Hola compaeros, les presento hoy un tutorial bsico sobre los transistores MOSFET.

Preciso que este documento trata sobre este tipo de transistores encontrados en las placas base de ordenador, sea porttil, o sobremesa Si alguna vez me voy a referir a algn tipo de MOSFET en particular, que no es habitual en las placas que trabajamos al diario, lo especificare. He de recordar que en Internet pueden encontrar muchsima informacin terica al respeto; basta con buscar en Google. El documento es bastante amplio; por lo de las fotos... Prefiero no partirlo, para ser mas facil de seguir todas las mediciones. Para nosotros presenta inters el MOSFET enriquecido, ya que este se usa en las placas base. Como dije, existen varios tipos de transistores MOSFET; este mismo siendo una variante del transistor FET (Field Effect Transistor). En la primera foto pueden apreciar los smbolos mas habituales de los MOSFETs.

En las placas que trabajamos, siempre el Substrato esta conectado internamente al Surtidor; por esa razn nuestros MOSFETs tendrn solo 3 pines. Con la excepcin de los dobles transistores, que llevaran 6, u 8 pines, segn el tipo de capsula. Los que han arreglado alguna vez un sintonizador TV se acuerdan seguramente haberse encontrado los transistores MOSFET doble puerta; tmenlo como una divagacin solamente

El apunte ms importante, es que los MOSFETs de las placas base, llevan siempre un diodo integrado, conectado en antiparalelo con la conexin D-S. Por esa razn, los smbolos mas utilizados en nuestros esquemas serian parecidos a los siguientes.

En esta foto aparecen diodos tipo Schottky, pero habitualmente serian diodos normales, a base de Silicio. Es el momento de hacer unos comentarios sobre las mediciones sobre estos transistores. Si el terminal Gate no recibe una polarizacin adecuada, la conexin D-S estara cerrada; es decir, no indicara nada en el multimetro, en ningn sentido. Ahora viene la cosa interesante. Como dije, todos los MOSFETs usados en placas base contienen un diodo, integrado en la misma capsula. Por esa razn, el multimetro nos indicara la presencia de este diodo, si lo polarizamos correctamente.

Arriba se presenta el caso del MOSFET canal P y abajo el de canal N. Habitualmente, se prefiere dibujar el smbolo del MOSFET de tal manera que los voltajes ms altos aparezcan en la parte superior En los dibujos de la izquierda, el multimetro no indicara nada. En los casos de la derecha, el multimetro nos indicara la presencia del diodo. Si el MOSFET lleva dentro un diodo de Silicio, el multimetro nos indicara 450-550 en escala diodos; es la misma que zumbador en la mayora de los multimetros. Si lleva un diodo Schottky, la indicacin estar dentro de un rango inferior, 120-250. La idea no es conseguir siempre una indicacin exacta y reproductible; es imposible y tampoco nos interesa. Si en alguna de las mediciones ejemplificadas, el multimetro nos indicara 0 ohmios, o un valor muy bajo en los dos sentidos, entonces el transistor est mal. Se supone que el MOSFET estaba cerrado, sin que su Gate hubiera sido disparada antes; es muy importante En Internet encontraran varios montajes que permiten

comprobar rpidamente un MOSFET; muy recomendable para la comodidad de su trabajo. Para los que prefieren comprobarlos con el multimetro, voy a describir los pasos a seguir. Paso previo: Recuerdan establecer el multimetro en modo diodos. Este paso nos asegurara que el MOSFET estara cerrado, cuando empezaremos las mediciones efectivas; por si acaso se quedo su Gate disparada

El multimetro no debe indicar nada en absoluto. Si nos encontraremos con algn valor, 0, 50, 100, o cualquier otro (incluso 900), el MOSFET est mal; en este caso lo tiramos directamente, sin necesidad de mediciones suplementarias. 1. Nos aseguramos primero de la integridad del diodo interno del MOSFET.

El instrumento debe indicar segn el tipo de diodo; revisen las explicaciones anteriores 2. Ahora es el momento para abrir el transistor,

disparando su terminal Gate. Manteniendo la punta negra en Drain para canal N, movemos la punta roja hasta el pin Gate del MOSFET. En caso del canal P, mantenemos la punta roja en Drain y movemos la punta negra en Gate.

