2-6.

DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR

J J
I

Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje. El dopaje supone que, deliberadamente, se aaden tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco.

o Aumento del nmero de electrones libres

Cul es el proceso de dopaje de un cristal de silicio? El primer paso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y cambiar el estado del silicio de slido a lquido. Con el fin de aumentar el nmero de electrones libres, se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido. Los tomos pentavalentes tienen 5 electrones en el orbital de valencia. El arsnico, el antimonio y el fsforo son ejemplos de tomos pentavalentes. Como estos materiales donarn un electrn extra al cristal de silicio se les conoce como impurezas donadoras. La Figura 2-8a representa cmo queda el cristal de silicio despus de enfriarse y volver a formar su estructura de cristal slido. En el centro se halla un tomo pentavalente rodeado por cuatro tomos de silicio. Como antes, los tomos vecinos comparten un electrn con el tomo central, pero en este caso queda un electrn adicional. Recurdese que cada tomo pentavalente tiene 5 electrones de valencia. Como nicamente pueden situarse ocho electrones en la orbital de valencia, el electrn adicional queda en un orbital mayor. Por tanto, se trata de un electrn libre. Cada tomo pentavalente, o donante en un cristal de silicio, produce un electrn libre. Un fabricante controla as la conductividad de un semiconductor dopado. Cuantas ms impurezas se aadan, mayor ser la conductividad. As, un semiconductor se puede dopar ligera o fuertemente. Un"semiconductor dopado ligeramente tiene una resistencia alta y uno fuertemente dopado tiene una resistencia pequea.

. ELECTRN LIBRE

''
I
1

o Aumento del nmero de huecos

Cmo dopar un cristal de silicio para obtener un exceso de huecos? La respuesta es utilizando una impureza trivalente; es decir, una impureza cuyos tomos tengan slo 3 electrones de valencia, como, por ejemplo, el aluminio, el boro o el galio. La Figura 2-8b muestra un tomo trivalente en el centro. Est rodeado por cuatro tomos de silicio, cada uno compartiendo uno de sus electrones de valencia. Como el tomo trivalente tena al principio slo 3 electrones de valencia y comparte un electrn con cada uno de sus vecinos, hay slo 7 electrones en el orbital de valencia. Esto significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada tomo trivalente. Un tomo trivalente se denomina tambin tomo aceptor, porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin.
(a)

(b)

o Puntos que hay que recordar

Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, se pueden determinar con precisin las propiedaFigura 2-8. a) Dopaje para obtener ms electrones libres; b) dopaje para obtener ms huecos.

,.

,,-

/...
42
PRINCIPIOS DE ELECTRNICA

des del semiconductor. Inicialmente resultaba ms fcil producir cristales puros de germanio que de silicio. Por esta razn los primeros dispositivos
-

semi conductores estaban hechos de germanio. Despus mejoraron las tcni-

cas de fabricacin y se pudieron obtener cristales puros de silicio. Por las ventajas que tiene, el silicio se ha erigido como el material semiconductor ms popular y til.

EJEMPLO2-4
Un semiconductor dopado tiene 10.0 Jido y 15 millones de tomos pe ambiente es de 25C, cuntos el dentro del semiconductor?
SOLUCIN ;;'3

2-'-

DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

Un semiconductor se puede dopar para qlJe tenga un exceso d<:; electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados.

o Semiconductortipo n
El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo. En la Figura 2-9 se muestra un semiconductor tipo n. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando ,un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres mostrados en la Figura 2-9 circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor para circular hacia el terminal positivo de la batera.

--------

--------

--------

---------------------+ +

-------+ +

o Semiconductor tipo p
Figura 2-9. El semiconductor tipo n tiene muchos electrones libres.

