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Universidad Don Bosco

Electrnica de potencia
Facultad de estudios tecnolgicos

Trabajo de investigacin
Transistores PUT y UJT
Carrera: tcnico en ingeniera de electrnica (PILET).

Catedrtico: William Argueta

Alumno: Nelson Osmel Escobar Hernndez Sal Ismael Gmez Argueta Jos Humberto Paredes Lara

Sbado 23 de febrero de 2013

Transistor uniunin (UJT) El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene doszonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.

Simbolo transitor UJT

Caractersticas Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.

Aplicaciones El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR Funcionamiento de un oscilador de relajacin con UJT -Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs -El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin E-B1.

-El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios. -Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde en el siguiente grfico) -El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

-Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. R2 y R3 tambin son importantes para encontrar la frecuencia de oscilacin. -La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R1C

Transistor PUT

Smbolo transistor PUT El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Aplicaciones

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

Caractersticas Importante: No es un UJT (transistor uniunin)

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1+ RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

BIBLIOGRAFIA

http://www.slideshare.net/pintoyin/el-transistor-ujt http://www.unicrom.com/Tut_put.asp http://es.wikipedia.org/wiki/PUT