Dispositivos Optoeletrnicos

Dispositivos Optoeletrnicos Bsicos O campo moderno da optoeletrnica extremamente vasto, abrangendo o estudo dos dispositivos cujo funcionamento envolve fenmenos pticos e eltricos, como os diversos tipos de clulas fotossensveis, geradores de luz, moduladores, displays, etc. Restringiremos-nos ao estudo dos dispositivos emissores e detectores de luz. - Dispositivos Emissores: Estes dispositivos transformam a energia eltrica em energia luminosa. Emitem luz ao serem energizados. Nesta classe esto os diodos LED (Light Emitter Diode) e LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation). - Dispositivos Detectores: Estes dispositivos geram um pequeno sinal eltrico ao serem iluminados, transformando, assim, a energia luminosa em energia eltrica.

Diodo Emissor de Luz (LED) Os diodos emissores de luz (LED) so aqueles disponveis sob a forma de pequenas luzes coloridas que se vm nos equipamentos optoeletrnicos, dispositivos domsticos, brinquedos, e em muitos outros lugares. Os diodos emissores de luz so diferentes dos bulbos ordinrios porque no tm um filamento a quebrar ou se queimar, e por isso geram pouco calor. Os diodos emissores de luz tm o efeito de produzir luz quando a eletricidade flui atravs deles. Os diodos tm a propriedade de deixar fluir a corrente eltrica somente em um sentido e no no outro. Em termos mais simples, um diodo emissor de luz uma juno de dois tipos diferentes de 31 materiais semicondutores, esta juno chamada juno n-p. Tanto o material tipo n quanto o do tipo p so formados pela adio de um nmero predeterminado de tomos de impureza no material semicondutor alterando significativamente suas caractersticas. O material tipo n contm impurezas dispersas com cinco eltrons de valncia, como o antimnio, o arsnico e o fsforo. Estas impurezas so chamadas de tomos doadores, porque contribui com um eltron relativamente livre para a estrutura. O material tipo p contm impurezas com trs eltrons de valncia, como o boro, o glio e o ndio. Estas impurezas so chamadas de tomos aceitadores, porque o nmero de

eltrons insuficiente para completar as ligaes covalentes da rede, resultando um buraco que ir aceitar rapidamente um eltron. Os eltrons e os buracos podem se deslocar sob efeito de um campo eltrico e, ao se recombinarem, um fton ou partcula de luz produzido

Ento, o LED um diodo que emite luz quando energizado. Em qualquer juno p-n polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e principalmente prximo juno, uma combinao de eltrons e buracos. Esta combinao exige que a energia do eltron livre no ligado seja transferida para um outro estado. Em todas as junes p-n do semicondutor, parte desta energia ser emitida na forma de calor e parte na forma de ftons. No silcio e germnio, a maior parte na forma de calor, e a luz emitida insignificante. Em outros materiais, como fosfeto de arsenieto de glio (GaAsP) ou fosfeto de glio (GaP), o numero de ftons da energia luminosa suficiente para criar uma fonte de luz bem visvel. Em funo do tipo de energia que liberada podem se distinguir dois tipos de recombinao: - Recombinao no radiante: A maior parte da energia de recombinao se libera como energia trmica. - Recombinao radiante: A maior parte da energia de recombinao se libera em forma de luz.

Materiais utilizados nos LED A cor da luz emitida pelo LED depende unicamente do material e do processo de fabricao (principalmente da dopagem de impurezas). Na tabela adjunta aparecem alguns exemplos de materiais utilizados junto com as cores conseguidas:

Diodos LASER LASER uma abreviao para Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. As aplicaes destes diodos so muito diversas e abrangem desde o corte de materiais com feixes de grande energia at a transmisso de dados por fibra ptica. Os diodos laser so construtivamente diferentes aos diodos LED normais. As caractersticas de um diodo laser so: Emisso de luz em uma s direo: Um diodo LED emite ftons em muitas direes. Um diodo laser, pelo contrrio, consegue emitir um feixe guiado da luz, preferencialmente em uma s direo. A emisso de luz laser monocromtica: Os ftons emitidos por um laser tm comprimentos de onda muito prximos. No entanto, na luz emitida pelos diodos LED, existem ftons com maiores disperses, o que depende do comprimento de onda. Devido a estas duas propriedades, com o laser se podem conseguir raios de luz monocromtica dirigidos em uma direo determinada. Alem disso, tambm se pode controlar a potncia emitida. O laser um dispositivo ideal para aquelas operaes nas que seja necessrio emitir energia com preciso.

Fotodetectores Os fotodetectores so dispositivos que convertem luz num sinal eltrico. Quando o fluxo luminoso incide sobre o material semicondutor, os ftons podem fornecer aos eltrons da superfcie do material energia suficiente para produzir a

ruptura das ligaes covalentes. Portanto, a ao dos ftons ocasiona a produo de pares eltron-buraco, o que provoca o aumento da condutividade do semicondutor. Este fenmeno conhecido como fotocondutividade. Entre os dispositivos que funcionam baseados no fenmeno da fotocondutividade temos os fotorresistores, os fotodiodos e os fototransistores. Os fotodetectores mais utilizados atualmente nas regies visveis e infravermelhas prximas so os fotodiodos e os fotorresistores. Estes dispositivos no operam no infravermelho mdio ou distante, pois os ftons no tm energia suficiente para produzir pares eltron-buraco. Nessas regies utilizam-se fotodetectores trmicos, nos quais a absoro da luz produz um aquecimento no elemento sensor e varia sua resistncia eltrica.

