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Proteo de Banco de Capacitores de Alta Tenso para Configuraes Simples e Complexas

Roy Moxley, Jeff Pope e Jordan Allen, Schweitzer Engineering Laboratories, Inc.
SumrioA operao econmica dos modernos sistemas de potncia requer um suporte de tenso mais distribudo do que anteriormente. As caractersticas da gerao distribuda e da carga mudaram, exigindo maior suporte de VAR em todo o sistema de potncia. Os bancos de capacitores da subestao consistem na forma mais econmica para adicionar VARs ao sistema. Devido aos harmnicos, sistemas de aterramento e questes operacionais, existem diversos tipos de bancos de capacitores. Os bancos de capacitores tambm constituem o corao dos bancos de filtros necessrios para a aplicao de dispositivos dos sistemas de corrente contnua de alta tenso (High-Voltage Direct Current HVDC) e outros sistemas de transmisso CA flexveis (Flexible AC Transmission Systems FACTS). Esses bancos de filtros tambm so fornecidos com diversos tipos de conexo. Os rels microprocessados tm capacidade para fornecer uma proteo sensvel para diversos tipos de bancos de capacitores. A metodologia de proteo dependente da configurao do banco, da localizao dos transformadores de instrumentos e dos recursos do rel de proteo. Este artigo detalha os mtodos de proteo aplicados a bancos no aterrados e aterrados tradicionais, bem como a vrios bancos recentes com conexes que esto longe de ser tradicionais. Este artigo discute a aplicao, sensibilidade e velocidade dos esquemas de proteo aplicados. As configuraes dos bancos estudadas incluem bancos tradicionais, bem como bancos com filtros tipo-C, bancos aterrados capacitivamente e bancos duploH. Outras aplicaes alm da proteo, tal como a localizao de faltas do capacitor, tambm so discutidas para fornecer benefcios adicionais s equipes tcnicas da subestao.
Dispositivo de Descarga Interna Caixa

Elemento Unidade de Capacitores

Fig. 1.

Unidade sem fusvel em um banco conectado em estrela

Observe que numa construo sem fusveis, quando um nico elemento falha, ele jumpeia (curto-circuita) as unidades ligadas em paralelo com o mesmo, aumentando o estresse de tenso sobre as unidades em srie remanescentes. Um banco com fusveis internos possui fusveis em cada elemento individual, conforme mostrado na Fig. 2.

I. INTRODUO Os bancos de capacitores so projetados com vrias configuraes para atender s restries do projeto do sistema; logo, o engenheiro de proteo tem que estar preparado para proteger qualquer uma dessas configuraes. As entradas disponveis para o rel so tenso e corrente, sendo a localizao do transformador de instrumento determinada pela configurao do banco. Este artigo descreve trs tipos de bancos significativamente diferentes e usa simulao em tempo real para avaliar a eficcia da proteo e a estabilidade de cada aplicao. Os bancos estudados incluem ambos os projetos de bancos sem fusveis e bancos com fusveis internos. Os mesmos princpios se aplicam tanto a um banco com fusveis externos como a um banco com fusveis internos. Tipicamente, porm, os bancos de capacitores com fusveis externos tm tenses e correntes de falha mais elevadas do que os bancos sem fusveis ou bancos com fusveis internos porque a queima de um fusvel externo provoca a perda de uma unidade inteira. Como ponto de referncia, os bancos de capacitores sem fusveis possuem uma construo unitria, conforme mostrado na Fig. 1 [1].

Fig. 2.

Unidade com fusveis internos em um banco conectado em estrela

No caso de falha de um elemento em um banco com fusveis internos, quando ocorre a queima do fusvel do elemento defeituoso, o estresse de tenso aumenta nos elementos restantes em paralelo com o elemento defeituoso. O objetivo da proteo do banco consiste em, de forma ideal, detectar falhas no fusvel ou elemento individual e fornecer uma indicao suficientemente antecipada de problemas dentro do banco de capacitores para evitar um colapso em cascata quando houver falha de vrios elementos individuais.

