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EL TRANSISTOR UNIUNION (UJn y EL TRANSISTOR UNIUNION PROGRAMABLE'(PUn 5.1.

INTRODUCCION
En la prctica anterior vimos jm componente, el tiristor, al que se le puede hacer conmutar desde el estado de bloqueo"al estado conductor mediante la aplicacin de un impulso conveniente en el terminal de. puerta En ste, veremos dos nuevos componentes, el transistor uniunin (UJT) y el transistor uniunin programable (PUT), en los que tambin tiene lugar un paso brusco del estado de bloqueo al estado conductor, con la diferencia respecto al del tiristor en que este paso se produce cuando una tensin de control rebasa un valor determinado.

5.2. DESCRlPCION BASlCA


B transistor UJT
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor uniunn), con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B2) Y base 1 (BI). Esta barra de silicio consta de un grado de dopado caracterstico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (RBB). En un punto determinado de la barra, ms prximo a B2 que a Bl' se incrusta un material .tipo P para formar una unin P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal d emisor (E). Considerando el lugar de insercin del material tipo P, se obtiene un divisor de tensin sobre la resistencia RBB original: el formado por las partes correspondientes de la barra N comprendidas entre B2 y E Y entre E y B1 A estas resistencias as obtenidas se las denomina Rs, Y Rsz, respectivamente. La relacin existente entre ellas es de suma importancia, de manera que se define el parmetro 1] como

el cual depende del proceso de fabricacin, del grado de dopado, de la geometra del elemento, ete. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de especificacienes. La Figura 5.1a muestra la estructura interna de un UJT, siendo su circuito equivalente el de la Figura 5.1b~.El smbolo usual para este transistor se representa en la Figura 5.1c. en el que se observa que la punta de la flecha apunta hacia el terminal B1

EQ-- . It---t

(a)

Figura 5.1. El transistor UJT: (a) Estructura fsica, (b) Circuito equivalente. (e) Smbolo ms usual.

[lJ

Tal como se ve en el circuito de la Figura 5.2, la forma habitual de polarizar al UJT es mediante dos bateras. una (VBB) que polariza a las bases y la otra (Va) para la unin E-Bl' con la que se dota a dicha unin de una polarizacin directa. Este circuito nos servir para obtener las curvas caractersticas del UJT.

Figura 5.2.

Circuito para obtener las curvas caractersticasdel UJT

En principio supondremos que el potencimetro P es un cortocircuito. Si inicialmente se hace VBB = OYse aumenta progresivamente la tensin VEE> la unin E- B 1 se comporta como un diodo polarizado en directo. El funcionamiento difiere notablemente cuando VBB es distinta de cero. En este caso, y para una tensin VEJ; = O, circular una corriente a travs de la barra de silicio de valor tal, que en el ctodo del diodo se obtendr una tensin .

;;:-

quedando, por tanto, la unin P-N polarizada en inverso y circulando una corriente inversa de emisor. Conforme se aumenta la tensin VEE, disminuye la polarizacin inversa del diodo y, consecuentemente, la corriente de emisor, hasta llegar a un punto en el que no circula corriente: esta tensin VEE ser de valor igual a VK Si se contina aumentando VEE el diodo queda polarizado en directo, comenzando a circular una corriente de emisor, y cuando la tensin VEE alcanza el valor VK ms los 0,7 voltios correspondientes a la tensin de codo del diodo, el emisor inyecta portadores en la regin N de aqul, modulando la resistencia RBt' con lo .que sta disminuye de valor hasta prcticamente desaparecer. En ese momento, la tensin VEB1 cae bruscamente, aumentando lE con la misma rapidez: se ha producido el cebado del UJT. A la tensin VEB, correspondiente al cebado se la conoce como tensin de pico (Vp) y tiene como valor

~ =

1'/. VBB

+ 0,7

De la expresin anterior se deduce que la tensin de cebado del UJT depende de la tensin de alimentacin (VBB), con lo que variando sta conseguiremos igualmente variar la tensin de pico. En la Grfica 5.1 se observa el punto de pico del UJT para una tensin VBB dada, indicndose con lnea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre de zona de resistencia negativa.
Zona de conduccin

Grfica 5.1. Curvas caractersticas del UJT.

Una vez cebado -el UJT, si se aumenta el valor de P la corriente lE disminuir gradualmente, mantenindose prcticamente constante la tensin VEB, hasta llegar a un punto de P tal, que la corriente lE pasa por debajo del valor I", llamado de valle, momento en el que se produce un paso del UJT al estado de bloqueo, aumentando VEB1 y disminuyendo lE hasta el valor de la corriente de fuga del diodo.

