Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca.

Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex Camilo, Martnez Vargas Steven.

Diseo de un regulador elevador (Boost)

Becerra Prez. Yoan, Jimenez Merchan. Alex Camilo, y Martnez Vargas. Steven.
Abstract this report explains the procedure for the design of a boost regulator, as well as the proper selection of the necessary components for proper operation. The regulation is usually obtained by a PWM signal, which can be implemented by operational amplifiers, microcontrollers or signal generators. Because of its stability and precision was determined using a signal generator, preconfigured with the control signal for operating the boost regulator. Moreover, this report describes the design process for a snubber network in order to protect the circuit. Resumen Este informe explica el procedimiento para realizar el diseo de un regulador elevador (ms conocido como boost), as como, la seleccin adecuada de los componentes necesarios para su correcto funcionamiento. La regulacin suele obtenerse gracias a una seal PWM, que puede ser implementada mediante amplificadores operacionales, microcontroladores o generadores de seal. En razn a su estabilidad y precisin, se determin el uso de un generador de seal previamente configurado con la seal de control para el funcionamiento del regulador elevador. Adems, este informe descibe el proceso de diseo para una red Snubber con el fin de proteger el circuito. ndice de trminosCiclo de Trabajo, Convertidor CC-CC, Eficiencia, Regulador-elevador, Seal de disparo.

a emplear, segn la corriente y el voltaje que deben soportar.

II. CRITERIOS DE DISEO Para el desarrollo de este informe, deben considerarse ciertos parmetros de entrada al momento de disear el convertidor Boost, que son los siguientes: Voltaje de entrada = 12 Voltios Voltaje de salida = 50 Voltios +/- 1% (porcentaje rizado) Frecuencia de conmutacin = 50 KHz Potencia = 20 Watts +/- 5% La Figura 1 muestra el diagrama esquemtico de un regulador Boost, el cual se trabajar en este informe.

I. INTRODUCTION

convertidores DC-DC son circuitos electrnicos de potencia que convierten un valor de voltaje DC en otro nivel de voltaje, tambin en DC. Se emplean ampliamente en sistemas de suministro de energa de corriente continua regulados de modo de conmutacin. Se aplican fundamentalmente en el control de dispositivos que requieren un consumo de energa considerable.
OS

Fig. 1. Diagrama esquemtico del convertidor Boost a disear e implementar. Fuente. Autores.

A. Ciclo til de la seal de control Para el clculo del ciclo til, se debe empezar por la siguiente formula:

En el presente trabajo se tratar principalmente el funcionamiento de un convertidor Boost (ReguladorElevador), as como su correspondiente proceso de diseo, teniendo en cuenta una seleccin detallada de los materiales
Informe recibido Mayo 24, 2013. Diseo de un regulador elevador (Boost). B. P. Yoan es estudiante de la Universidad de Cundinamarca sede Fusagasug; (e-mail: elyowart@hotmail.com). J. M. Alex Camilo es estudiante de la Universidad de Cundinamarca sede Fusagasug; (e-mail: alexjm_lib11@hotmail.com). M. V. Steven es estudiante de la Universidad de Cundinamarca sede Fusgasug; (stv.2001@hotmail.com).

(1) Despejando D de (1) se obtiene el ciclo til de trabajo de la seal de control del transistor:

(2)

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Donde:

(6) B. Resistencia de carga Donde:

(3)

2) Segundo Caso Usando la resistencia mxima (R1)

(4)
Donde: (8)

(9) Lo anterior, define el rango de valores que debe tener la carga para un correcto funcionamiento del circuito. Cabe anotar que la potencia de disipacin de la carga, debe estar entre el rango de tolerancia de la potencia, que fue definida en los parmetros de entrada. C. Valores de capacitancia e inductancia Como se tienen dos valores de resistencia de carga (R1 y R2), se establecern dos posibles casos para encontrar el valor mnimo de inductancia y capacitancia acordes al circuito. Este proceso se menciona a continuacin: 1) Primer Caso Usando la resistencia mnima (R2) Donde: Donde:

Ya que el valor de inductancia mnima es mayor en el segundo caso, se opt por elegir los valores obtenidos en este caso, para calcular los valores de voltaje y corriente que se describen en el literal D de esta seccin:

(5)

Para el caso del capacitor, se escogi uno de valor comercial cercano al valor calculado, que para este caso es

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de 15 F a 100 voltios, mientras que para el inductor, se decidi elaborar una con ncleo toroidal de acuerdo a las siguientes caractersticas:

(10) El periodo de conmutacin Ts se define como el inverso de la frecuencia de conmutacin:

