Fibre ottiche fotosensibili

Funzione
Le fibre ottiche fotosensibili servono alla realizzazione di dispositivi in fibra ottenuti mediante la modificazione permanente dellindice di rifrazione del nucleo e/o del mantello indotta mediante esposizione a radiazione ottica, tipicamente UV (fotosensibilit). Limpiego principale delle fibre fotosensibili per la realizzazione di reticoli di Bragg (Fiber Bragg Grating FBG) a passo corto (Short Period Grating SPG, e a passo lungo LPG). Un reticolo di Bragg ottenuto tramite una modulazione periodica di entit nUV dellindice di rifrazione del nucleo con periodo .

Reticoli di Bragg: scrittura

Scrittura di FBG con il metodo della maschera di fase Spettro di trasmissivit di un FBG a passo corto

0
fascio UV maschera di fase fibra ottica
ordine +2

-15 -30
ordine -2

ordine +1 ordine 0 (<3%)

ordine -1

-45 1544 1547 1550 Lung he zza d'o nda (nm )

Reticoli di Bragg e fibra fotosensibile

Parametri principali
Parametri della fibra e del reticolo Periodo del
reticolo Lunghezza del reticolo Dn indotto da radiazione UV

L n UV

Lunghezza donda
di Bragg Riflettivit del reticolo Parametro di modulazione

Bragg

= 2 n eff
2

reticolo

R = tanh

( L )

n UV = Bragg

Caratteristiche generali richieste alle fibre fotosensibili

Elevati n (10-3).
Cinetica di crescita n monotona. Alta stabilit allannealing termico. Bassa sensibilit alla temperatura.

Utilizzo dei reticoli di Bragg nei sistemi TLC

Limpiego dei reticoli di Bragg sempre pi diffuso per realizzare: Filtri di canale in sistemi WDM (spaziatura 200, 100, 50 e 25 GHz) Compensatori di dispersione cromatica (reticoli chirped) Stabilizzatori della lunghezza donda di emissione di diodi laser F-P Equalizzatori dello spettro di guadagno, in particolare di EDFA Riflettori per cavit laser in fibra (laser a Yb, laser Raman).

Origine della fotosensibilit

Lesposizione a radiazione, tipicamente nella regione spettrale UV, induce variazioni stabili nei legami chimici e/o nella microstruttura del materiale che ne modificano lindice di rifrazione. La fotosensibilit non correlata a variazioni del campo elettrico interno al materiale, nel qual caso si parla di fotorefrattivit. I meccanismi fisici coinvolti sono: Modifica delle bande di assorbimento del materiale nelle regioni spettrali dellUV e del visibile con conseguente variazione di n determinata dalla relazione di Kramers-Kronig. Compattamento della struttura del vetro con variazione della densit e conseguente variazione di n determinata dalla relazione di LorentzLorentz. Rilascio degli stress residui congelati nella fibra (di tensione o compressione) e conseguente variazione di n per effetto fotelastico

Fotosensibilit della silice drogata con Ge

Modello a centri di colore
Il processo di fabbricazione delle fibre in silice drogata con germanio prevede la reazione ad alta temperatura di cloruri di Si e Ge con O2. Il processo tale da dar luogo ad una fase amorfa (vetro) nella quale il Ge, sebbene tetravalente come il Si, non sempre sostituzionale (non lega tutti I 4 e-). Si creano quindi difetti nei legami, principalmente di tipo GeO, GeE, Ge(1), Ge(2).

Fotosensibilit della silice drogata con Ge

Modello a centri di colore
Il difetto GeO determina una banda di assorbimento a 240 nm. Lassorbimento di un fotone a tale lunghezza donda permette il rilascio di un elettrone che viene catturato per formare uno degli altri difetti, che hanno bande di assorbimento a 195, 270 e 256 nm. Le variazioni di UV comportano il seguente n:

[ i ( ) ] m d n ( ) = 2 2 m 2 (2 ) i 2 [ ( ) ] 1
m 2

Valori tipici di n per =1500 nm sono di 10-4

Fotosensibilit della silice drogata con Ge

Modello del compattamento
Lirragiamento UV fornisce lenergia di attivazione per un riordinamento su corta distanza della struttura della silice che risulta tanto pi disordinata quanto maggiore la presenza di codroganti. I tetraedri della silice si organizzano in anelli di dimensione minore. Il compattamento modifica la densit del vetro e la sua polarizzabilit . La conseguente variazione di n data dalla:

