MEMORIA DE COMPUTADOR Memoria, tambin llamada memoria de ordenador, se refiere a componentes de un ordenador, dispositivos y medios de grabacin que retienen

datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una Unidad Central de Proceso (CPU por su acrnimo en ingls), implementa lo fundamental del modelo de computadora de Von Neumann, usado desde los aos 1940. En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado slido conocido como Memoria RAM (memoria de acceso aleatorio, RAM por sus siglas en ingls Random Access Memory) y otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento rpido pero temporal. De forma similar, se refiere a formas de almacenamiento masivo como Discos pticos y tipos de almacenamiento magntico como discos duros y otros tipos de almacenamiento ms lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza ms permanente. Estas distinciones contemporneas son de ayuda porque son fundamentales para la arquitectura de computadores en general. Adems, se refleja una diferencia tcnica importante y significativa entre memoria y dispositivos de almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por el uso histrico de los trminos "almacenamiento primario" (a veces "almacenamiento principal"), para memorias de acceso aleatorio, y "almacenamiento secundario" para dispositivos de almacenamiento masivo. Esto se explica en las siguientes secciones, en las que el trmino tradicional "almacenamiento" se usa como subttulo por conveniencia. 1. Memoria - Principios El trmino memoria cubre mucho territorio, incluso cuando confin al campo de la computadora. La memoria es algo que sostiene datos, incluso un solo pedazo. Esa memoria puede tomar una variedad de formas. Un sistema de almacenamiento binario, es el tipo usado por las computadoras de hoy, pudiendo construirse con semiconductores del metal-xido. No todas las formas de trabajo de memoria tienen igual eficacia, pero el concepto es el mismo: contener todos pedazos en trminos de informacin, en una forma reconocible y utilizable. Algunas formas de memoria simplemente son ms fciles de reconocer y ser manipulados por un microprocesador electrnico. Al discutir las capacidades recordando de computadoras, los ingenieros normalmente distinguen entre la memoria y almacenamiento. Aunque los dos permitieron a su computadora revocar detalles y datos, los dos tienen propsitos diferentes y usan tecnologas diferentes y difieren en sus terminologas. Sin embargo, los dos conceptos pueden distinguirse (y nombrado) de muchas maneras, el ms til es denominarlos como memoria primaria y almacenamiento secundario. 2. Memoria primaria - Definicin El material que la mayora de las personas llaman "memoria de la computadora" es especficamente en funciones del almacenamiento primario de la computadora. Es decir, los volmenes del sistema del almacenamiento estn en una forma que el microprocesador de la computadora puede acceder inmediatamente, siempre est preparado para ser usado. El uso de la memoria, bsicamente, depende de la velocidad de electricidad (que puede ser casi la velocidad de luz). Es en realidad, la memoria usada por

el microprocesador de la computadora, que contiene los datos y cdigo del programa, usados durante la ejecucin activa de programas (trabajo principal del microprocesador). Por esta razn, el almacenamiento primario se llama a veces, memoria de trabajo. El acceso aleatorio a memoria primaria, responde a lo que el microprocesador requiere. El microprocesador debe acceder al valor requerido al azar. Por consiguiente, la mayora de las personas se refiere a la memoria del funcionamiento en sus computadoras como memoria de acceso aleatorio, o RAM, aunque el trmino RAM tiene una definicin ms especfica aplicada a tecnologas de memoria. Independiente del nombre utilizado, el almacenamiento primario es en efecto la memoria a corto plazo de su computadora. Es fcil ser accedido pero llega a ser limitado en capacidad, es menor en comparacin a otros tipos de almacenamiento. El aspecto ms importante del sistema del almacenamiento primario en la computadora es la velocidad de acceso, aunque se quiere obtener el mximo rendimiento posible. La necesidad para el almacenamiento primario puede no parecer algo obvio. La razn es puramente velocidad. Cuando un microprocesador opera, necesita un apoyo constante del programa de instrucciones, para ejecutar los datos indicados, por las operaciones, y manipulados mediante instrucciones. Si las instrucciones estuvieran en el disco rgido, el microprocesador podra tener que esperar por cada byte a ser encontrado antes de que pudiera llevar a cabo su funcionamiento. En un promedio (aproximado), esto tomara aproximadamente nueve milisegundos por cada instruccin. Los microprocesadores de hoy pueden ejecutar instrucciones y acceder a datos aproximadamente veinte millones de tiempos ms rpidamente que eso.

3. Propsitos del almacenamiento Los componentes fundamentales de las computadoras de propsito general son la unidad aritmticolgica, la unidad de control, espacio de almacenamiento y los dispositivos de entrada/salida. Si se elimina el almacenamiento, el aparato sera una simple calculadora en lugar de una computadora. La habilidad para almacenar las instrucciones que forman un programa de computadora, y la informacin que manipulan las instrucciones es, lo que hace verstiles a las computadoras diseadas segn la arquitectura de programas almacenados Una computadora digital representa toda la informacin usando el sistema binario. Texto, nmeros, imgenes, sonido y casi cualquier otra forma de informacin puede ser transformada en una sucesin de bits, o dgitos binarios, cada uno de los cuales tiene un valor de 1 0. La unidad de almacenamiento ms comn es el byte, igual a 8 bits. Una determinada informacin puede ser manipulada por cualquier computadora cuyo espacio de almacenamiento es suficientemente grande como para que quepa el dato correspondiente o la representacin binaria de la informacin. Por ejemplo, una computadora con un espacio de almacenamiento de ocho millones de bits, o un megabyte, puede ser usado para editar una novela pequea.