3) Elaboracin del inductor Se prefiri el ncleo toroidal a otros elementos porque su factor de calidad es mayor que el de una bobina convencional, y tambin porque se logran inductancias muy compactas y de menor tamao. Lo datos del ncleo toroidal son los que se encuentran registrados en la Tabla 1:
TABLA I DATOS DEL NUCLEO TOROIDAL Item Dimetro exterior Dimetro interior Seccin horizontal Altura del ncleo Longitud de cada espira Dimetro del hilo 2.5 1.5 0.5 1.1 3.2 50.820 0.129 Valor Unidad de medida cm cm cm cm cm mils cm

(11)

(12)

(13) (14)

Fuente: Autores

De acuerdo con los datos obtenidos anteriormente, se pudo establecer qu el ncleo toroidal con el que se estaba trabajando corresponda a un T-106 (vase Figura 2), cuyas medidas son similares a las obtenidas en la Tabla 1.

(15) Donde:

Imax = mxima corriente que circular por el inductor Imin = mnima corriente que circular por el inductor ILrms = corriente que debe soportar el inductor E. Seleccin del transistor Para la seleccin del transistor Q se debe tener en cuenta el periodo de conmutacin, y la corriente mxima y mnima que circular por el inductor. La Figura 3 ilustra el comportamiento de la corriente del transistor en el circuito.
Fig. 2. Medidas para diferentes toroides. Fuente. Ifastnet. Nucleos Toroidales

(16)

D. Calculo de la Corriente para cada elemento La corriente que debe soportar la carga se calcula con la siguiente formula:

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presenta alta eficiencia si se utiliza en convertidores DCDC, UPS y control de motores. En el Anexo 1 se muestran las especificaciones ms importantes de este transistor F. Seleccin del diodo El comportamiento de la corriente del diodo en el circuito convertidor elevador es opuesto al del transistor, es decir, cuando el transistor conduce, el diodo se comporta como un circuito abierto, y viceversa (vease Figura 4).
Fig. 3. Corriente del transistor como una funcin del periodo de conmutacin. Fuente. Autores.

De acuerdo con la Figura 3, se puede determinar la funcin de la corriente instantnea del transistor:

(17) La corriente rms del transistor de calcula de la siguiente forma:

Fig. 4. Corriente del diodo como una funcin del periodo de conmutacin. Fuente. Autores.

Acorde con la Figura 4, se puede determinar la funcin de la corriente instantnea del diodo:

(19) (18) Donde: Para encontrar B, se reemplazan los valores de id(t) y t, los cuales salen de la forma de onda de la Figura 4

(20) La tensin mxima que debe soportar el transistor es equivalente al voltaje de la fuente, es decir 12 Voltios Este anlisis determina las condiciones que se deben tener en cuenta al momento de elegir el transistor a utilizar en el circuito. Debido a que la frecuencia de conmutacin es alta, los transistores MOSFET son los ms indicados por su velocidad de operacin, no poseen corriente de compuerta, lo que evita problemas en el convertidor Boost. Segn el voltaje (12 V) y la corriente hallada en las ecuacin 21 se determin que el MOSFET apropiado para realizar el convertidor Boost es el IRF540, ya que soporta voltajes entre drenaje y fuente de hasta 100 V y corriente mxima de drenaje de 22. Asimismo, este transistor Sustituyendo la ecuacin 20 en 19, queda: (21) Para encontrar la corriente rms del diodo se utiliza la ecuacin 18, pero los intervalos a evaluar son diferentes:

(22)

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Donde:

inductor conectado en el drenaje del transistor MOSFET cuando se comporta como interruptor abierto. De no hacerse esto, se presentaran fallas en el transistor al momento de cambiar de un estado a otro. La Figura 6 muestra la configuracin push-pull utilizada en el circuito.

Similar al caso del transistor, la seleccin del diodo debe ser la adecuada, ya que parmetros como frecuencia de conmutacin y corriente rms del diodo son importantes a la hora de escoger un diodo. Por ello se escogi el diodo de conmutacin rpida UF5404, que soporta hasta 280 voltios y corrientes pico de 125 amperios. En el Anexo 2 se encuentran las especificaciones relevantes del diodo. G. Seal de control del transistor De acuerdo con la ecuacin 2, la seal de control que debe llegar al transistor, debe tener un ciclo de trabajo del 76% con una frecuencia de operacin de 50 kHz. Esta seal (que por lo general es PWM) puede generarse mediante amplificadores operacionales, microcontrolador o generador de seal. Por cuestiones de eficiencia y precisin, se decidi elegir el generador de seal como el medio para crear la seal de control PWM que llegar al transistor MOSFET. La Figura 5 muestra la seal PWM que pondr a conmutar al transistor.
R6
2k

Q1 Q3
2N3904 IRFP150N

R7
2k

R4
33

Q2
2N3906

Fig. 6. Circuito de disparo para el transistor MOSFET. Fuente. Autores.