El multimetro no debe indicar nada en este paso. De lo contrario, damos el transistor por mal y no hace falta seguir las mediciones 3. Comprobaremos ahora si el canal D-S esta abierto. Para el transistor canal N, movemos la punta roja en Source, volviendo a la configuracin del paso 1. En caso del canal P, movemos la punta negra.

(Sorprendentemente no) descubrimos que esta vez el instrumento nos indica un valor muy bajo; hasta 0 ohms en caso de los transistores MOSFETs de potencia (prcticamente corto) Si esto no pasa, repetimos el paso 2, por si acaso no hemos hecho bien contacto. En caso de no conseguir esta lectura muy baja, el transistor

esta mal. 4. Comprobaremos ahora que el canal conduce en el otro sentido tambin. Para esto, invertimos rpidamente las puntas del multimetro, llegando a la siguiente configuracin.

El instrumento debe indicar el mismo valor que en el paso 3. Si mantenemos las puntas conectadas en esta configuracin ms tiempo, podemos ver que, en algunos casos, la indicacin sube hasta salir fuera del rango. Esto no quiere decir que el transistor este mal 5. Ha llegado la hora de comprobar si el canal cierra correctamente. Sin mover la punta roja del Drain, para canal N, desplazamos la punta negra hacia el terminal Gate. En el caso del canal P, desplazamos la punta roja hacia Gate; sin mover la punta negra desde Drain. Llegaremos de este modo a la misma configuracin que el paso previo

6. Nos queda por revisar si el MOSFET est realmente

cerrado. Volvemos a la configuracin anterior (paso 4) y el instrumento no debe indicar nada en absoluto. De lo contrario, el transistor est mal. Para esto movemos la punta negra, desde Gate, atrs en Source, para canal N. En caso del canal P, desplazamos la punta roja.

Si nuestro transistor, bajo test, supera todas las pruebas indicadas, podemos considerarlo en buen estado. Para los que les parecera un poco liado todo eso, les aseguro que se necesitan menos de 10 segundos para todas esas mediciones. Despus de coger el truco, olvidaran de la necesidad de armar un probador de MOSFET casero, o comprar uno Les comento ahora unas consideraciones bsicas sobre el funcionamiento del transistor MOSFET. Deben recordar siempre que el funcionamiento de ese transistor depende de la polarizacin de sus terminales Gate y Source. Un MOSFET de canal N se dispara para un voltaje positivo GS; es decir Vgs>0. En cambio, el de canal P se abre para Vgs<0. Para un MOSFET de potencia, Vgs=10V es un dato de catalogo, considerado como referencia; es cuando el canal ya esta completamente abierto, presentando una minima resistencia de conduccin (Rds). En catlogo aparece tambin el valor Rds para Vgs=4.5V y se pueden notar algunas diferencias de comportamiento, aunque el canal esta abierto, pero no al mximo.

Existen MOSFETs que se abren completamente por solo Vgs=2.5V y se usan en las partes alimentadas con 3.3V (habitualmente de baja potencia, como 2N7002). Hay que recordar que el MOSFET de canal N requiere en su Gate una tensin superior a la del terminal Source. Por esa razn, en las etapas de entrada se usan habitualmente MOSFETs de canal P, en vez de N. En aquellas placas que usan MOSFET de canal N como primer transistor de entrada (HP por ejemplo), se requiere la presencia de una tensin de 28V (+VH28) para disparar ese MOSFET; esto asegurara Vgs=+10V

En caso de usar un MOSFET canal P, se requiere que su Gate reciba una tensin inferior a la de Source, cual es la entrada. Por esa razn, el MOSFET se dispara para un potencial de 8-9V en Gate; resulta Vgs=-10V aproximadamente.

Espero que a ms de uno de ustedes le sirva de algo ese documento Por si sienten la necesidad de averiguar ms sobre los transistores MOSFET, no duden en poner a prueba el buscador de Google. Yo solamente intente exponer unas nociones bsicas, que les permitan averiguar por donde seguir con una reparacin que involucra estos transistores. Ahora deberan saber ya que voltajes hay que buscar en sus terminales. Ojo con los MOSFETs de potencia que pertenecen a la salida de las fuentes secundarias, o al circuito de carga batera; se controlan por trenes de impulsos (PWM), de alta frecuencia (300-500kHz). Aunque el MOSFET podr ser comprobado igual (fuera de la placa), en funcionamiento haba otras cosas que revisar (en la placa). Quizs algn da posteare otro tutorial sobre este captulo Saludos y suerte. _________________