Se han inventado varias formas de almacenamiento basadas en diversos fenmenos naturales. No existen ningn medio de almacenamiento de uso prctico universal y todas las formas de almacenamiento tienen sus desventajas. Por tanto, un sistema informtico contiene varios tipos de almacenamiento, cada uno con su propsito individual, como se muestra en el diagrama. 4. Almacenamiento prioritario La memoria primaria est directamente conectada a la unidad central de proceso de la computadora. Debe estar presente para que la CPU funcione correctamente. El almacenamiento primario consiste en tres tipos de almacenamiento:

Los registros del procesador son internos de la unidad central de proceso. Contienen informacin que las unidades aritmtico-lgicas necesitan llevar a la instruccin en ejecucin. Tcnicamente, son los ms rpidos de los almacenamientos de la computadora, siendo transistores de conmutacin integrados en el chip de silicio de la CPU que funcionan como "flip-flop" electrnicos.

La memoria cach es un tipo especial de memoria interna usada en muchas unidades centrales de proceso para mejorar su eficiencia o rendimiento. Parte de la informacin de la memoria principal se duplica en la memoria cach. Comparada con los registros, la cach es ligeramente ms lenta pero de mayor capacidad. Sin embargo, es ms rpida. Aunque de mucha menor capacidad que la memoria principal. Tambin es de uso comn la memoria cach multi-nivel - la "cach primaria" que es ms pequea, rpida y cercana al dispositivo de procesamiento; la "cach secundaria" que es ms grande y lenta, pero ms rpida y mucho ms pequea que la memoria principal.

La memoria principal contiene los programas en ejecucin y los datos con que operan. La unidad aritmtico-lgica puede transferir informacin muy rpidamente entre un registro del procesador y localizaciones del almacenamiento principal, tambin conocidas como "direcciones de memoria". En las computadoras modernas se usan memorias de acceso aleatorio basadas en electrnica del estado slido, que est directamente conectada a la CPU a travs de un "bus de memoria" y de un "bus de datos". Al bus de memoria tambin se le llama bus de direccin o bus frontal, (Front Side Bus) y ambos buses son "superautopistas" digitales de alta velocidad. Los mtodos de acceso y la velocidad son dos de las diferencias tcnicas fundamentales entre memoria y dispositivos de almacenamiento masivo.

5. Almacenamiento secundario, terciario y fuera de lnea La memoria secundaria requiere que la computadora use sus canales de entrada/salida para acceder a la informacin y es usada para almacenamiento a largo plazo de informacin persistente. Sin embargo, la mayora de los sistemas operativos usan los dispositivos de almacenamiento secundario como rea de intercambio para incrementar artificialmente la cantidad aparente de memoria principal en la computadora. A la memoria secundaria tambin se le llama "almacenamiento masivo".

Habitualmente, la memoria secundaria o de almacenamiento masivo es de mucha mayor capacidad que la memoria primaria, pero tambin es mucho ms lenta. En las computadoras modernas, los discos duros suelen usarse como dispositivos de almacenamiento masivo. El tiempo necesario para acceder a un byte de informacin dado almacenado en un disco duro es de alrededor de unos pocas milsimas de segundo (milisegundos). En cambio, el tiempo que lleva acceder lo mismo en una memoria de acceso aleatorio se mide en mil-millonsimas de segundo (nanosegundos). Esto ilustra cuan significativa es la diferencia de velocidad que distingue las memorias de estado slido de los dispositivos rotantes de almacenamiento magntico: Los discos duros son del orden de un milln de veces ms lentos que la memoria. Los dispositivos rotantes de almacenamiento ptico (unidades de CD y DVD) son incluso ms lentos que los discos duros, aunque es probable que sus velocidades de acceso mejoren a la par que los avances tecnolgicos. Por lo tanto, el uso de la memoria virtual, que es cerca de milln de veces ms lenta que memoria verdadera, enlentece apreciablemente el funcionamiento de cualquier computadora. Muchos sistemas operativos implementan la memoria virtual usando trminos como memoria virtual o "fichero de cach". La principal ventaja histrica de la memoria virtual era que era mucho ms barata que la memoria real. Esa ventaja es menos relevante hoy en da. Aun as, muchos sistemas operativos siguen implementndola, a pesar de provocar un funcionamiento significativamente peor. La memoria terciaria es un sistema donde un brazo robtico montar (conectar) o desmontar (desconectar) un medio de almacenamiento masivo fuera de lnea segn lo pida el sistema operativo de la computadora. La memoria terciaria se usa en el rea del almacenamiento industrial, la computacin cientfica en grandes sistemas informticos y redes empresariales. Este tipo de memoria es algo que los usuarios de computadoras personales normales nunca ven de primera mano. El almacenamiento fuera de lnea es un sistema donde el medio de almacenamiento puede ser extrado fcilmente del dispositivo de almacenamiento. Estos medios de almacenamiento suelen usarse para transporte y archivo de datos. En computadoras modernas son de uso habitual para este propsito los disketes, discos pticos y las memorias flash, incluyendo las unidades USB. Tambin hay discos duros USB que se pueden conectar en caliente. Los dispositivos de almacenamiento fuera de lnea usados en el pasado son cintas magnticas en muchos tamaos y formatos diferentes, y las bateras extrables de discos Winchester. 6. Almacenamiento de red El almacenamiento de red es cualquier tipo de almacenamiento de computadora que incluye el hecho de acceder a una informacin a travs de una red informtica. Discutiblemente, el almacenamiento de red permite centralizar el control de informacin en una organizacin y reducir la duplicidad de la informacin. El almacenamiento en red incluye:

El almacenamiento asociado a red es una memoria secundaria o terciaria que reside en una computadora a la que otra de stas puede acceder a travs de una red de rea local, una red de rea extensa, una red privada virtual o, en el caso de almacenamientos de archivos en lnea, internet

Las redes de computadoras, son computadoras que no contienen dispositivos de almacenamiento secundario. En su lugar, los documentos y otros datos son almacenados en un dispositivo de la red.