I. Diseo de la red snubber Se realizara una red Snubber con el fin de proteger el transistor de sobrepicos de corriente y voltaje. Para ello se tuvieron en cuenta los siguientes parmetros: Caractersticas transistor

4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 3 4 5 6 x 10

-4

Tiempo de cada (tf) = 40 nS (vase anexo 1) Corriente transistor (iQ(rms)) = 1.338 A (ecuacin 18) Voltaje salida (Vo) = 50 V

(23) (24) (25) (26) J. Lista de materiales Luego de realizar los pasos anteriores, se procede a mencionar cada uno de los materiales necesarios para la construccin del convertidor Boost, que son los siguientes: Resistencia de 120 a 18 W Capacitor de 16 F Inductor de 72 H

Fig. 5. Seal PWM con ciclo util de 50%. Fuente. Autores.

H. Circuito de disparo En la figura 1, se puede observar que el transistor MOSFET est conectado directamente a la referencia del circuito, lo que facilita la realizacin de un circuito de disparo. Para disparar el MOSFET correctamente, se decidi utilizar una configuracin de transistores en pushpull que ayuda a descargar la corriente almacenada en el

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Fuente de voltaje de 12 VDC Transistor MOSFET IRF540 Diodo Ultra Fast Recovery UF5404 Transistor BJT 2N3904, 2N3906 o TIP31C, TIP131

90 80 70 60 50

III. ANLISIS DE RESULTADOS En esta seccin se muestran los comportamientos de voltaje y corriente en cada uno de los elementos seleccionados, con el nimo de observar la respuesta del circuito tanto a la entrada como a la salida y posteriormente determinar su eficiencia. Las figuras 7-16 muestran la respuesta del circuito en cada uno de los elementos que en el intervienen. Cabe anotar que dichas respuestas, fueron obtenidas mediante el software de simulacin Simulink de Matlab.
13 12.8 12.6 12.4 12.2

40 30 20 10 0 -10 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018

Fig. 9. Voltaje de salida del convertidor Boost. Fuente. Autores.

25

20

15

10

5
12 11.8 11.6 11.4 11.2 11

-5 1 2 3 4 5 x 10
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01

6
-3

Fig. 7. Voltaje de entrada del convertidor Boost. Fuente. Autores.

25

Fig. 10. Corriente de salida del convertidor Boost. Fuente. Autores.

20

15

Las figuras 9 y 10 describen la forma de onda del voltaje y la corriente que llega a la carga. Similar al caso de la Figura 8, presentan un sobreimpulso en un tiempo corto, pero despus se mantiene en 50 voltios y 1.75 amperios aproximadamente. El voltaje de salida coincide con el criterio de diseo de voltaje de salida, al igual que la corriente que se calcul en la ecuacin 10.
0

10

5 -20 0 1 2 3 4 5 6 7 x 10
-3

-40

Fig. 8. Corriente de entrada del convertidor Boost. Fuente. Autores.

-60

-80

En la Figura 7 se observa el valor de Vs que corresponde a 12 V, mientras que en la figura 8 se tiene la corriente de entrada del convertidor (es la misma corriente del inductor), que presenta un sobreimpulso en un pequeo instante de tiempo, pero despus se mantiene en un rango de valores constante

-100 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 x 10

-3

Fig. 11. Voltaje en el inductor. Fuente. Autores.

El voltaje en el inductor de la Figura 11 vara

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constantemente alcanzando un valor pico de 12 voltios. Para la Figura 8, se observa que la corriente del inductor despus de cierto tiempo se mantiene entre un valor mayor que cero y un valor cercano a 3 amperios, entendindose as, que los valores de Imax e Imin encontrados en las ecuaciones 13 y 14 respectivamente, coinciden con lo que se obtiene en dicha seal.
25

20

15

10

5
20

15

7 x 10
-3

10

Fig. 14. Corriente en el diodo de conmutacin rpida. Fuente. Autores.

