Tercer Parcial Electrnica de Potencia Circuito Conversor de DC a AC

1.- Introduccin La Electrnica de Potencia es una de las ramas de la Electrnica que ms se ha desarrollado en los ltimos aos. Ello se puede atribuir, entre otras cosas, a la invencin del tiristor en el inicio de la dcada de los aos 60. Las limitaciones de tamao, fragilidad mecnica y, sobretodo excesivos tiempos de des ionizacin, no permitieron a las vlvulas de vaco, empleadas en el pasado, ser competitivas en muchas aplicaciones frente, por ejemplo, a grupos motor-generador. Con el creciente nmero y variedades de circuitos y equipos electrnicos en diversas reas de aplicacin, hoy en da la Electrnica de Potencia es muy importante, dado que es el campo de la ingeniera responsable de la conversin de la energa elctrica. En otras palabras, la Electrnica de Potencia es la disciplina que estudia los sistemas de potencia, encargados de realizar la transformacin de la energa elctrica en sus distintas formas (corriente continua, corriente alterna). 2.- Objetivos 2.1.- Objetivo General Implementar un circuito de electrnica de potencia capaz de transformar la corriente continua en corriente alterna, mediante dispositivos de potencia 2.2.- Objetivos especficos Investigar acerca de un circuito de conversin de electrnica de Potencia. Implementar el circuito. Verificar el buen funcionamiento del circuito. Mostrar los resultados de manera grfica. Elaborar un documento del trabajo.

3.- Marco terico 3.1.- Electrnica de Potencia Con el creciente nmero y variedades de circuitos y equipos electrnicos en diversas reas de aplicacin, hoy en da la Electrnica de Potencia es muy importante, dado que es el campo de la ingeniera responsable de la conversin de la energa elctrica. En otras palabras, la Electrnica de Potencia es la disciplina que estudia los sistemas de potencia, encargados de realizar la transformacin de la energa elctrica en sus distintas formas (corriente continua, corriente alterna). La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos semiconductores hace que se apliquen para resolver procesos cada vez ms complejos. Un equipo electrnico de potencia consta fundamentalmente de dos partes: 1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos, que conecta la fuente primaria de alimentacin con la carga.

2. Un circuito de control, que procesa la informacin proporcionada por el circuito de potencia y genera las seales de excitacin que determinan el estado de los semiconductores, controlados con una fase y secuencia conveniente. En la Electrnica de Potencia, el objetivo principal es conseguir un elevado rendimiento en la transformacin de energa. Para ello, se utilizan dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin, a modo de interruptores. Para obtener un rendimiento elevado, se evita que los semiconductores trabajen en la zona lineal. Los semiconductores, trabajando en conmutacin, deben cumplir las siguientes caractersticas: Tener 2 estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con reducida potencia de control. Ser capaces de soportar altas tensiones cuando estn bloqueados y elevadas intensidades, con pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando estn en conduccin. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro. As podemos definir la Electrnica de Potencia de la siguiente manera: Electrnica de Potencia es la parte de la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesado, control y conversin de la energa elctrica. Podemos decir que se requieren sistemas electrnicos de potencia, por las siguientes razones, entre otras: La forma en que se suministra la energa no coincide con la forma en que se desea consumir. Por ejemplo, imagnese la alimentacin de un ordenador personal, en el que sus circuitos necesitan alimentacin de tensin continua de 3V, 5V, -5V, 12V y 12V, pero se parte de la red monofsica alterna (240V, 50Hz). Evidentemente es necesario disponer de un sistema electrnico que transforme dicha energa para adaptarla a las necesidades del equipo que se est alimentando. En determinadas aplicaciones resulta rentable cambiar la forma de la energa, por ejemplo, para transmitirla. Es el caso de la transmisin de energa en corriente continua (CC) trabajando en alta tensin, conocida como transmisin HVDC (High Voltage Direct Current). No se puede hacer de otra forma. Supngase por ejemplo el sistema de alimentacin de un satlite. ste est formado por bateras, las cuales pueden cargarse mediante paneles solares. En este caso es necesario un sistema electrnico que adapte dichas necesidades. Se requieren nuevas prestaciones por parte de los consumidores de energa. Por ejemplo, el caso de la conversin de una tensin alterna CA fija que llega a una industria proveniente directamente de una subestacin, en una tensin variable en amplitud y frecuencia, necesaria para el control de la velocidad y posicin del accionamiento de los motores de una cinta transportadora. Como se puede notar en este ltimo ejemplo, la Electrnica de Potencia es un rea multidisciplinar, ya que para el desarrollo de dicha aplicacin se debe tener conocimiento de mquinas (motor CA), de automtica (control) y de electrnica.

Por tanto, cuando se habla en EP, se habla necesariamente de: POTENCIA, refirindose a equipos para operacin y distribucin de potencia elctrica. ELECTRNICA, refirindose a dispositivos de estado slido y circuitos de procesado de seal para alcanzar los objetivos de control deseados. CONTROL, refirindose a las caractersticas estticas y dinmicas de sistemas de control en lazo cerrado. 3.2.- Resistencia Cualquier material natural ofrece oposicin al paso de la corriente elctrica a travs de ella. Este efecto se llama resistividad. Los materiales conductores presentan una resistividad casi nula, los aislantes no permiten el flujo de corriente y los resistivos presentan cierta resistencia. Las resistencias son componentes elctricos pasivos en lo que la tensin que se les aplica es proporcional a la intensidad que circula por ellos. Generalmente la resistencia de un material aumenta cuando crece la temperatura. Tambin la resistencia de conductor es proporcional a la longitud de sta e inversamente proporcional a su seccin. Hay que puntualizar, para que no haya malos entendidos, que a veces llamarlas resistencias se le denominan resistores. La medicin en resistencias se hace en ohmios, su smbolo que es este

3.2.1.- Caractersticas de la Resistencias Todas las resistencias tienen una tolerancia, esto es el margen de valores que rodean el valor nominal y en el que se encuentra el valor real de la resistencia. Su valor viene determinado por un porcentaje que va desde 0.001% hasta 20% el ms utilizada es el de 10%. Esta tolerancia viene marcada por un cdigo de colores.