7. Caractersticas de las memorias La divisin entre primario, secundario, terciario, fuera de lnea se basa en la jerarqua de memoria o distancia desde la unidad central de proceso. Hay otras formas de caracterizar a los distintos tipos de memoria. 7.1. Volatilidad de la informacin

La memoria voltil requiere energa constante para mantener la informacin almacenada. La memoria voltil se suele usar solo en memorias primarias. La memoria no voltil retendr la informacin almacenada incluso si no recibe corriente elctrica constantemente. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea.

Memoria dinmica es una memoria voltil que adems requiere que peridicamente se refresque la informacin almacenada, o leda y reescrita sin modificaciones.

El almacenamiento primario de una computadora pierde su contenido una vez que el ordenador se apaga. La interrupcin en el suministro elctrico define los plazos de las memorias. La memoria voltil es, transitoria. No dura los tres aos de la cuenta ni diez de existencia humana o los quince minutos de fama. Slo sobrevive con tal de que se mantenga la energa elctrica. El sistema de memoria principal de la computadora, es voltil. La memoria no voltil es la que se espera almacene para siempre, al menos, permanezca en la unidad de almacenamiento hasta que el usuario lo cambie o lo elimine. La memoria de no voltil puede ser simulada, realizando backup normalmente impulsando sistemas de tecnologa de apoyo de energa. Una memoria voltil usada como no voltil, son los CMOS, que guarda configuraciones de sistemas, utilizando una batera.

7.2. Habilidad para acceder a informacin no contigua

Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localizacin de la memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeo. Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de informacin tomar un intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de informacin que fue leda anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas (esperando a que la posicin adecuada aparezca debajo del cabezal de lectura/escritura en un medio que gira continuamente).

7.3. Habilidad para cambiar la informacin

Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la informacin se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de memoria de lectura/escritura como memoria principal sera intil para muchas tareas. Las computadoras modernas tambin usan habitualmente memorias de lectura/escritura como memoria secundaria.

La memoria de solo lectura retiene la informacin almacenada en el momento de fabricarse y la memoria de escritura nica (WORM) permite que la informacin se escriba una sola vez en algn momento tras la fabricacin. Tambin estn las memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de lnea. Un ejemplo son los CD-ROMs.

Las memorias de escritura lenta y lectura rpida es una memoria de lectura/escritura que permite que la informacin se reescriba mltiples veces pero con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW.

7.4. Direccionabilidad de la informacin

En

la

memoria

de

localizacin

direccionable,

cada

unidad

de

informacin

accesible

individualmente en la memoria se selecciona con su direccin de memoria numrica. En las computadoras modernas, la memoria de localizacin direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por programas de computadora ya que la localizacin direccionable es muy eficiente, pero difcil de usar para los humanos.

En las memorias de sistema de archivos, la informacin se divide en Archivos informticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y nombres de archivos legibles por humanos. El dispositivo subyacente sigue siendo de localizacin direccionable, pero el sistema operativo de la computadora proporciona la abstraccin del sistema de archivos para que la operacin sea ms entendible. En las computadoras modernas, las memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea usan sistemas de archivos.

En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de informacin leble individualmente se selecciona con un valor hash o un identificador corto sin relacin con la direccin de memoria en la que se almacena la informacin. La memoria de contenido direccionable pueden ser construida usando software o hardware, siendo la opcin hardware la opcin ms rpida y cara.

8. Memoria de bancos Cuando se limitaron las computadoras a unos kilobytes de sus microprocesadores, se dividieron las memorias en bancos, donde cada uno, individualmente utiliza un rango de direccin del microprocesador. Entonces, la memoria direccionable en un mximo, corresponde al producto del rango y el nmero de bancos disponible. El uso de varios mdulos de memoria en el motherboards de la mayora de las computadoras modernas, no tiene nada que ver con bancos. En este contexto, un banco de memoria es cualquier bloque del tamao de memoria que se coloca con sus bits que emparejan el nmero de conexiones de los datos a su microprocesador. Es decir, un banco de memoria para un Pentium 4 es un bloque de memoria de 64 bits de ancho.