( n 2 1)(n 2 + 2) = (1 + ) 2 n 6n

Valori tipici di n per =1500 nm sono di 10-3

Fotosensibilit della silice drogata con Ge

Effetto fotoelastico
Durante i processi di fabbricazione della preforma e di filatura della fibra possibile introdurre stress residui di notevole entit (10-20 Kg/mm2). Oltre che dai parametri di processo lo stress dipende dalla composizione del nucleo e del mantello Il processo di scrittura del reticolo pu rilasciare gli stress a seguito del riscaldamento locale e della riorganizzazione della struttura Uno stato di sforzi radiale, angolare e assiale r , e z nella fibra determina la seguente variazione fotoelastica nella distribuzione radiale, angolare e assiale dellindice di rifrazione (dove B1 e B2 sono I coeff. Elasto-ottici):

( B2 + 3B1 ) < n >=< nr >=< n >= < z ( 0 ) > 2

Valori tipici di n per =1500 nm sono di 5 x 10-4

Fotosensibilit della silice drogata con Ge

Fotosensibilizzazione tramite caricamento con idrogeno
E possibile far diffondere idrogeno molecolare nella fibra mediante caricamento ad alta pressione e/o temperatura. La presenza dellidrogeno, durante lirraggiamento UV, comporta la seguente reazione fotochimica: Tutti gli atomi di Ge partecipano alla reazione e non solo quelli con difetti di legame
Valori tipici di n per =1500 nm sono di 10-3

Il caricamento con H2 comporta alcuni svantaggi: tempo e costo del processo Attenuazione in 3a finestra Diffusione dell H2

Tecniche di fotosensibilizzazione
Fotosensibilizzazione mediante alto drogaggio di Ge
Lincremento della concentrazione di Ge aumenta il numero di centri di colore come evidenziato dallassorbimento a 242 nm. La crescita di riflettivit non monotona a causa di due diversi meccanismi fotosensibili (Type I e Type IIA). Lalta concentrazione di Ge incrementa il n dipendente dai centri di colore ma ha scarso effetto sul n massimo da comapattamento. Il reticolo di tipo IIA fortemente soggetto ad annealing termico e quindi critico da un punto di vista applicativo.

16 14 12 10 8 6 4 2 0

Trasmissivit (dB)

Ge=12% Ge=28%

Tempo di esposizione (secondi)

200

400

600

800

Tecniche di fotosensibilizzazione
Fotosensibilizzazione mediante drogaggio di Ge+B e Ge+F
Laggiunta di F o di B riduce lindice di rifrazione e quindi permette maggior incorporamento di Ge a parit di apertura numerica (NA). Entrambe i codroganti spostano linsorgenza del reticolo di tipo IIA a tempi di esposizione maggiori e quindi permettono una maggiore crescita del reticolo di tipo I .
12

Il codrogaggio conB comporta I seguenti svantaggi Forte decadimento della riflettivit per anneling termico Alta birifrangenza Alta attenuazione a 1550 nm Irregolarit geometrica della fibra

Ge+B Ge+F

Trasmissivit (dB)

10 8 6 4 2 0 0 1000 2000

3000

4000

5000

Tempo di esposizione (secondi)

Tecniche di fotosensibilizzazione
Fotosensibilizzazione mediante rilascio degli stress interni
La presenza di forti stress residui determina una precoce insorgenza del reticolo di tipo I con conseguenti svantaggi E possibile rilasciare gli stress interni mediante due tecniche: Applicazione di una forte tensione durante la filatura della fibra Interposizione tra nucleo e mantello di uno strato in vetro soffice che crea una distribuzione pi graduale degli sforzi.
Trasmissivit (dB) 10 8 6 4 2 0 0 1000 2000 3000 4000 Tempo di esposizione (secondi)
F=50g F=100g F=200g F=300g

Trasmissivit (dB)

10 8 6 4 2 0 0 1000 2000 3000 4000

cladding codrogato cladding in silice

Tempo di esposizione (secondi)