Las resistencias tienen un coeficiente de temperatura, este valor depender de la temperatura que alcance la resistencia cuando empiece a circular el flujo de electrones. Como cualquier elemento elctrico y electrnico tiene un rango de trabajo y por tanto un lmite de funcionamiento que vendr determinado por su capacidad de disipar calor, la tensin y por su temperatura mxima; por tanto ser la temperatura mxima con la cual podr trabajar sin deteriorarse. Tiene tambin un coeficiente de tensin que limitar el paso de la corriente elctrica entre sus dos extremos que ser la variacin relativa de cambio de tensin al que se someta. Un factor tambin importante es el ruido que se debe a los cambios repentinos de aumento y disminucin de corrientes continuos. La capacidad de la resistencia es la capacidad de mantener en el transcurso del tiempo el valor nominal de la resistencia ser sometido a los cambios ambientales, largos periodos del funcionamiento que no deber afectarla para nada. Los materiales empleados para la fabricacin de las resistencias son muy variados pero los ms comunes son aleaciones de cobre, nquel y zinc en diversas proporciones de cada uno lo que har variar la resistividad. Quien determinar un aumento de esta resistividad ser el nquel, ya que si la aleacin lleva porcentaje alto de ste, la resistencia tendr gran resistividad. Las aleaciones de cobre nquel y nquel-hierro tiene una resistividad de 10 a 30 veces mayor que el cobre y las aleaciones de nquel-cromo sern de 60 a 70 veces mayor que las de cobre y con un gran comportamiento en temperaturas elevadas. Tambin se puede utilizar el carbono ya que su resistividad entre 400 y 2.400 veces la del cobre, por este motivo se utiliza en las escobillas de los motores elctricos.

3.2.2.- Cdigo de Colores Hay varios tipos de resistencias vienen determinados por una representacin de cdigos de colores. Esto se realiza por medio de la estampacin de unos anillos de colores en el cuerpo de la resistencia. Estos anillos son cuatro o cinco y vienen especificados segn se muestra en las ilustraciones.

3.2.3.- Tipos de Resistencias Hay varios tipos de resistencias pero en definitiva se agrupan en fijas y variables. Las fijas se denominan de esta forma: Bobinadas.

Suelen venir as para disipar potencia. Se fabrican sobre una base aislante en forma cilndrica para enrollar un hilo de alta resistividad (wolframio, manganina, constatn). La longitud y seccin del hilo darn su resistividad juntamente con la composicin de ste. Suelen venir marcadas en la superficie y se utilizan para las grandes potencias pero con el inconveniente de ser inductivas. Aglomeradas.

Estn realizadas de una pasta con granos muy finos de grafito. Estas son de las ms utilizadas. Sus valores vienen determinados por el cdigo de colores. Al igual que las bobinadas constan de un hilo enrollado pero se le somete a un proceso de vitrificacin a alta temperatura (barniz especial) cuyo cometido es proteger el hilo resistivo y evitar que entren en contacto las espiras enrolladas. Es en este barniz donde se marca el cdigo de colores. Pelcula de Carbono. Se pone una fina capa de pasta de grafito encima de una base cilndrica de cermica. La seccin y su composicin determinarn el valor de la resistencia.

 Pirolticas. Son muy parecidas a las anteriores, pero con una pelcula de carbn rayada en forma de hlice para ajustar el valor de la resistencia. Son inductivas. El otro tipo de resistencias son variables, nos interesa obtener una resistencia cuyo valor pueda variarse segn la aplicacin. Se fabrican bobinadas o de grafito, deslizantes o giratorias. 3.2.4.- Termistor Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El trmino termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de termistor: NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura negativo PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura positivo 3.2.4.1.- Caractersticas Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variacin de la concentracin de portadores. Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentar tambin la concentracin de portadores, por lo que la resistencia ser menor, de ah que el coeficiente sea negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy intenso, ste adquirir propiedades metlicas, tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a partir de xidos semiconductores, tales como el xido frrico, el xido de nquel, o el xido de cobalto. Sin embargo, a diferencia de los sensores RTD, la variacin de la resistencia con la temperatura es no lineal. Para un termistor NTC, la caracterstica es hiperblica. Para pequeos incrementos de temperatura, se darn grandes incrementos de resistencia. Por ejemplo, el siguiente modelo caracteriza la relacin entre la temperatura y la resistencia mediante dos parmetros: Dnde: RT es la resistencia del termistor NTC a la temperatura T (K) R0 es la resistencia del termistor NTC a la temperatura de referencia T0 (K) B es la temperatura caracterstica del material, entre 2000 K y 5000 K Por analoga a los sensores RTD, podra definirse un coeficiente de temperatura equivalente , que para el modelo de dos parmetros quedara:

Puede observarse como el valor de este coeficiente vara con la temperatura. Por ejemplo, para un termistor NTC con B = 4000 K y T = 25 C, se tendr un coeficiente

equivalente = -0.045 K 1, que ser diez veces superior a la sensibilidad de un sensor Pt100 con = 0.00385 K 1. El error de este modelo en el margen de 0 a 50 C es del orden de 0.5 C. Existen modelos ms sofisticados con ms parmetros que dan un error de aproximacin an menor. En la siguiente figura se muestra la relacin tensin corriente de un termistor NTC, en la que aparecen los efectos del autocalentamiento. A partir del punto A, los efectos del autocalentamiento se hacen ms evidentes. Un aumento de la corriente implicar una mayor potencia disipada en el termistor, aumentando la temperatura de ste y disminuyendo su resistencia, dejando de aumentar la tensin que cae en el termistor. A partir del punto B, la pendiente pasa a ser negativa. 3.3.- Potencimetro Un potencimetro es un resistor cuyo valor de resistencia es variable. De esta manera, indirectamente, se puede controlar la intensidad de corriente que fluye por un circuito si se conecta en paralelo, o la diferencia de potencial al conectarlo en serie. Normalmente, los potencimetros se utilizan en circuitos de poca corriente. Para circuitos de corrientes mayores, se utilizan los restatos, que pueden disipar ms potencia. 3.3.1.- Tipos Existen dos tipos de potencimetros segn su construccin:

Potencimetros impresos, realizados con una pista de carbn o de cermet sobre un soporte duro como papel baquelizado, fibra, almina, etc. La pista tiene sendos contactos en sus extremos y un cursor conectado a un patn que se desliza por la pista resistiva. Potencimetros petados. Consiste en un arrollamiento toroidal de un hilo resistivo (por ejemplo, constantn) con un cursor que mueve un patn sobre el mismo.