El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. La Figura 2-10 representa un semiconductor tipo p. Como el nmero de huecos supera al nmero de

SEMICONDUCTORES

43

electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la Figura 2-10, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el diagrama de la Figura 2-10 hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres.dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores miHe.I:iwios, su efecto es casi despreciable en este circuito. ",--r"c"~

++++++++ ++++++++ ++++++++ ++++++++ ++++++++ ++++++++ ++++++++ ++++++++

2.8.

EL DIODONO POLARIZADO

Figura 2.10. El semiconductor tipo p tiene muchos huecos.

Por s mismo, un cristal semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbn; lo que tambin se puede decir de un semiconductor tipo p. Pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo p y la otra mitad sea tipo n. La separacin o frontera fsica entre un semi conductor tipo n y uno tipo p se llama unin pn. La unin pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados. Comprender la unin pn permite entender toda clase de dispositivos fabricados con semiconductores.

o Eldiodo no polarizado
Como se ha expuesto en la seccin anterior, cada tomo trivalente .en un cristal de silicio produce un hueco. Por esta razn puede representarse un cristal de semiconductor tipo p como se aprecia en el lado izquierdo de la Figura 2-11. Cada signo menos (-) encerrado en un crculo representa un tomo trivalente y cada signo ms (+) es un hueco en su orbital de valencia. De manera similar, los tomos pentavalentes y los huecos en un semiconductor tipo.n se pueden representar como se aprecia en el lado derecho de la Figura 2-11. Cada signo ms encerrado en un crculo representa un tomo pentavalente y cada signo menos es el electrn libre con que contribuye al semiconductor. Obsrvese que cada cristal de material semiconductor es elctricamente neutro porque el nmero de signos menos y ms es igual.
p .n +

e e e e + + + + e e e e + + + + e e e e

e e e e
Figura 2.11.

e e (i) e

e e e e e e e e e e e e -

Dos tipos de semiconductores.

)E ELECTRNICA

Un fabricante puede producir un cristal de material tipo p en un lado y de tipo n en el otro lado, como se muestra en la Figura 2-12. La unin es la frontera donde se juntan las regiones tipo n y las de tipo p, por lo que esta
estructura se llama tambin diodo de
unin

(la palabra diodo es una contrac-

cin de la expresin dos electrodos), donde di significa dos.

o Lazona de deplexin
Debido a su repulsin mutua, los electrones libres en el lado n de la Figura 2-12 tienden a dispersarse en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden atravesando la unin. Cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un pO1;tador minoritario. Con tantos huecos a su alrededor, este electrn tiene un tiempo de vida muy corto. Poco despus de entrar en la regin p, el electrn libre cae en un hueco. Cuando esto sucede, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en un electrn de valencia. Cada ocasin en la que un electrn se difunde a travs de la unin, crea un par de iones. Cuando un electrn abandona el lado n, deja un tomo pentavalente al que le hace falta una carga negativa; este tomo se convierte en in positivo. Una vez que el electrn cae en un hueco en el lado p, el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte en in negativo. En la Figura 2-13a se muestran estos iones a cada lado de la unin. Los signos ms (+) encerrados en crculos representan los iones positivos, mientras que los signos menos (-) encerrados en crculos representan los iones negativos. Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los electrones libres y los huecos. Cada pareja de iones positivo y negativo en la unin se llama dipolo. La creacin de un dipolo hace que desaparezcan un electrn libre y un hueco. A medida que aumenta el nmero de dipolos, la regin cercana a la unin se vaca de portadores. A esta zona sin portadores se la conoce como zona de deplexin (Fig. 2-13b).

Barrera de potencial

Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivo y negativo que lo forman; por tanto, si entran electrones libres adicionales en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolver estos electrones hacia la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que

e + e + e + e

e + e + e + e

e + e + e + e

e + e + e + e

0 0 0 0

0 0 0
-

0 0 0
-

0 0 0
-

0 0

Figura 2-12.

La unin pn.