Fotorresistores Os fotorresistores so constitudos simplesmente pelo material semicondutor: quando o fluxo luminoso incide sobre os mesmos, sua condutividade aumenta ou, falando em termos de resistncia, a sua resistividade diminui. muito utilizada a caracterizao dos fotorresistores pelas iniciais do seu nome em ingls: Light Dependent Resistors. Da serem chamados os mesmos de LDR, ou fotocondutores ou clulas fotocondutoras. O material da fotorresistncia responder a alguns comprimentos de onda determinados. Por assim dizer, a variao da resistncia ser mxima para um comprimento de onda determinado. As especificaes so dadas pelo fornecedor.

Fotodiodos O fotodiodo um dispositivo de juno p-n semicondutor, cuja regio de operao limitada pela regio de polarizao reversa e caracteriza-se por ser sensvel luz. A aplicao de luz juno resultar em uma transferncia de energia das ondas luminosas incidentes (na forma de ftons) para a estrutura atmica, resultando em um aumento do nmero de portadores minoritrios e um aumento do nvel da corrente reversa. A corrente retornar a zero somente se for aplicada uma polarizao positiva igual a V0. Em resumo, podemos dizer ento que um fotodiodo um dispositivo que converte a luz recebida em uma determinada quantidade de corrente eltrica. A corrente negra a corrente que existir sem nenhuma iluminao aplicada. A corrente reversa e o fluxo luminoso variam quase que linearmente, ou seja, um aumento na intensidade luminosa resultar em um aumento semelhante na corrente reversa.

Podemos admitir que a corrente reversa essencialmente nula na ausncia de luz incidente.

Fototransistores Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes havendo uma janela que permite a incidncia de luz sobre a juno base-emissor. Isto aumenta a condutividade deste diodo base-emissor, com o conseqente aumento da corrente do coletor. A sensibilidade de um fototransistor superior de um fotodiodo, j que a pequena corrente fotogerada multiplicada pelo ganho do transistor.

Caractersticas dos dispositivos fotossensveis Os dispositivos fotossensveis apresentam trs importantes caractersticas, que so a resposta espectral, a sensibilidade e a resposta em freqncia. - Resposta Espectral: o comportamento que apresenta o dispositivo quando um fluxo de energia radiante de diferentes freqncias incide sobre um dispositivo fotossensvel. Esta informao fornecida pelo fabricante que, na maioria dos casos, fornece uma curva relacionando a sensibilidade relativa com o comprimento de onda de luz utilizada. - Sensibilidade: Resposta que o dispositivo apresentar se um fluxo luminoso (com uma freqncia determinada) incidir no dispositivo fotossensvel quando se varia a iluminao. Por exemplo, ao se dizer que a sensibilidade de um fotodiodo de 10microampres/lux, estamos dizendo que a variao de 1lux no iluminamento produz uma variao de 10microampres na corrente de saturao do diodo. O fluxo luminoso expresso em lumens. O iluminamento o fluxo luminoso que incide em uma rea de 1m, e sua unidade lux. Assim, 1 lux = lmen/m. Todo corpo que est emitindo radiaes o faz numa gama de comprimentos de onda e, portanto, na hora de medir a sensibilidade do dispositivo, importante saber que comprimentos de onda a lmpada utilizada est emitindo, pois as radiaes emitidas vo sensibilizar o dispositivo fotossensvel, com maior ou menor intensidade. O nico meio de caracterizar a fonte utilizada indicar a sua temperatura de cor, isso significa que, na temperatura de cor, o corpo emite aproximadamente as mesmas radiaes e com as mesmas intensidades que o corpo negro a esta temperatura. Portanto se algum tenta medir a sensibilidade de um dispositivo fotossensvel, pode encontrar resultados

diferentes apenas por estar usando uma fonte de diferente temperatura de cor que a utilizada pelo fabricante quando realizou o teste. - Resposta em freqncia: Ao incidir o fluxo luminoso A ou o fluxo luminoso B sobre um dispositivo fotossensvel, medida que a freqncia aumenta, a sensibilidade do dispositivo vai diminuindo, existindo uma freqncia em que a sensibilidade cai 3db comparada com a sensibilidade para baixas freqncias. Esta freqncia chamada de freqncia de corte do dispositivo fotossensvel.

Unidades pticas

As seguintes definies de algumas unidades pticas foram extradas do quadro Geral de Unidades de Medida do INMETRO.

Concluso

Dispositivos optoeletrnicos so aqueles unem fenmenos pticos e eltricos, ou seja, so transdutores eltrico para tico ou tico para eltrico. Os materias que compunham estes dispositivos receberam maior ateno aps o desenvolvimento das tecnologias de telecomunicao e computao baseadas na luz. Semicondutores anteriormente utilizados no apresentavam a caracteristica ptica necessria, como por exemplo o Silcio. Estudos recentes mostram que a maior barreira para o desenvolvimento nessas reas citadas encontrar um materia adequado na transduo tico-eletrico, eltricotico. Portanto, importante sempre se prestar ateno s novas tecnologias apresentadas, como combinaes feitas com o Silcio, para que as propriedades ticas, quimicas e eletrnicas sejam atendidas.