[2]
...._. __ .._._-------~------------------------

El transistor PUf
Con las siglas pUT de Programmable Unijunction Transistor (transistor uniunin programable) se designa a un elemento cuyo comportamiento es similar al UJT,con la diferencia respecto a ste de que la relacin '1 puede programarse mediante un divisor de tensin exterior. A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el terminal de puerta G se toma del lado del nodo en lugar del de ctodo. En la Figura 5.3a se representa la estructura interna del elemento y en la Figura 5.3b su smbolo. Al terminal de puerta, para diferenciarIe de los tiristores, se le suele denominar puerta
andica (G,().
A

p
N p

(a)

6
K

(b)

Figura 5.3. El transistor PUT. (a) Estructura interna. (b) Smbolo.

La forma tpica de polarizar al PUT se muestra en la Figura 5.4a, en la que se observa el divisor de tensin de puerta formado por Rl y P. Aplicando el teorema de Thvenin al terminal de puerta, se obtiene el circuito equivalente (Fig. 5.4b), en el que el valor de Vs y RG vienen determinados por las expresiones

v.
S

= P

R1'

v..
GU

R Y

G:-.

Rl' P R; + P

(a)

(b)

FIgUla 5.4.

Polarizacin del PUT. (a) Circuito completo. (b) Circuito equivalente.

Para una Vs determinada y mientras VAA permanezca inferior a aqulla, la comente de nodo (lAl es. prcticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si la tensin VAA supera en cierta cantidad (llamada tensin de offset: Yorrset) a Vsse produce una inyeccin de portadores en el diodo formado por A y GA' dando lugar a un efecto de avalancha que provoca el cebado del PUT. Al valor VAl{ necesario para provocar este cebado se le llama tensin de pico (~), por analoga con el UJT. Una vez cebado el PUT. si se reduce la tensin VAA' de manera que la corriente de nodo pase por debajo de un valor llamado de valle (Iv), se produce el paso al estado de bloqueo, al igual que ocurra en el UJT. En la Grfica 5.2 se representa la curva caracterstica del PUT;en -Jaque hAD representa la corriente inversa de la unin nodo-puerta, estando el terminal de ctodo abierto.

.[3]

v.. :

V-

Grfica 5.2. Curva caracterstica del PUT


I.u.

para

unas RG y J~ dadas,

Una vez visto el comportamiento bsico de ambos elementos pasaremos a estudiar su principal aplicacin: la de generador de relajacin. . .

5.3.
11

FUNCIONAMIENTO

Oscilador de relajacin con UJT

En la Figura 5.5 se representa un circuito tpico de oscilador de relajacin con UJT y en el que la resistencia R2 cumple la funcin de estabilizar trmicamente al transistor. La Grfica 5.3 muestra las formas de onda de salida de este circuito. Al conectar la alimentacin, el condensador e se empieza a cargar a travs de R1 + P con una velocidad determinada por la constante de tiempo de estos elementos segn la expresin Vc
=

VBB(l -

e-ti')

Transcurrido un tiempo determinado ls, la tensin Ve ser iguaLal valor de pico del UJT. con lo que ste se cebar, dando lugar a una corriente de emisor y provocando la descarga de e a travs de R3: en la salida v,,2 aparece un pulso de tensin .

~----r---oVBB

v,,1----f

= 470Q, 1/2 W = 33 1/2 W P = SOkn = 100 nF, 32 V VaB = 15V


R2

T= 2N2646 R~ = 4,7 kQ, l2 W

R3

ltt.,
I I

V.

fo---'----

1. I
I

t--T~

( I

J __ ,
I

I
~2

Figura 55.

1-:'

\.1

.".,lI

I I

Oscilador de relajacin

con UJT.

Grf"rca 5.3. Formas de onda del circuito


de la Figura 55.

De la expresin anterior de carga del condensador se puede obtener el tiempo que tarda e en alcanzar la tensin ~ mediante

Si 10 que se pretende es disear un circuito para que el flanco de subida del diente de sierra dure un tiempo ts determinado, bastar fijar el valor de uno de los componentes (normalmente C) para obtener el otro en funcin de l, mediante la expresin

e-In (1 _

VBB

VI')

Ahora bien. conforme se descarga e, el valor de lE pasa por debajo del valor L; pasando el UJT, por tanto, al estado de bloqueo e inicindose con ello un nuevo ciclo. El tiempo tb durante el cual se descarga C se obtiene de la expresin de descarga de un condensador a travs de una resistencia, es decir, de

;~:'

pero Ve haba alcanzado la tensin VI' y se descargar hasta la tensin de valle del UJT, modificndose por tanto la expresin anterior a la forma .