Segn su aplicacin se distinguen varios tipos:

Potencimetros de mando. Son adecuados para su uso como elemento de control en los aparatos electrnicos. El usuario acciona sobre ellos para variar los parmetros normales de funcionamiento. Por ejemplo, el volumen de una radio. Potencimetros de ajuste. Controlan parmetros pre ajustados, normalmente en fbrica, que el usuario no suele tener que retocar, por lo que no suelen ser accesibles desde el exterior. Existen tanto encapsulados en plstico como sin cpsula, y se suelen distinguir potencimetros de ajuste vertical, cuyo eje de giro es vertical, y potencimetros de ajuste horizontal, con el eje de giro paralelo al circuito impreso

Segn la ley de variacin de la resistencia R = ():

Potencimetros lineales. La resistencia es proporcional al ngulo de giro. Logartmicos. La resistencia depende logartmicamente del ngulo de giro. Senoidales. La resistencia es proporcional al seno del ngulo de giro. Dos potencimetros senoidales solidarios y girados 90 proporcionan el seno y el coseno del ngulo de giro. Pueden tener topes de fin de carrera o no. Antilogartmicos En los potencimetros impresos la ley de resistencia se consigue variando la anchura de la pista resistiva, mientras que en los bobinados se ajusta la curva a tramos, con hilos de distinto grosor.

Potencimetros multivuelta. Para un ajuste fino de la resistencia existen potencimetros multivuelta, en los que el cursor va unido a un tornillo desmultiplicador, de modo que para completar el recorrido necesita varias vueltas del rgano de mando.

Potencimetros rotatorios. Se controlan girando su eje. Son los ms habituales pues son de larga duracin y ocupan poco espacio. Potencimetros deslizantes. La pista resistiva es recta, de modo que el recorrido del cursor tambin lo es. Han estado de moda hace unos aos y se usa, sobre todo, en ecualizadores grficos, pues la posicin de sus cursores representa la respuesta del ecualizador. Son ms frgiles que los rotatorios y ocupan ms espacio. Adems suelen ser ms sensibles al polvo. Potencimetros mltiples. Son varios potencimetros con sus ejes coaxiales, de modo que ocupan muy poco espacio. Se utilizaban en instrumentacin, autorradios, etc. Potencimetros digitales Se llama potencimetro digital a un circuito integrado cuyo funcionamiento simula el de un potencimetro Analgico. Se componen de un divisor resistivo de n+1 resistencias, con sus n puntos intermedios conectados a un multiplexor analgico que selecciona la salida. Se manejan a travs de una interfaz serie (SPI, I2C, Microwire, o similar). Suelen tener una tolerancia en torno al 20% y a esto hay que aadirle la resistencia debida a los switches internos, conocida como Rwiper. Los valores ms comunes son de 10K y 100K aunque vara en funcin del fabricante con 32, 64, 128, 512 y 1024 posiciones en escala logartmica o lineal. Los principales fabricantes son Maxim, Intersil y Analog Devices. Estos dispositivos poseen las mismas limitaciones que los conversores DAC como son la corriente mxima que pueden drenar, que est en el orden de los mA, la INL y la DNL, aunque generalmente son monotnicos.

3.4.- Diodo Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante; electrones que son conducidos electrostticamente hacia una placa caracterstica curvada por un muelle doble cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad. Tipos de vlvula diodo Diodo de alto vaco Diodo de gas Rectificador de mercurio 3.4.1.- Diodo pn o Unin pn Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K). Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales protegen son capaces de proteger cables.

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3.4.2.- Polarizacin Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa 3.4.2.1.- Polarizacin Directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

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 El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. 3.4.2.2.- Inversa

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En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. 3.4.3.- Curva de Respuesta Un diodo es un dispositivo electrnico de dos terminales cuya respuesta tensincorriente es no lineal. Un diodo ideal es aquel que permite el flujo de corriente en directa y lo impide en inversa. En cambio, en un diodo real la diferencia de potencial (umbral) es no nula y depende del material semiconductor del diodo. A temperatura ambiente, en los diodos de germanio el umbral es aproximadamente 0, 3V mientras que en los diodos de silicio es aproximadamente 0, 7V. Es interesante destacar, que en la curva caracterstica de un diodo real, una pequea corriente circula en polarizacin inversa. Esta corriente es denominada corriente de fuga y es principalmente causada por las impurezas (no buscadas) en el material. Tambin puede notarse una regin, a la que se denomina tensin de ruptura, que corresponde a la tensin mxima con la que se puede polarizar en inversa el diodo. Este valor de tensin por lo general es del orden de los 50V.

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Existen distintos tipos de diodos: los diodos Zener, los diodos optoelectrnicos, Schottky, varicap, etc. Los diodos Zener, contrariamente a los diodos comunes anteriormente descriptos, son diodos que han sido especialmente diseados para que funcionen en la zona de ruptura. El diodo Zener tambin es llamado diodo de avalancha y su principal utilizacin es en reguladores de tensin. 3.5.- Capacitores Se llama capacitor a un dispositivo que almacena carga elctrica. El capacitor est formado por dos conductores prximos uno a otro, separados por un aislante, de tal modo que puedan estar cargados con el mismo valor, pero con signos contrarios. En su forma ms sencilla, un capacitor est formado por dos placas metlicas o armaduras paralelas, de la misma superficie y encaradas, separadas por una lmina no conductora o dielctrico. Al conectar una de las placas a un generador, sta se carga e induce una carga de signo opuesto en la otra placa. Por su parte, teniendo una de las placas cargada negativamente (Q-) y la otra positivamente (Q+) sus cargas son iguales y la carga neta del sistema es 0, sin embargo, se dice que el capacitor se encuentra cargado con una carga Q. Los capacitores pueden conducir corriente continua durante slo un instante (por lo cual podemos decir que los capacitores, para las seales continuas, es como un cortocircuito), aunque funcionan bien como conductores en circuitos de corriente alterna. Es por esta propiedad lo convierte en dispositivos muy tiles cuando se debe impedir que la corriente continua entre a determinada parte de un circuito elctrico, pero si queremos que pase la alterna. Los capacitores se utilizan junto con las bobinas, formando circuitos en resonancia, en las radios y otros equipos electrnicos. Adems, en los tendidos elctricos se utilizan grandes capacitores para producir resonancia elctrica en el cable y permitir la transmisin de ms potencia. Adems son utilizados en: Ventiladores, motores de Aire Acondicionado, en Iluminacin, Refrigeracin, Compresores, Bombas de Agua y Motores de Corriente Alterna, por la propiedad antes explicada.

