Instituto Tecnolgico de Culiacn

Dispositivos de potencia (IGBT y GTO)

Ingeniera elctrica

MATERIA: Electrnica industrial TEMA: Dispositivos de potencia (IGBT y GTO) INTEGRANTES: Juan Marcos Daz Cabanillas Jess Alonso Ochoa Tajin

DISPOSITIVOS DE POTENCIA (IGBT Y GTO)

Objetivo: realizar investigacin sobre los dispositivos de potencia IGBT y GTO para conocer su funcionamiento, estructura y sus configuraciones as como tambin sus aplicaciones en la industria.

TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET: un IGBT tiene alta impedancia de entrada como los MOSFET, y pocas prdidas por conduccin en estado activo, como los BJT. Sin embargo no tiene problemas de segunda avalancha como los BJT. En la figura 1 se muestra la seccin transversal de la estructura de silicio de un IGBT, que es idntica a la de un MOSFET, a excepcin del substrato p+.sin embargo, el rendimiento de un IGBT se parece mas al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al sustrato p+, causante de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n.

Un IGBT se hace con cuatro capas alternativas PNPN, y puede tener retencin como tiristor, cuando se cumple la condicin (npn+pnp)>1. La capa de acoplamiento n+ y la ancha base epitaxial reducen la ganancia de la terminal npn

por diseo interno, y con ello evitan la retencin. El circuito equivalente se muestra en la figura 2a, que se puede simplificar al de la figura 2b.

(a)
Figura 2

(b)

Los IGBT tienen dos estructuras: de perforacin (PT) y de no perforacin (NPT). En la estructura IGBT PT, el tiempo de conmutacin se educe usando una capa de acoplamiento muy dopada, el la regin de corrimiento cerca del colector. En la estructura NPT los portadores tienen una vida mayor que en una estructura PT, lo que causa modulacin de conductividad de la regin de corrimiento y reduce la cada de voltaje en estado de encendido. Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje y solo se enciende aplicndole un voltaje de compuerta positivo, para que los portadores n formen el canal, y se apaga eliminando el voltaje de compuerta. Requiere un circuito de control muy simple, tiene menores perdidas de conmutacin y de conduccin, y al mismo tiempo comparte muchas de las propiedades adecuadas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, etc. El IGBT es mas rpido que un BJT pero su velocidad de conmutacin es menor que la del MOSFET. En la figura 3 se ven el smbolo y el circuito de un IGBT interruptor. Las tres terminales son compuerta, colector y emisor, en lugar de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET.

Figura 3

Curvas caractersticas. Las curvas caractersticas de salida tpicas, de IC en funcin de VCE, se ven en la figura 4a para diversos voltajes VCE de compuerta a emisor. La caracterstica tpica de transferencia de IC en funcin de VGE se ve en la figura 4b. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200V, 400A y la frecuencia de conmutacin puede ser de hasta 20kHz.

(a) Figura 4

(b)

Algunas aplicaciones. Los IGBT estn encontrando aplicaciones en potencias intermedias como por ejemplo propulsores de motor de CD y de CA, fuentes de corriente, contactores y relevadores de estado solid. A medida que los limites superiores de las especificaciones de los IGBT disponibles en el comercio aumentan (por ejemplo, hasta 6500V y 2400), estn siendo aplicados donde se usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores y los estn sustituyendo.

TIRISISTOR DE DESCONEXION DE COMPUERTA (GTO)

Un GTO como un SCR, se puede encender aplicando una seal positiva a la compuerta. Sin embargo, el GTO puede abrirse con una seal negativa de compuerta. El GTO se enciende aplicando un pulso positivo corto, y se apaga con su pulso negativo corto a su compuerta. VENTAJAS DE LOS GTO SOBRE LOS SCR 1) eliminacin de componentes de conmutacin, en la conmutacin forzada, que da como resultado una reduccin de costo, peso y volumen. 2) Reduccin de ruido acstico y electromagntico, por la eliminacin de reactores de conmutacin. 3) Apagado ms rpido que permite altas frecuencias de conmutacin. 4) Mejor eficiencia de convertidores. VENTAJAS DE LOS GTO SOBRE LOS TRANSITORES BIPOLARES En aplicaciones con baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas: 1) mayor especificacin de voltaje de bloqueo. 2) Alta relacin de corriente pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relacin de pico de corriente de sobre carga entre corriente promedio, normalmente de 10:1. 4) Alta ganancia en estado encendido (corriente andica y corriente de compuerta); 600 en forma tpica. 5) Una seal pulsada de compuerta de corta duracin. Bajo condiciones de inundacin sobrecarga, un GTO entra en mayor saturacin debido a la accin regenerativa. Por otra parte un transitar bipolar tiende a salir de la saturacin. Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo con retencin, pero tambin es un dispositivo que es posible apagar. En la siguiente figura 7.15a se ve el smbolo del GTO, y en la figura 7.15b se muestra su corte transversal. En comparacin con un tiristor convencional, tiene una capa n+ adicional cerca del nodo, que forma un circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito equivalente que se ve en la figura 7.15c, se parece al circuito equivalente de un tiristor normal, excepto por su mecanismo interno de apagado. Si pasa un gran pulso de corriente del ctodo a la compuerta para apartar del ctodo suficientes portadores de carga esto es, del emisor al transistor npn Q1, el transistor pnp Q2 se puede sacar de la accin regenerativa. Al

