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UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA FE/Bauru - Departamento de Engenharia Eltrica

CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET 1.0 OBJETIVOS Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de: 1. Traar as curvas caractersticas do MOSFET a partir de valores medidos. 2. Ligar o MOSFET como uma chave digital e determinar suas caractersticas de comutao. 3. Ligar o MOSFET como uma chave analgica e determinar suas caractersticas de comutao.

2.0 DISCUSSO Transistores de Efeito de Campo Metal-xido-Semicondutor (MOSFET) apresentam diversas semelhanas e algumas diferenas em relao aos Transistores JFET; a principal diferena o fato da porta ser totalmente isolada do canal por uma camada de xido (dixido de silcio). Com isto, o dispositivo apresenta uma impedncia de entrada infinita e, dependendo da construo, tamanho fsico bastante reduzido, quando comparado ao BJT ou ao JFET de mesma potncia. Esta caracterstica permite a construo de circuitos integrados com altssima escala de integrao (VLSI). Apresenta-se a seguir o apecto construtivo bsico de MOSFET tipo intensificao e tipo depleo.

SiO2 n D n+ substrato _ p G p Contatos Metlicos S n n n+ Canal n SS

(substrato)

G S

MOSFET TIPO DEPLEO

SiO2 n D n+ substrato _ p G p Contatos Metlicos S n n+ p sem canal SS

(substrato)

G S

MOSFET TIPO INTENSIFICAO _____________________________________________________________________________________________________

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CARACTERSTICAS A porta isolada do canal Substrato fracamente dopado e conectado ao terminal S (fonte) Controlado por tenso O MOSFET depleo pode funcionar tambm no modo intensificao

FUNCIONAMENTO a) VGS=0: Com uma polarizao nula na porta, no h alterao do canal (fisicamente ou eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de eltrons livres, da mesma forma que ocorre nos transistores JFET. b) VGS<0: Aplicando-se uma tenso negativa na porta estabelece-se um campo eltrico no material dieltrico de modo que os eltrons do canal so repelidos em direo do substrato e as lacunas do substrato so atradas, ocorrendo recombinao de portadores e causando uma diminuio do nmero de eltrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tenso VGS, menor a corrente entre o dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificao permanece a inexistncia de canal. c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tenso positiva na porta, estabelece-se um campo eltrico que arrasta os portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no canal a partir das colises resultantes, e em decorrncia disto h um aumento na capacidade de conduo de corrente no canal; isto chamado de operao no modo intensificao. No caso do MOSFET tipo intensificao, o acmulo de eltrons do substrato junto ao dieltrico, causado pelo campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-fonte.

CURVAS DE DRENO
ID

VGS > 0
IDss

VGS = 0

modo intensificao modo depleo

VGS < 0 VGS(off) V DS

Vp

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ID

m odo depleo

m odo intensi ficao

VGS(off)

VGS

Fig. 3 - Curva de Transcondutncia do MOSFET

O VMOS um MOSFET de potncia. Um MOSFET comum trabalha com correntes na ordem de miliamperes, e o VMOS tpico transfere correntes de centenas de miliamperes (exemplo: o VMOSFET VN10KM tem uma corrente tpica de dreno de 300mA). O VMOS normalmente usado em circuitos de comutao, na interface entre circuitos integrados de baixa potncia e cargas de alta potncia e em amplificadores de potncia. Nota: H uma diferena de parmetros entre os MOSFETs de cada unidade, o que perfeitamente normal.

3.0 PROCEDIMENTO

CURVAS DE DRENO (CARACTERSTICAS DE SADA) 1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema. 2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia. 3. Localize o circuito da Fig. 1 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas. 4. Digite " " para mudar o indicador de experincias para 11. 5. Ajuste Vgs = 0 atravs de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tenses de acordo com a tabela da figura 2. Mea e registre os valores das tenses e correntes para cada caso. PRESTE ATENO: Ajuste primeiro V2 (V2 = PS-2), retire a ponta do osciloscpio do circuito, e aps mea Id. Os resultados sero mais precisos. Mudanas na escala do ampermetro afetam as medidas e ajustes ! ( perfeitamente normal no serem preenchidos todos os quadradinhos da tabela, principalmente para valores Vds maiores que 1V.)

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