Para todos os bancos estudados, assumido que a proteo de sobrecorrente fornecida no lado da linha do banco para dar trip em caso de uma falta fase-fase ou fase-terra. O objetivo da proteo do banco de capacitores dar alarme no caso de falha de um nmero mnimo determinado de elementos ou unidades e dar trip para um nmero maior determinado de falhas. Obviamente, desejvel detectar qualquer falha do elemento.
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II. ANLISE DE FALHAS DO ELEMENTO E UNIDADE A. Banco em Dupla- Estrela O primeiro banco a ser analisado um banco conectado em dupla-estrela padro com uma unidade de aterramento, conforme mostrado na Fig. 3. Os nmeros fornecidos so a capacitncia de cada poro do banco em microfaradays. Este banco especificado com 2 MVAR, 69 kV.

Fig. 4.

Banco em dupla-estrela, falha de um elemento

Fig. 3.

Banco de capacitores aterrado conectado em dupla-estrela

Fig. 5.

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Banco em dupla-estrela, falha de dois elementos

Nesta configurao, comum usar apenas o balano de corrente para fornecer a proteo do banco. Estamos interessados em ver a comparao da sensibilidade entre o elemento diferencial de tenso e a proteo de balano de corrente. A tenso diferencial derivada do transformador de potencial (TP) TP2 e do TP do lado de alta (no mostrado). O balano de corrente medido no transformador de corrente (TC) TC2. O TC1 (no mostrado) usado para proteo de sobrecorrente do banco. Convertendo para valores de reatncia, a reatncia total acima do ponto da estrela j4.799 ohms. A reatncia abaixo do ponto da estrela j4.076 ohms. O TP2 usa a tenso desenvolvida atravs da reatncia abaixo do ponto da estrela como uma entrada. Isso se torna um problema de sensibilidade significativo quando consideramos que cada banco de capacitores tem vrias sees em srie e que queremos detectar a falha de apenas uma seo em srie. As Figuras 4, 5 e 6 mostram as correntes e tenses para as falhas de um, dois e trs elementos em srie. Nessas figuras, a corrente diferencial circulando no TC2 mostrada no trao superior. A tenso diferencial, a diferena entre o TP2 e o TP do lado de alta, mostrada no trao inferior. As atuaes (pickups) dos elementos do rel so mostradas na parte inferior. Os elementos 87 so baseados em tenso e os elementos 60 so baseados em corrente. Os elementos do rel foram ajustados conforme recomendado pelo fabricante, com temporizaes do alarme para falhas de nvel baixo e operao com velocidade mais alta para falhas graves.

Fig. 6.

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Banco em dupla-estrela, falha de trs elementos

Observe que na Fig. 4, a corrente diferencial aumenta no instante da falha, enquanto a tenso diferencial permanece no nvel de 0.5 a 2.5 V com muito rudo. Nenhum dos elementos de tenso tem uma operao estvel. Para falha de dois elementos (Fig. 5), o sinal de tenso ainda tem uma relao sinal-rudo muito baixa com um sinal de rudo de aproximadamente 2 V antes e aps a falta, e com uma tenso diferencial pouco abaixo de 5 V aps a falha do elemento. No entanto, pode ser razoavelmente observado que a tenso sobe junto com a corrente. Neste caso, o elemento 87HG1D (tenso temporizada) opera essencialmente ao mesmo tempo ou at mesmo um pouco antes do elemento de corrente 60X12T. Quando ocorre a falha do terceiro elemento (Fig. 6), podemos ver que o sinal de tenso forte e estvel, tendo quase a mesma qualidade de sinal que o sinal da corrente.