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Los capacitores se fabrican en gran variedad de formas y se pueden mandar a hacer de acuerdo a las necesidades de cada uno. El aire, la mica, la cermica, el papel, el aceite y el vaco se usan como dielctricos, segn la utilidad que se pretenda dar al dispositivo. Pueden estar encapsulados en baquelita con vlvula de seguridad, sellados, resistentes a la humedad, polvo, aceite; con terminales para conector hembra y/o soldadura. Tambin existen los capacitores de Marcha o Mantenimiento los cuales estn encapsulados en metal. Generalmente, todos los Capacitores son secos, esto quiere decir que son fabricados con cintas de plstico metalizado, autoregenerativos, encapsulados en plstico para mejor aislamiento elctrico, de alta estabilidad trmica y resistentes a la humedad. El primer capacitor es la botella de Leyden, el cual es un capacitor simple en el que las dos placas conductoras son finos revestimientos metlicos dentro y fuera del cristal de la botella, que a su vez es el dielctrico. La magnitud que caracteriza a un capacitor es su capacidad, cantidad de carga elctrica que puede almacenar a una diferencia de potencial determinado. La botella de Leyden, uno de los capacitores ms simples, almacena una carga elctrica que puede liberarse, o descargarse, juntando sus terminales, mediante una varilla conductora. La primera botella de Leyden se fabric alrededor de 1745, y todava se utiliza en experimentos de laboratorio. Para un capacitor se define su capacidad como la razn de la carga que posee uno de los conductores a la diferencia de potencial entre ambos, es decir, la capacidad es proporcional a la carga e inversamente proporcional a la diferencia de potencial: C = Q / V, medida en Farad (F). La diferencia de potencial entre estas placas es igual a: V = E * d ya que depende de la intensidad de campo elctrico y la distancia que separa las placas. Tambin: V =q / e * d, siendo q carga por unidad de superficie y d la diferencia entre ellas. Para un capacitor de placas paralelas de superficie S por placa, el valor de la carga en cada una de ellas es q * S y la capacidad del dispositivo: C = q * S / (q * d / e ) = e * S / d Siendo d la separacin entre las placas. La energa acumulada en un capacitor ser igual al trabajo realizado para transportar las cargas de una placa a la otra venciendo la diferencia de potencial existente ellas: D W = V * D q = (q / C) * D q La energa electrosttica almacenada en el capacitor ser igual a la suma de todos estos trabajos desde el momento en que la carga es igual a cero hasta llegar a un valor dado de la misma, al que llamaremos Q. W = V * dq = ( 1 / C) * ( q * dq) = 1 / 2 (Q2 / C) Si ponemos la carga en funcin de la tensin y capacidad, la expresin de la energa almacenada en un capacitor ser: W = 1/2 * C * V2 medida en unidades de trabajo. Dependiendo de superficie o rea de las placas su frmula de capacidad es C = e * A / 4p d, donde he es la constante dielctrica.

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3.5.1.- Tipos de Capacitores Fijos Estos capacitores tienen una capacidad fija determinada por el fabricante y su valor no se puede modificar. Sus caractersticas dependen principalmente del tipo de dielctrico utilizado, de tal forma que los nombres de los diversos tipos se corresponden con los nombres del dielctrico usado. De esta forma podemos distinguir los siguientes tipos: Cermicos. Plstico. Mica. Electrolticos. De doble capa elctrica. Capacitores cermicos El dielctrico utilizado por estos capacitores es la cermica, siendo el material ms utilizado el dixido de titanio. Este material confiere al condensador grandes inestabilidades por lo que en base al material se pueden diferenciar dos grupos: Grupo I: caracterizados por una alta estabilidad, con un coeficiente de temperatura bien definido y casi constante. Grupo II: su coeficiente de temperatura no est prcticamente definido y adems de presentar caractersticas no lineales, su capacidad vara considerablemente con la temperatura, la tensin y el tiempo de funcionamiento. Se caracterizan por su elevada permitividad. Las altas constantes dielctricas caractersticas de las cermicas permiten amplias posibilidades de diseo mecnico y elctrico. Capacitores de plstico Estos capacitores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y elevadas tempeeraturas de funcionamiento. Segn el proceso de fabricacin podemos diferenciar entre los de tipo k y tipo MK, que se distinguen por el material de sus armaduras (metal en el primer caso y metal vaporizado en el segundo). Segn el dielctrico usado se pueden distinguir estos tipos comerciales: KS: styroflex, constituidos por lminas de metal y poliestireno como dielctrico. KP: formados por lminas de metal y dielctrico de polipropileno. MKP: dielctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado. MKY: dielctrco de polipropileno de gran calidad y lminas de metal vaporizado. MKT: lminas de metal vaporizado y dielctrico de teraftalato de polietileno (polister). MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato para el dielctrico.

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A nivel orientativo estas pueden ser las caractersticas tpicas de los capacitores de plstico: TIPO CAPACIDAD TOLERANCIA TENSION TEMPERATURA 2pF-330nF +/-0,5% +/-5% 25V-630V -55C-70C KS KP 2pF-100nF +/-1% +/-5% 63V-630V -55C-85C MKP 1,5nF-4700nF +/-5% +/-20% MKY 100nF-1000nF +/-1% +/-5% MKT 680pF-0,01mF +/-5% +/-20% MKC 1nF-1000nF Capacitores de mica El dielctrico utilizado en este tipo de capacitores es la mica o silicato de aluminio y potasio y se caracterizan por bajas prdidas, ancho rango de frecuencias y alta estabilidad con la temperatura y el tiempo. Capacitores electrolticos En estos capacitores una de las armaduras es de metal mientras que la otra est constituida por un conductor inico o electrolito. Presentan unos altos valores capacitivos en relacin al tamao y en la mayora de los casos aparecen polarizados. Podemos distinguir dos tipos: Electrolticos de aluminio: la armadura metlica es de aluminio y el electrolito de tetraborato armnico. Electrolticos de tntalo: el dielctrico est constituido por xido de tntalo y nos encontramos con mayores valores capacitivos que los anteriores para un mismo tamao. Por otra parte las tensiones nominales que soportan son menores que los de aluminio y su coste es algo ms elevado. Capacitores de doble capa elctrica Estos capacitores tambin se conocen como supercapacitores o CAEV debido a la gran capacidad que tienen por unidad de volumen. Se diferencian de los capacitores convencionales en que no usan dielctrico por lo que son muy delgados. Las caractersticas elctricas ms significativas desde el punto de su aplicacin como fuente acumulada de energa son: altos valores capacitivos para reducidos tamaos, corriente de fugas muy baja, alta resistencia serie, y pequeos valores de tensin. 3.5.2.- Identificacin De Capacitores Vamos a disponer de un cdigo de colores, cuya lectura vara segn el tipo de condensador, y un cdigo de marcas, particularizado en los mismos. Primero determinaremos el tipo de condensador (fijo o variable) y el tipo concreto dentro de estos. Las principales caractersticas que nos vamos a encontrar en los capacitores van a ser la capacidad nominal, tolerancia, tensin y coeficiente de temperatura, aunque dependiendo de cada tipo traern unas caractersticas u otras. +/-5% +/-20% 0,25KV-40KV -40C-85C 0,25KV-40KV -55C-85C 25V-630V 25V-630V -55C-100C -55C-100C

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En cuanto a las letras para la tolerancia y la correspondencia nmero-color del cdigo de colores, son lo mismo que para resistencias. Debemos destacar que la fuente ms fiable a la hora de la identificacin son las caractersticas que nos proporciona el fabricante. Capacitores cermicos tipo placa, grupo 1 y 2.