Los circuitos electrnicos que hacen acceso aleatorio a memoria (leer-escribir) se subdividen en dos formas: dinmico y esttico. 9. Capacidad de Memoria Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rpida evolucin en tecnologa de semiconductores. Los primeros programas de ajedrez corran en mquinas que utilizaban memorias de base magntica. A inicios de 1970 aparecen las memorias realizadas en base a semiconductores utilizadas en la serie de computadoras IBM 370. As como la velocidad de los computadores se increment en un factor de aproximadamente 100.000, la capacidad de memoria creci en una proporcin similar. Este hecho es particularmente importante en programas que utilizan tablas de transposicin. A medida que aumenta la velocidad de la computadora memorias de capacidad proporcionalmente mayor son necesarias para mantener la cantidad extra de posiciones que son buscadas. As como se espera tener mayores incrementos en la capacidad de procesadores en los prximos aos, no es un abuso decir que la capacidad de memoria continuar creciendo de manera impresionante. Memorias de mayor capacidad podrn ser utilizadas por programas con tablas de hash de mayor envergadura, las cuales mantendrn la informacin en forma permanente. 10. Tecnologas, dispositivos y medios 10.1. Memorias Magnticas Las memorias magnticas usan diferentes patrones de magnetizacin sobre una superficie cubierta con una capa magnetizada para almacenar informacin. Las memorias magnticas son no voltiles. Se llega a la informacin usando uno o ms cabezales de lectura/escritura. Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una parte de la superficie, el almacenamiento magntico es de acceso secuencial y debe buscar, dar vueltas o las dos cosas. En computadoras modernas, la superficie magntica ser de alguno de estos tipos:

Disco magntico Disquete, usado para memoria fuera de lnea Disco duro, usado para memoria secundario Cinta magntica, usada para memoria terciaria y fuera de lnea.

En las primeras computadoras, el almacenamiento magntico se usaba tambin como memoria principal en forma de memoria de tambor, memoria de ncleo, memoria en hilera de ncleo, memoria pelcula delgada, memoria de Twistor o memoria burbuja. Adems, a diferencia de hoy, las cintas magnticas se solan usar como memoria secundaria. 10.2. Memoria de semiconductor

La memoria de semiconductor usa circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar informacin. Un chip de memoria de semiconductor puede contener millones de minsculos transistores o condensadores. Existen memorias de semiconductor de ambos tipos: voltiles y no voltiles. En las computadoras modernas, la memoria principal consiste casi exclusivamente en memoria de semiconductor voltil y dinmica, tambin conocida como memoria dinmica de acceso aleatorio. Con el cambio de siglo, ha habido un crecimiento constante en el uso de un nuevo tipo de memoria de semiconductor no voltil llamado memoria flash. Dicho crecimiento se ha dado, principalmente en el campo de las memorias fuera de lnea en computadoras domsticas. Las memorias de semiconductor no voltiles se estn usando tambin como memorias secundarias en varios dispositivos de electrnica avanzada y computadoras especializadas. 10.3. Memorias de disco ptico Las memorias en disco ptico almacenan informacin usando agujeros minsculos grabados con un lser en la superficie de un disco circular. La informacin se lee iluminando la superficie con un diodo lser y observando la reflexin. Los discos pticos son del no voltil y de acceso secuencial. Los siguientes formatos son de uso comn:

CD, CD-ROM, DVD: Memorias de simplemente solo lectura, usada par distribucin masiva de informacin digital (msica, vdeo, programas informticos). CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura nica usada como memoria terciaria y fuera de lnea. CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y lectura rpida usada como memoria terciaria y fuera de lnea. Blu-ray: Formato de disco ptico pensado para almacenar vdeo de alta calidad y datos. Para su desarrollo se cre la BDA, en la que se encuentran, entre otros, Sony o Phillips. HD DVD

Se han propuesto los siguientes formatos:

HVD Discos cambio de fase Dual

10.4. Memorias de discos magneto pticos Las Memorias de disco magneto ptico son un disco de memoria ptica donde la informacin se almacena en el estado magntico de una superficie ferromagntica. La informacin se lee pticamente y se escribe combinando mtodos magnticos y pticos. Las memorias de discos magneto pticos son de tipo no voltil, de acceso secuencial, de escritura lenta y lectura rpida. Se usa como memoria terciaria y fuera de lnea. 10.5. Otros mtodos iniciales

La cinta de papel y las tarjetas perforadas se usaron para almacenar informacin para procesamiento automtico desde los 1980s, mucho antes de que existieran las computadoras de propsito general. La informacin se grababa perforando agujeros en el papel o la tarjeta. La lectura se realizaba por sensores elctricos (ms tarde pticos) donde una localizacin particular poda estar agujereada o no. Para almacenar informacin, los tubos Williams usaban un tubo de rayos catdicos y los tubos Selectrn usaban un gran tubo de vaco. Estos dispositivos de memoria primaria tuvieron una corta vida

en el mercado ya que el tubo de Williams no era fiable y el tubo de Selectron era caro.
La memoria de lnea de retardo usaba ondas sonoras en una sustancia como poda ser el Mercurio para guardar informacin. La memoria de lnea de retardo era una memoria dinmica voltil, ciclo

secuencial de lectura/escritura. Se usaba como memoria principal.

10.6. Otros mtodos propuestos La memoria de cambio de fase usa las fases de un material de cambio de fase para almacenar informacin. Dicha informacin se lee observando la resistencia elctrica variable del material. La memoria de cambio de fase sera una memoria de lectura/escritura no voltil, de acceso aleatorio podra ser usada como memoria primaria, secundaria y fuera de lnea. La memoria hologrfica almacena pticamente la informacin dentro de cristales o fotopolmeros. Las memorias hologrficas pueden utilizar todo el volumen del medio de almacenamiento, a diferencia de las memorias de discos pticos, que estn limitadas a un pequeo nmero de superficies en capas. La memoria hologrfica podra ser no voltil, de

acceso secuencial y tanto de escritura nica como de lectura/escritura. Puede ser usada tanto como
memoria secundaria como fuera de lnea.