Estvamos preocupados com o rudo observado no circuito da tenso diferencial. Olhando para a tenso do lado de alta e para a tenso diferencial (Fig. 7), podemos ver o problema. A magnitude do elemento diferencial praticamente a mesma antes e aps a falha de um nico elemento (no Ciclo 30), variando at 2 V em funo da baixa relao sinal-rudo do circuito. A tenso primria, ao mesmo tempo, de 40 kV pico a pico. Mesmo considerando a escala dos circuitos do TP, a tenso diferencial gerada pela falha de um simples elemento do banco em estrela to pequena se comparada com a tenso primria que no possvel que seja efetuada uma deteco significativa de uma falha num nico elemento por um elemento de tenso. Somos de opinio que o mesmo problema tem alta probabilidade de ocorrer numa subestao real.

defeituoso jumpeia todos os elementos em paralelo). Isso significa que falhas de elementos individuais so muito mais difceis de serem detectadas. O objetivo da proteo era operar para uma falha de 1% dos elementos e dar trip no elemento defeituoso, o que resultaria em um aumento de tenso nos elementos saudveis, excedendo 110% da tenso nominal do elemento. O usurio declarou que a proteo preferida era uma baseada na medio diferencial de tenso comparando a tenso intermediria em cada seo H com a tenso da barra primria. A medio do balano de corrente usando TCs conectados entre os ramais foi disponibilizada como proteo de retaguarda caso a proteo de tenso no tivesse sensibilidade suficiente. A proteo de falha do banco primria inclua sobrecorrente direcional de sequncianegativa e sobretenso do banco, bem como a proteo baseada em corrente e tenso para detectar falhas de elementos e unidades, como mostrado nas Figuras 9, 10 e 11. O primeiro teste consistiu em simular a falha de um elemento na parte principal do banco e verificar se ela poderia ser detectada. A parte principal do banco identificada como a parte apenas com capacitncia, sem nenhum componente resistivo ou indutivo. A Fig. 9 mostra os elementos de tenso e corrente resultantes do defeito.

Fig. 7. Banco em dupla-estrela, tenso primria e tenso diferencial antes e aps a falha de um nico elemento

B. Banco Duplo- H O segundo banco estudado foi instalado para correo do fator de potncia em uma rea onde havia preocupaes com a elevada tenso de quinto harmnico causada pela sobreexcitao dos transformadores da subestao. Neste caso, foram adicionados um resistor e um reator de sintonia para proteger o banco durante esta condio, conforme mostrado na Fig. 8.

Fig. 9. Banco duplo-H, falha de um nico elemento

483.311 IC1 IC1 0.001 483.311

TPC1

483.311 IB1 IB1 0.001 483.311

TPB1

483.311 IA1 IA1 0.001 483.311

TPA1

21.911 TPC2 IC2 0.001 21.911

21.911 TPB2 IB2 0.001 21.911

21.911 TPA2 IA2 0.001 21.911

Na Fig. 9, o trao superior representa a medio da corrente e o trao do meio representa a medio da tenso. Os traos inferiores mostram os pickups dos elementos do rel digital. Embora tenha havido um aumento da tenso diferencial, a variao de 25 mV na magnitude apenas um pouco maior do que o rudo. O elemento de corrente, variando de 0 a 0.2 A, fornece um sinal muito melhor. A falha de dois elementos, como esperado, mostra uma duplicao dos sinais operacionais, sem um aumento do rudo na medio da tenso (Fig. 10).

Fig. 8.

Banco duplo-H com resistor e reator de sintonia

Este banco utiliza capacitores com fusveis internos, significando que a falha de um elemento remove apenas o elemento com defeito e no todos os elementos em paralelo, como no caso de um banco sem fusveis (o elemento