Capacitores cermicos tipo disco, grupo 1.

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Capacitores cermicos tipo disco, grupo 2.

Capacitores cermicos tubulares. CDIGO DE COLORES

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CDIGO DE MARCAS

Capacitores de plstico. CDIGO DE COLORES

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CDIGO DE MARCAS

Capacitores electrolticos Estos capacitores siempre indican la capacidad en microfaradios y la mxima tensin de trabajo en voltios. Dependiendo del fabricante tambin pueden venir indicados otros parmetros como la temperatura y la mxima frecuencia a la que pueden trabajar. Tenemos que poner especial atencin en la identificacin de la polaridad. Las formas ms usuales de indicacin por parte de los fabricantes son las siguientes:

Capacitores de tantalio Actualmente estos capacitores no usan el cdigo de colores (los ms antiguos, s). Con el cdigo de marcas la capacidad se indica en microfaradios y la mxima tensin de trabajp en voltios. El terminal positivo se indica con el signo +:

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3.6.- Transistores El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base, Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del trodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo.

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Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas 3.6.1.- Tipos de transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa: Transistor bipolar de unin (BJT)

Transistor de efecto de campo, de union (JFET)

Transistor de efecto de campo, de metal oxido semiconductor (MOSFET)

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Fototransistor

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias cercanas a la de la luz. Transistor de unin unipolar. Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. o Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

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 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores) Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado 3.6.2.- Transistor bipolar El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue inventado en 1947) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas(de huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unin. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. Cuando el transistor bipolar, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 60, algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas termoinicas en equipos de

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radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas termoinicas en amplificadores de audio para guitarras. Funcionamiento En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones. Control de tensin, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente baseemisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando TBJ con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. 3.6.3.- 2N2222 El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar

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potencias bajas (no mayores de medio vatio). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas. Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por los constructores aficionados de radios. Es uno de los transistores oficiales utilizados en el BITX. Su versatilidad ha permitido incluso al club de radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un desafo de construir un transceptor de radio utilizando nicamente hasta 22 ejemplares de este transistor - y ningn circuito integrado. Las hojas de especificaciones sealan como valores mximos garantizados 500 miliamperios, 50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La frecuencia de transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz). La beta (factor de amplificacin, hFe) del transistor es de por lo menos 100; valores de 150 son tpicos. El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23, y SOT-223. Su complemento PNP es el 2N2907. El 2N3904 es un transistor de caractersticas similares pero que slo puede transportar un dcimo de la corriente que el 2N2222 puede transportar; puede usarse como reemplazo del 2N2222 en caso de seales pequeas. Otro transistor de caractersticas similares, pero de mayor potencia es el 2N2219. Es un transistor en formato TO-39, con una frecuencia de transicin de 300 MHz, por lo cual puede ser usado en transmisores y amplificadores para HF, VHF y una cierta parte de UHF (300 MHz) con una potencia de salida de 1 a 2 watts, sabiendo que la mxima potencia que puede llevar a cabo es de 3 watts. Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el 2N2907. Tambin existe otro transistor que es de similares caractersticas, el cual es el 2N3053, pero su potencia es de 1w y es slo para aplicaciones entre 50 y 100 mhz.

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3.7.- Transformador La invencin del transformador, data del ao de 1884 para ser aplicado en los sistemas de transmisin que en esa poca eran de corriente directa y presentaban limitaciones tcnicas y econmicas. El primer sistema comercial de corriente alterna con fines de distribucin de la energa elctrica que usaba transformadores, se puso en operacin en los Estados Unidos de Amrica. En el ao de 1886 en Great Barington, Mass., en ese mismo ao, al proteccin elctrica se transmiti a 2000 volts en corriente alterna a una distancia de 30 kilmetros, en una lnea construida en Cerchi, Italia. A partir de estas pequeas aplicaciones iniciales, la industria elctrica en el mundo, ha recorrido en tal forma, que en la actualidad es factor de desarrollo de los pueblos, formando parte importante en esta industria el transformador. El transformador, es un dispositivo que no tiene partes mviles, el cual transfiere la energa elctrica de un circuito u otro bajo el principio de induccin electromagntica. La transferencia de energa la hace por lo general con cambios en los valores de voltajes y corrientes. Un transformador elevador recibe la potencia elctrica a un valor de voltaje y la entrega a un valor ms elevado, en tanto que un transformador reductor recibe la potencia a un valor alto de voltaje y a la entrega a un valor bajo. Principios de induccin electromagntica. La electricidad magnetismo en un electroimn, que es distinto de un imn permanente, y que el Campo magntico se produce slo cuando las espiras de alambre arrolladas alrededor del ncleo magntico, transportan corriente elctrica. Para determinar la polaridad de un electroimn se puede usar la llamada regla de la mano izquierda. Principio de funcionamiento del transformador. El principio de funcionamiento del transformador, se puede explicar por medio del llamado transformador ideal monofsico, es decir, una mquina que se alimenta por medio de una corriente alterna monofsica. A reserva de estudios con mayor detalle, la construccin del transformador, sustancialmente se puede decir que un transformador est constituido por un ncleo de material magntico que forma un circuito magntico cerrado, y sobre de cuyas columnas o piernas se localizando devanados, uno denominado primario que recibe la energa y el otro el secundario, que se cierra sobre un circuito de utilizacin al

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cual entrega la energa. Los dos devanados se encuentran elctricamente asilado entre s. El voltaje en un generador elctrico se induce, ya sea cuando una bobina se mueve a travs de un campo magntico o bien cuando el campo producido en los polos en movimiento cortan una bobina estacionaria. En ambos casos, el flujo total es sustancialmente contante, pero hay un cambio en la cantidad de flujo que eslabona a la bobina. Este mismo principio es vlido para el transformador, solo que en este caso las bobinas y el circuito magntico son estacionarios (no tienen movimiento), en tanto que el flujo magntico cambio continuamente. El cambio en el flujo se puede obtener aplicando una corriente alterna en la bobina. La corriente, a travs de la bobina, vara en magnitud con el tiempo, y por lo tanto, el flujo producido por esta corriente, varia tambin en magnitud con el tiempo. El flujo cambiante con el tiempo que se aplica en uno de los devanados, induce un voltaje E1 (en el primario). Si se desprecia por facilidad, la cada de voltaje por resistencia del devanado primario, el valor de E1 ser igual y de sentido opuesto al voltaje aplicado V1. De la ley de induccin electromagntica, se sabe que este voltaje inducido E1 en el devanado primario y tambin al ndice de cambio del flujo en la bobina. Se tienen dos relaciones importantes. V1 E1 = a N1 E1 (0/T)