V"

= ~

e-r/~

por otra parte, la tensin ~ corresponde al codo de un diodo polarizado admitiendo que este valor sea de 0,7 Y, entonces 07 = Vp -e-t/r , luego, siendo r =
R3

en directo y,

e y despejando

lb> se

obtiene

Sise desea calcular el valor de R3 (aunque normalmente se hace lo suficientemente bajo como para despreciar el tiempo de descarga de C) para que tI> tenga un valor prefijado, bastar despejara de la ecuacin anterior, as

C-(ln 0,7 -

In ~)

Considerando que el perodo T de la onda de salida es la suma de ts Y tI> que este ltimo suele ser despreciable frente a Is. se obtiene la frecuencia de oscilacin del circuito

f=-~T
despreciando los 0,7 V se puede hacer V, ~ aplicando las propiedades de los logaritmos.

1
ts

n : VBB para
nos queda

sustituido

en la expresin de Is Y

f =:. ~ ~
ts
(Rl.

1_-,--_-.-

P)-C-In

(_1_)
1 - r

ecuacin que nos da. con bastante aproximacin, la frecuencia de oscilacin del circuito. Por ltimo, aadir que la resistencia Rl en serie con P es necesaria, porque la recta de carga del conjunto ha de cortar obligatoriamente a la grfica del UJT en tres puntos para que ste bascule, siendo el lmite superior de P el correspondiente a una intensidad superior a la Ip del UJT, para que tenga lugar el paso del estado de bloqueo al estado conductor,

Oscilador de relajacin con PUf


En la Figura 5_6 se representa un circuito tpico de este tipo de oscador, en el que puede comprobarse un gran parecido al anterior, con la nica diferencia del divisor de tensin formado por R3 y P que, como se ha dicho anteriormente, permite programar la tensin a la que se produce el cebado del PUT, siendo, por tanto, este circuito ms flexible en su utilizacin que su equivalente con UJT. Las formas de onda de las tensiones de salida del circuito no se han representado debido a su gran semejanza con las dibujadas en la Grfica 5.3. refirindonos a estas ltimas en la explicacin del funcionamiento del circuito.

[~]

.---------.----<l~A
Th = BRY56 R1 = 150 k!l,~I/2 W R2 = R3 = 1 kQ, 1/2 W C=56nF,32V P = 2,5 kn V:,y = 10 V

Ir ,-01

FJgUra 5.6. Oscilador de relajacin con PUT.

Al conectar la alimentacin, el terminal de puerta queda aplicado a un potencial determinadoporR, y P de valor '..,.

por otra parte, el condensador extremos una tensin

e se empieza a cargar

a travs de Rl' apareciendo entre sus

Esta carga de e contina hasta que se alcanza la tensin Vp> momento en el que se produce el cebado de PUT y provocando la descarga del condensador. Como ya sabemos. la tensin Vp es igual a la suma de Voffset ms lIS. pero en la mayora de las ocasionesv"ffset es de un valor suficientemente pequeo como para poder despreciarse, as pues. .
Vs

VA4 (1 -

eC"l/f)

y despejando el tiempo necesario para alcanzar .115

o lo que es igual

lS=-R1C.ln(t-

P
R3

+ P

expresin en la que se ve que este tiempo es independiente de la tensin de alimentacin y que nicamente depende de la constante de tiempo y del divisor de tensin formado por RJ y P. Si se desea disear un oscilador para un ts determinado, bastar fijar e y obtener R, en funcin de l. como se vio en el circuito anterior. Una vez cebado (:1 PUT, el condensador se descarga a travs de Rz hasta que 1.11 pasa por debajo de la corriente 1", momento en el que empezara un nuevo ciclo. Considerando que la tensin a la que se haba cargado e en el momento del cebado es igual a Vs y que en el instante del,descebado del PUT la tensin Ve sea igual a la VAK de conduccin, se tiene que

ahora bien, VAK es un dato que suele dar el fabricante, que para el BRY56 corresponde a 1,4 V, as pues, despejando el tiempo que tarda en producirse la descarga de C. se obtiene

siendo el tiempo total del diente de sierra el correspondiente a T


= ts

tlt

.. Al igual que ocurra en el caso del UJT, el valor de R2 suele ser pequeo en comparacin con Rt. pudindose despreciar por tanto t,; la frecuencia de oscilacin del circuito vendr dada por la expresin
.. 1 1 !=-Z:1.T ts

m~i