11. MEMORIA RAM - Tipos 11.1. DRAM (Memoria RAM Dinmica) La memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es una memoria RAM electrnica construida mediante condensadores. Los condensadores son capaces de almacenar un bit de informacin almacenando una carga, por lo que necesita refrescarse cada cierto tiempo: el refresco de una memoria RAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado un uno para evitar que la informacin se pierda por culpa de las fugas (de ah lo de "Dynamic"). La memoria DRAM es ms lenta que la memoria SRAM, pero por el contrario es mucho ms barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria RAM ms comnmente utilizada como memoria principal. Tambin se denomina DRAM a la memoria asncrona de los primeros IBM-PC, su tiempo de refresco era de 80 70 ns (nanosegundos). Se utiliz en la poca de los i386, en forma de mdulos SIMM o DIMM. Tipos de DRAM 11.1.1. FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Memoria asncrona, ms rpida que la anterior (modo de Pgina Rpida) y con tiempos de acceso de 70 60 ns. Esta memoria se encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generacin de Pentium. Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el prximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo. Memoria asncrona, esta memoria permite a la CPU acceder ms rpido porque enva bloques enteros de datos; con tiempos de acceso de 40 30 ns. 11.1.2. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Memoria asncrona, variante de la anterior, es sensiblemente ms rpida debido a que manda los datos en rfagas (burst). Memoria sncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium 2, as como en los AMD K7. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en:

PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporizacin de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MiB/s. PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporizacin de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MiB/s. PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporizacin de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1.066 MiB/s.

11.1.3. SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)

Memoria RAM dinmica de acceso sncrono de tasa de datos simple. Se comercializ en mdulos de 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca gente saba entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologas fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR tambin son SDRAM. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y est diseada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnologa InterLeaving, que permite que la mitad del mdulo empiece un acceso mientras la otra mitad est terminando el anterior.

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Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en mdulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores porttiles. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en:

PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporizacin de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporizacin de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporizacin de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son Memorias Sncronas Dinmicas. Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere un cach con velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial. 11.1.4. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDR SDRAM, en funcin de la frecuencia del sistema se clasifican en (segn JEDEC):

PC-1600 DDR 200: funciona a 2,5 V, trabaja a 200 MHz, es decir, 100 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 GiB/s (de ah el nombre PC-1600). Este tipo de memoria la utilizaron los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4.

PC-2100 DDR 266: funciona a 2,5 V, trabaja a 266 MHz, es decir, 133 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,1 GiB/s (de ah el nombre PC-2100). PC-2700 DDR 333: funciona a 2,5 V, trabaja a 333 MHz, es decir, 166 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 GiB/s (de ah el nombre PC-2700). PC-3200 DDR 400: funciona a 2,5 V, trabaja a 400 MHz, es decir, 200 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GiBs (de ah el nombre PC-3200).

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PC2-3200 DDR 2 400: funciona a 1,8 V, trabaja a 400 MHz, es decir, 200 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GiB/s (de ah el nombre PC2-3200). PC2-4200 DDR 2 533: funciona a 1,8 V, trabaja a 533 MHz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2 GiB/s (de ah el nombre PC2-4200). PC2-4800 DDR 2 600: funciona a 1,8 V, trabaja a 600 MHz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,8 GiB/s (de ah el nombre PC2-4800). PC2-5300 DDR 2 667: funciona a 1,8 V, trabaja a 667 MHz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 5,3 GiB/s (de ah el nombre PC2-5300). PC2-6400 DDR 2 800: funciona a 1,8 V, trabaja a 800 MHz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ah el nombre PC2-6400).

PC3-6400 DDR 3 800: funciona a 1,5 V, trabaja a 800 MHz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ah el nombre PC3-6400). PC3-8500 DDR 3 1.066: funciona a 1,5 V, trabaja a 1.066 MHz, es decir, 533 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 8,5 GiB/s (de ah el nombre PC3-8500). PC3-10600 DDR 3 1.333: funciona a 1,5 V, trabaja a 1.333 MHz, es decir, 667 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 10,6 GiB/s (de ah el nombre PC3-10600). PC3-12800 DDR 3 1600: funciona a 1,5 V, trabaja a 1.600 MHz, es decir, 800 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 12,8 GiB/s (de ah el nombre PC3-12800).

Tambin existen las especificaciones DDR 433, DDR 466, DDR 500, DDR 533 y DDR 600 pero segn muchos ensambladores es poco prctico utilizar DDR a ms de 400 MHz, por lo que est siendo sustituida por la revisin DDR 2 de la cual slo se comercializan las versiones DDR 2 400, DDR 2 433, DDR 2 466, DDR 2 500, DDR 2 533, DDR 2 600, DDR 2 667, DDR 2 800, DDR 2 1.000, DDR 2 1.066, DDR 2 1.150 y DDR 2 1.200.

11.1.5. RDRAM (Rambus DRAM)

Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar royalties en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la famosa PlayStation 2. Se clasifica en:

Rambus PC-600: se caracteriza por utilizar dos canales en vez de uno y ofrece unas tasas de transferencia de 1,06 GiB/s por canal => 2,12 GiB/s a una frecuencia de 266 MHz.

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o o

Rambus PC-700: igual que el anterior, trabaja a una frecuencia de 356 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,42 GiB/s por canal => 2,84 GiB/s. Rambus PC-800: del mismo modo, trabaja a 400 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,6 GiB/s por canal => 3,2 GiB/s.