U~HH~'-'. " IONES ZONA DE DEPLEXIN

e e e e + + + e e e e

e e e e + + + e e e e + + +

e e e G e e e e
(a)

e e e e e e e e -

e e e + + + e e e + + + e e e
e e e
+ + + f
(b)

e e e G e e e e e -

e e e

Figura 2.13.

a) Creacin de iones en la unin;.b) zona de deplexin.

cruza hasta que se alcanza el equilibrio. En una primera aproximacin, esto significa que el campo acabar por detener la difusin de electrones a travs de la unin. En la Figura 2-13 el campo elctrico entre los ion es es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial. A 25 DCla barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V para diodo s de germanio y de 0,7 V para diodo s de silicio.

2.9.

POLARIZACiN DIRECTA

En la Figura 2-14 se ve una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, y el terminal positivo al material tipo p. Esta conexin se llama polarizacin directa.

o Flujo de electrones libres

En la Figura 2-14 la batera empuja huecos y electrones libres hacia la unin. Si la tensin de la batera es menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen suficiente energa para atravesar la zona de deplexin. Cuando entran en esta zona, los iones se ven empujados de regreso a la zona n. A causa de esto no circula corriente a travs del diodo.
p

ce e e
+ +

e e e

e e e e G G + + e e e G G G

v-=-

Figura 2.14.

Polarizacin directa.

ELECTRNICA

Cuando la fuente de tensin continua es mayor que la barrera de potencial, la batera empuja de nuevo huecos y electrones libres hacia la unin. Esta vez los electrones libres tienen suficiente energa para pasar a travs de la zona de deplexin y recombinarse con los huecos. Para hacerse una idea bsica, imaginemos todos los huecos en la zona p movindose hacia la derecha y todos los electrones libres desplazndose hacia la izquierda. En algn lugar prximo a la unin estas cargas opuestas se recombinan. Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo, existe una corriente continua a travs del diodo.

o ElflujOde un electrn
Sigamos a un nico electrn a lo largo del circuito completo..Despus de que el electrn libre abandona el terminal negativo de la batera entra en el extremo derecho del diodo. Viaja a travs de la regin n hasta que alcanza la unin. Cuando la tensin de la batera es mayor que 0,7 V, el electrn libre tiene energa suficiente para atravesar la zona de deplexin. Poco despus
.

de entraren la reginp se recombinacon un hueco.

En otras palabras, el electrn libre se convierte en un electrn de valencia. Como tal contina su viaje hacia la izquierda, pasando de un hueco al siguiente hasta que alcanza el extremo izquierdo del diodo. Cuando deja este ltimo, aparece un nuevo hueco y el proceso comienza otra vez. Como hay miles de millones de electrones haciendo el mismo viaje, tenemos una corriente continua a travs del diodo.

, .

o Recordatorio
La corriente circula fcilmente en un diodo de silicio polarizado en directa. Cuando la tensin aplicada sea mayor que la barrera de potencial habr una gran corriente continua en el circuito. En otras palabras, si la fuente de tensin es mayor que 0,7 V, un diodo de silicio produce una corriente continua en la direccin directa.

2-10.

POLARIZACiNINVERSA

Si se invierte la polaridad de la fuente de continua, entonces el diodo quedar polarizado en inversa, como se ve en la Figura 2-15. En este caso, el terminal negativo de la batera se encuentra conectado alIado p y el terminal positivo lo est alIado n. Esta conexin se denomina polarizacin inversa.

o Ensanchamiento de la zona de deplexin

El terminal negativo de la batera atrae los huecos y el terminal positivo los electrones libres; por ello, los huecos y electrones libres se alejan de la unin; como resultado, la zona de deplexin se ensancha.

p
+ +

e e e e e e + + e e e e e e + + e e e e e e

v-

Figura 2-15.

Polarizacin inversa.