apagarse el transistor Q1, el transistor Q2 queda con una base abierta y el GTO regresa al estado no conductor.

Encendido. El GTO tiene una estructura muy digital, sin compuerta regenerativa como se vera en la figura 7.19. En consecuencia, se requiere un pulso grade inicial de disparo, para activarlo. Un pulso tpico de activacin en la compuerta, y su parmetros importantes, se ven en la figura 7.16a. Los valores mnimo y mximo de I GM se puede deducir de las hojas de datos. El valor de la tasa dig/dt en funcin del tiempo de activacin se ve en la hoja de datos del dispositivo. La rapidez de aumento de la tasa de corriente de compuerta, dig/dt, afecta la prdidas por conduccin del dispositivo. La duracin del pulso de IGM no debe ser menor que la mitad del mnimo de tiempo que aparezca en la especificaciones de la hoja de datos. Se requiere mayor periodo si la tasa di/dt de la corriente del nodo es baja, para poder mantener a IGM hasta que se establezca un valor suficiente de la corriente andica. Estado de encendido. Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sentido directo de la compuerta durante todo el periodo de conduccin. En caso contrario, no puede permanecer en conduccin durante el periodo en estado de encendido. La corriente de estado de encendido en la compuerta debe ser, como mnimo, 1% del pulso de activacin, para asegurar que la compuerta mantenga la retencin.

Apagado. El funcionamiento de un GTO en el apagado esta influido por las caractersticas del circuito de apagado de compuerta. En consecuencia, estas ltimas caractersticas deben coincidir con los requisitos de apagado. El proceso de apagado implica extraccin de la carga de la compuerta, el periodo de avalancha en la compuerta y la disminucin de la corriente andica. La cantidad de extraccin de carga es un parmetro del dispositiva, y su valor no se afecta en forma importante por las condiciones del circuito externo. La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado parmetro importante del proceso de apagado, depende de los componentes del circuito externo. En la figura 7.16b se muestra una grafica tpica de corriente andica en funcin del pulso de apagado. La hoja de datos del dispositivo contiene valores tpicos de IGQ. El GTO tiene una larga cola de corriente de apagado, al final de apagado, y el siguiente encendido debe esperar hasta que se haya disipado la carga residual del nodo, por el proceso de recombinacin.

En la figura 7.17a se ve un arreglo de circuito de apagado de un GTO. Como un GTO requiere una gran corriente de apagado, en el caso normal se usa un capacitar C con carga para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para el apagado. El inductor L limita la tasa di/dt de apagado de la corriente de la compuerta, por el circuito formado con R1, R2, SW1 y L. se debe seleccionar el voltaje de suministro al circuito de la compuerta, VGS, para alcanzar el valor requerido de VGQ. Los valores R1 y R2 tambin deben minimizarse. Durante el periodo en el estado de apagado, que comienza despus de que la cola de corriente llega a cero, la compuerta, en el caso ideal, debera permanecer con polarizacin inversa. Esta polarizacin inversa asegura la mxima especificacin de bloqueo. La polarizacin en sentido inverso se puede obtener ya sea manteniendo encendido SW1 durante todo el periodo de no conduccin, o usando un circuito de mayor impedancia SW2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mnimo. Este circuito SW2 y R3 de mayor impedancia debe disipar la corriente de fuga de compuerta.

En caso de una falla de las fuentes auxiliares de circuito de apagado, la compuerta puede permanecer en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear el voltaje. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo para el dispositivo, se debe aplicar una resistencia mnima de compuerta a ctodo (RGK), como se ve en la figura 7.17b. el valor de RGK para determinado voltaje de lnea se puede deducir de las hojas de datos. Un GTO tiene poca ganancia, normalmente seis, durante su apagado, y requiere un pulso de corriente relativamente grande, para apagarlo. Tiene mayor voltaje en estado de encendido que el de un SCR. Este voltaje, en un GTO de 1200 V,550 A, suele ser 3.4 V. en la figura 7.18 se ve un GTO de 200v, 160 A del tipo 160PFT, y la uniones del mismo se ven en las figura 7.19.

