FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores.

Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica Electrnica. 1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. AISLANTE En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad CONDUCTOR Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. SEMICONDUCTOR En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento. Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc..

Un material aislante es aquel que, debido a que los electrones de sus tomos estn fuertemente unidos a sus ncleos, prcticamente no permite sus desplazamientos y, por ende, el paso de la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de tensin entre dos puntos del mismo.

Cualquier material que ofrezca poca resistencia a un flujo de electricidad es un conductor. El conductor ms utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre

Ejemplo de materiales conductores: Metales como plata, cobre, oro y aluminio se cuentan entre los mejores conductores.

Ejemplo de materiales aislantes: Cermica, vidrio, plstico, goma, papel seco, aire, etc. Ejemplo de materiales semiconductores: Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. 2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P ? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro? Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de electrones que de protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en la corriente. Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su ltima capa el semiconductor se denomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podra decir que se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos del semiconductor. Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando de nuevo un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede verse desde dos puntos de vista. El primero es el del electrn movindose de derecha a izquierda, el segundo sera el del hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan importante es un movimiento como el otro, y que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por los huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario.

Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y extrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma, produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en un semiconductor; as que ambos efectos se suman y la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor. Portadores mayoritarios y minoritarios No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el nombre de portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones movindose hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos y otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente. Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en menor medida. Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los electrones que han saltado de su sitio. Un semiconductor PURO es el mismo llamado intrnseco, entonces los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est dopado. Las corrientes que se generan en el seno de un semiconductor intrnseco a temperatura ambiente son insignificantes, y para aumentarlas se les aaden otros cuerpos, que se denominan impurezas. La forma como circula la corriente en los semiconductores extrnsecos:

Si a un semiconductor del tipo N se le aplica una tensin entre sus extremos se produce un gran movimiento de electrones (portadores mayoritarios) hacia el borne positivo, mientras que los huecos, al existir en tan escaso nmero, provocarn una debilsima corriente en sentido contrario. Por cada electrn que sale del semiconductor N, atrado hacia el polo positivo de la pila, hay otro que desprende el borne negativo de la pila y lo introduce en la estructura, por lo que esta mantiene siempre la misma concentracin de portadores mayoritarios. Tambin al aplicar una tensin a un semiconductor de tipo P se producen dos corrientes de portadores: una muy importante, de huecos (carga positiva) y otra, casi despreciable, de electrones (carga negativa). As que, resumiendo, diremos que la concentracin inicial de portadores mayoritarios y minoritarios se mantiene en la estructura del semiconductor extrnseco al aplicarle una diferencia de potencial, porque la misma cantidad que absorbe un borne de la alimentacin lo aporta el otro. 3. Consulte sobre otros tipos de diodos, d iferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo. El diodo Schottky:

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky es la solucin ya que puede conmutar ms rpido que un diodo normal. El diodo Schottky con polarizacin directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente a los 0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz. Diodo varicap:

El diodo varicap fue un invento que realizaron Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann en 1958 trabajando para Pacific Semiconductors (PSI) en California. Ya se conocan los fenmenos fsicos que permitan aprovechar los cambios de capacidad elctrica en funcin de la tensin aplicada a un diodo, pero el primer

trabajo en conseguir un mtodo estable de fabricacin y repetividad en los dispositivos fue el creado por Sanford Barners, Sherman Oaks y Jhon Mann. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos es la de sustituir los sistemas mecnicos de capacitador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, como pude ser en la sintona de televisin, modulacin de frecuencia en transmisin de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje. El diodo de capacidad variable basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Si aumentamos la tensin, aumenta la anchura de la barrera, haciendo que disminuya la capacidad del diodo. Haciendo esto obtenemos un condensador variable controlado por tensin. Diodo Tnel:

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. 4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP. ESTRUCTURA FSICA:

Los modelos fsicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la figura anterior. La zona central se denomina "Base", mientras que las zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector". El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar la corriente que fluye entre Colector y Emisor a travs de la aplicacin de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando directamente la unin baseemisor e inversamente la unin base-colector. Transistor NPN Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Transistor PNP Tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias

dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo 5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico ? Semiconductores: Presente, Pasado y Futuro. Hoy en da una gran cantidad de aparatos con aplicaciones en investigacin, ciruga o posicionamiento llevan dentro un semiconductor. Igual que los LEDs, esas bombillitas que ya tenemos en todos lados que consumen poco e iluminan mucho y que se encuentran desde en los semforos de la calle hasta en los ratones pticos de sobremesa. Los semiconductores no slo estaban por doquier, sino que eran parte de aparatos muy diversos con aplicaciones muy distintas. Adems, ya no slo conducen la electricidad, sino que tambin pueden recoger y emitir luz. Ahora bien, el mundo sigue avanzando imparable en su desarrollo tecnolgico, pero su objetivo primordial ya no es la miniaturizacin de las cosas, no, porque la palabra "miniaturizacin", irnicamente, se le ha quedado grande. El James Bond del futuro no llevar una cmara de alta definicin en su alfiler de corbata, adems llevar una impresora lser y un compartimento para guardar el ticket del parking. Ahora el futuro est en la nanotecnologa. El gran problema y la gran ventaja de la nanotecnologa no es que todo sea ms pequeo y difcil de manejar, tampoco la gran disipacin que se puede producir si se intenta pasar mucha corriente por una regin tan pequea, ni la gran friccin que sufren los materiales por el importante valor de la relacin superficie-volumen, sino que la Fsica subyacente es la Fsica Cuntica, un modelo que puede ser complicado de manejar con sistemas sencillos y que,

cuando se aplica a cosas complejas, como se pretende con la nanotecnologa, da lugar a fenmenos completamente inesperados o difcilmente controlables, aunque, siempre, muy interesantes. Ivan K. Schuller; (investigador de San Diego nacido en Rumana) "Cuando se empuja a la Ciencia para buscar cosas aplicadas uno se encuentra aquello que espera encontrar, pero cuando se empuja a la Ciencia para apretar los lmites de la Fsica uno se encuentra lo inesperado, que es mucho ms interesante desde el punto de vista prctico." As pues, la investigacin nanotecnolgica est sufriendo un autntico auge y una gran infinidad de proyectos de Fsica del Estado Slido han sido rebautizados slo para ponerles el prefijo "nano" en el nombre. Ya se han conseguido nanolseres (2001) y nanodiodos superconductores (2003), sin embargo, todava falta mucho para que la realidad supere a la ficcin y que podamos ser capaces de construir los tan citados nanorrobots. Lo que s es seguro es que los semiconductores jugarn un papel muy importante en todo esto. Se dice mucho que los superconductores sern el futuro, pero lo cierto es que por el momento es imposible fabricarlos a temperatura ambiente. Por lo que los semiconductores siguen siendo un "arma de futuro". De esto se han dado cuenta las grandes empresas y ya IBM e Intel estn trabajando en la escala del nanmetro. Por el momento estn en el lmite de los 90 nm, pero su intencin es llegar hasta los 15 nm. Mirando en perspectiva, los semiconductores han recorrido un largo camino, en lo que a sus aplicaciones se refiere. Ahora hay un nuevo horizonte, el horizonte nanotecnolgico. No s a dnde nos llevar, pero seguro que es muy, muy lejos. FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

 indicador: sonda roja