11.1.6. ESDRAM (Enhanced SDRAM) Esta memoria incluye una pequea memoria esttica en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rpida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria cach utilizada en los procesadores actuales. 12. Principios Bsicos

El chip de memoria es un circuito integrado compuesto por millones de transistores y capacitores. Cada transistor y capacitor estn agrupados, en una celda de memoria DRAM, para crear un bit de datos. El capacitor mantiene el bit de dato (un 0 o un 1), y el transistor acta como un switch que permite que el circuito de control en la memoria lea el capacitor o cambie su estado. En cada par de transistores y capacitores, para almacenar un 1, el capacitor debe llenarse de electrones, para almacenar un 0 se debe vaciar. El problema de los capacitores es que poseen una fuga de energa. En unos pocos milisegundos, estos quedaran sin electrones. Por lo tanto para que no se produzca la fuga, la controladora de memoria tiene que encargarse de recargar todos los capacitores que alojan un 1, leyendo la memoria y escribiendo el dato nuevamente (operacin que se repite miles de veces por segundo). Esta propiedad se denomina refresco ya que la informacin eventualmente se perder si los capacitores no son recargados peridicamente. Inclusive la operacin de refresco se produce con cada lectura y escritura en la memoria DRAM. Los procedimientos de refresco toman lapsos de tiempo y reducen la velocidad de la memoria, provocando la aparicin de diferentes latencias. Las celdas de memoria estn interconectadas e integradas a una oblea de silicio, dispuestas en filas y columnas. La interseccin de una fila y una columna constituye una direccin de una celda de memoria (los bits se encuentran ordenados en forma similar a una grilla de dos dimensiones). Cuando la direccin entra a la memoria desde el bus de direcciones hacia los pins de sus chips, la direccin se divide en dos mitades, lo que provocara que las 2 direcciones (fila y columna) sean identificadas en dos ciclos de reloj sucesivos. La propiedad de multiplexado es fundamental en todas las memorias DRAM. Las celdas que estn integradas en un chip de memoria son muy pequeas, pudiendo alojar muchas en un espacio reducido. A mayor cantidad de celdas, mayor tamao de direcciones se deben manejar y mayor cantidad de pins de direcciones debe haber disponibles. La divisin de la direccin en dos partes responde a la necesidad de reducir la cantidad de pins de direcciones que componen un chip de memoria y as no comprometer su tamao.

Tanto los comandos de escritura como de lectura provienen de seales del Northbridge. En una operacin de lectura, la fila de la celda seleccionada es activada cuando la direccin de memoria de la fila entra por el bus de direccin hacia los pins de direccin, la seal RAS determina la direccin de la fila correspondiente y la coloca en el Row Address Latch (dispositivo biestable que almacena la direccin), y

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por ltimo el decodificador de direcciones se encarga de seleccionar la fila especifica para activar los amplificadores de seal. El amplificador de seal distingue las seales que representan un 0 o un 1, es decir, la carga de los capacitores. Luego la direccin de la columna llega desde del bus de direcciones, la seal CAS determina la direccin de la columna especifica y la coloca en el Column Address Latch, y finalmente el decodificador de direcciones se encarga de seleccionar la columna especifica en donde el dato se debe leer. Para concluir con el proceso, la seal CAS es necesaria para determinar la posibilidad de salida del dato por el bus de datos, ya que cuando el valor de la fila y la columna es verificado por el amplificador de seal, este puede salir por el bus de datos de nuevo al sistema. Como los amplificadores de seal demoran unos lapsos de nanosegundos para operar, la direccin de la columna es requerida despus de la direccin de la fila. La prdida de energa de los capacitores afecta la retencin de informacin. Por ello la memoria DRAM permite que las celdas se recarguen con cada operacin de lectura y/o escritura. Adems existe un dispositivo que se encarga de programar refrescos peridicos sin interferir con las tareas de lectura y escritura (proceso que se efecta cada pocos milisegundos). Por ejemplo, si la latencia de un chip de memoria es de 70ns (nanosegundos), significa que se tarda este lapso de tiempo para realizar una operacin de lectura y/o escritura. Para que una operacin de lectura o escritura se realice, las celdas de memoria cuentan con un soporte de circuitos y dispositivos especializados que realizan diferentes funciones: Identificacin de cada fila y columna: RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe). Dos funciones importantes que se miden en ciclos de reloj y se utilizan para controlar la DRAM. RAS: Seal proveniente del Northbridge que activa la direccin de la fila seleccionada. CAS: Seal proveniente del Northbridge que activa la direccin de la columna seleccionada. Indica una posicin determinada de una columna fsica compuesta por una serie de transistores y capacitores. Controlador de refresco: Dispositivo encargado de programar los periodos de refresco cuando no se realizan tareas de lectura y/o escritura, de manera que no disminuya el rendimiento de la memoria DRAM. Controlador de lectura/escritura: (write enable) Cuando esta desactivado, se reconoce que no se debe escribir sobre las celdas. Amplificador de seal: (cense amplifier) Controlador que distingue las seales que representan un 0 o un 1, es decir, la carga de los capacitores. En una operacin de escritura, el amplificador de seal puede establecer el valor encontrado, llenando o vaciando de electrones el capacitor.

13.

Latencias

Es el tiempo que transcurre entre el inicio de una peticin de un dato en la memoria hasta que es recuperado (llega al dispositivo). Es importante para medir la velocidad de la memoria. A menor latencia,

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mayor velocidad de lectura. Los mdulos de memoria tienen distintas especificaciones tcnicas acerca de las diferentes latencias que afectan la velocidad (medida en ciclos de reloj). Entre cualquier funcin de lectura/escritura hay cuatro procesos importantes que determinan diferentes latencias.