Cunto aumenta la anchura de la zona de deplexin en la Figura 2-l6a? Cuando los huecos y los electrones se alejan de la unin, los iones recin creados hacen que aumente la diferencia de potencial a travs de la zona de deplexin. A mayor anchura de dicha zona corresponde mayor diferencia de potencial. La zona de deplexin deja de aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada. Cuando esto sucede los electrones y los huecos no se alejan de la unin. En ocasiones, la zona de deplexin se muestra como una zona sombreada como la de la Figura 2-16. La anchura de esta zona sombreada es proporcional a la tensin inversa. A medida que la tensin inversa crece, aumenta tambin la zona de deplexin.

o Corriente de portadores minoritarios

Existe alguna corriente despus de haberse estabilizado la zona de deplexin? S. Incluso con polarizacin inversa hay una pequea corriente. Recurdese que la energa trmica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, 10 que significa que a ambos lados de la unin existen pequeas concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de stos se recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan dentro de la zona de deplexin pueden vivir 10 suficiente para cruzar la unin. Cuando esto sucede, por el circuito externo circula una pequea corriente.
-

e e e + + + e e e + + +
e e e
+ + +

0 e e - - -

e e e
(a) Figura 2-16.

e e e

e e e -

e -

0 -

0
-

v:+
(b)

a) Zona de deplexin; b) incrementar la polarizacin inversa aumenta el ancho de la zona de deplexin.

CIPIOS DE ELECTRNICA p
+ + +

--

e e + -e e e e e e - + + + e e e e e e e e - - + + + e e e e e e e e

Figura 2-17. La produccin trmica de electrones libres y huecos en la zona de deplexin produce una corriente inversa de saturacin minoritaria.

En la Figura 2-17 se ilustra esta idea. Supngase que la energa tnnica ha creado un electrn libre y un hueco cerca de la unin. La zona de deplexin empuja al electrn libre hacia la derecha, provocando que un electrn deje el extremo derecho del cristal. El hueco en la zona de deplexin es . empujado hacia la izquierda. Este hueco extra en el lado p ocasiona que un electrn entre por el extremo izquierdo del cristal y se recombine con un hueco. Como la energa trmica est creando constantemente pares electrn-hueco dentro de la zona de deplexin, se producir continuamente una pequea corriente en el circuito externo. La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos trmicamente se llama corriente inversa de saturacin. En las ecuaciones esta corriente se simboliza por Is. El nombre representa el hecho de que no se puede obtener una corriente de portadores minoritarios mayor que la producida por energa trmica; es decir, aumentar la tensin inversa no har que crezca el nmero de portadores minoritarios creados trmicamente.

o Corriente superficial de fugas

Adems de la corriente de portadores minoritarios producidos trmicamente, existe alguna otra corriente en el diodo polarizado en inversa? S, una pequea corriente circula sobre la supeljicie del cristal. Esta corriente se denomina corriente superficial de fugas, que es causada por impurezas en
.'

la supeljicie del cristal e impeifecciones

en su estructura interna.

o Recordatorio
La corriente inversa total en un diodo es una corriente de portadores minoritarios muy pequea y dependiente de la temperatura y una corriente de fugas superficial muy pequea y directamente proporcional a la tensin aplicada. En muchas aplicaciones la corriente inversa de un diodo de silicio es tan pequea que pasa inadvertida. La principal idea a recordar es que la corriente es aproximadamente cero en un diodo de silicio polarizado en inversa.

2.11.