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Neste caso, o elemento de tenso tem um sinal de operao forte e slido, com um aumento de tempo quase exatamente igual ao do elemento de corrente. C. Banco com Filtro Tipo-C A ltima proteo de banco testada foi um banco com filtro tipo-C. Neste caso, a construo muito semelhante ao banco duplo-H da Fig. 8, com diferentes resistores selecionados para a resposta de frequncia desejada. O circuito sintonizado de forma que a corrente fundamental possa fluir atravs dos capacitores enquanto as correntes harmnicas fluem atravs dos resistores. Parte da proteo era efetuada atravs de elementos de corrente nos resistores para proteger contra sobreaquecimento. Esta proteo era parte da proteo geral do banco, mas no foi includa em nossos testes porque ela depende totalmente das tenses harmnicas presentes no local do banco (Fig. 12). Este banco um banco sem fusveis, logo a falha de um nico elemento tem como resultado o jumper de todos os elementos em paralelo com o elemento defeituoso. A proteo do banco real no usava proteo diferencial de tenso nas fileiras do meio (mid strings), mas apenas a proteo de balano de corrente. Simulamos TPs das mid strings para analisar seu desempenho em comparao com a proteo baseada em corrente.

Fig. 10.

Banco duplo-H, falha em dois elementos

Na Fig. 10, pode-se observar que o sinal de corrente (trao superior) muito mais estvel do que o sinal de tenso (trao inferior). O aumento da tenso um pouco mais rpido do que o aumento da corrente, mas com a temporizao do alarme normal de 5 a 10 segundos, isso no significativo. Finalmente, investigamos a falha de uma unidade completa. A Fig. 11 mostra os resultados, exibindo a corrente de desbalano gerada no trao superior e a tenso diferencial no trao inferior.

Fig. 11.

Banco duplo-H com falha da unidade

Fig. 12.

Modelo do banco com filtro tipo-C (os nmeros se referem aos valores de capacitores individuais aplicados nos testes de falha)

A proteo tem que detectar falhas na parte principal do banco (grfico superior da Fig. 13) ou na parte de sintonia do banco (grfico inferior da Fig. 13).

tenso do que no desbalano de corrente. No caso de uma falha do elemento na parte de sintonia do banco, o elemento de tenso tem um pouco mais de rudo do que para uma falha na parte principal, mas ainda fornece boa sensibilidade e retaguarda razovel para a proteo baseada na corrente. Como esperado, a falha de dois elementos fornece valores de medio duas vezes maior do que a falha de um elemento, sem aumento do rudo, resultando numa relao sinal-rudo muito melhor e numa caracterstica de operao mais estvel. D. Localizao do Elemento Defeituoso Em um banco com fusveis externos, simples encontrar a unidade do capacitor com defeito. O fusvel com mola atua indicando quando ocorre uma falha, requerendo apenas uma inspeo visual para encontrar o fusvel defeituoso. Um banco com fusveis internos ou sem fusveis no fornece esta indicao. Os capacitores modernos, totalmente com filme, no estufam (devido formao de gases internamente) quando ocorre uma falha. A pergunta ento : "Como encontrar a unidade com defeito quando ocorrer um alarme?" A localizao do elemento defeituoso indicada nas duas etapas seguintes: A identificao da fase fornecida em cada um dos bancos trifsicos nesses exemplos. Se for utilizado um sistema de balano de neutro, ento no h nenhuma identificao. Os elementos de proteo individual, por fase, so os preferidos.

Fig. 13. Banco de filtro tipo-C, falha de um nico elemento na parte principal (grfico superior) e na parte de sintonia (grfico inferior) do banco

Como nos outros exemplos de bancos, h significativamente mais rudo na medio do diferencial de