Los GTO se usan principalmente en los convertidores de fuente de voltaje, donde se requiere un diodo en antiparalelo de recuperacin rpida a travs de cada GTO. As. Los GTO no necesitan, normalmente, tener capacidades de voltaje inverso. A eso GTO se le llama GTO asimtrico. Esto se consigue con una capa llamada amortiguadora, que es una capa n+ muy dopada al final de la capa n. los GTO asimtricos tienen menor cada de voltaje y mayor especificaciones de voltaje y de corriente. La corriente pico controlable de estado de encendido, ITGQ, es el valor pico de la corriente de estado de encendido que puede apagarse mediante el control de compuerta. El voltaje de estado de apagado se vuelve aplicar de inmediato despus del apagado, y la tasa dv/dt aplicada slo se limita por la capacitancia del amortiguador. Una vez apagado un GTO la corriente de carga IL, que se desva y pasa por el capacitor amortiguador y lo carga, determina la tasa dv/dt aplicada. Conclusiones En esta investigacin analizamos la estructura y las caractersticas del GTO y del IGBT. Respecto al GTO, estas son las conclusiones importantes: 1) El GTO tiene la misma estructura de cuatro capas que el tiristor convencional, pero se hacen especificaciones especiales a la estructura para habilitar la compuerta y desconectar el dispositivo. 2) Las modificaciones ms importantes incluyen una estructura de compuerta-ctodo interdigital con ancho pequeo de ctodo y compuerta, cortocircuito de nodo y un tiempo de vida ms corto de los portadores en la regin de deriva que en un tiristor convencional.

10

3) La parte de polarizacin directa de la caracterstica i-v del GTO es la misma que la del tiristor convencional, pero el GTO con cortocircuito del nodo tiene una capacidad de bloqueo inverso muy limitada. 4) La ganancia de desconexin del GTO no es grande (por lo general de 5 o menos), de modo que se requieren grandes pulsos de compuertas negativos para apagar el dispositivo. 5) La magnitud de corriente de compuerta negativa que se aplica est limitada por fenmenos de apiamiento de corriente, y por tanto hay una mxima corriente andica que se desconecta con seguridad. 6) Los requerimientos especiales e activacin peridica para el GTO no solo grandes pulsos de corrientes de compuerta positivos y negativos, sino tambin una corriente de compuerta continua de estado activo para asegurar el encendido completo de toda la isla ctodos . 7) Los tiristores de desconexin de la compuerta se usa casi exclusivamente para aplicaciones de media y alta potencia. Se debe usar circuitos de amortiguadores de apagado. En particular, el GTO se debe proteger contra sobre corrientes porque la compuerta no apaga corrientes que excedan un valor mximo especifico. 8) Las conclusiones importantes respecto al transistor de compuerta aislado, o IGBT son las siguientes: 1) El IGBT est diseado para operar como MOSFET con una zona inyectara en su lado de drenaje par proporcionar modulacin por conductividad de la regin de arrastre con el fin de reducir prdidas en lnea. 2) Por tanto, el desempeo del IGBT se encuentra a la mitad del desempeo de un MOSFET y un BJT. Es ms rpido que un BJT comparable, pero ms lento que un MOSFET. Sus prdidas en estado activo son mucho menores que las de un MOSFET y son comparables con las de un BJT. 3) La estructura del IGBT incluye un tiristor parastico cuyo encendido no se debe permitir, pues la compuerta perdera la capacidad de apagar el dispositivo. 4) La prevencin del encendido del tiristor parsito implica modificaciones estructurales especiales de la estructura del IGBT por parte del fabricante de dispositivos y la observancia de las especificaciones de

11

corriente y tensin mxima por parte del usuario. Los dispositivos nuevos parecen resistentes al latchup. 5) La velocidad de encendido del IGBT se controla mediante el ndice de cambios de la tensin de compuerta-fuente. 6) El IGBT tiene una AOS rectangular para aplicaciones de modo conmutado, parecida a la del MOSFET, y por tanto, una necesidad mnima de circuito de amortiguadores.

Bibliografa: ELECTRONICA DE POTENCIA. Circuitos, dispositivos y aplicaciones. Tercera edicin. Muhammad H. Rashid. ELECTRONICA DE POTENCIA. Convertidores, aplicaciones y diseo. Tercera edicin. Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins.

12