14. SRAM (Memoria RAM Esttica) 14.1. SRAM es el acrnimo de Static Random Access Memory (Memoria Esttica de Acceso Aleatorio), un tipo de memoria RAM (RAM esttica) alternativa a la DRAM (RAM dinmica). La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con ms frecuencia la memoria DRAM la cual es ms barata y ms pequea, pero tambin ms lenta, adems necesita peridicas seales de refresco para que no pierda su contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias son voltiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de corriente, los datos almacenados se pierden. Debido al alto coste de fabricacin de la SRAM y a su alta velocidad, su uso ms comn est en la memoria cach de los ordenadores. 14.1.1. Diseo "Acceso aleatorio" significa que la localizacin de las posiciones en la memoria donde los datos sern ledos o escritos, no sigue ningn orden. Cada bit en una SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta clula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la clula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura. Otra diferencia con la DRAM que contribuye a hacer que SRAM sea ms rpido es que los chips comerciales aceptan todos los bits de direccin a la vez. El tamao de la SRAM con m lneas de direccin y n lneas de datos es 2m palabras, o 2m*n bits. 14.1.2. Operaciones de SRAM Una clula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar: 1. 2. 3. Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito, Lectura (reading): cuando la informacin ha sido solicitada y Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos.

14.2. Tipos de memoria SRAM 14.2.1. Async SRAM

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Es asncrona, esto es, independiente de la frecuencia de reloj y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos. Podemos encontrar este tipo de memoria en la cach de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium. 14.2.2. Sync SRAM Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida/bajada del reloj. La direccin, dato almacenado y otras seales de control se asocian a las seales del reloj. Es la siguiente generacin, capaz de sincronizarse con el procesador y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Muy utilizada en sistemas con bus a 66 MHz.

15. MEMORIA ROM ROM son las siglas de read-only memory, que significa "memoria de slo lectura": una memoria de semiconductor destinada a ser leda y no destructible, es decir, que no se puede escribir sobre ella y que conserva intacta la informacin almacenada, incluso en el caso de que se interrumpa la corriente (memoria no voltil). La ROM suele almacenar la configuracin del sistema o el programa de arranque de la computadora. Las memorias de slo lectura o ROM son utilizada como medio de almacenamiento de datos en las computadoras. Debido a que no se puede escribir fcilmente, su uso principal reside en la distribucin de programas que estn estrechamente ligados al soporte fsico de la computadora, y que seguramente no necesitarn actualizacin. Por ejemplo, una tarjeta grfica puede realizar algunas funciones bsicas a travs de los programas contenidos en la ROM. Las computadoras domsticas a comienzos de los 80 venan con todo su sistema operativo en ROM. No haba otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualizacin a una nueva versin significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. En el ao 2000 los sistemas operativos en general ya no van en ROM. Todava las computadoras pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es ms frecuente que vaya en memoria flash. Los telfonos mviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash). Algunas de las consolas de videojuegos que utilizan programas basados en la memoria ROM son la Super Nintendo, la Nintendo 64, la Mega Drive o la Game Boy. Estas memorias ROM, pegadas a cajas de plstico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces, son conocidas como cartuchos. Por extensin la palabra ROM puede referirse tambin a un archivo de datos que contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una copia de un cartucho de videojuego. Una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son ms lentos. An ms importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar

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un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno de la computadora normalmente se encuentran en una memoria ROM. La memoria RAM normalmente es ms rpida para lectura que la mayora de las memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM cuando se utiliza.

16. Tipos de Memoria ROM 16.1. Memoria PROM

PROM D23128C en la plaqueta de una Sinclair ZX Spectrum. PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos y lania se intruduce dentro de la camara!.

Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares, habitulamente Schottky, consiguiendo mayores velocidades. 16.1.2. Programacin Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fbrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final). 16.1.3. Historia La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la Divisin Arma, de la

American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva York. La invencin fue concebida a peticin de
la Fuerza Area de los Estados Unidos, para conseguir una forma ms segura y flexible para almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del MBI Atlas E/F.

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La patente y la tecnologa asociadas fueron mantenidas bajo secreto por varios aos mientras el Atlas E/F era el principal misil de Estados Unidos. El trmino "quemar", refirindose al proceso de grabar una PROM, se encuentra tambin en la patente original, porque como parte de la implementacin original deba quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para producir la discontinuidad del circuito. Las primeras mquinas de programacin de PROMs tambin fueron desarrolladas por ingenieros de la Divisin Arma bajo la direccin del Sr. Chow y fueron ubicados el laboratorio Arma de Garden City, y en la jefatura del Comando estratgico areo de las Fuerzas Areas. 16.2. EPROM y EEPROM Wen Tsing Chow y otros ingenieros de la Divisin Arma continuaron con este suceso diseando la primera Memoria de Slo Lectura No destruible' (Non-Destructive Read-Only Memory, NDRO) para aplicarlo a misiles guiados, fundamentado en una base de doble abertura magntica. Estas memorias, diseadas originalmente para mantener constantes de objetivos, fueron utilizadas para sistemas de armas de MBIs y MMRBMs. La principal motivacin para este invento fue que la Fuerza Area Estadounidense necesitaba reducir los costes de la fabricacin de plaquetas de objetivos basadas en PROMs que necesitaban cambios constantes a medida que llegaba nueva informacin sobre objetivos del bloque de naciones comunistas. Como estas memorias son borrables, programables y re-programables, constituyen la primera implementacin de una produccin de memorias EPROM y EEPROM, de fabricacin anterior al 1963. Debe observarse que los trminos modernos de estos dispositivos, PROM, EPROM y EEPROM, no fueron creados hasta un tiempo despus de que las aplicaciones de misiles guiados nucleares hayan estado operacionales. Las implementaciones originales de Arma se refieren a las PROMs como "matriz de almacenamiento de constantes"; y a las EPROMs y EEPROMs simplemente eran denominadas "memorias NDRO". Las modernas implementaciones comerciales de las PROM, EPROM y EEPROM basadas en circuitos integrados, borrado por luz ultravioleta, y varias propiedades de los transistores, aparecen unos 10 aos despus. Hasta que esas nuevas implementaciones fueron desarrolladas, fuera de aplicaciones militares, era ms barato fabricar memorias ROM que utilizar una de las nuevas caras tecnologas desarrolladas y fabricados por los contratistas de misiles de las fuerzas areas. De todas formas, en misiles, naves espaciales, satlites y otras aplicaciones de mucha confiabilidad, siguen en uso muchos de los mtodos de la implementacin original de los '50. Memoria EPROM