Os elementos de tenso fornecem a indicao se o elemento defeituoso est acima ou abaixo do ponto de medio. Considere o grfico de tenso mostrado na Fig. 13, 0.1 V, e o da Fig. 10, +0.05 V. Isso identifica se a falha est acima ou abaixo do ponto de conexo do TP. Em um banco duplo-H, com TPs e TCs em cada perna, o nmero de unidades a serem verificadas para um alarme ser to pequeno quanto 1/24 do nmero total de unidades de capacitores. Isso pode poupar horas ou dias de testes, dependendo do tamanho do banco. III. FATORES COMPLICADORES As simulaes efetuadas usaram bancos com capacitores equilibrados em cada perna. Esta uma condio baseada no melhor caso, e os fatores do mundo real tm que ser considerados durante a avaliao e ajuste dos rels de proteo. Tudo aquilo que causar uma condio de desbalano transitrio ou em regime deve ser considerado. Os rels de proteo modernos fornecem, normalmente, uma lgica de compensao avanada para anular qualquer desequilbrio permanente visando maximizar a sensibilidade dos elementos de desbalano de corrente e diferencial de tenso. A. Tolerncias de Fabricao As normas reconhecem que as tolerncias de fabricao podem levar a uma variao na capacitncia entre unidades individuais com os mesmos valores nominais [2]. Para atender s normas, a classificao tem que estar entre menos 0 e mais 10%. Os fabricantes de bancos de capacitores colocam, geralmente, unidades num banco para limitar o desbalano a menos de 0.5% [3]. Desequilbrios em regime deste porte podem ser zerados em um sistema de balano de corrente ou tenso atravs do ajuste da compensao quando for conhecido (ou presumido) que todos os elementos ou unidades esto saudveis. Observe que isso deve ser feito sempre que uma unidade for trocada porque a unidade de substituio pode ou no ter a mesma capacitncia que a unidade substituda.

B. Impacto da Irradiao Solar Um caso especial de desequilbrio causado por diferenas na capacitncia da unidade provocado pelo sol brilhante atingindo um lado de um banco de capacitores e no o outro, como mostrado na Fig. 14. Neste caso, vemos o sol brilhante atingindo o lado direito do banco, enquanto o lado esquerdo fica na sombra.

Fig. 14.

Banco de capacitores com sol no lado direito

A mudana na capacitncia provocada pelo aquecimento solar pode vir de trs causas diferentes: O filme dieltrico (normalmente polipropileno) altera com a temperatura. Alteraes do fluido dieltrico (leo mineral ou outro fluido) com a temperatura. O aquecimento do fluido dieltrico causa expanso, permeando melhor o filme. O aquecimento solar varia de acordo com a localizao, orientao do banco e outros fatores, tais como o vento ou equipamentos prximos. Um estudo mostrou uma variao de 10C simplesmente a partir do fundo de um cubculo externo at o topo em um dia ensolarado [4]. Foram observadas operaes de rels nos bancos de capacitores quando o sol nascente atinge um dos lados, causando o aquecimento. A maneira tradicional de compensar o aquecimento desigual e o desequilbrio que isso provoca consiste em aumentar os ajustes de pickup. Abordar com preciso as alteraes transitrias na capacitncia exige mais sofisticao do que a compensao para uma diferena fixa entre as fileiras (strings) do banco. Uma entrada de temperatura, ou duas entradas, pode ser levada at o rel para alterar os grupos de ajustes ou aumentar os valores de pickup. O rel usa o valor da temperatura, ou a diferena de temperatura, para modificar os valores de pickup. Uma simples medio de temperatura acima de um valor limite pode ser usada para elevar os valores de pickup. Se forem fornecidas vrias temperaturas, os ajustes podem ser alterados dinamicamente para compensar a mudana na capacitncia de um lado do banco. Uma lgica pode ser implementada dentro do rel de proteo do capacitor para combinar as entradas de temperatura com valores de alarme, bloqueando os alarmes se o desbalano variar