0 0 1 2 3 4 5 x 10
-3

La corriente en el diodo (Figura 14) es similar a la corriente en el transistor MOSFET y presenta un rango de valores constantes entre 0 y aproximadamente 2 amperios, que se asemeja a lo descrito en las figuras 3 y 4. Luego de que el circuito estuviese listo para ser utilizado, se procedi a realizar mediciones de voltaje y corriente (tanto de entrada como de salida), para compararlos con los resultados obtenidos analticamente y calcular la potencia de entrada y salida, y a su vez, la eficiencia del convertidor Boost. Los resultados fueron los siguientes Voltaje de entrada (Vin) = 11.19 V Corriente de entrada (Iin) = 2.68 A Potencia de entrada (Pin) = Vin*Iin = 29.9892 W Voltaje de salida (Vout) = 50 V Corriente de salida (Iout) = 0.42 A Potencia de salida (Pout) = Vout*Iout = 21 W Eficiencia = (Pout/Pin)*100 = 70%
-3

Fig. 12. Corriente en el capacitor. Fuente. Autores.

-20

-40

-60

-80

-100 0.5 1 1.5 2 2.5 3 x 10

Fig. 13. Voltaje en el diodo de conmutacin rpida. Fuente. Autores.

IV. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES Algunos componentes elctricos y electrnicos presentan algunas prdidas por temperatura, disipacin de calor, entre otros, algo que influye en el ptimo desempeo de un circuito. La red Snubber es un circuito activo o pasivo que mejora el rendimiento del elemento en donde est conectada la red. Una ventaja de la red Snubber consiste en hacer trabajar los elementos de conmutacin en zonas seguras, es decir, no exponindolos a su lmite; por tanto su vida til aumenta y el sistema funciona mejor. La generacin de la seal de disparo para el transistor se iba a realizar mediante microcontrolador (PIC), pero se requera de un optoacoplador a la salida de este para prevenir algn dao en l. Como la seal que se generaba

Segn la Figura 13, El voltaje en el diodo tiene un comportamiento parecido al voltaje en el inductor, con la diferencia de que el valor pico que presenta el voltaje del diodo es cero, mientras que en el inductor este valor es de 12 voltios.

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en el PIC era de una frecuencia alta (100 kHz), al pasar por el optoacoplador se perda, entendindose as que el optoacoplador no funciona a frecuencias altas. Otra posible solucin consisti en conectar el PIC directamente al circuito de disparo, pero este se reiniciaba constantemente porque la corriente que solicitaba el circuito de disparo era mayor a la q entregaba el PIC. Finalmente se opt por utilizar un generador de seal, que es muy preciso, fiable y adems entrega la seal deseada al circuito de disparo. La funcin primordial de un convertidor DC-DC (sea elevador o reductor), consiste en conservar la potencia tanto en la entrada como en la salida. En el caso del reductor, se sacrifica voltaje para aumentar corriente y as mantener la misma potencia y una eficiencia cercana o igual al 100%. Este aspecto es lo que diferencia a un circuito convertidor de otros circuitos que reducen o elevan voltaje, pero que presentan prdidas significativas de potencia.

REFERENCIAS
1. HART, Daniel W. Electrnica de potencia. PRENTICE HALL, Madrid 2001. 472 p. 2. IFASTNET. Nucleos toroidales. [En lnea]. Disponible en: <http://slalen.ifastnet.com/electronica/datos/nucleos_toroidales.pdf>. [Consultado el 20 de mayo de 2013]. 3. INTERNATIONAL RECTIFIER. IR2110. [En lnea]. Disponible en: <http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf>. [Consultado el 20 de mayo de 2013]. 4. INTERNATIONAL RECTIFIER. IRF540. [En lnea]. Disponible en: < http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf>. [Consultado el 20 de mayo de 2013]. 5. JGD. UF5400 Series. [En lnea]. Disponible en: <http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/GeneralSemiconductor/m Xuqtxx.pdf>. [Consultado el 20 de mayo de 2013]. 6. MOHAN, Ned. Electrnica de potencia: convertidores, aplicaciones y diseo Tercera Edicin. MC GRAW HILL, Mxico 2005. 7. RASHID, Muhammad. Electrnica de potencia: circuitos dispositivos y aplicaciones Tercera Edicin. PEARSON EDUCATION, Mxico 2004. 904 p.

Becerra Prez. Yoan Jimenez Merchan Alex Camilo Martnez Vargas Steven

Estudiantes IX Semestre Ingeniera Electrnica Universidad de Cundinamarca

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ANEXOS
ANEXO 1 ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR IRF540N

Fuente: INTERNATIONAL RECTIFIER. IRF540. ANEXO 2 ESPECIFICACIONES DEL DIODO UF5404

Fuente: JGD. UF5400 Series.