El mismo tiempo que el flujo cambia en la bobina primaria, tambin cambia en la bobina secundaria, dado que ambas bobinas se encuentran dentro del mismo medio magntico, y entonces el ndice de cambio del flujo magntico en ambas bobinas es exactamente el mismo. Este cambio en el flujo inducir un flujo E2 en la bobina secundaria que ser proporcional al nmero de espiras en el devanado secundario N2. Si se considera que no se tiene carga conectada al circuito secundario, el voltaje inducido E2 es el voltaje que aparece en las terminales del secundario, por lo que se tienen dos relaciones adicionales. E2 E2 a = N2 V2 (0/T)

En virtud de que armas bobinas se encuentran devanadas en el mismo circuito magntico, los factores de proporcionalidad para las ecuaciones de voltaje son iguales, de manera que si se dividen las ecuaciones para E1 y E2 se tiene: E1 E2 = N1 N2

Adems como numricamente deben ser iguales E1 y V2 o V2 - A ecuacin anterior se puede escribir como: V1 V2 = Ng N2

Relacin de corriente.

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Si se conecta una carga al secundario del transformador, el voltaje inducido Eghace que circule una corriente I2 en el devanado secundario. Debido a la circulacin de corrientes, se tiene en el devanado secundario una fuerza magnetomotriz (FMM) N2 I2 opuesta a la del primario N1 I1. Es conveniente recordar que el voltaje inducido en el primario E1 es siempre directamente proporcional al flujo 0 y tambin es igual al voltaje aplicado V1, considerando como antes, todos estos valores como eficaces. Dado que el voltaje aplicado no cambia, el flujo en el ncleo debe ser constante, cualquier incremento en la corriente secundaria, ser balanceado por un incremento en la corriente primaria, de manera que el flujo de energizacin producido por la corriente en el primario tendr un valor efectivo constante durante la operacin del transformador. En los transformadores de potencia de valor relativamente pequeo, se puede decir que prcticamente el flujo que eslabona al devanado primario, es el mismo que eslabona al secundario y de aqu que la corriente de vaco o de energizacin representa slo el 2% o 3% de la corriente primaria de plena carga ya se puede decir que los ampere-espira del primario son iguales a los ampere-espira del secundario, es decir: N1 I I1 I2 = = N2 N2 N1 I2

La aplicacin de los circuitos equivalentes. Cuando los transformadores se usan dentro de una red compleja para estudiar el comprometido por lo que se refiere a la distribucin de la carga, las cadas de tensin, el corto circuito, etc. conviene, con relacin hasta lo ahora expuesto sobre el funcionamiento del transformador, considerando con lo que se conoce como El circuito equivalente que en su forma ms completa est constituido por un transformador ideal (de relacin N1/N2) conectado a las resistencias R0, R1 y R2 y a las reactancias X0, X1 y X2. Diagrama equivalente de un transformador monofsico. La resistencia Ro representa el efecto disipativo, debido a las prdidas en vaco, R1 es la resistencia del devanado primario, R2 la del secundario. En forma anloga Xo representa el efecto de absorcin de la corriente de magnetizacin, en tanto que X1 y X2 representan los efectos de los flujos dispersos en los devanados primario y secundario. Para algunos estudios, no se requiere considerar los efectos de la saturacin del ncleo del transformador y son despreciables, en cambio en otros se requiere de mayor precisin y entonces a Ro y Xo se les atribuyen propiedades no lineales. Como se mencion antes, para algunos estudios es conveniente hacer referencia a los valores de tensiones y corrientes referidos a un devanado a un lado del transformador, por lo general, el primario que es el de alimentacin. En estos casos el esquema equivalente se simplifica a un circuito T.

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CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR REFERIDO AL LADO PRIMARIO. La resistencia y reactancia secundarias se refieren al devanado primario de acuerdo con las relaciones: R21 = R2 (N1)2 N2 (N2)2 N2

X21

X2

En forma anloga la resistencia y reactancia primaria se pueden referir al secundario. Determinacin las constantes del transformador. Los valores reales de resistencia y reactancia de los devanados de un transformador, se pueden obtener de pruebas de laboratorios mediante mediciones y algunos clculos relativamente simples y que son la base de los valores usados en los circuitos equivalente son la base de los valores usados en los circuitos equivalentes. Algunos de estos valores o parmetros del transformador obtenidos para el transformador pueden no existir fsicamente, pero pueden ayudar a comprender la operacin del transformador. La prueba de corto circuito en el transformador. La prueba de corto circuito consiste en cerrar o poner en corto circuito, es decir, con una conexin de resistencia despreciable, las terminales de uno de los devanados y alimentar el otro con un voltaje reducido (aplicado en forma regulada_ de un valor reducido de tensin que representa un pequeo porcentaje del voltaje del devanado por alimentar, de tal forma, que en los devanados circulen las corrientes nominales. En estas condiciones se miden las corrientes nominales y la potencia absorbida. Debido a que la tensin aplicada es pequea en comparacin con la tensin nominal, las prdidas en vaco o en el ncleo se pueden considerar como despreciables, de manera que toda la potencia absorbida es debida a las prdidas por efecto joule en los devanados primario y secundario. Diagrama para la prueba de cortocircuito de un transformador monofsico. Wattmetor que indica la potencia de prdidas por efecto de circulacin de las corrientes en los devanados primario y secundario. Conexin de corto circuito entre las terminales del devanado. Voltaje de alimentacin de valor reducido, de manera que se hagan circular las corrientes I1, I2 de valor nominal en cada devanado.

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El voltaje aplicado (Vc) es regulado y se vara como se indic antes, hasta que circule la corriente de plena carga en el primario. De los valores medidos se obtiene la impedancia total del transformador como: Zg Dnde: I1 = Vcc = Zt = Vcc I1

Corriente nominal primaria. Voltaje de corto circuito aplicado en la prueba. Impedancia total interna referida a devanado primario.