RUPTURA

Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican. Por tanto, existe un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruido. Si se aumenta continuamente la tensin inversa, llegar un momento en que se alcance la tensin de ruptura del diodo. Para muchos diodos, la tensin de ruptura es normalmente mayor de 50 V. La tensin de ruptura se muestra en la hoja de caractersticas del diodo. Hablaremos sobre las hojas de caractersticas en el Captulo 3. Una vez alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la zona de deplexin y el diodo conduce descontroladamente. De dnde vienen estos portadores? Se producen por el efecto de avalancha (Fig. 2-18) que aparece con tensiones inversas elevadas. Como siempre, hay una pequea corriente inversa de portadores minoritarios. Cuando la tensin inversa aumenta, obliga a los portadores minoritarios a moverse ms rpidamente. De esta forma chocarn con los tomos del cristal. Si dichos portadores adquieren la energa suficiente, pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos; es decir, pueden producir electrones libres. Estos nuevos portadores minoritarios pueden unirse a los ya existentes para colisionar contra otros tomos. El proceso es geomtrico, ya que un electrn libre libera a un electrn de valencia, obtenindose dos electrones libres. Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y as sucesivamente, de forma que el proceso contina hasta que la corriente inversa es muy grande. En la Figura 2-19 se observa una vista amplificada de la zona de deplexin. La polarizacin inversa obliga a los electrones libres a moverse hacia la derecha. Cada electrn, a medida que se desplaza, gana velocidad. Cuanto mayor sea la tensin inversa, ms rpido se mueven los electrones. Si un electrn con una gran velocidad tiene la energa suficiente, puede golpear el electrn de valencia del primer tomo y colocarlo en una orbital mayor, lo que da como resultado dos electrones libres, los cuales pueden acelerarse y desligar dos electrones ms. De esta forma, el nmero de portadores minoritarios puede llegar a ser demasiado grande y el diodo puede conducir sin control. La tensin de ruptura de un diodo depende del nivel de dopaje del mismo. Con diodos rectificadores (el tipo ms comn), la tensin de ruptura suele ser mayor de 50 V.
+

-@

.-@@@

-1

+ + + +

+ +

+e
Figura 2.18.

-@ -@ -@

La avalancha produce muchos electrones libres y huecos en la zona de deplexin.

Figura 2.19. El proceso de avalancha es una progresin geomtrica: 1,2,4,8, ...

~1 --

50

PRINCIPIOS DE ELECTRNICA

2-12.

NIVELES DE ENERCA

O
(a)

NCLEO

Como una buena aproximacin, la energa total de un electrn puede identificarse con el tamao de su orbital. Es decir, puede pensarse que el tamao de cada uno de sus radios (Fig. 2-20a) es equivalente a los niveles de energa. representados en la Figura 2-20b. Los electrones de la orbital ms pequea estn en el primer nivel de energa; los electrones de la segunda orbital estn en el segundo nivel de energa y as sucesivamente.

o Ms energa en el orbital mayor

Como el electrn es atrado por el ncleo, se requiere energa adicional para llevado a un orbital mayor. Cuando un electrn salta de la primera al segundo orbital, gana energa potencial con respecto al ncleo. Algunos de los agentes externos que pueden hacer saltar a un electrn a un nivel de energa mayor son el calor, la luz y la tensin elctrica. Supngase, por ejemplo, que una fuerza externa eleva el electrn de la primera al segundo Corbital.Este electrn tiene ms energa potencial porque est ms alejado del ncleo. La situacin es similar a la de un objeto situado sobre la Tierra. Cuanto ms alto se halle el objeto, mayor ser su energa potencial con respecto a la Tierra. Si se suelta el objeto, puede realizar un mayor trabajo al caer sobre la Tierra.

BORDE DE NCLEO

(b)

Figura 2-20. El nivel de energa es proporcional al tamao de la orbital. a) Orbitales; b) niveles de energa.

o Los electrones pueden emitir luz

Despus de que un electrn ha saltado a una orbital mayor, puede regresar a su nivel de energa inicial. Si lo hace, devolver la energa sobrante en. forma de calor, luz u otro tipo de radiacin. En un diodo emisor de luz (LED: Light-Emitting Diode), la tensin aplicada eleva los electrones a niveles superiores de energa. Cuando estos electrones caen de nuevo a los niveles inferiores de energa, desprenden luz: Dependiendo del material que se use en la fabricacin del diodo, la luz es roja, verde, naranja o azul. Algunos LED producen radiacin infrarroja (invisible), que es til en sistemas de alarma antirrobos.

