COMPONENTE

FUNCIONAMIENTO

COMPOSICIN

PARTES

FET (Transistor de Efecto de Campo)

Tienen tres conexiones, pero stas se llaman: Dispositivo semiconductor Puerta (Gate), Fuente que (Source) y Drenador (Drain) controla un flujo de Est compuesto de una en vez de base, colector y corriente por parte de silicio tipo N, a la emisor. Aplicando una un canal semiconductor, cual se le adicionan dos tensin en la puerta aplicando regiones con impurezas controlamos la corriente un campo elctrico tipo P llamadas compuerta que circula entre la fuente perpendicular (gate) y que estn unidas y el drenador. a la trayectoria de la entre si. Hay dos tipos de FET: de corriente. canal-N (similar al NPN bipolar) y de canal-P (similar al PNP bipolar).

MOSFET (Transistor de efecto de campo de metal-xidosemiconductor).

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, Permite regular la creado en un material circulacin de semiconductor slido una corriente elctrica cristalino mediante una corriente de (generalmente germanio, control, mucho menor. silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. Contiene cientos de componentes distribuidos de manera ordenada; utilizando la tcnica llamada fotolitografa, la cual permite ordenar miles de componentes en una pequea placa de silicio.

Los terminales del dispositivo son el ordenador (D-Drain), la puerta (G-Gate), la fuente (S-Sourse) y el sustrato (B-Body).

IC (Circuito Integrado)

Simplifica una funcin elctrica en un solo chip.

El transistor, las resistencias, los capacitores y los diodos.

OPTOACOPLADOR

Basa su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica.

Est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso, todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado.

SCR

Basa su funcionamiento en el empleo de una corriente a la terminal G, que es la base del colector y el emisor, y que causa que surga una corriente en el colector, que a su vez se alimenta de la base del transistor, causando un flujo mayor de corriente. Este proceso se repite hasta saturar el base del transistor causando el encendido del SCR.

Dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta

ENCAPSULADO

ESQUEMA ELCTRICO

USOS

TO263 SMD Y SMD SOT23: Transistor FET de potencia. DIP4 y TO220: Transistor FET de baja seal. TO247: Transistor FET TO247

Permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio.

TO92: Transistor MOSFET de baja seal.

uno de los mas importantes dispositivos empleados en el diseo y construccin de circuitos integrados para computadoras digitales.

De insercin: DIP, SIP, PGA. De montaje superficial: SOP, TSOP, QFP, SOJ, QFJ, QFN, TCP, BGALGA.

Memorias, Amplificadores, Contadores, entre otros.

El ms utilizado es el de tipo DIP.

Reguladores de suministro de energa, Entradas lgicas digitales, Entradas de microprocesadores.

Type 220CE, Type C106 de tipo DIP.

CMO PROBAR CON EL MULTMETRO

Dependiendo si el transistor es NPN o PNP, se introduce en los orificios de la funcin hFE del multmetro. EBC o BCE respectivamente.

Dependiendo si el transistor es NPN o PNP, se introduce en los orificios de la funcin hFE del multmetro. EBC o BCE respectivamente.

Se coloca el multmetro, en medicin de semiconductores donde est el smbolo de un diodo, se coloca una punta en el primer pin y con la otra se van tocando los dems pines, solo si marca 0 o 2 ohms entre dos pines, el CI esta quemado.

Colocamos el multmetro en posicin para medir diodos si es digital, en R X 1, si es analgico buscar entre los pines hasta encontrar el LED.

CMO PROBAR CON EL MULTMETRO DIODO TRANSISTOR UJT FET MOSFET SRC DIAC TRIAC OPTOACOPLADOR IC