Esta impedancia se conoce tambin como impedancia equivalente del transformador. Perdida en los devanados a plena carga. Debido a que el flujo es directamente proporcional al voltaje, el flujo mutuo en el transformador bajo las condiciones de prueba de corto circuito es muy pequeo, de manera que las prdidas en el ncleo son despreciables. Sin embargo, la corriente que circula a travs de la resistencia de los devanados produce las mismas prdidas en estos, que cuando opera en condiciones de plena carga, esto se debe a que en ambos devanados e hace circular la corriente nominal. En el circuito para la prueba de corto circuito, si el wattmetor se conecta en el devanado primario o de alimentacin, entonces se miden las prdidas en los devanados ya que no ha otras prdidas consideradas, de este valor que se toma de las prdidas, se puede calcular la resistencia equivalente del transformador como: RT Dnde: Pcc = Pcc (I1)2

Prdidas en los devanados y que se obtienen de la lectura del Wattmetro.

Se deben tener siempre en mente, que el valor de la resistencia Rt, no es lasuma aritmtica de las resistencias en los devanados primario y secundario. Es un valor que se determina del circuito equivalente y por tal motivo se le denomina "la resistencia equivalente del transformador. Estos valores estn por lo general referidos al devanado de alto voltaje, debido a que se acostumbra poner en corto circuito el devanado de bajo voltaje, es decir las mediciones se hacen en el devanado de alto voltaje. Esto es por lo general el mtodo normal de prueba. Las razones principales para esto: 1. La corriente nominal en le devanado de alto voltaje es menor que la corriente nominal en el devanado de bajo voltaje. Por lo tanto, son menos peligrosas y por otra parte es ms fcil encontrar instrumentos de medicin dentro del rango. 2. Debido a que el voltaje aplicado es por lo general menor que el 5% del valor del voltaje nominal del devanado alimentado, se obtiene una lectura del vltimeto con una de flexin apropiada para el rango de voltajes que se miden.

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Regulacin del transformador. La regulacin de un transformador se define como al diferencia entre los voltajes secundarios en vaco y a plena carga, medidos en terminales, expresada esta diferencia como un porcentaje del voltaje a plena carga. Para el clculo del voltaje en vaco se debe tomar en consideracin el factor de potencia de la carga. POTENCIA Y RENDIMIENTO MONOFASICOS Y TRIFASICOS. La potencia de los transformadores. Como se sabe, la potencia en corriente alterna monofsica est dada como el producto de la tensin por la corriente y por el factor de potencia, de acuerdo a la expresin. P = VI cos 9 DE LOS TRANSFORMADORES

Esta frmula expresa la potencia real que se mide en watts, el producto del voltaje (solo) por la corriente da la denominada potencia aparente. P = VI

Las normas para transformadores cuando hablan de potencia nominal, se refieren a una potencia que es el producto de la corriente por el voltaje en vaco. La potencia nominal es por lo tanto una potencia aparente que es la misma, ya sea que se considere el devanado primario o el devanado secundario. La razn de esta definicin que es slo convencional, se debe al hecho de que se caracteriza a la mquina desde el punto de vista del dimensionamiento. Las prestaciones de una mquina elctrica estn limitadas por el calentamiento de sus componentes, las cuales est causadas por las prdidas que tiene. En particular, en un transformador se tienen las prdidas en el ncleo y al prdidas en los devanados. Para el ncleo magntico, las prdidas dependen de la induccin magntica B, la cual es proporcional a la tensin inducida, en los devanados, las prdidas son proporcionales al cuadrado de la corriente. La prueba de corto circuito del transformador, permite obtener las prdidas a plan carga con los devanados, a parir de stas se pueden calcular para cualquier otro valor de carga. La llamada prueba de circuito abierto en el transformador, permite obtener el valor de las llamadas prdidas en vaco o prdidas den el ncleo, que como se mencion, consisten de dos partes, las prdidas por histresis y las prdidas por corriente circulantes. En la prueba de circuito abierto, el devanado que se alimenta es por lo general el de bajo voltaje, debido a que resulta el ms conveniente par a la medicin.

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La eficiencia en los transformadores. En general, la eficiencia de cualquier mquina elctrica, se calcula como: Pot. Salida Pot. Entrada Pot. Salida Pot. Salida + Prdidas

Eficiente

En virtud de que la capacidad de un transformador est basada en su potencia de salida, esta ecuacin se puede escribir como: KVA salida x FP KVA salida por FP Perd. Ncleo + perd. devanados

Eficiente =

Eficiencia diaria de los transformadores. Dependiendo de la aplicacin de los transformadores, con frecuencia se usan para operar las 24 horas por da, aun cuando la carga no sea contnua en el perodo total de operacin. En estas condiciones un transformador tiene dos conceptos de eficiencia, una global para condicin de plena carga y otro para distintas cargas al da, es decir, la llamada eficiencia diaria. Esta eficiencia diaria se expresa como la relacin de la energa de salida a la energa de entrada durante el perodo de 24 horas. Transformadores trifasicos. La mayora de las redes de distribucin son trifsicas y tambin un buen nmero de usuarios de tipo comercial e industrial hacen uso de sistemas de alimentacin tfifsicos, esto hace que sea necesario considerar la importancia que tienen los sistemas trifsicos en las instalaciones elctricas y en consecuencia los transformadores trifsicos en estas. La energa de un sistema trifsico se puede transformar, ya sea por medio de tres transformadores monofsicos (formando un banco trifsico) o bien mediante el uso de un transformador trifsico. Por razones de tipo econmico, de espacio en las instalaciones y confiabilidad en los equipos, se puede decir, que en general, es preferida la solucin del uso de transformadores trifsicos en las instalaciones elctricas que requieren de este tipo de alimentacin. Los transformadores trifsicos normalmente estn constituidos de un ncleo que tiene 3 piernas o columnas, sobre cada una de las cuales se encuentra dispuestas los devanados primarios y secundarios de la misma fase. Estos devanados para cada una de las fases ese pueden conectar en estrella, delta a Zig-Zag. La conexiones entre los devanados secundarios pueden ser iguales o distintas de aquellas que se usen entre las fases del primario por lo que en teora puede haber nueve combinaciones de conexin. En la prctica se pueden usar las siguientes conexiones entre los devanados primario y secundario: Estrella-estrella, delta-estrella, estrella/zigzag, estrella-delta, delta-delta.

Relacin de transformacin para los transformadores trifsicos.

