Universidad Autnoma de Occidente. Rosero N.; Arciniegas Carlos, Amplificador de voltaje con transistores JFET y BJT. .

23 septiembre 2012, Santiago de Cali.

Amplificador de voltaje con transistores JFET y BJT

Rosero N, Juan Sebastin Carlos Arciniegas Universidad Autnoma de Occidente

Resumen
La prctica a desarrollar se basa en un amplificador de tensin diseado mediante dos etapas la primera con una configuracin de autopolarizacin para un transistor JFET y la segunda con una configuracin de divisor de tensin para un transistor BJT, estos dos transistores son de tipo NPN; en el diseo se realizaros los respectivos clculos para encontrar las resistencias y condensadores adecuados que permitan generar una considerable ganancia tensin final, el diseo y montaje fue basado en el anlisis sobre el comportamiento de cada transistor el cual es diferente para cada uno, debido a que se implemento dos tipos diferentes de configuraciones para cada transistor fue necesario tambin realizar un anlisis sobre las variables que se producen tanto en la simulacin como en el montaje real.

Como se muestra en la imagen No.1, se aproxima los condensadores como corto circuito cuando se analiza un sistema con seal alterna, y para un Anlisis en corriente continua los condensadores se toman como un circuito abierto.

Imagen No.1. (a) Condensador de acople; (b) Condensador en corto circuito para seal; (b) Condensador en circuito abierto para continua y en corto circuito para seal. [1]

INTRODUCCIN
Es importante conocer primero los elementos que se aplican en un sistema con un transistor cuando se aplica seal, un elemento de suma importancia son los condensadores de acople y desacople. Los condensadores de acople se encargan de bloquear la tensin continua para transmitir una tensin alterna, cuando la frecuencia es lo suficientemente alta, la reactancia capacitiva es mucho menor que la resistencia, de tal manera que el condensador cumple la funcin de acoplar la seal alterna a la resistencia, los condensadores de acople son muy importantes ya que permiten como su nombre lo indica, acoplar un seal alterna a un amplificador sin distorsionar su punto Q. Para que un condensador de acople funcione apropiadamente, su reactancia debe ser mucho menor que la resistencia a la frecuencia mas baja de la seal alterna de la fuente.

En la imagen No.2 se muestra un sistema amplificador con polarizacin por divisor de tensin, como se menciono anteriormente se implementan los condensadores de acople, uno entre la fuente y la base, y el otro entre el colector y la resistencia de carga, tambin es necesario usar un condensador de desacople, el cual se ubica entre el emisor y la tierra, sin este condensador la corriente alterna de la base podra ser mucho mas pequea pero con este condensador de desacople se obtiene una ganancia de tensin mucho mayor, cabe resaltar que este anlisis solo aplica para el transistor BJT.

Imagen No.2. Amplificador con polarizacin de divisor de tensin. [1]

Universidad Autnoma de Occidente. Rosero N.; Arciniegas Carlos, Amplificador de voltaje con transistores JFET y BJT. .23 septiembre 2012, Santiago de Cali.

El transistor de efecto de campo JFET es un dispositivo con tres terminales que se utlizara en este caso para amplificacin lo cual se asemeja a la funcin de amplificacin de un transistor BJT descrito anteriormente, la diferencia entre estos dos se basa en que el BJT se controla por corriente mientras que el JFET mediante voltaje. La corriente mxima para este transistor se define como la cual ocurre cuando el voltaje entre gate y source es cero, para los voltajes de sus valores son menores que los del estrechamiento en drane es decir que estos son negativos sin embargo para un funcionamiento adecuado no pueden ser menores al valor de que se el voltaje de apagado del transistor, este dato lo suministra la tabla de datos del dispositivo, la corriente en drane se econtrara entoces entre 0 y y se puede calcular con la siguiente ecuacin que define la curva del comportamiento del transistor JFET. (1)

de la resistencia de source lo cual permite que esta misma resistencia defina el punto de operacin del transistor, en condiciones para corriente alterna este capacitor acta como como corto circuito; en esta configuracin se conecta una resistencia de conectada a gate y una fuente en directa conectada a drane a travs de una resistencia . El circuito equivalente para este transistor JFET se muestra en la imagen No.4.

Imagen No.4circuito equivalente para seal de un transistor JFET en configuracin de autoppolarizacion. [2]

En base al anlisis sobre este circuito equivalente para seal se establece una impedancia de entrada, una de salida y una ganancia de tensin. (1) (2) (3) En donde se define como la transcondcutacia mxima que se puede calcular utilizando el valor de la transconductancia tpica la cual a tabla de datos del dispositivo facilita.

Imagen No.3. configuracin para amplificador con JFET en autopolarizacion. [2]

Para el caso de la configuracin de autoplarizacion para un transistor JFET para pequea seal es necesario considerar tambin condensadores de acople y de desacople como se menciono anteriormente; como se muestra en la figura No.3 se conecta un capacitor a travs

(4)

Universidad Autnoma de Occidente. Rosero N.; Arciniegas Carlos, Amplificador de voltaje con transistores JFET y BJT. .23 septiembre 2012, Santiago de Cali.

CONCLUSIONES
El sistema final usado como amplificador de tensin de dos etapas demostr los resultados esperados mediante los clculos observados anteriormente, el diseo realizado presento una ganancia de tensin considerable en una seal visible en la cual se determina el voltaje de salida requerido. El valor de capacitancia en los condensadores de acople y desacople implementos en el diseos son de suma importancia ya que de ellos depende una adecuada amplificacin de tensin y una seal sin cortes ni desfase visible en el osciloscopio; el valor de los condensadores de desacople tanto en la primera etapa como en la segunda se seleccionaron de acuerdo a lo clculos pero con ciertas variaciones ya que el nivel de desacople en la seal no debe excederse de lo contrario no se tendr una ganancia de tensin adecuada Para generar una seal de tensin alterna apropiada fue necesario tener en cuenta el funcionamiento de los transistores tanto del JFET como del BJT, ya que para obtener considerable amplificacin se debe ubicar el funcionamiento de estos transistores justo en su zona activa, por ende se modificaron los valores en las resistencias mediante los clculos realizados con las cuales los transistores presentaran un punto Q optimo. REFERENCIAS Malvino, A.P. (2000). Principios de Electrnica, Capitulo 9 Modelos equivalentes para seal, 6 ed, Madrid, McGraw-Hill/Interamericana de Espaa, S. A. U. [1] Boylestad R.L. (1997). Dispositivos Electrnicos y Teora de Circuitos, Capitulo 6 Polarizacin del FET, capitulo 9 Anlisis a Pequea Seal del FET; 6 ed, Prentice Hall, Inc. [2]