INSTITUTO TECNOLGICO DE MORELIA JOS MA.

MORELOS Y PAVN

DISEO CON TRANSISTORES. Profe: Salvador Contreras UNIDAD 2 Amplificadores de Acoplo Directo

Liliana A. Daz Rosales.

N.C. 10120924

Fecha de entrega: 8/abril/2013

1.0 INTRODUCCION Existe la necesidad de amplificar seales de muy baja frecuencia o de continua (dc) para algunas aplicaciones como: - Circuitos para instrumentacin. - Adquisicin de datos. - Circuitos de video.. Dentro de las soluciones podemos encontrar

-Elevada ganancia. Transistor nico -Adaptacin de impedancias de entrada y salida.

Varios transistores

-acoplamiento directo

Dentro del acoplamiento directo podemos encontrar algunas dificultades, como las mencionadas a continuacin: 1.- Interaccin entre etapas: No se puede considerar cada etapa como independiente por lo que hay una mayor dificultad de clculo de la polarizacin. 2.- Efectos de derivada por variacin de los parmetros de los componentes activos. Hay 3 causas: a) Parmetros diferentes debido al proceso de fabricacin. b) Efectos de las condiciones ambientales.

c) Envejecimiento. 3.- Los errores producidos se propagan al resto de las etapas. 4.- Los errores producidos se propagan al resto de las etapas. 5.- se debe asegurar la estabilidad de las condiciones de reposo. 2 .DIFERENTES TIPOS DE AMPLIFICADORES CON ACOPLO DIRECTO 2.0 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL El Amplificador diferencial se caracteriza por presentar dos transistores idnticos con similares caractersticas, tanto internas como de las redes de polarizacin. Ya que el circuito dispone dos entradas y dos salidas de seal, existen cuatro configuraciones posibles realizando las distintas combinaciones entre entradas y salida. En los amplificadores diferenciales es ms comn utilizar un par acoplado por emisor (Fig. 2.0), la corriente de polarizacin tiene que ser la adecuada para que los transistores trabajen en sus regiones activas.

Fig 2.0 2.0.1 Anlisis en cd. En el caso de que vi1y vi2sean componentes de pequea seal, y suponiendo que hFE>>1, entonces se puede extraer del circuito de la figura 2.0.a la siguiente relacin

La simetra del circuito y el hecho de que Q1 y Q2 son transistores idnticos hace que IE1=IE2=IE

La ecuacin de recta de carga esttica se obtiene aplicando LVK a la malla colecto-emisor de los transistores

Esta recta se representa en la grafica de la Fig. 2.1. La situacin del punto de trabajo define los lmites de variacin de seal de entrada y el rango de funcionamiento lineal permisible. La mxima amplitud de salida se consigue cuando VCEQ=VCC.

Fig. 2.1

2.0.2 Anlisis de pequea seal Al analizar amplificadores con voltajes pequeos de cd cercanos a cero, se pueden determinar a partir del anlisis de pequea seal propiedades del circuito como, la ganancia en voltaje diferencial Ad, la ganancia de cmo comn Ac, la relacin de rechazo de cmo comn (CMRR), la resistencia de entrada de modo comn Ric y la resistencia de entrada de modo diferencial Rid. Seal diferencial pequea: suponiendo que la seal de modo comn es cero, o sea, Vic=0 y solo aplicando el Vid., al eliminar la polarizacin diferencial de cd, se obtiene el circuito equivalente mostrado en la Fig 2.3.

Fig. 2.3 Suponiendose que los 2 transistores son iguales, as mismo el circuito esta equilibrado. Como resultado el voltaje en los emisores de los transistores no cambiar. Entonces REE puede remplazarse por un cortocircuito, como se muestra en la figura. 2.3. Se puede considerar un solo lado del amplificador para obtener las caractersticas de un amplificador equilibrado, a este solo lado del amplificador se le conoce como semicircuito en modo diferencial (Fig. 2.4) , resultando como su circuito equivalente de seal pequea la (Fig. 2.5)

Figura 2.4

Fig. 2.5

El voltaje de salida Vod esta dado por

De donde la ganancia en voltaje diferencial Ad es:

Para que se obtenga un valor grande de Ad, se requieren valor de Rc y gm grandes, una carga activa en lugar de una carga discreta, asegurar un valor gran de Rc y, en consecuencia de Ad. se puede decir que

De donde la Rid es

Para lo cual es requerido un valor grande r =(VT/IC) lo cual ser una corriente de polarizacin pequea en el colector (IC1=IC2=IQ/2) para que se esta manera se pueda obtener una valor grande de Rid 2.1 CASCODE La resistencia de emisor de la fuente Wildar (Fig. 2.11) se puede sustituir por una fuente bsica de corriente formada por los transistores T3 y T4. Este circuito se denomina Cascode(Fig. 2.12) y proporciona una resistencia de salida mucho mayor que las otras fuentes.

Fig. 2.11

Fig. 2.12

En este tipo de conexin se conectan dos o ms transistores en serie, de esta manera las corrientes de polarizacin y la del colector sern casi idnticas, obteniendo una resistencia de salida:

2.2 DARLINGTON En este modelo, se acoplan dos seguidores de emisor en cascada (Fig. 2.21), de esta manera proporciona un amplificador con : a) Elevada ganancia de corriente (hfe). b) Alta impedancia de entrada. c) Baja impedancia de salida.

Fig. 2.21 Esquema bsico de la configuracin Darlington (Fig. 2.22)

Fig. 2.22

Para simplificar se supone.

