque 1 ou 0. Ce

qui laisse penser que = composant magntique.

1 nest pas une bonne valeur en ce qui concerne loptimisation du 2

+ 1 = 2 pour =

1 2

+ 1 = 1 pour = 0 ou 1
En fait, cest sans compter laccroissement des pertes magntiques qui rsultent de formes donde dinduction trs impulsionnelles ( mme induction maximale, les pertes magntiques seraient en effet plus leves avec des valeurs de loignes de ).

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On pourrait galement rechercher la valeur de qui minimise le facteur de dimensionnement du transistor qui, dans le cas dun MOS, sexprimerait par :

f dk =

VKM IKrms P1

avec

1 P1 = VI I1M 2
IKrms =

I1M

VKR VI +
2 alors f dk = 3
donc VKR = VI 1 +

VI = 1 1 1 4 2 1 3,2 qui est minimal pour = et vaut alors f dk (1 ) 2 3

V0 VI et V0 = m m 1

Bien entendu, une optimisation conomique globale est ncessaire pour rechercher la valeur optimale de , mais il apparat ainsi que = reprsente un bon compromis global et une valeur acceptable. Comparaison avec le transformateur de lalimentation forward pour =
Forward : P 1
Flyback : P1

1 ( puissance maximale) 2

2 kb f BM J Ae Aw 2

2 0,71 2

3 k b f BM J Ae Aw 2 2

3 0,61 2 2

Lalimentation flyback ncessite un composant magntique dont le produit Ae.Aw est environ 15% suprieur celui de lalimentation forward. Mais cette dernire ncessite galement une inductance de lissage. Suite du dimensionnement du composant magntique (inductance couple) Pour le choix de f , BM et J , on se rfrera la procdure du dimensionnement de lalimentation forward ainsi quau polycopi Composants passifs de llectronique de puissance . Le noyau devra possder un produit des aires tel que :

Ae Aw

kb

P0 f BM

2 2 J 3

Les fuites devront galement tre minimises pour limiter la puissance dissipe dans lcrteur Calcul des nombres de spires n1 et n2 Le flux totale maximal primaire vaut : Alors :

M = VI T

n1

V0 =

(voir partie dimensionnement de lalimentation forward) si =

mVI V (chutes de tension) 1

1 2

VI T BM Ae

avec

T=

1 1 et = (valeur retenue pour le prdimensionnement) f 2

V 0 + V VI

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Diamtre des conducteurs : considrations deffet de peau (voir partie dimensionnement forward)

S1 =

I1rms J

S2 =

I2 rms J

Entrefer : si le stockage dnergie est effectu dans un entrefer

1 B2 1 2 L1 I1M M Ae e (en ngligeant lnergie stocke dans les zones ferromagntiques et en 2 0 2

ngligeant les panouissement des lignes de champ au voisinage de lentrefer) o e est lentrefer magntique quivalent (voir polycopi Composants passifs et partie forward) 1 P avec L1 I1M 2 = 1 2 f Ecrteur : Diffrentes solutions dcrtage sont possibles. Pour simplifier nous considrerons celle constitue par une diode zro de puissance (Diode Transil) mais un circuit RCD est galement possible (voir annexe de ce document). La puissance dissiper dans la rsistance est gale celle obtenue avec le raisonnement diode Zner. Au moment de louverture de K (suppose instantane), on a le schma suivant :
V0 1 VI si = m 2

Inductance de fuites ramene au primaire

VK = VZ 2VI

td =

l1 I1M VK

Lnergie dissipe chaque blocage dans lcrtage vaut : W Z =

1 VZ 2

I1M

td

1 1 V 1 2 WZ = .l1.I1M 2 . Z => WZ = .l1.I1M . 2V 2 2 VK 1 I VZ

La puissance dissipe PZ vaut : Condensateur de sortie

PZ = f W Z

Icrms I0

1 + 3 3(1 )

V0

(1 + ) I0 =
2

4C f

V0
I0 V0 f

9 I0 1 si = 16cf 2

C
ESR <

9 16

V0 2 1 I0 = 4 I0 si = avec I2 M = I2 M 1 2

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Dimensionnement dun crteur RCD

Un crteur est gnralement ncessaire aux bornes du transistor, il permet dviter que ce soit le transistor lui-mme qui crte en passant en avalanche (ce qui peut tre acceptable dans certains cas particulier, notamment basse frquence). Il permet ainsi de dissiper lnergie de fuites non transfre durant la conversion dnergie dans un composant passif externe. Une diode avalanche (Zner de puissance) peut raliser cette fonction et son dimensionnement est assez bien connu, la puissance dissipe est dailleurs gale celle qui sera obtenue ici. Le prsent crteur (RCD) reprsente une solution gnralement plus conomique, nous proposons de dcrire ici son fonctionnement et son dimensionnement. Compte-tenu des imperfections de couplage magntique entre les enroulements, au blocage de linterrupteur, il subsiste une nergie de fuites quil faut vacuer :

1 l1. iM + m.i 2M 2 2 1 Cas du flyback : W = l1.i1M 2 2

Cas du forward : W = O l1 est linductance de fuites ramene au primaire du composant magntique. Dans le cas de forward, on peut modliser le transformateur, au moment de louverture de K par : En labsence dcrteur, la surtension sur K serait dtermine par la tension davalanche du transistor. Avec lcrteur : Hypothses importantes : On suppose Cd suffisamment leve pour que Vd = c te On considre que la tension aux bornes du primaires (due la dmagntisation dans le cas du forward avec n3 = n1, due au transfert dnergie dans le flyback avec un dimensionnement au voisinage de = ) vaut VI. (On aurait pu crire une formulation plus gnrale avec une tension de dmagntisation diffrente de VI) Alors : Vd = 2VI + V Soit t fi le temps de coupure de linterrupteur. Vl1 = V De 0 t d : => t d =

l1 I0 (1) V id = iR + ic or ic = 0 V VI VI + V = (2) => id = iR = d Rd Rd

id =

1 1 l I 2 I0 t d F = F 1 0 (3) 2 2 V ( 2) 1 2 2 V + VI V F R d l1 I0 (3) 2

1 2 V = VI + 4 F R d W VI 2

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 1 2 F Rd W V = VI 1 + 1 2 2 V I

La valeur de Rd dfinit la valeur de la surtension V relativement la frquence de dcoupage, lnergie stocke dans l1 et la tension dalimentation VI .
te Cependant Cd doit tre suffisamment grande pour lisser la tension Vd : Vd = C :

t d << T IR T V d Cd VI + V V d Rd Cd F
on

Rd Cd >> T

aurait

pu

crire

aussi

Puissance dissipe dans Rd , bilan nergtique

V 1 PRd = (VI + V0 ) i1 = F l1 I0 2 1 + I V 2

Remarque importante : lnergie dissipe dans R est toujours plus importante que lnergie stocke dans l1 et ce dautant plus que V , la surtension, est faible.

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Bibliographie
J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations dcoupage, convertisseurs rsonance , Masson, Paris, deuxime. Edition, 1994. H. FOCH, et al., Alimentations dcoupage introduction , Techniques de lIngnieur, D3162, 09/1990. B. MULTON, Composants passifs (magntiques et capacitifs) de llectronique de puissance , version 2004, ISBN 2-909968-66-9, tlchargeable sur www.mecatronique.bretagne.ens-cachan.fr (version 2006 en ligne prochainement).

Imprim par lEcole Normale Suprieure de Cachan - Antenne de Bretagne Ecole Normale Suprieure de Cachan, fvrier 2006 ISBN : 2-9099968-73-1

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