EPROM. La pequea ventana de cuarzo recibe luz UV durante el borrado.

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Una EPROM de 32KB (256Kbit).

Este microcontrolador 8749 almacena su programa en una EPROM interna. EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga, por lo que es ledo como un 1 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (one-time programmable, programables una vez) : la nica diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor tirada).

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Una EPROM programada, retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para prevenir el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubiertas por una etiqueta que contena el nombre del productor de la BIOS, la revisin de la BIOS y una advertencia de copyright. Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 tenemos

Tipo de EPROM Tamao bits Tamao bytes Longitud (hex)

ltima (hex)

direccin

1702, 1702A 2704 2708 2716, 27C16 2732, 27C32 2764, 27C64 27128, 27C128 27256, 27C256 27512, 27C512 27C010, 27C100 27C020 27C040 27C080

2 Kibit 4 Kibit 8 Kibit 16 Kibit 32 Kibit 64 Kibit 128 Kibit 256 Kibit 512 Kibit 1 Mibit 2 Mibit 4 Mibit 8 Mibit

256 512 1 KiB 2 KiB 4 KiB 8 KiB 16 KiB 32 KiB 64 KiB 128 KiB 256 KiB 512 KiB 1 MiB

100 200 400 800 1000 2000 4000 8000 10000 20000 40000 80000 100000

000FF 001FF 003FF 007FF 00FFF 01FFF 03FFF 07FFF 0FFFF 1FFFF 3FFFF 7FFFF FFFFF

16.3. EEPROM son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM programable y borrable elctricamente), en espaol o castellano se suele referir al hablar como EPROM y en ingls "E-Squared-PROM". Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creadas por Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fueron presentadas en la Reunion de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invencin y en 1988 lanz el primer chip comercial del tipo NOR.

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17. FLASH MEMORY La memoria flash es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. 17.1. Caractersticas generales

Lector de tarjetas de memoria por USB. Las memorias flash son de tipo no voltil, esto es, la informacin que almacena no se pierde en cuanto se desconecta de la corriente, una caracterstica muy valorada para la multitud de usos en los que se emplea este tipo de memoria. Los principales usos de este tipo de memorias son pequeos dispositivos basados en el uso de bateras como telfonos mviles, PDA, pequeos electrodomsticos, cmaras de fotos digitales, reproductores porttiles de audio, etc. Las capacidades de almacenamiento de estas tarjetas que integran memorias flash comenzaron en 128 MB pero actualmente se pueden encontrar en el mercado tarjetas de hasta 32 GB por parte de la empresa Panasonic en formato SD. La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente. La nueva generacin de tarjetas permitir velocidades de hasta 7-30 MB/s. El costo de estas memorias es muy bajo respecto a otro tipo de memorias similares como EEPROM y ofrece rendimientos y caractersticas muy superiores. Econmicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 20 para dispositivos con 512 MB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unas pocas MBs por precios realmente bajos, y de hasta 4000 para la gama ms alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash.

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Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extrable. Otra caracterstica de reciente aparicin (30-9-2004) ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son:

El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio. Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware. 17.2. Funcionamiento Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un array de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido

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metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin. 17.3. Memoria flash de tipo NOR En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electron injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Cabe destacar que las memorias flash estn subdividas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. 17.4. Memorias flash de tipo NAND Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

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17.5. Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficiente, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. 17.6. Sistemas de archivos para Memorias flash Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido. Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben

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manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al sistema Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (Yet Another Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft. 17.7. Antecedentes de la memoria flash Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura.

Memorias de slo lectura.

o o

ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.

Memorias de sobre todo lectura.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa.

o o

Memorias de Lectura/Escritura (RAM)

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.

17.8. Historia de la memoria flash La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PCs, wireless, etc. Fue Fujio

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Masuoka en 1984 cuando invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces (Trabajador perteneciente a Toshiba). Intel intent atribuirse la creacin de esta aunque sin xito. Este ltimo comercializ la primera memoria flash Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio comercializ el primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un diskman en el bolsillo. En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande. 17.9. Futuro El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste y, al menos en apariencia, no es factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash est todava lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista fsico. El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PCs es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un mercado que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares (despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la industria Gartner, avala todas estas ideas. Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeo

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dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente asequible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVDs porttiles. La reduccin del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas de wireless permitir unas condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial Brasilea, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (satlite de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PCs, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc. en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. En la actualidad TDK que estn fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb

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