o Bandas de energa
Cuando un tomo de silicio est aislado, la orbital de un electrn slo se ve influida por las cargas del tomo aislado. Lo que provoca que los niveles de energa sean los que se representan por las lneas de la Figura 2-20b. Pero cuando los tomos de silicio estn en un cristal la orbital de cada electrn tambin se ve influenciada por las cargas de muchos otros tomos de silicio. Como cada electrn tiene una posicin nica dentro de la red cristalina, no hay dos electrones que posean exactamente el mismo patrn de cargas alrededor. sta es la razn de que la orbital de cada electrn sea diferente; o, dicho de otro modo, los niveles de energa de cada electrn son distintos.. La Figura 2-21 muestra lo que le sucede a los niveles de energa. Tod~s los electrones de la primera orbital tienen niveles de energa ligeramente diferentes porque no hay dos electrones que vean exactamente el mismo

- - -++++

.
o

.
o

.
I

BANDA DE CONDUCCiN

25C

BANDA DE VALENCIA

2.a BANDA -273C 1.a BANDA

Figura 2-21.

Semiconductor intrnseco y sus bandas de energa.

entorno de cargas. Como hay miles de millones de electrones en la primera orbital, estas ligeras diferencias de niveles de energa forman un grupo o banda de energa. Similarmente, los miles de millones de electrones de la segunda orbital forman la segunda banda de energa; y as sucesivamente para el resto de las bandas. Otra aclaracin. Como ya se sabe, la energa trmica produce unos pocos electrones libres y huecos. Los huecos permanecen en la banda de valencia, pero los electrones libres se mueven a la banda de energa inmediatamente superior, la cual se denomina banda de conduccin. ste es el motivo por el que la Figura 2-21 muestra una banda de conduccin con algunos electrones libres y una banda de valencia con algunos huecos. Cuando se cierra el interruptor, existe una pequea corriente en el semiconductor puro. Los electrones libres se desplazan a travs de la banda de conduccin y los huecos lo hacen a travs de la banda de valencia.

o Bandas de energa tipo n

La Figura 2-22 presenta las bandas de energa para un semiconductor tipo n. Como cabra esperar, los portadores mayoritarios son los electrones libres en la banda de conduccin, y los minoritarios son los huecos en la banda de valencia. Como el interruptor est cerrado en la Figura 2-22, los portadores mayoritarios circulan hacia la izquierda y los minoritarios hacia la derecha.

o Bandas de energa tipo p

La Figura 2-23 muestra las bandas de energa para un semiconductor tipo p. Aqu se observa una inversin de papeles de los portadores. Ahora los portadores mayoritarios son los huecos en la banda de valencia, y los minoritarios son los electrones de la banda de conduccin. Como el interruptor est cerrado, los portadores mayoritarios circulan hacia la derecha y los minoritarios hacia la izquierda.

52

PRINCIPIOS DE ELECTRNICA

- - -+

- - --

. . . . . . . .
o
BANDA

++++ ++++

.
BANDA DE CONDUCCIN

BANDA DE CONDUCCiN

o
O
DE VALENCIA

O O

O O

O O

25C

25C

BANDA

DE VALENCIA

2." BANDA

2." BANDA

-273C

1." BANDA

-273 C

1." BANDA

Figura 2-22. Semiconductor tipo n y sus bandas de energa.

Figura 2-23. Semiconductor tipo p y sus bandas de energa.

2-13- LA BARRERADE ENERCA

Para comprender el funcionamiento de tipos ms avanzados de dispositivos semiconductores, es necesario conocer el modo en que los niveles de energa controlan la accin de una unin pn.