Caratteristiche della guida donda

Accoppiamento di potenza sui modi di cladding
La scrittura del reticolo di Bragg richiede la rimozione del rivestivento della fibra ad alto indice di rifrazione Il salto dindice vetro-aria della fibra senza rivestimento determina una guida donda che supporta modi di cladding Per specifiche lunghezze donda, il vettore donda introdotto dal FBG soddisfa la condizione di phase mattching per accoppiamenti di potenza tra il modo fondamentale copropagante ed i modi di cladding contropropaganti. Laccoppiamento di potenza sui modi di cladding introduce picchi di perdita nello spettro di trasmissione che limitano fortemente le prestazioni di alcuni importanti dispositivi basati su FBG.

Caratteristiche della guida donda

Accoppiamento di potenza sui modi di cladding
Fibra step index NA=0.2 c=1300nm Profilo dindice neffLP01 Modi di cladding LP0n

neffLP0n

LP01

Caratteristiche della guida donda

Accoppiamento di potenza sui modi di cladding
Condizione di phase matching per il modo fondamentale: Condizione di phase matching per il modo di cladding:

2 2 n nLP 01 LP 01 = B B

2 2 2 nLP 01 nLP 0 n = ' '

Wavelength [nm]
1527 1529 1531 1533 1535 1537 1539 1541 1543 1545 1547 1549 1551 1553 -2

Il valore di potenza accoppiata dal modo fondamentale LP01 al modo di cladding LP0m proporzionale allintegrale di sovrapposizione (teoria dei modi accoppiati):
Rgr
T ra n s m is s io n (d B )

N .O.I . =

-7

LP 01 LP 0 m r dr d

-12

-17

Come minimizzare il N.O.I. ?

-22

Soppressione dellaccoppiamento sui C.M.

Fibre con mantello fotosensibile
Per la condizione di ortogonalit tra i modi, al tendere di Rgr a linegrale di sovrapposizione tende a zero Tale condizione pu essere approssimata rendendo fotosensibile anche il mantello fino alla zona in cui il modo LP01 trascurabile. Il mantello viene reso fotosensibile drogandolo con Ge e contemporaneamente con F per comensare lincremento di indice di rifrazione cos da mantenerlo allo stesso valore di n della silice pura.

Ge ~ 13 % mol nco NA=0.13 (SMF) ncl Ge ~ 13 % mol +F

Soppressione dellaccoppiamento sui C.M.

Fibre con mantello depresso
Una riduzione dellindice di rifrazione condizione di ortogonalit tra i modi, al tendere di Rgr a linegrale di sovrapposizione tende a zero Modi di cladding LP0n

Profilo dindice

Soppressione dellaccoppiamento sui C.M.

Fibre ad alto salto dindice di rifrazione
Lelevato salto dindice di rifrazione e il contemporaneo alto confinamento del modo fondamentale nel core (alto V number) aumentano il valore della costante di propagazione LP01 del modo fondamentale. Al contrario la costante di propagazione dei modi di cladding molto meno sensibile al valore del salto dindice del core, dato che soprattutto determinata dallindice di rifrazione del cladding Di conseguenza la differenza tra le lunghezze donda che soddisfano le condizioni di phase-matching per il modo fondamentale e i modi di cladding diventa grande.

B
B

LP 01

= 2 neff LP 01
= (neff LP 01 + neff LP 0 n )

LP 01

BLP 01 = (neff LP 01 neff LP 0 n )

LP 0 n

Si ottiene cos non la soppressione dei modi di cladding ma una ampia separazione in lunghezza donda dei picchi di perdita rispetto al picco di riflessione di Bragg del modo fondamentale.

Soppressione dellaccoppiamento sui C.M.

Confronto tra fibre fotosensibili
Step index Mantello fotosensibile

Mantello depresso

Alto confinamento

Prodotti commerciali: prestazioni e uso

0
Trasmissivity [dB]

-10 -20 -30 -40 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 W avelength shift [nm]

Wavelength [nm]
1544 0 -0.1
Trasmissivity [dB]

1548

1552

1556

1560

-0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1

> 9 nm Corning OTI BDF-HPXX-1