El transistor bipolar de potencia (BJT)

A continuacin veremos las caractersticas ms importantes del BJT. Es de destacar que el inters actual del BJT es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores. Sin embargo, le dedicamos un tema dentro de esta asignatura porque es necesario comprender sus limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad dentro del campo de la Electrnica de Potencia.

Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta re- gin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC = 0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE = 0).encendido, En la siguiente figura, se muestra la curva V-I tpica del transistor bipolar:

Especificaciones importantes
Las principales caractersticas que han de considerarse en los transistores bipolares de potencia son: ICmax: intensidad mxima de colector BVCEO: tensin de ruptura de colector-emisor Pmax: potencia mxima disipable en rgimen continuo Adems, conforme los transistores utilizados en circuitos de potencia trabajan generalmente en saturacin y corte (rgimen de conmutacin), resulta de inters la cada de tensin colector-emisor en saturacin VCEsat y los tiempos de saturacin y corte para aplicaciones de alta frecuencia.

Caractersticas dinmicas. Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pe- ro si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un esta- do a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto iC x vCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,

Rectificador en paralelo
Convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en una polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las porciones (semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las porciones positivas (o negativas) se combinan con las inversas de las negativas (positivas) para producir una forma de onda parcialmente positiva (negativa).

Multiplicador de tensin

Es un circuito elctrico que convierte tensin desde una fuente de corriente alterna otra de corriente continua de mayor voltaje mediante etapas de diodos y condensadores.

Funcionamiento
La figura muestra un multiplicador de tensin con diodos ideales y condensadores de capacidad infinita. Las cifras en rojo muestran los valores de tensin alterna (RMS), mientras que las negras son la componente continua en cada etapa. Evidentemente, invirtiendo los diodos se obtienen tensiones negativas