Leccin 2.

Dispositivos semiconductores de potencia

2.1 Introduccin. 2.2 Diodos. 2.3 Tiristores. 2.4 Interruptores controlados. 2.5 Disipacin de calor.

2.1 Introduccin
Diodos

Estados ON y OFF controlados por el circuito de potencia.

Tiristores
Pasan a ON mediante una seal de control y a OFF por el circuito de potencia.

Interruptores controlados
Conmutan entre ON y OFF mediante seales de control. BJT, MOSTET, GTO, IGBT

2.2 Diodos
iD A + vD K

iD

iD

I VR VF vD

vD

VF = tensin directa de conduccin VR = tensin inversa de ruptura

Formas de ondas tpicas

V1 t R1 V1 VR VR t

VT

VT

El diodo en conmutacin
iD iF

trr Qrr IRM t

trr = tiempo de recuperacin inversa IRM = corriente de recuperacin inversa

Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr) VRRM Estndar Fast Ultra Fast Schottky 100 600V 100 - 1000 V 200 - 800 V 15 - 150 V IF 1 - 50 A 1 50 A 1 - 50 A 1- 150 A trr

> 1s
100 500 ns 20 100 ns

< 2 ns

Ejemplo

2.3 Tiristores
+ A iA
iA ON Paso de OFF a ON si se aplica un pulso de iG OFF VAK
0

vAK

K iG G
iA

A = nodo K = Ctodo G = Puerta

Estado ON OFF a ON VAK Estado ON

Formas de ondas tpicas

V1 t R1 V1 iG VR
Disparo

iG t VR t VT t

VT

Apagado del tiristor

iA

trr t VAK ON OFF

tq
tq = tiempo de recuperacin del tiristor

10

Ejemplo

11

TRIAC
T1 iT12 iG disparado VT12 iG disparado T2 iT12

Conduce en ambos sentidos (bidireccional). Se puede disparar con corrientes entrantes o salientes. Aplicaciones de baja potencia.

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Formas de ondas tpicas

V1 t R1 V1 iG VR
Disparo

iG t VR t VT t

VT

Vrms

2 2 = (Vm sen t ) dt T

13

Ejemplo

14

2.4 Interruptores controlados

iT
+

vT

Interruptor ideal: En off bloquear tensiones directas e inversas elevadas. En on conducir corrientes elevadas con cada de tensin nula. Conmutar instantneamente entre on y off.

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Disipacin de potencia
Seal de control del interruptor

On Off vT , i T vd ton Off toff vd

Io von

t pT(t) vdIo tc(on)

Wc ( off ) 1 Vd I 0 t c ( off ) 2

tc(off)

Won
Wc ( on ) 1 Vd I 0 t c ( on ) 2

16

El transistor de unin bipolar (BJT)

iC iB6
iB B + vBE C iC + vCE E

iB5 I iB4 iB3 iB2 iB=0 iB1 vCE(sat) vCE

B=Base C=Colector E=Emisor

Es un dispositivo controlado por la corriente de base iB

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Polarizacin
Zona de saturacin iC

iB6

RC RC VBB

iC
I

iB5 iB4
Zona activa

+ vCE -

VCC

iB3 iB2 iB1

iB
iB=0 vCE(sat)

vCE

Zona de corte

18

El transistor en conmutacin
iC

En el estado OFF IB = 0
On

En el estado ON VCE = 0

Off

v CE

Para llevar el transistor a ON :

IB f

IC hFE

hFE = ganancia de corriente del transistor

19

El transistor en conmutacin

IB Carga VB RB VCE t VB Saturado t VCC VCE Cortado

20

Configuracin Darlington
iC C C iC

B iB

B iB

E E

hFE hFE1 hFE2

hFE hFE1 hFE2 hFE3

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Transistor MOSFET
Zona de iD saturacin
VGS=7V 6V

(Drenador)
iD D + vDS vGS S

(Puerta)

G +

Zona activa

5V 4V

(Fuente) Zona de corte Es un dispositivo controlado por la tensin de puerta: vGS Conduce si vGS > vGS (umbral)

vDS

22

El MOSFET en conmutacin

Carga ID Rg VEE VDS Cortado 15V t VCC Saturado t VDS VCC

VEE

23

Ejemplo

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24

Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

C MOSFET G E Se controlan fcilmente por vGE (como los MOSFET). Alta capacidad de manejar corriente (como los bipolares). En estado ON la tensin VCE(ON) es pequea: 2 3V. Ms rpidos que los BJT y menos que los MOSFET. Bipolar

25

IGBT vs. MOSFET

Aplicaciones tpicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja potencia (<100 kHz)

26

Ejemplo

27

Tiristor de apagado por puerta (GTO)

iA
A iA + v AK iG K
iA

Off On vAK
0 vAK

Se activa mediante un pulso de iG de corta duracin. Se desactiva aplicando una vGK negativa. Aplicaciones en las que es necesario controlar tanto la activacin como la desactivacin del interruptor.

28

Transicin a OFF
Circuito para reducir dv/dt en el apagado (snubber)

A C G Circuito de gobierno de puerta K R D t iA vAK

29

Ejemplo

30

Comparacin dispositivos de potencia

Referencia 3

31

2.5 Disipacin de calor

32

Flujo de calor en rgimen permanente

Unin Tj Capsula Aislador Disipador Td Ta Tc

Unin

Capsula

Disipador

Ambiente

+ Pd Tj -

Rjc

+ Tc -

Rcd + Td -

Rda

+ Ta -

Rja = Rjc+ Rcd + Rda Tj = Ta + Pd Rja

Tj = Temperatura de la unin Ta = Temperatura ambiente Pd = Potencia media disipada por el dispositivo Rjc= Resistencia trmica unin-carcasa Rcd= Resistencia trmica carcasa-disipador Rda= Resistencia trmica disipador-ambiente

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Clculo del disipador

Rda < Rja (Rjc+ Rcd)

Rja (max) =

T j ,max Ta ,max Pd

Rda

Longitud

Si no se puede alcanzar Rda se acude a un ventilador

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