o Antes de la difusin
Suponiendo una unin abrupta (es decir, una unin que pasa bruscamente del materialtipo p al materialtipo n), cmo es el diagramade energa correspondiente? En la Figura 2-24a se representan las bandas de energa antes de que los electrones se hayan difundido a travs de la unin. El lado p tiene gran cantidad de huecos en .la banda de valencia y el lado n posee muchos electrones en la banda de conduccin. Pero por qu las bandas p estn ligeramente ms altas que las bandas n? El lado p est formado por tomos trivalentes con una carga de la parte interna de +3, como se muestra en la Figura 2-24b. Por otra parte, el lado n tiene tomos pentavalentes con una carga de la parte interna de +5 (Figura 2-24c). La parte interna de +3 atrae a un electrn con menos fuerza que la parte interna de +5. Por tanto, los orbitales de un tomo trivalente (lado p) son ligeramente mayores, en energa, que los de un tomo pentavalente (lado n). Una unin abrupta como la de la Figura 2-24a es una idealizacin, ya que el lado p no puede terminar sbitamente donde comienza la regin n. Un diodo real exhibe un cambio gradual de un material a otro. Por esta razn, la Figura 2-25a constituye un diagrama de energa ms realista de un diodo de unin.

"<".

~='~-

~"-~ -~

-~

SEMICONDUCTORES

53

ENERGA

ORBITAL DE LA BANDA DE CONDUCCiN

UNiN
BANDA DE CONDUCCiN

p O 000 O 000000
BANDA DE VALENCIA

ORBITAL DE LA BANDA DE VALENCIA (b)

~
(e)

(a)

Figura 2.24. a) Bandas de energa de una unin abrupta antes de la difusin; b) los tomos de tipo p tienen orbitales ms grandes, equivalentes a un nivel de energa mayor; c) los tomos de tipo n tienen orbitales ms pequeas, equivalentes a un nivel de energa menor.

o Enel equilibrio
En el instante inicial, cuando el diodo se forma, no existe la zona de deplexin (Fig. 2-25a). En ese caso los electrones libres se difundirn a travs de la unin. En trminos de los niveles de energa, este hecho supone que los electrones de la parte superior de la banda de conduccin n se muevan a travs de la unin, como se describi antes. Inmediatamente despus de cruzar la unin, un electrn libre se recombinar con un hueco; es decir, el electrn caer de la banda de conduccin a la banda de valencia y, al hacerlo, emitir calor, luz y otras radiaciones.Esta recombinacin no slo crea la zona de deplexin, sino que adems cambia los niveles de energa en la unin. La Figura 2-25b muestra los diagramas de energa despus de que haya sido creada la zona de deplexin. Las bandas p se han desplazado hacia arriba con respecto a las bandas n. Como se puede ver, la parte inferior de la banda p est al mismo nivel que la parte superior de la banda n correspondiente, lo que quiere decir que los electrones en el lado n ya no tienen energa suficiente para cruzar la unin. A continuacin se da una explicacin simplificada del desplazamiento hacia arriba de la banda p. La Figura 2-25c contiene una orbital de la banda de conduccin alrededor de uno de los tomos trivalentes antes de que se lleve a cabo la difusin. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin, cae en un hueco de un tomo trivalente (Fig. 2-25d). Este electrn extra en la orbital de valencia aumentar el tamao del orbital de la banda de conduccin, alejndola ms del ncleo del tomo trivalente, como se aprecia en la Figura 2-25d. Por tanto, cualquier nuevo electrn que llegue a esta regin necesitar ms energa que antes para moverse en una orbital de la banda de conduccin. Dicho en otros trminos, el aumento del orbital de la banda de conduccin indica que el nivel de energa se ha incrementado, lo que equivale a decir que las bandas p se desplazan hacia arriba con respecto a las bandas n despus de que se crea la zona de deplexin. En el equilibrio, los electrones de la banda de conduccin en el lado n se mueven en orbitales que no son lo suficientemente grandes para ajustarse a las orbitales del lado p (Fig. 2-25b). Es decir, los electrones en el lado n no

54

PRINCIPIOS DE ELECTRNICA

ENERGA BANDA DE CONDUCCiN

ENERGA

-. ...... ... .
p
o O O O O O O O BANDA DE VALENCIA (a) (b) BANDA DE CONDUCCiN CON HUECO OCUPADO n p O O O O O O O n

Figura 2.25. La difusin modifica las bandas de energa. a) Bandas de energa antes de la difusin; b) bandas de energa despus de formarse la zona de deplexin; e) el tomo tipo p tiene una orbital menor antes de la difusin; d) el tomo tipo p tiene una orbital ms grande despus de la difusin, equivalente a un nivel de energa mayor.