lentamente. O desafio da deteco de alteraes transitrias na impedncia do banco de capacitor consiste em ter capacidade para distinguir com segurana entre uma falha real dentro do banco de capacitor e as condies transitrias descritas anteriormente. A lgica do rel pode distinguir entre mudanas sbitas devido a falhas de elementos e mudanas graduais devido a variaes de temperatura ou mesmo envelhecimento da unidade. Uma possvel desvantagem de qualquer uma dessas possibilidades que, dependendo da construo do banco, falhas podem comear pequenas, com um elemento falhando, seguidas de outra falha e outra falha. Experincias podem fornecer a melhor indicao para um determinado local. IV. CONCLUSO As diversas variaes no projeto de um banco de capacitores significam que no existe uma soluo nica para proteo do banco. Os conceitos bsicos da proteo de curto-circuito e deteco de falha do elemento permanecem inalterados, independentemente do projeto do banco. Reconhecemos que os diferentes tipos de proteo so teis para diferentes condies. As lies aprendidas com esses testes de falha em bancos de capacitores complexos incluem o seguinte: A falha de at mesmo um nico elemento pode ser geralmente detectada por elementos de proteo de tenso ou corrente, mesmo em bancos com fusveis internos. A deteco confivel de falhas do elemento em bancos muito grandes pode requerer mais falhas porque a relao sinal-rudo pode impedir a deteco confivel de falhas de elementos individuais. As medies de corrente so geralmente mais sensveis do que as medies de tenso para o desbalano do banco de capacitor. As medies de corrente de nvel baixo apresentam menos rudo do que as medies de tenso de nvel baixo. Os elementos de proteo baseados na tenso so to rpidos ou mais rpidos do que os elementos baseados em corrente, tornando-os adequados para proteo contra uma falha catastrfica. Para atender necessidade de uma proteo completa, a tenso, corrente, capacidade de entradas adicionais e lgicas flexveis devem ser avaliadas e aplicadas. V. REFERNCIAS
[1] M. Dhillon and D. Tziouvaras, Protection of Fuseless Capacitor Banks Using Digital Relays, proceedings of the 26th Annual Western Protective Relay Conference, Spokane, WA, outubro de 1999. IEEE Standard for Shunt Power Capacitors, IEEE 18-2002. E. Price and R. Wolsey, String Current Unbalance Protection and Faulted String Identification for Grounded-Wye Fuseless Capacitor Banks, proceedings of the 65th Annual Georgia Tech Protective Relaying Conference, Atlanta, GA, maio de 2011. F. Gutierrez, R. Moxley, D. Kopczynski, and D. Holmes, Relays in the Hot Box, proceedings of the 32nd Annual Western Protective Relay Conference, Spokane, WA, outubro de 2005.

VI. BIOGRAFIAS
Roy Moxley recebeu seu B.S. em Engenharia Eltrica da University of Colorado. Ele ingressou na Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. (SEL) em 2000 como gerente de marketing de produtos de sistemas de transmisso. Atualmente, ele gerente de marketing de todos os produtos de proteo. autor e apresentou diversos papers em seminrios de rels de proteo e concessionrias de energia eltrica. Antes de ingressar na SEL, ele trabalhou na General Electric Company como engenheiro de aplicao de rels, engenheiro de aplicao de campo nas reas de transmisso e distribuio (T&D), e gerente de contas da T&D. engenheiro profissional registrado no estado da Pensilvnia e membro do IEEE e CIGRE. Ele detm uma patente na rea de medies de rea ampla. Jeff Pope engenheiro de produtos snior do grupo de produtos de transmisso da Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Jeff membro da IEEE Power Engineering Society e trabalha nas reas de comissionamento, controle, proteo, monitoramento e automao de dispositivos do sistema de potncia h 20 anos. Jeff recebeu seu BSEET em 1986 do DeVry Institute of Technology e seu Masters of Engineering da University of WisconsinMadison em 2005. Jordan Allen recebeu seu A.A.S. em Electronics Engineering Technology e B.S. em Computer Engineering da Brigham Young University, Idaho. Jordan membro do IEEE e est, atualmente, na Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. elaborando seu trabalho para obter o Masters of Engineering em Engenharia Eltrica na University of Idaho.

[2] [3]

[4]

Apresentado previamente na 2012 Texas A&M Conference for Protective Relay Engineers. 2012 IEEE Todos os direitos reservados. 20120217 TP6505-01