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Cuando los devanados primario y secundario de un transformador trifsico tienen conexiones distintas, la relacin entre las dos tensiones de vaco (sin carga) en las terminales, no es igual a la relacin entre las espiras de una fase primaria y secundaria. Esto depende de los tipos de conexiones que se seleccionen, debido a que, como se ha notado, cada tipo de conexin corresponde una determinada realizacin entre las tensiones concatenadas y las tensiones de fase. Si se considera por ejemplo un transformador con devanado primario en delta y devanado primario en delta y devanado secundario en estrella. Si se designan por V1 y V2 las tensiones de una fase del primario y de una fase del secundario respectivamente y con V1 y V2, los voltajes concatenados (indicados) en terminales del primario y secundario, respectivamente. En el devanado primario, por estar conectado en delta se tiene: V1 = V1

En el devanado secundario conectado en estrella: V2 = 3 V2 = vaco en las terminales ser: V1 V20 1,732 V2, por lo tanto, la relacin entre las tensiones en

V1 1,732 V20

Hasta ahora, se ha hablado de transformadores monofsicos, y en estos, la relacin entre las tensiones primaria y secundaria en vaco se le conoce como relacin de transformacin (se designa con la letra A) y esta relacin es vlida tambin para le nmero de espiras primarias N1 y secundarias N2. Si se le quiere dar el significado de relacin de transformacin a la relacin entre espiras: A = N1 N2

4.- Marco Prctico La tensin de batera se aplica al circuito a travs de un fusible de 10 A, el diodo LED indica que esta conexin est realizada, el condensador C6 filtra el ruido que puedan llevar la lnea de alimentacin de 12v, la llevar la lnea de alimentacin de 12v, la misin de diodo D2 es la de proteger al convertidor contra inversiones de polaridad al conectar la batera, si se intercambiasen al conectar la batera los cables de conexin a la misma, el diodo los cables de conexin a la misma , el diodo D2 es de proteger al convertidor contra inversiones de polaridad al conectar la batera, si se intercambiasen los cables de conexin a la misma , el diodo D2 quedara conectado en directo, actuando casi como un corto circuito y se fundira el fusible que protege el al equipo. Bastara sustituir el fusible y conectar correctamente los cables. La resistencia R7 de 220R y el diodo zener estabilizan la tensin de alimentacin del oscilador para que la frecuencia sea estable, los condensadores C1 y C2 son filtros de esta alimentacin 9v.

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El oscilador est formado por el circuito integrado, un 4047 y sus componentes asociados; se trata de un multivibrador astable cuya frecuencia depende de los valores del condensador C4, de la resistencia R5 y de la posicin del curso del potencimetro. R1, este circuito tiene dos salidas, una negada de la otra, es decir, cuando una de ellas se encuentra a nivel alto la otra est a nivel bajo. La corriente que pueda entregar cada una de estas salidas es muy pequea y se amplifica utilizando transistores T1 y T2; estos, a su vez, excitan a los transistores de salida T3 y T4 llevndolos alternativamente a la saturacin y al propio tiempo, excitan a los transistor de salida T5 y T6, que actan como si de interruptores se tratase, cada uno de ellos puede conducir como mximo unos 20 A sin estropearse, pero no es conveniente llegar a estos lmites. Los diodos D3 y D4 evitan que en el momento de la desconexin circulen corrientes inversas que daen los transmisores de potencia. Para poder conducir mucha corriente, los transistores finales deben tener una tensin colector-emisor lo ms reducida posible, de esta manera se obtiene tambin el rendimiento mximo, mximo lo cual se consigue haciendo que estos transistores trabajen en saturacin cuando la salida del oscilador que corresponde este nivel tan alto. Si, se logra que la tensin colecto-emisor sea de 1.1v, cuando circulan por el transistor debe disipar es tan solo 4.4w y ello solamente durante uno de los semiciclos de la onda por lo que el transistor apenas se calentara, pasemos ahora a la eleccin del transformador. El equipo fue diseado para un transformador de 100w de potencia utilizable a la salida para obtener esta tensin de salida se necesita un transformador de 9.3v, en el primario y 220v en el secundario y preparado para trabajar a 50 Hz y por supuesto de 100 wattios. Este transformador no se encuentra como componente estandarizado en las tiendas del ramo sin embargo hemos encontrado un transformador de alimentacin de uso corriente con primario a 220v y el secundario de 10 + 10 como primario y el 220v cuando la tensin de alimentacin de batera es de exactamente 12v y con el circuito cargado al 75% con una lmpara incandescente de 60w/220v, se obtuvo una tensin de 204v, con el automvil en marcha la tensin suele subir hasta unos 13.5v por lo que la tensin de salida es de salida es de unos 226v. Normalmente, los equipos soportan sin problemas variaciones en la tensin de red del 15%, en este caso entre 187v y 235v. La salida se protege con un varistor de 270v que causara la fusin del fusible de proteccin si la salida superarse esta tensin y tambin absorbe los picos de tensin. Queda por indicar que la forma de onda de salida es cuadrada, lo que no supone un problema para casi ningn equipo pues, los motores de tipo universal (con escobillas), las lmparas y equipos basados en elementos resistivos, tales como el soldador, funcionaran correctamente.

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5.- CONCLUCIONES Y RECOMENDACIONES Se ha logrado realizar una investigacin acerca de un circuito de potencia conversor DC a AC, la implementacin del mismo, capaz de convertir la corriente continua de una batera de 12v a una corriente alterna de 110v, analizar el circuito, expresarlo de manera grfica y se elabor el documento informe final, se evidencio que al variar la resistividad del termistor variara la frecuencia de nuestra corriente alterna. Se recomienda utilizar unos componentes de calidad y un transformador de gran amperaje para ms conexiones. Se recomienda tener precaucin en los disipadores de calor para los transistores de potencia. Tener las precauciones necesarias debido a que se trabaja con corrientes altas. 6.- BIBLIOGRAFIA ANALISIS DE CIRCUITOS DE INGENIERIA W. H. Hayt, Jr. Y L.E. Kemmerly 5 Edicin., Ed. Mc. Graw Hill, 1995. CIRCUITOS ELECTRICOS J. W. Nilsson. Ed. Addison Wesley Iberoamericana ANALISIS BASICO DE CIRCUITOS ELECTRICOS D.E. Jonson, J.L. Hilburn y J.R. Johnson. Ed. Prentice Hall. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/apuntes/capacitores/capacitores.htm http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/laboratorio/index .php?option=com_content&view=article&id=63&Itemid=105 http://spanish.alibaba.com/products/electric-potentiometers.html http://www.terra.es/personal2/equipos2/tcr.htm http://www.google.com/url?sa=t&source=web&cd=6&ved=0CFEQFjAF&url=h ttp%3A%2F%2Fspanish.alibaba.com%2Fproducts%2Felectricpotentiometers.html&rct=j&q=potenciometro%20electrico&ei=bTHrTc6NFY6

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EtgftzM3DAQ&usg=AFQjCNFTVfqjJwz8ytw1JzPqJyoZCAPtQ&sig2=vq2_FRzKGg_kRSqzsEWC-w&cad=rja http://ayudaelectronica.com/que-es-un-termistor/

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