Ahora se analizar el circuito equivalente de pequea seal para el amplificador Darlington. Para la segunda etapa se obtiene la Fig 2.23

Fig. 2.23 Ganancia de corriente :

Para la primera etapa (Fig. 2.24):

Fig. 2.24

Ganancia de corriente:

Ganancia total de corriente, etapa 1 y etapa 2 ser:

Impedancia de entrada:

Impedancia de salida primera etapa

Entonces:

Impedancias de salida globales:

Entonces:

2.3 FUENTE DE CORRIENTE Y ESPEJO DE CORRIENTE: las fuentes de corriente se utilizan en los circuitos integrados para: Proporcionar las corrientes de polarizacin en zonas activas de los transistores. Como cargas activas para aumentar la ganancia de los amplificadores.

Los subcircuitos principales de la fuente de corriente son: La corriente de referencia IREF que debe ser independiente de : *la temperatura *de la variacin de los parmetros de los dispositivos. Espejo de corriente. *copia IREF hacia otra rama del circuito. *el elemento esencial es el transistor conectado como diodo

Las fuentes de corriente sencillas se forman por un resistor y dos transistores (Fig. 2.31), el transistor Q1 se conecta a un diodo, por lo cual el voltaje CB=0. Se puede decir entonces que la unin-colector- base se encuentra desactivada, y Q1 entonces funcionar en su regin activa.

Fig. 2.31 Suponiendo que Q1 y Q2 son transistores idnticos, teniendo los mismos voltajes base-emisor (VBE1=VBE2) entonces las corrientes de colector y base son iguales: (IC1=IC2 e IB1=IB2) Aplicando LCK en el colector Q1, se obtiene la siguiente corriente de referencia:

Como IC1=fIB1:

Entonces IC1 es:

Cuando la ganancia de corriente en cd es >>2, entonces

Se reduce a:

Se deduce que, al tener dos transistores casi idnticos las corrientes de referencia y de salida son casi iguales. Entonces IC2 que es la imagen de IC1 se conoce como corriente de espejo de Ic1. Cuando se tengas transistores con valores pequeos de f, la relacin de corriente no ser la unidad. El circuito equivalente de la fuente ideal de corriente se muestra en la Fig. 2.32

Fig. 2.32 Resistencia de salida (Ro), en circuito equivalente de pequea seal de ca se muestra en la Fig. 2.33 La resistencia de salida R0=r02, esto es:

Fig. 2.33

El voltaje equivalente de thevenin ser (Fig.2.34):

Fig. 2.34 Si la salida de la fuente de corriente se pone a circuito abierto, entonces se esperar un voltaje de thevenin negativo a travs del transistor Q1, sin embargo esto no ocurrir ya que el transistor Q1 se saturar cuando el voltaje a travs de la fuente de corriente llegue a cero.

2.4 AMPLIFICADORES CON CARGAS ACTIVAS En un circuito integrado los dispositivos activos, como los transistores ocupan mucho menos rea que los resistores de tamao medio o grande. En los amplificadores reales, el resistor de carga RC normalmente es remplazado por una fuente de corriente constante, lo cual ofrece al amplificador una resistencia de carga muy elevada, lo que hace que la ganancia en voltaje pueda ser muy grande. A este tipo de carga se le conoce como carga activa, es esta hay una cada de voltaje pequea normalmente de 0.7v, por lo cual permite un rango ms amplio de voltajes de entrada. La siguiente figura. (Fig. 2.41) muestra el amplificador diferencial con una carga activa de espejo de corriente bsica

Fig. 2.41

Al cambiar los voltajes de entrada a una pequea cantidad diferencial Vid, la corriente del colector de Q1 cambiar en una pequea cantidad, gmvid/2 y la corriente de colector de Q3 cambiar en la misma cantidad. Ya que ic4 es espejo de ic3 la corriente del colector de Q4 cambiar en gmvid/2. El voltaje BE de Q2 disminuir en Vid/2 provocando que la corriente de colector cambie en una cantidad - gmvid/2. El semicircuito y el circuito equivalente se muestran en la Fig. 2.42

Fig. 2.42

Para determinar el voltaje de salida Vo en funcin de Vid, se aplica LCK en el colector de los transistores Q2 y Q4.

despus de la simplificacin, el voltaje diferencias Ad es igual a:

dado que ro2=ro4=ro y la condicion sin carga (RL=)entonces, ahora:

Reemplazando

en la ecuacin anterior, se obtiene

La resistencia de entrada diferencial Rid se da por:

cuando Ic>0 Cuando no haya carga se tiene que usar.

Esto nos dice que una corriente de polarizacin ms pequea de IQ dar un valor ms grande de Rid mientras se mantiene todava una ganancia grande en voltaje Ad. La resistencia de salida Ro es:

3.0 CONCLUSION: Para los amplificadores de acoplo directo se consigue, ganancia en corriente continua. Estos solo pueden emplearse cuando las tensiones continuas en las terminales sean compatibles. Las etapas del amplificador de acoplo directo se conectan en forma directa, lo cual permite una amplificacin tanto de la componente de seal como de la componente continua del circuito. Los amplificadores Darlington tienen una ganancia de intensidad muy elevada. Una ventaja del amplificador de acoplo directo es el ahorro en componentes. La polarizacin por fuente tiende a estabilizar a los amplificadores FET y a hacerlos ms inmunes a las caractersticas de cada transistor.

4.0 BIBLIOGRAFIA http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEII/Tema9.pdf http://www.ecured.cu/index.php/Amplificador_diferencial Rashid, Muhammad, 2000, Circuitos microelectrnicos, Anlisis y diseo, editorial Thompson.