BANDA DE CONDUCCiN CON HUECO

HUECO

~
(c)

~
(d)

atravesar la unin. Para un electrn que trate de difundirse a travs de la unin, la trayectoria que debe recorrer presenta una barrera de energa (Fig. 2-25b). El electrn no puede atravesar esta barrera a menos que reciba energa de una fuente de alimentacin externa. (Esta fuente de energa puede ser una fuente de tensin, pero tambin puede ser calor, luz o otra radiacin.)
tienen la suficiente energa para

o Polarizacindirecta
Mediante la polarizacin directa se logra que disminuya la barrera de energa (Fig. 2-26). En otras palabras, la batera aumenta el nivel energtico de los electrones libres, lo que equivale a empujar la banda n hacia arriba. Debido a esto, los electrones libres adquieren la energa suficiente para en-

trar en la zonap. Exactamente despusde entraren dicha zona, cadaelectrn cae en un hueco (trayectoria A). Como electrn de valencia, contina su viaje hacia la izquierda del cristal, lo que equivale a que los huecos se muevan hacia la unin. Algunos huecos penetran en la regin n como se muestra en la Figura 2-26. En este caso, los electrones de la banda de conduccin pueden seguir la trayectoria de recombinacin B. Independientemente de dnde se

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ENERGA

p 0000

A:I t

N.......
I I I

T
O

:8 I

O O O O

c>-o

Figura 2-26.

La polarizacin directa proporciona ms energa a los electrones libres, equivalente a un nivel de energa mayor.

lleve a cabo esta recombinacin, el resultado es el mismo. Un flujo estable de electrones libres se mueve hacia la unin y cae en los huecos cercanos a ella. Los electrones as capturados (ahora electrones de valencia) se mueven hacia la izquierda en un flujo continuo mediante los huecos de la regin p. Se produce as una corriente continua de electrones a travs del diodo. Cuando los electrones libres caen de la banda de conduccin a la de valencia irradian su exceso de energa en forma de calor y luz. En un diodo normal la radiacin es energa calorfica, la cual no se puede aprovechar. Pero con un diodo emisor de luz (LED), la radiacin es una luz de color rojo, verde, azul o naranja. Los diodos LED se emplean mucho como indicadores visuales en instrumentos electrnicos, teclados de ordenador y electrnica de consumo.

2-14- LA BARRERADE POTENCIAL

Y LA TEMPERATURA
La temperatura de la unin es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la unin pn. La temperatura ambiente es diferente. Es la temperatura del aire fuera del diodo, el aire circundante al diodo. Cuando el diodo est conduciendo, la temperatura de la unin es ms alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinacin. La barrera de potencial depende de la temperatura en la unin. Un incremento en la temperatura de la unin crea ms electrones libres y huecos en las regiones dopadas. Como estas cargas se difunden en la zona de deplexin, sta se estrecha, lo que significa que hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la unin. Antes de continuar necesitamos definir un smbolo:
L1

= el

cambio en

(2-2)

La letra griega L1(delta) significa aqu el cambio en. Por ejemplo, L1 V significa el cambio en la tensin, y L1Tsignifica el cambio en la temperatura.

ELECTRNICA

La relacin LiVILiT representa el cambio en la tensin dividido por el cambio en la temperatura. Ahora podemos establecer una regla para estimar el cambio en la barrera de potencial: la barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2 m V por cada incremento de 1 grado Celsius. Como una derivacin:

LiV LiT = -2 mVOC

Reordenando:

(2-3)

LiV = (-2 mV/C) LiT

(2-4)

Con esto podemos calcular la barrera de potencial a cualquier temperatura de la unin.