INTRODUCCION

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. En este experimento se utilizo un ohmimetro para probar un transistor NPN. Para realizar este experimento se preciso un ohmimetro con capacidad para medir resistencias altas de varios megaohmios. Conviene utilizar tambin un medidor que tenga gamas de baja resistencia de RX1 o RX10 y gamas de alta resistencia de Rx100k o RX1M

MARCO TEORICO
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre la fuente y la prdida (colector) se controla usando un campo elctrico (salida y prdida (colector) menores). Por ltimo, apareci el semiconductor metal-xido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con la denominada tecnologa CMOS (semiconductor metal-xido complementario). La tecnologa CMOS es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les
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considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

RESULTADOS TEORICOS Y PRACTICOS

Objetivo A Aprender a probar los transistores bipolares NPN utilizando el ohmimetro. Se tomaron 11 muestras de transistores 2N3904 y se les realizo la prueba HFE que proporciona el multimetro para transistores NPN y los resultados fueron los siguientes.

Transistor 2N3904 No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

NPN 190 240 200 202 140 189 210 200 228 165 230

300 250 200 150 100 50 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Serie1

CONCLUSIONES
Luego de haberle echo la prueba HFE a los 11 transistores pudimos comprobar que aunque el fabricante diga que le valor tpico para este transistor (2N3904) sea 200, este varia de unidad en unidad. Los datos que nosotros tomamos, nos dieron como resultado un valor mximo de 240 y un mnimo de 140, siendo el promedio de todos: 199.45 A parte de verificar el valor tpico del transistor verificamos que este estuviera en buen funcionamiento, conectndolo en inversa y comprobando que de esta manera no conduce.